JPS62256427A - 不純物拡散法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は不純物を半導体中に拡散させる方法に関し、特
に浅い拡散層を容易に実現できる方法に関する。

〔従来の技術〕

従来、ポロンナイトライド（ＢＮ）板等の固体拡散源を
用いて不純物をシリコン基板中に拡散する方法が用いら
れている。従来の拡散法では、石英管内に固体拡散源と
シリコン基板とを対向させて置き、電気炉で数十分間の
熱処理を行っていた。

〔発明が解決しようとする問題点〕

従来の拡散法では、電気炉を用いているので、熱処理時
間が数十分間と長くなり、０．５μｍ以下の浅い拡散層
を実現することは困難であった。また、低濃度領域を形
成する場合は、温度を下げなければならないため、安定
な拡散が行え力いという欠点があった。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明の不純物拡散法は、半導体基板と固体拡散源とを
対向かつ近接させて配置し光照射によって半導体基板お
よび固体拡散源を１分以内で８００℃以上の温度に加熱
することを特徴とする。

〔実施例〕

次に、本発明について図面を参照して説明する。

第１図は本発明の一実施例を説明するだめの拡散装置の
断面図である。加熱用のランプ２から放射された光と、
反射板１で反射した光とが、ガスが導入された石英管３
内の半導体基板４および固体拡散源５に吸収され加熱さ
れる。固体拡散源としては、例えば５ｉＰ２０７やＢＮ
などが利用できる。

ランプとして、例えばタングステンノ・ロゲンランプを
用いると、数秒程度で１０００℃以上の高温にまで加熱
できる。加熱された固体拡散源５から不純物の酸化物が
分解・蒸発し、半導体基板４の表面に付着する。半導体
基板４も加熱されて高温になっているから、不純物の拡
散が行なわれる。

光加熱では、１０秒以下の短時間熱処理が可能であるか
ら、１０００℃以上の高温にしても拡散層が深くなるこ
とはない。しかも表面不純物濃度は固容度で決まシ、高
温はど濃度が高くなるから拡散層の深さを浅く、かつ高
濃度とすることができる。また、短時間にすることによ
り、低濃度拡散層の形成もできる。さらに不純物表面濃
度は温度でコントロールでき、従って、非常に浅い接合
（〜０．１μｍ〜０．２μｍ）が種々の表面濃度（〜Ｉ
Ｘ　Ｉ　Ｑ”　ｃｍ−”　〜２　Ｘ　Ｉ　Ｑ！ｏｃｍ″
″”　）　で実現−ｃ＊る。

〔発明の効果〕

以上説明したように本発明は、半導体基板に不純物を拡
散する際、固体拡散源と光加熱による短時間熱処理とを
用いることによシ非常に浅い接合を種々の表面濃度で実
現できる効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例を説明するための断面図であ
る。 １・・・・・・反射板、２・・・・・・ランプ、３・・
・・・・石英管、４・・・・・・半導体基板、５・・・
・・・固体拡散源。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 半導体基板と固体拡散源とを対向かつ近接させて配置し
   光照射によって前記半導体基板および前記固体拡散源を
   １分以内で８００℃以上の温度に加熱することを特徴と
   する不純物拡散法。