JPS62263943A - リ−ドフレ−ム用銅合金 - Google Patents

リ−ドフレ−ム用銅合金

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JPS62263943A
JPS62263943A JP10619186A JP10619186A JPS62263943A JP S62263943 A JPS62263943 A JP S62263943A JP 10619186 A JP10619186 A JP 10619186A JP 10619186 A JP10619186 A JP 10619186A JP S62263943 A JPS62263943 A JP S62263943A
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JP
Japan
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alloy
lead frame
resin
solder
copper alloy
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Application number
JP10619186A
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English (en)
Inventor
Daiji Sakamoto
坂本 大司
Rikizo Watanabe
力蔵 渡辺
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Proterial Ltd
Original Assignee
Hitachi Metals Ltd
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Publication date
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49579Lead-frames or other flat leads characterised by the materials of the lead frames or layers thereon
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
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  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はおもに半導体装置のリードフレーム用として使
用される銅基合金に関するものである。
〔従来の技術〕
一般に半導体を要素とする集積回路のリードフレーム材
には次のような特性が要求される。
(1)電気および熱の伝導性が良いこと回路部に電気信
号を伝達し、また回路部の発熱をすみやかに外部へ放出
させるため、優れた電気伝導性と熱伝導性が要求される
(2)機械的強度が大きいこと 半導体機器は最終的にはそのリード先端部を各種回路基
板のソケットに差し込むか、あるいは半田付けして使用
されるためリード自体の強度が大きいことが必要であり
、またリード部の繰返し折り曲げに対する疲労強度の強
いことが必要である。
(3)耐熱性が良いこと(軟化温度が高いこと)半導体
機器の組立工程中、ダイボンディング、ワイヤボンディ
ング、レジンモールド等の各工程においてリードフレー
ム材は300〜450℃の高温にさらされるため、この
程度の加熱で機械的強度が低下しないことが必要である
(4)熱膨張係数が半導体チップあるいはモールドレジ
ンに近いこと 加熱を伴う組立工程中の熱膨張差による歪みに起因する
半導体チップの特性変動あるいはモールドレジンとの密
着性劣化を防ぐため、リードフレーム材には半導体チッ
プあるいはモールドレジンと近似した熱膨張係数が必要
とされる。
(5)めっき性が良いこと ダイボンディングされる部分のリードフレーム表面には
目的に応じて金や銀のめっきが施されるため、めっきの
被着性が良く、めっき欠陥の少ない材料であることが必
要である。
(6)半田付は性が良いこと 最終ユーザーでの半田実装を容易にするため。
ICの外部リードにはあらかじめSnや半田の被覆が施
される。従ってリードフレーム材には半田濡れ性の良い
ことまた、半田耐候性の良いこと(長時間使用中の半田
密着性の劣化が少ないこと)などが必要とされる。
(7)モールドレジンとの密着性が良いこと一般に集積
回路は、最終的にはレジンモールドされるタイプが多く
、この場合レジンとの密着性の良いことが必要とされる
しかしながら従来よりリードフレーム材料として用いら
れているF e−42%N j、 F e−29%Ni
−17%COなどのFe−Ni系合金、あるいは鉄人鋼
、リン青銅などのCu基合金はいずれも一長一短があり
、いずれかの必要特性を犠牲にして用途に応じた使い分
けがなされていた。
これらリードフレーム材の中でもCu基合金はFe−N
i系合金に比べて熱伝導性、電気伝導性が極めてすぐれ
、また安価であるため近年その使用量は急激に増加しは
じめ業界ではCu基合金の欠点である機械的強度や耐熱
性を改良した各種の合金が提案されてきた。
しかしながら、これらの合金はいずれも機械的強度重視
あるいは電気伝導度重視のどちらかに片寄ったものが多
く、半田付は性やレジンとの密着性に対する配慮が十分
でなかった。たとえば、機械的強度向上の目的で添加し
た合金元素が何等かの形で半田濡れ性や半田耐候性を害
するという例が多くあった。
〔発明が解決しようとする問題点〕
本発明はかかる点に鑑み高強度と高電気伝導性とを兼ね
備え、さらに半田耐候性を改善しリードフレーム用材料
として好適な諸特性を有する新規な銅合金としてCu−
2Ni−ITi合金にMn、MgあるいはさらにZnを
含有せしめた合金を提案した(特願昭6O−19340
7)が、今回さらに本合金にA1あるいはSiを適正量
含有せしめることによりレジンとの密着性を改善した。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明者らは前述のような問題点を解決するべくCu−
Ni−Ti系合金を対象に実験を行なった結果、本合金
にA1.SiとMn、Mgとを特定量含有せしめること
により高強度、高電気伝導性および良好なる半田耐候性
とを兼ね備え、さらにレジンとの密着性の優れた合金が
得られることを見出し本発明に到ったものである。
具体的には、重量%にてNi 0.8〜4.0%および
Ti002〜4.0を(Ni/Ti比率銅基〜4の範囲
内で含有したCu基合金にさらにMn 0.1−1.0
%、Mg 0.05−0.6%のうちの1種または2種
を合計で0.05〜1.0%、そしてさらにA1および
Siのうちの1種または2種を合計で0.005〜0.
5%を含有せしめたことを特徴とする合金である。
NiおよびTiはCuマトリックス中にNi3Tiある
いはNiTiとして微細に析出し、合金の電気伝導性を
あまり低下させずに機械的強度および耐熱性を向上させ
るものでありその組成比率を適正範囲内にコントロール
することが重要なポイントとなる。つまり重量%でのN
i/Ti比率が1未満の場合には過剰のTiが、また逆
にN i/ T i比率が4を越える場合にはNuが、
それぞれCuマトリックス中に固溶し合金の電気伝導性
を低下させる。したがって、Ni/Ti比率は1〜4と
した。
次にNiおよびTiの絶対量に関しては、Ni008%
未満あるいはTi 0.2%未満では十分に機械的強度
が得られず、またNiあるいはTiがそれぞれ4.0%
を越えると合金の加工性が劣化するととも1こめつき性
、半田濡れ性等にも悪影響を及ぼすようになるため重量
%にてNi 0.8〜4.0%およびTi002〜4.
0%に限定した。
M n 、 M gは半田耐候性を改善する合金元素で
あるが今のところその機構については不明な点が多い。
おそらく合金中に微量固溶している元素の半用材は界面
への拡散移動を抑制し半田/母材界面にT1やNiとS
nとのもろい金属間化合物が形成されるのを防いでいる
ものと推定されるが、その含有量がMnの場合は0.1
%未満、Mgの場合は0.052未満では十分な効果が
得られず、逆にMnを1.0%を越えて含有せしめても
、またMgの場合0.6%を越えて含有せしめてもそれ
以上の効果は得られないうえ、合金の電気伝導度が低下
し過ぎるためそれぞれMn0.1−1.0%、Mg 0
.05−0.6%に限定した。
またMnおよびMgを複合的に含有せしめる場合、その
総和が1.0%を越えると合金の電気伝導度の低下が無
視できなくなるためその総和量を0.05〜1.0%に
限定した。
Al、Siはレジンモールド工程で合金表面に基地合金
やレジンとのなじみの良い微細な酸化物粒子を形成し、
リードフレームとレジンとの密着性向上に寄与している
ものと推定されるが、その含有量が合計で0.005%
未満では、密着性向上の効果が得られず、逆に0.5%
を超えると合金のはんだ濡れ性の劣化が著しくなるため
、0.005〜0.5%に限定した。
〔実施例〕
以下本発明を実施例により説明する。
第1表に示す合金を高周波誘導溶解炉にて溶解。
鋳造し、鍛造および熱間圧延により厚さ5mまで圧延し
、ついで研削により表面の酸化スケールを除去したのち
冷間圧延、軟化焼鈍を繰り返し最終冷間圧延率50%に
て板厚0.2511I11にしあげ、450℃で時効処
理を行なった。これらの試料について電気伝導度、引張
強さ、レジン密着性、半田濡れ性および半田耐候性の試
験を行なった結果を第2表に示す。なお、レジン密着性
の評価は25mmX25+nmの試料を用い、350℃
×2分間の加熱後、第1図に示す方法で試料(1)の上
に直径1.0mmの穴の開いた金型(2)を重ね、その
穴にレジン粉末(3)を充填した後ホットプレート(4
)上で約170℃で2分間加熱し、レジンを硬化させた
後、試料(1)とモールド金型(2)とを水平方向に引
っ張り、その時のせん断剥離強度により評価した。
半田濡れ性については、厚さ0.25nn、幅20m、
長さ30圃の試料を用いMIL−5TD−202F M
ETHOD 2080に基いて半田付けを行い、半田の
濡れ状態を目視で観察した。また半田耐候性については
、前記の方法で半田付けし・た試料を大気中150℃で
500時間保持したのち半径2++mの曲率に曲げ、再
度曲げを戻した場合の母材からの半田剥離状況により判
定した。第1表、第2表において、従来合金のうち試料
番号14はNi入り銅合金、番号15はリン青銅系の高
強度銅合金、番号16は42Ni合金である。
=8− 第1表 第2表 第1表および第2表の結果から明らかなように本発明合
金は高強度と高電気伝導度とを兼ね備え、さらに、良好
なる半田耐候性とレジン密着性とを有していることがわ
かる。Ni/Ti比が1〜4の範囲をはずれると試料番
号1,2の比較例に示すごとく電気伝導度は著しく低下
しCu合金の長所が失われ、M n 、 M gを含有
しないものは試料番号3に示すごとく半田耐候性が劣る
。またAI、Siを含有しないもの(試料番号4,5.
6)は本発明合金に比してレジン密着性が劣る。本発明
合金は、従来合金の42Ni合金に比べ電気伝導度は1
0倍以上あり、またNi入り銅合金やSn、P入りの高
強度銅合金に比べ強度はほぼ同等であるが、電気伝導度
が高く、かつ半田耐候性およびレジン密着性においても
優れている。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明に係る合金は半導体装置用の
リードフレーム材として十分な強度と電気伝導性を具備
し、さらに半田耐候性も良好であるため、極めて信頼性
の高いリードフレーム材となりえるものである。
【図面の簡単な説明】
第1図は、レジン密着性の評価方法を示す図である。 1:試料、2:金型、3ニレジン、4:ホットプレート
。 =12− 3レラ゛ン

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 重量%にてNi0.8〜4.0%およびTi0.2
    〜4.0%を(Ni%/Ti%)=1〜4の範囲内で含
    有し、さらにMn0.1〜1.0%、Mg0.05〜0
    .6%のうちの1種または2種を合計で0.05〜1.
    0%を含有しそしてさらにAlおよびSiのうちの1種
    または2種を合計で0.005〜0.5%含有し、残部
    実質的にCuよりなることを特徴とするリードフレーム
    用銅合金。
JP10619186A 1986-05-09 1986-05-09 リ−ドフレ−ム用銅合金 Pending JPS62263943A (ja)

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