JPS62259476A - 半導体圧力センサ用台座 - Google Patents
半導体圧力センサ用台座Info
- Publication number
- JPS62259476A JPS62259476A JP10274886A JP10274886A JPS62259476A JP S62259476 A JPS62259476 A JP S62259476A JP 10274886 A JP10274886 A JP 10274886A JP 10274886 A JP10274886 A JP 10274886A JP S62259476 A JPS62259476 A JP S62259476A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pedestal
- electrode
- stem
- silicon diaphragm
- pressure sensor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 60
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 16
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 29
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Landscapes
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
- Pressure Sensors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の分野〕
本発明は半導体圧力センサに用いられる台座に関し、特
にシリコンダイヤフラムとステムとを陽極接合する際に
有効な構造を有する半導体圧力センサ用台座に関するも
のである。
にシリコンダイヤフラムとステムとを陽極接合する際に
有効な構造を有する半導体圧力センサ用台座に関するも
のである。
本発明による半導体圧力センサ用台座は、中心にシリコ
ンダイヤフラムに連通ずる貫通孔が設けられた台座の側
壁にシリコンダイヤフラムと台座、及び台座と台座を保
持するステムとを同時に陽極接合するための帯状の金属
電極帯を設けたものである。そしてこの電極帯を負極と
し、シリコンダイヤフラムと金属ステムとを正損に接続
することによって陽極接合を安定して行うようにしてい
る。
ンダイヤフラムに連通ずる貫通孔が設けられた台座の側
壁にシリコンダイヤフラムと台座、及び台座と台座を保
持するステムとを同時に陽極接合するための帯状の金属
電極帯を設けたものである。そしてこの電極帯を負極と
し、シリコンダイヤフラムと金属ステムとを正損に接続
することによって陽極接合を安定して行うようにしてい
る。
（従来技術）
圧力変化に基づくピエゾ抵抗効果を利用したシリコンダ
イヤフラム型の半導体圧力センサにおいては、取付部の
温度変化に基づく圧力変動を防止するためにシリコン半
導体又はホウケイ酸ガラス等の台座が設けられる。台座
はシリコンダイヤフラムと連通ずる貫通孔を有しており
、台座は金属製のステム上に固定される。
イヤフラム型の半導体圧力センサにおいては、取付部の
温度変化に基づく圧力変動を防止するためにシリコン半
導体又はホウケイ酸ガラス等の台座が設けられる。台座
はシリコンダイヤフラムと連通ずる貫通孔を有しており
、台座は金属製のステム上に固定される。
そしてシリコンダイヤフラムと台座及び金属ステムとを
接続するために、例えば特開昭５５−４３８１９号に示
されているように、これらを同時に陽極接合する方法が
知られている。これは例えば第３図に示すようにシリコ
ンダイヤフラム１の下方にガラス台座２を固定し、更に
その下方に金属製ステム３を固定してシリコンダイヤフ
ラム１及び金属製ステム３側を正とし、ガラス台座２側
を負として３００℃程度の高温下において電極４及びビ
ン電極５を介して直流電圧を印加し、１回の陽極接合に
よってこれらを同時に接続するものである。
接続するために、例えば特開昭５５−４３８１９号に示
されているように、これらを同時に陽極接合する方法が
知られている。これは例えば第３図に示すようにシリコ
ンダイヤフラム１の下方にガラス台座２を固定し、更に
その下方に金属製ステム３を固定してシリコンダイヤフ
ラム１及び金属製ステム３側を正とし、ガラス台座２側
を負として３００℃程度の高温下において電極４及びビ
ン電極５を介して直流電圧を印加し、１回の陽極接合に
よってこれらを同時に接続するものである。
（発明が解決しようとする問題点）
このような１回の陽極接合によってシリコンダイヤフラ
ム１．ガラス台座２及び金属製ステム３を陽極接合すれ
ば接続時の処理工程を少なくして陽極接合することが可
能である。しかしながらガラス台座２に接触するビン電
極５の位置ずれによってシリコンダイヤフラム１とガラ
ス台座２間の印加電圧及びガラス台座２及び金属ステム
３間の印加電圧が不均一となる。又ガラス台座２の側面
に一点で接するビン電極５を用いておりその接触位置に
よる電界の不均一が生じるため、均一な陽極接合をする
ことが難しいという問題点があった。
ム１．ガラス台座２及び金属製ステム３を陽極接合すれ
ば接続時の処理工程を少なくして陽極接合することが可
能である。しかしながらガラス台座２に接触するビン電
極５の位置ずれによってシリコンダイヤフラム１とガラ
ス台座２間の印加電圧及びガラス台座２及び金属ステム
３間の印加電圧が不均一となる。又ガラス台座２の側面
に一点で接するビン電極５を用いておりその接触位置に
よる電界の不均一が生じるため、均一な陽極接合をする
ことが難しいという問題点があった。
本発明はこのような従来の半導体圧力センサの製造時の
問題点に鑑みてなされたものであって、シリコンダイヤ
フラムと金属ステムとを同時に確実に陽極接合できるよ
うにすることを技術的課題とする。
問題点に鑑みてなされたものであって、シリコンダイヤ
フラムと金属ステムとを同時に確実に陽極接合できるよ
うにすることを技術的課題とする。
（構成）
本発明は中心に貫通孔（１１）を有し、抵抗が形成され
たシリコンダイヤフラム（１３）を保持してステム（１
４）上に固定する半導体圧力センサ用の台座（１０）で
あって、台座（１０）のシリコンダイヤフラム（１３）
とステム（１４）間の側壁の所定範囲に電極帯（１２）
を形成したことを特徴とするものである。
たシリコンダイヤフラム（１３）を保持してステム（１
４）上に固定する半導体圧力センサ用の台座（１０）で
あって、台座（１０）のシリコンダイヤフラム（１３）
とステム（１４）間の側壁の所定範囲に電極帯（１２）
を形成したことを特徴とするものである。
（作用）
このような特徴を有する本発明によれば、台座（１０）
の上部にシリコンダイヤフラム（１３）を固定し、下方
に金属製ステム（］４）を固定して台座（１０）の側方
に設けられた電極帯（１２）に電極端子（１６）を接続
して陽極接合が行われる。
の上部にシリコンダイヤフラム（１３）を固定し、下方
に金属製ステム（］４）を固定して台座（１０）の側方
に設けられた電極帯（１２）に電極端子（１６）を接続
して陽極接合が行われる。
（効果）
このように本発明によれば、台座の電極帯は台座の側壁
の所定位置に設けられているため、電極帯とシリコンダ
イヤフラム及び電極帯と金属台座間の電界が一定となり
陽極接合を均一化することができる。又電極端子は電極
帯に接しているため、位置ずれがあっても電界は変化せ
ず陽極接合を安定して行うことができる。
の所定位置に設けられているため、電極帯とシリコンダ
イヤフラム及び電極帯と金属台座間の電界が一定となり
陽極接合を均一化することができる。又電極端子は電極
帯に接しているため、位置ずれがあっても電界は変化せ
ず陽極接合を安定して行うことができる。
第１図は本発明による半導体圧力センサ用ガラス台座の
一実施例を示す斜視図である。本図においてガラス台座
１０はホウケイ酸ガラス（例えばパイレックスガラス）
を用いるものとし、図中の上面であるＡ面にはシリコン
ダイヤフラムが接続される。下面のＢ面には金属製のス
テムが接続されて半導体圧力センサが構成される。ガラ
ス台座１０の中央には図示のように貫通孔１１が設けら
れている。
一実施例を示す斜視図である。本図においてガラス台座
１０はホウケイ酸ガラス（例えばパイレックスガラス）
を用いるものとし、図中の上面であるＡ面にはシリコン
ダイヤフラムが接続される。下面のＢ面には金属製のス
テムが接続されて半導体圧力センサが構成される。ガラ
ス台座１０の中央には図示のように貫通孔１１が設けら
れている。
さて本発明のガラス台座１０には側壁に金属電極帯１２
が設けられる。金属電極帯１２は図示のようにガラス台
座１０の相対向する側壁に金属電極帯１２ａ、１２ｂと
して設けてもよく、又図中破線で示すように側壁に環状
に設けるようにすることもできる。この金属電極帯１２
はペースト印刷又はスパッタ法によって選択的に電極層
を形成するものとする。この金属帯１２は金属帯からＡ
面及びＢ面までの間隔Ｃ，Ｄが等しいように形成するも
のとする。
が設けられる。金属電極帯１２は図示のようにガラス台
座１０の相対向する側壁に金属電極帯１２ａ、１２ｂと
して設けてもよく、又図中破線で示すように側壁に環状
に設けるようにすることもできる。この金属電極帯１２
はペースト印刷又はスパッタ法によって選択的に電極層
を形成するものとする。この金属帯１２は金属帯からＡ
面及びＢ面までの間隔Ｃ，Ｄが等しいように形成するも
のとする。
こうして形成されたガラス台座１０を用いて半導体圧力
センサを製造する場合には、第２図に示すようにガラス
台座１０のＡ面にシリコンダイヤフラム１３を配置しＢ
面に金属製ステム１４を固定する。そしてシリコンダイ
ヤフラム１３の上面に電極１５を設けてこれらを約４０
０℃の高温下において電極１５と金属ステム１４を正と
し、ガラス台座１０の金属電極帯１２ａ、１２ｂを負と
なるように電極端子１６を接続して図示のように電圧を
印加する。
センサを製造する場合には、第２図に示すようにガラス
台座１０のＡ面にシリコンダイヤフラム１３を配置しＢ
面に金属製ステム１４を固定する。そしてシリコンダイ
ヤフラム１３の上面に電極１５を設けてこれらを約４０
０℃の高温下において電極１５と金属ステム１４を正と
し、ガラス台座１０の金属電極帯１２ａ、１２ｂを負と
なるように電極端子１６を接続して図示のように電圧を
印加する。
そうすればガラス台座１０の中央に金属電極帯１２ａ、
１２ｂが形成されているため、ガラス台座１０とシリコ
ンダイヤフラム１３及びガラス台座１０と金属ステム１
４とが同時に陽極接合される。又電極端子１６は金属電
極帯１２ａ、１２ｂに接しているため、電極端子１６の
位置ずれにかかわらず一定の均一な電界がガラス台座１
０内に加わる。又ガラス台座１０内の電界が均一である
ためいずれの位置においても陽極接合を均一に行うこと
ができる。
１２ｂが形成されているため、ガラス台座１０とシリコ
ンダイヤフラム１３及びガラス台座１０と金属ステム１
４とが同時に陽極接合される。又電極端子１６は金属電
極帯１２ａ、１２ｂに接しているため、電極端子１６の
位置ずれにかかわらず一定の均一な電界がガラス台座１
０内に加わる。又ガラス台座１０内の電界が均一である
ためいずれの位置においても陽極接合を均一に行うこと
ができる。
第１図は本発明の一実施例による半導体圧力センサ用台
座の構造を示す斜視図、第２図はこのガラス台座を用い
てシリコンダイヤフラムと金属ステムとを同時に陽極接
合する際の状態を示す図、第３図は従来のシリコンダイ
ヤフラム、ガラス台座及び金属ステムを陽極接合する際
の状態を示す図である。 １．１３・−・−・・・シリコンダイヤフラム ２，
１０・〜・−・−・ガラス台座 ３．１４・−・−金
属ステム４ 、 １５−−−一電極 １１・・・・＝
・・貫通孔 １２゜１２ ａ 、 １２ ｂ−−−
−−一金属電極帯特許出願人 立石電機株式会社 マ １−Ｊλ 第１図 １１ Ａ （５〆′ １０−−−−−−−−−一カ゛う久仔、堅１２ａｊ２ｂ
−−−−−４ＡＱ埼％ 第 ２ 図
座の構造を示す斜視図、第２図はこのガラス台座を用い
てシリコンダイヤフラムと金属ステムとを同時に陽極接
合する際の状態を示す図、第３図は従来のシリコンダイ
ヤフラム、ガラス台座及び金属ステムを陽極接合する際
の状態を示す図である。 １．１３・−・−・・・シリコンダイヤフラム ２，
１０・〜・−・−・ガラス台座 ３．１４・−・−金
属ステム４ 、 １５−−−一電極 １１・・・・＝
・・貫通孔 １２゜１２ ａ 、 １２ ｂ−−−
−−一金属電極帯特許出願人 立石電機株式会社 マ １−Ｊλ 第１図 １１ Ａ （５〆′ １０−−−−−−−−−一カ゛う久仔、堅１２ａｊ２ｂ
−−−−−４ＡＱ埼％ 第 ２ 図
Claims (3)
- （１）中心に貫通孔を有し、抵抗が形成されたシリコン
ダイヤフラムを保持してステム上に固定する半導体圧力
センサ用の台座において、 前記台座のシリコンダイヤフラムとステム間の側壁の所
定範囲に電極帯を形成したことを特徴とする半導体圧力
センサ用台座。 - （２）前記台座の電極帯は、側面中央部の相対向する２
面に夫々設けられていることを特徴とする特許請求の範
囲第１項記載の半導体圧力センサ用台座。 - （３）前記台座の電極帯は、台座の四方側面の中央部に
設けられていることを特徴とする特許請求の範囲第１項
記載の半導体圧力センサ用台座。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10274886A JPS62259476A (ja) | 1986-05-02 | 1986-05-02 | 半導体圧力センサ用台座 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10274886A JPS62259476A (ja) | 1986-05-02 | 1986-05-02 | 半導体圧力センサ用台座 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62259476A true JPS62259476A (ja) | 1987-11-11 |
Family
ID=14335842
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10274886A Pending JPS62259476A (ja) | 1986-05-02 | 1986-05-02 | 半導体圧力センサ用台座 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62259476A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01172721A (ja) * | 1987-12-28 | 1989-07-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体圧力センサ |
| JPH01256177A (ja) * | 1988-04-06 | 1989-10-12 | Hitachi Ltd | 多機能センサ |
| JPH04119672A (ja) * | 1990-09-10 | 1992-04-21 | Nippondenso Co Ltd | 半導体圧力センサ及びその製造方法 |
| US5877039A (en) * | 1990-09-10 | 1999-03-02 | Nippondenso Company, Ltd. | Method of making a semiconductor pressure sensor |
| US6388279B1 (en) * | 1997-06-11 | 2002-05-14 | Denso Corporation | Semiconductor substrate manufacturing method, semiconductor pressure sensor and manufacturing method thereof |
-
1986
- 1986-05-02 JP JP10274886A patent/JPS62259476A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01172721A (ja) * | 1987-12-28 | 1989-07-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体圧力センサ |
| JPH01256177A (ja) * | 1988-04-06 | 1989-10-12 | Hitachi Ltd | 多機能センサ |
| JPH04119672A (ja) * | 1990-09-10 | 1992-04-21 | Nippondenso Co Ltd | 半導体圧力センサ及びその製造方法 |
| US5877039A (en) * | 1990-09-10 | 1999-03-02 | Nippondenso Company, Ltd. | Method of making a semiconductor pressure sensor |
| US6388279B1 (en) * | 1997-06-11 | 2002-05-14 | Denso Corporation | Semiconductor substrate manufacturing method, semiconductor pressure sensor and manufacturing method thereof |
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