JPS62254105A - 反射鏡 - Google Patents
反射鏡Info
- Publication number
- JPS62254105A JPS62254105A JP61097669A JP9766986A JPS62254105A JP S62254105 A JPS62254105 A JP S62254105A JP 61097669 A JP61097669 A JP 61097669A JP 9766986 A JP9766986 A JP 9766986A JP S62254105 A JPS62254105 A JP S62254105A
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- JP
- Japan
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- film
- aluminum
- multilayer film
- laser
- ray
- Prior art date
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- Pending
Links
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 26
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 26
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 9
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 7
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- CPBQJMYROZQQJC-UHFFFAOYSA-N helium neon Chemical compound [He].[Ne] CPBQJMYROZQQJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 abstract description 3
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 abstract description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 abstract description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 abstract 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F24—HEATING; RANGES; VENTILATING
- F24S—SOLAR HEAT COLLECTORS; SOLAR HEAT SYSTEMS
- F24S23/00—Arrangements for concentrating solar-rays for solar heat collectors
- F24S23/70—Arrangements for concentrating solar-rays for solar heat collectors with reflectors
- F24S23/82—Arrangements for concentrating solar-rays for solar heat collectors with reflectors characterised by the material or the construction of the reflector
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/40—Solar thermal energy, e.g. solar towers
Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、光源に1キシマレーザを用いた半導体露光装
置等の光学系に用6”=て好適な反射鏡に関する。
置等の光学系に用6”=て好適な反射鏡に関する。
[従来の技vIi1
従来、半導体露光@置には光源に水銀ランプを用いたも
のがある。この水銀ランプを用いた半導体露光装置にお
いては光学系に用いられる反射鏡としてアルミニウムコ
ートを施したミラー(以下、アルミコートミラーという
。)が一般に使用されている。ところで最近半導体露光
![の光源としてJ−キシマレーザを利用でることが考
えられているが、この場合エキシマレーザはビークパワ
ーの大きいパルス光源であるのでアルミコートミラーを
用いると、アルミニウム膜がとけてしまい耐久性が悪い
という欠点がある。またアルミコートミラーは、紫外光
の反射率が低いので、紫外光に対する満足すべき醍射特
性が得られない。このため1キシマレーザを用いた半導
体露光装置では紫外光に対する反射率が良い誘電体多層
膜コートを施したミラー(以下、誘電体多層膜コートミ
ラーという。)が使用されていた。
のがある。この水銀ランプを用いた半導体露光装置にお
いては光学系に用いられる反射鏡としてアルミニウムコ
ートを施したミラー(以下、アルミコートミラーという
。)が一般に使用されている。ところで最近半導体露光
![の光源としてJ−キシマレーザを利用でることが考
えられているが、この場合エキシマレーザはビークパワ
ーの大きいパルス光源であるのでアルミコートミラーを
用いると、アルミニウム膜がとけてしまい耐久性が悪い
という欠点がある。またアルミコートミラーは、紫外光
の反射率が低いので、紫外光に対する満足すべき醍射特
性が得られない。このため1キシマレーザを用いた半導
体露光装置では紫外光に対する反射率が良い誘電体多層
膜コートを施したミラー(以下、誘電体多層膜コートミ
ラーという。)が使用されていた。
1発明が解決しようとする問題点]
しかしながら、エキシマレーザを光源に用いた場合、J
、キシマレーザ光は紫外光で目に見えずまたパルス発振
であるため、光軸調整が難かしいという問題点があった
。そこで光軸調整時のみヘリウム−ネオンレーザ等の可
視領域で連続発振づるレーザ光を用いる方法が考えられ
ているが、この場合には誘電体多層膜コートミラーが可
視光を吸収してしまい可視光の友釣率が低下するので光
軸調整が不可能であった。
、キシマレーザ光は紫外光で目に見えずまたパルス発振
であるため、光軸調整が難かしいという問題点があった
。そこで光軸調整時のみヘリウム−ネオンレーザ等の可
視領域で連続発振づるレーザ光を用いる方法が考えられ
ているが、この場合には誘電体多層膜コートミラーが可
視光を吸収してしまい可視光の友釣率が低下するので光
軸調整が不可能であった。
本発明は上記問題点に鑑みなされたもので、紫外光およ
び可視光に対する反射率、耐久性が向上する反射鏡を提
供することを目的とする。
び可視光に対する反射率、耐久性が向上する反射鏡を提
供することを目的とする。
[問題点を解決するための手段]
本発明はガラス基板上にアルミニウl\膜を形成し、該
アルミニウム膜上に誘電体多層膜を形成して構成される
。
アルミニウム膜上に誘電体多層膜を形成して構成される
。
[作用]
したがって、本発明の反射鏡に紫外光が入射すると、紫
外光は誘電体多層膜で反射され、可視光が入射すると、
可視光は誘電体多層膜を透過し、アルミニウム膜で反射
される。
外光は誘電体多層膜で反射され、可視光が入射すると、
可視光は誘電体多層膜を透過し、アルミニウム膜で反射
される。
[実施例1
第1図は本発明の一実施例を示づ断面図である。第1図
において、ガラス基板1o−1−に番よアルミニウム膜
を蒸着してアルミニウム蒸着膜11が形成されており、
アルミニウム蒸着膜11上には誘電体多層膜10が被覆
形成される。ここで誘電体多層膜10は酸化シリコニウ
ム(ZrO2)層と酸化ケイ素(SiO2)層を交互に
積層した10層・〜30層の多層膜より形成されている
。かかる構成の反射鏡13において誘電体多層膜12は
エキシマレーザ等の紫外光14が入射されると、この紫
外光1/Iを高反射率で反射し、アルミニウム蒸着膜1
2は誘電体多層膜12で反射されずに透過した一部の紫
外光14を反射する。またヘリウム−ネオンレーザ等の
可視光15が入射されると、この可視光15は誘電体多
層膜12を透過し、アルミニウム蒸着膜で反射される。
において、ガラス基板1o−1−に番よアルミニウム膜
を蒸着してアルミニウム蒸着膜11が形成されており、
アルミニウム蒸着膜11上には誘電体多層膜10が被覆
形成される。ここで誘電体多層膜10は酸化シリコニウ
ム(ZrO2)層と酸化ケイ素(SiO2)層を交互に
積層した10層・〜30層の多層膜より形成されている
。かかる構成の反射鏡13において誘電体多層膜12は
エキシマレーザ等の紫外光14が入射されると、この紫
外光1/Iを高反射率で反射し、アルミニウム蒸着膜1
2は誘電体多層膜12で反射されずに透過した一部の紫
外光14を反射する。またヘリウム−ネオンレーザ等の
可視光15が入射されると、この可視光15は誘電体多
層膜12を透過し、アルミニウム蒸着膜で反射される。
第2図は、本発明の反射鏡13をエキシマレーザの縮小
投影露光装置に用いた一例を示すものである。第2図に
おいて、レーザの光軸調整時には1キシマレーザ20に
代えてヘリウム−ネオンレーザ光等の可視域で連続発振
するレーザを光源として用いる。反射鏡13はインテグ
レータ21を介して入射する上記可視域で連続発振する
レーザ光をアルミニウム蒸着膜12によって効率よく反
射し、反射光をコンデンサーレンズ22およびレチクル
23を介して縮小投影レンズ24に導く。
投影露光装置に用いた一例を示すものである。第2図に
おいて、レーザの光軸調整時には1キシマレーザ20に
代えてヘリウム−ネオンレーザ光等の可視域で連続発振
するレーザを光源として用いる。反射鏡13はインテグ
レータ21を介して入射する上記可視域で連続発振する
レーザ光をアルミニウム蒸着膜12によって効率よく反
射し、反射光をコンデンサーレンズ22およびレチクル
23を介して縮小投影レンズ24に導く。
したがってオペレータは、可視光のレーザを用いて上記
した各装置の光軸を短時間で容易に調整η−ることがで
きる。
した各装置の光軸を短時間で容易に調整η−ることがで
きる。
なお露光時において、反射鏡13は、入射するJキシマ
レーザ20からのレーザ光を誘電体多層膜12によって
友射し、反射光を光軸調整がなされたコンデンサーレン
ズ22おJ:びレチクル23を介して縮小投影レンズ2
2に導く。したがってレチクル23に形成された微細パ
ターンはレチクル23からつIハ25上に転写される。
レーザ20からのレーザ光を誘電体多層膜12によって
友射し、反射光を光軸調整がなされたコンデンサーレン
ズ22おJ:びレチクル23を介して縮小投影レンズ2
2に導く。したがってレチクル23に形成された微細パ
ターンはレチクル23からつIハ25上に転写される。
このように、本発明の反射鏡によれば1キシマレーザを
用いた半導体露光装置においてレーザ発振装置との光軸
調整を可視光により短時間に行うことができる。また、
一般に1キシマレーザ川の誘電体熱6ミラーは、基板材
質どして高価な石英を用いていたが、本発明では反射鏡
を誘電体□多層膜iアルミニウム膜の二重構造にしてレ
ーザ光を高反射率で反射させるので、基板材質にはBK
7、耐熱ガラス等の安価な材質を使用あることができる
。
用いた半導体露光装置においてレーザ発振装置との光軸
調整を可視光により短時間に行うことができる。また、
一般に1キシマレーザ川の誘電体熱6ミラーは、基板材
質どして高価な石英を用いていたが、本発明では反射鏡
を誘電体□多層膜iアルミニウム膜の二重構造にしてレ
ーザ光を高反射率で反射させるので、基板材質にはBK
7、耐熱ガラス等の安価な材質を使用あることができる
。
[発明の効!l!1 。
以上説明したように、本発明はガラス基板上にアルミニ
ウム膜を形成し、該アルミニウム膜上に誘電体多層膜を
形成したので、紫外光および可視光に対する反射率、耐
久性を向上させることができる。
ウム膜を形成し、該アルミニウム膜上に誘電体多層膜を
形成したので、紫外光および可視光に対する反射率、耐
久性を向上させることができる。
第1図は本発明の反射鏡の一実施例を示す断面図、第2
図は水弁」をJ1シマレーザの縮小投影露光装置に用い
た一例である。 10・・・ガラス基板、11・・・アルミニウム蒸着膜
、12・・・誘電体多層膜、13・・・反射鏡、14・
・・紫外光、15・・・可視光。
図は水弁」をJ1シマレーザの縮小投影露光装置に用い
た一例である。 10・・・ガラス基板、11・・・アルミニウム蒸着膜
、12・・・誘電体多層膜、13・・・反射鏡、14・
・・紫外光、15・・・可視光。
Claims (1)
- ガラス基板上にアルミニウム膜を形成し、該アルミニウ
ム膜上に誘電体多層膜を形成したことを特徴とする反射
鏡。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61097669A JPS62254105A (ja) | 1986-04-26 | 1986-04-26 | 反射鏡 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61097669A JPS62254105A (ja) | 1986-04-26 | 1986-04-26 | 反射鏡 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62254105A true JPS62254105A (ja) | 1987-11-05 |
Family
ID=14198437
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61097669A Pending JPS62254105A (ja) | 1986-04-26 | 1986-04-26 | 反射鏡 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62254105A (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63208801A (ja) * | 1987-02-26 | 1988-08-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | エキシマレ−ザ用ミラ− |
JPH0312605A (ja) * | 1989-06-09 | 1991-01-21 | Topcon Corp | 紫外・可視二波長反射多層膜ミラー |
JPH0469603A (ja) * | 1990-07-10 | 1992-03-04 | Copal Co Ltd | 多層膜反射鏡 |
EP0742885A4 (en) * | 1994-02-01 | 1998-07-08 | Yeda Res & Dev | SOLAR POWER PLANT |
JP2006513442A (ja) * | 2003-01-02 | 2006-04-20 | マイクロニック レーザー システムズ アクチボラゲット | 微小電気機械素子と共に使用される高エネルギー、低エネルギー密度の放射抵抗光学素子 |
CN102434975A (zh) * | 2010-12-08 | 2012-05-02 | 苏州嘉言能源设备有限公司 | 高反射太阳能灶 |
US9523516B2 (en) | 2008-12-30 | 2016-12-20 | 3M Innovative Properties Company | Broadband reflectors, concentrated solar power systems, and methods of using the same |
-
1986
- 1986-04-26 JP JP61097669A patent/JPS62254105A/ja active Pending
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63208801A (ja) * | 1987-02-26 | 1988-08-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | エキシマレ−ザ用ミラ− |
JPH0312605A (ja) * | 1989-06-09 | 1991-01-21 | Topcon Corp | 紫外・可視二波長反射多層膜ミラー |
JPH0469603A (ja) * | 1990-07-10 | 1992-03-04 | Copal Co Ltd | 多層膜反射鏡 |
EP0742885A4 (en) * | 1994-02-01 | 1998-07-08 | Yeda Res & Dev | SOLAR POWER PLANT |
JP2006513442A (ja) * | 2003-01-02 | 2006-04-20 | マイクロニック レーザー システムズ アクチボラゲット | 微小電気機械素子と共に使用される高エネルギー、低エネルギー密度の放射抵抗光学素子 |
US9523516B2 (en) | 2008-12-30 | 2016-12-20 | 3M Innovative Properties Company | Broadband reflectors, concentrated solar power systems, and methods of using the same |
CN102434975A (zh) * | 2010-12-08 | 2012-05-02 | 苏州嘉言能源设备有限公司 | 高反射太阳能灶 |
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