JPH01239532A - 非線形抵抗素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、液晶と組み合わせて画像表示装置を構成す
る非線形抵抗素子に関する。

〔発明の概要〕

この発明は、非線形抵抗素子の遮光膜を不透明非晶質膜
で形成することにより製造工程の簡単化を図ったもので
ある。

〔従来の技術〕

従来は、第２図に示すように金属電極５と金属遮光膜６
とで非線形抵抗膜４を遮光する非線形抵抗素子が知られ
ていた。

〔発明が解決しようとする課題〕

上記のような非線形抵抗素子では、金属遮光膜６をスパ
ッタリングで形成し、非線形抵抗膜４をプラズマＣＶＤ
により形成していたために、２層の形成に時間がかかる
ことや、スバ・７タリングからプラズマＣＶＤに基板を
移動する際に大気中にさらすために、■ダストによる欠
陥が生じやすい、■金属遮光膜６の表面に金属酸化膜が
形成される、という問題点があった。

〔課題を解決するための手段〕

上記の問題点を解決するために、本発明では金属遮光膜
の代わりに不透明非晶質膜を遮光膜とした。

〔作用〕

上記の様な非線形抵抗素子では、不透明非晶質膜と非線
形抵抗膜を同一のプラズマＣＶＤにより真空状態のまま
で連続的な形成ができ、不」３明非晶質膜は非線形抵抗
膜の遮光膜となる。

〔実施例〕

次に、本発明の実施例を図面によって説明すると、第１
図は、本発明非線形抵抗素子の縦断面図であるが、１は
ガラス等の透明絶縁基板、２はインジウム・スズ酸化物
（ＩＴＯ）、酸化スズ等から成る透明電極、３は遮光膜
で、非晶質シリコン・ゲルマニウム合金等あるいはそれ
にリン、アンチモン、ひ素などのドーパントを１種もし
くは１種以上含むものから成る。そして、ドーパント材
の少なくとも１つの濃度は、原子数濃度でＩＯＰＰＭ以
上かつ１％以下が好ましい。この光学バンドギャップと
導電率の関係を第３図に示すが、白ヌキは光を当てた時
で、黒ヌキは光を当てていない時の値である。図から分
かるように狭バンドギヤツプ領域では十分に高い導電性
があり、しかも、光による変化は小さくなっている。特
に光学バンドギャップ１．１ｅＶの所では光を当てても
当てなくても導電率は全く変化しない。光学バンドギャ
ップが１．１ｅｖ程度と非線形抵抗膜の光学バンドギャ
ップ（約２．５ｅｖ）に比べてＦ分率さいために、絶縁
基板からの光を遮断することができる。このことから、
非晶質シリコン・ゲルマニウムは遮光膜としての特性を
もっている。さらに、例えばリンなどを１％はどドープ
すると、抵抗は約２ケタ減少するので効果的なものにな
る。４は非線形抵抗膜で、化学量論比よりシリコン含を
量が多いシリコンｆｆＪ化膜、シリコン窒化膜、または
シリコン酸化窒化膜等から成る。５は電極で、アルミニ
ウム、クロム等の電極材料から成る。

〔発明の効果〕

以上で述べたように、非晶質膜には遮光膜としての特性
があり、プラズマＣＶＤで形成することができるので、
非線形抵抗膜と真空状傅のまま連続形成が可能になるこ
とから、■ダストによる欠陥が生しにく（なり、■２層
の形成が短時間にできるようになる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の非線形抵抗素子の断面図、第２図は従
来の非線形抵抗素子の断面図、第３図は非晶質シリコン
・ゲルマニウムの光学バンドギャップと導電率の関係を
示す図あり、図中白ヌキは光照射時を、黒ヌキは光照射
しない時を示す。 １・・・絶縁基板 ２・・・透明電極 ３・・・不透明非晶質膜 ４・・・非線形抵抗膜 ５・・・電極 ６・・・金属遮光膜 以上 出願人　セイコー電子工業株式会社 筺 掲 ｉ電ｆ％　　ｆ’Ｔ’（ｍ−’

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　絶縁基板上の透明電極と、前記絶縁基板と前記透明電
   極にまたがるように形成された遮光膜と、前記遮光膜上
   の非線形抵抗膜と、前記非線形抵抗膜上の電極とから成
   る非線形抵抗素子において、前記遮光膜が不透明非晶質
   膜であることを特徴とする非線形抵抗素子。