JPS62260211A - 半導体装置の製造装置 - Google Patents
半導体装置の製造装置Info
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- JPS62260211A JPS62260211A JP61103658A JP10365886A JPS62260211A JP S62260211 A JPS62260211 A JP S62260211A JP 61103658 A JP61103658 A JP 61103658A JP 10365886 A JP10365886 A JP 10365886A JP S62260211 A JPS62260211 A JP S62260211A
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 9
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 4
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置の製造装置、特に縮小投影露光装置
に関するものである。
に関するものである。
縮小投影露光装置において、レーザ干渉計を用いてステ
ージの位置決めをする場合、レーザ発光部を固定し、こ
の発光部からのレーザ光をステージに取付けた反射鏡に
照射し、反射鏡で反射したレーザ光に鵡づいてステージ
の位置を測定する。
ージの位置決めをする場合、レーザ発光部を固定し、こ
の発光部からのレーザ光をステージに取付けた反射鏡に
照射し、反射鏡で反射したレーザ光に鵡づいてステージ
の位置を測定する。
ところで、縮小投影露光装置において、装置間互換性（
マツチング）の精度の要因としては、ショク１〜内ディ
ストーション及びショット間位置決め精度がある。ショ
ット間位置決め精度については各ショク１−ごとにアラ
イメントする方式（ダイバイダイアライメント）が優れ
ているが、ｆＡ光に時間がかかる。従って、あらかじめ
半導体基板上の数点の位置を測定し、伸縮量、直交度、
オフセット量を計算し、補正をしながら露光する。
マツチング）の精度の要因としては、ショク１〜内ディ
ストーション及びショット間位置決め精度がある。ショ
ット間位置決め精度については各ショク１−ごとにアラ
イメントする方式（ダイバイダイアライメント）が優れ
ているが、ｆＡ光に時間がかかる。従って、あらかじめ
半導体基板上の数点の位置を測定し、伸縮量、直交度、
オフセット量を計算し、補正をしながら露光する。
従来のようにステージの位置決めにレーザ干渉計を用い
る縮小投影露光装置では、ステージが露光ショットの位
置により移動するため、反射鏡の鏡面に凹凸がある場合
には厚射鏡で反射するレーザ光の光路長に差が生じ、こ
れに基づいてレーザ干渉計によるステージの位！ｉ’２
８１！Ｉ定量に誤差が発生する、、た牲、ステージの位
置決め精度が低下してしまうという欠点があった。
る縮小投影露光装置では、ステージが露光ショットの位
置により移動するため、反射鏡の鏡面に凹凸がある場合
には厚射鏡で反射するレーザ光の光路長に差が生じ、こ
れに基づいてレーザ干渉計によるステージの位！ｉ’２
８１！Ｉ定量に誤差が発生する、、た牲、ステージの位
置決め精度が低下してしまうという欠点があった。
本発明の目的はステージの位置決め精度を向上させる半
導体装置の製造装置を提供することにある。
導体装置の製造装置を提供することにある。
本発明はレーザ干渉計からのレーザ光を半導体基板搭載
用ステージの反射鏡に照射し１反射鏡で反射したレーザ
光に基づいてレーザ干渉計にて前記ステージの位置を測
定する縮小投影型露光装置において、前記反射鏡の凹凸
によるレーザ光の光路長の誤差に応じて生ずる前記ステ
ージの位置ずれ量を記憶し、この記憶した位置ずれ量を
考慮してレーザ干渉計によるステージの位１１￥測定量
を補正する演算部を有することを特徴とする半導体装置
の製造装置である。
用ステージの反射鏡に照射し１反射鏡で反射したレーザ
光に基づいてレーザ干渉計にて前記ステージの位置を測
定する縮小投影型露光装置において、前記反射鏡の凹凸
によるレーザ光の光路長の誤差に応じて生ずる前記ステ
ージの位置ずれ量を記憶し、この記憶した位置ずれ量を
考慮してレーザ干渉計によるステージの位１１￥測定量
を補正する演算部を有することを特徴とする半導体装置
の製造装置である。
以下、本発明の一実施例を図により説明する。
第１図において、縮小投影露光装置本体Ｍ上に半導体基
板搭載用ステージ１がＸ、Ｙの２軸方向に移動可能に設
置されている。ステージ１の一端縁ｌａに沿ってＸ軸反
射鏡７が設置され、該端縁１ａと直交する端縁１ｂに沿
ってＹ軸反射鏡９が設置され。
板搭載用ステージ１がＸ、Ｙの２軸方向に移動可能に設
置されている。ステージ１の一端縁ｌａに沿ってＸ軸反
射鏡７が設置され、該端縁１ａと直交する端縁１ｂに沿
ってＹ軸反射鏡９が設置され。
それぞれに対向してＸ軸し−ザ干渉計３とＹ軸し−ザ干
渉計５とが装置本体Ｍに設置されている。
渉計５とが装置本体Ｍに設置されている。
さらにステージ１の端縁１ａにはＸ軸位置ズレ検出用セ
ンサー８が、端縁１ｂにはＹ軸位置ズレ検出用センサー
６がそれぞれ設置され、それぞれに対向してＸ軸位置ズ
レ検出用レーザ４とＹ軸位置ズレ検出用レーザ２とが装
置本体Ｍに設置されている。
ンサー８が、端縁１ｂにはＹ軸位置ズレ検出用センサー
６がそれぞれ設置され、それぞれに対向してＸ軸位置ズ
レ検出用レーザ４とＹ軸位置ズレ検出用レーザ２とが装
置本体Ｍに設置されている。
本発明は各反射鏡７，９の凹凸によるレーザ光の光路長
の誤差に応じて生ずるステージの位置ずれ量を記ｔαし
、この記憶した位置ずれ量を考慮してレーザ干渉計３，
５によるステージの位置測定量を補正する演算部１０を
備えたものである。
の誤差に応じて生ずるステージの位置ずれ量を記ｔαし
、この記憶した位置ずれ量を考慮してレーザ干渉計３，
５によるステージの位置測定量を補正する演算部１０を
備えたものである。
縮小投影露光装置において、露光を行う場合、まず、レ
チクルをセットし、半導体基板をステージ上にセットし
た後、半導体基板上の数点の位置を測定し、伸縮量、直
交度、オフセット量を計算する１次にＸ軸位置ズレ検出
用レーザ４及びＸ軸位置ズレ検出用センサー８を用いて
ステージのＸ座標上の動きを規制しながらステージをＹ
方向に移動させる。この場合ステージ１のＸ座標上の動
きは規制されているから、ステージをＹ方向に移動させ
た際に、Ｘ軸し−ザ干渉計３によりステージ１のＸ座標
上の位置を検出すると、その測定値には常に一定値を示
すものであるが、反射鏡７の表面に凹凸があると、反射
ｆｆ１７の表面とレーザ干渉計３との間におけるレーザ
光の光路長が異なるため、測定値にずれが発生する。そ
こで、Ｘ軸方向の動きを規制してステージ１をＹ軸方向
に移動させたときのＸ座標上でのレーザ干渉計３による
ステージ１の位ｈｉ ８１９定値のずれ量を演算部１０
に記憶させる。Ｙ軸反射鏡についても同様に行う、そし
て露光する場合に、上記半導体錫板の伸縮量、直交度、
オフセット量の補正に加えてＸ軸及びＹ軸反射鏡７，９
の凹凸状態によるレーザ干渉計３．５での測定値に生ず
るずれ量を演算部ｌＯから読み出し、演算部ｌＯにてこ
のずれ量に基づいてレーザ干渉計３，５によるステージ
の位置測定量を補正しつつステージの位置決めを行う。
チクルをセットし、半導体基板をステージ上にセットし
た後、半導体基板上の数点の位置を測定し、伸縮量、直
交度、オフセット量を計算する１次にＸ軸位置ズレ検出
用レーザ４及びＸ軸位置ズレ検出用センサー８を用いて
ステージのＸ座標上の動きを規制しながらステージをＹ
方向に移動させる。この場合ステージ１のＸ座標上の動
きは規制されているから、ステージをＹ方向に移動させ
た際に、Ｘ軸し−ザ干渉計３によりステージ１のＸ座標
上の位置を検出すると、その測定値には常に一定値を示
すものであるが、反射鏡７の表面に凹凸があると、反射
ｆｆ１７の表面とレーザ干渉計３との間におけるレーザ
光の光路長が異なるため、測定値にずれが発生する。そ
こで、Ｘ軸方向の動きを規制してステージ１をＹ軸方向
に移動させたときのＸ座標上でのレーザ干渉計３による
ステージ１の位ｈｉ ８１９定値のずれ量を演算部１０
に記憶させる。Ｙ軸反射鏡についても同様に行う、そし
て露光する場合に、上記半導体錫板の伸縮量、直交度、
オフセット量の補正に加えてＸ軸及びＹ軸反射鏡７，９
の凹凸状態によるレーザ干渉計３．５での測定値に生ず
るずれ量を演算部ｌＯから読み出し、演算部ｌＯにてこ
のずれ量に基づいてレーザ干渉計３，５によるステージ
の位置測定量を補正しつつステージの位置決めを行う。
以上説明したように本発明は縮小投影露光装置において
露光する前に反射鏡の表面の凹凸を測定し、露光時の位
置決めに補正を加えるため、反射鏡表面の仕上げの精度
の影響をなくしてステージの位置決め精度を向上できる
効果を有する。
露光する前に反射鏡の表面の凹凸を測定し、露光時の位
置決めに補正を加えるため、反射鏡表面の仕上げの精度
の影響をなくしてステージの位置決め精度を向上できる
効果を有する。
第１図は本発明の縮小投影露光装置のステージ部分を示
す平面図である。 １・・・ステージ、２・・・Ｙ軸位置ズレ検出用レーザ
、３・・・Ｘ軸し−ザ干渉計、４・・・Ｘ軸位置ズレ検
出用レーザ、５・・・Ｙ軸し−ザ干渉計、６・・・Ｙ軸
位置ズレ検出用センサー、７・・・Ｘ軸反射鏡、８・・
・Ｘ軸位置ズレ検出用センサー、９・・・Ｙ軸反射鏡、
１ｏ・・・演算部
す平面図である。 １・・・ステージ、２・・・Ｙ軸位置ズレ検出用レーザ
、３・・・Ｘ軸し−ザ干渉計、４・・・Ｘ軸位置ズレ検
出用レーザ、５・・・Ｙ軸し−ザ干渉計、６・・・Ｙ軸
位置ズレ検出用センサー、７・・・Ｘ軸反射鏡、８・・
・Ｘ軸位置ズレ検出用センサー、９・・・Ｙ軸反射鏡、
１ｏ・・・演算部
Claims (1)
- （１）レーザ干渉計からのレーザ光を半導体基板搭載用
ステージの反射鏡に照射し、反射鏡で反射したレーザ光
に基づいてレーザ干渉計にて前記ステージの位置を測定
する縮小投影型露光装置において、前記反射鏡の凹凸に
よるレーザ光の光路長の誤差に応じて生ずる前記ステー
ジの位置ずれ量を記憶し、この記憶した位置ずれ量を考
慮してレーザ干渉計によるステージの位置測定量を補正
する演算部を有することを特徴とする半導体装置の製造
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61103658A JPS62260211A (ja) | 1986-05-06 | 1986-05-06 | 半導体装置の製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61103658A JPS62260211A (ja) | 1986-05-06 | 1986-05-06 | 半導体装置の製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62260211A true JPS62260211A (ja) | 1987-11-12 |
Family
ID=14359877
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61103658A Pending JPS62260211A (ja) | 1986-05-06 | 1986-05-06 | 半導体装置の製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62260211A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7852033B2 (en) | 2004-03-30 | 2010-12-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Driving control apparatus and method, and exposure apparatus |
-
1986
- 1986-05-06 JP JP61103658A patent/JPS62260211A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7852033B2 (en) | 2004-03-30 | 2010-12-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Driving control apparatus and method, and exposure apparatus |
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