JPS62254039A - 免疫検査装置 - Google Patents

免疫検査装置

Info

Publication number
JPS62254039A
JPS62254039A JP8746486A JP8746486A JPS62254039A JP S62254039 A JPS62254039 A JP S62254039A JP 8746486 A JP8746486 A JP 8746486A JP 8746486 A JP8746486 A JP 8746486A JP S62254039 A JPS62254039 A JP S62254039A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
antigen
conductor layer
antibody reaction
antibody
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP8746486A
Other languages
English (en)
Inventor
Yasuhiro Nagata
永田 保広
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Daikin Industries Ltd
Original Assignee
Daikin Industries Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Daikin Industries Ltd filed Critical Daikin Industries Ltd
Priority to JP8746486A priority Critical patent/JPS62254039A/ja
Publication of JPS62254039A publication Critical patent/JPS62254039A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/75Systems in which material is subjected to a chemical reaction, the progress or the result of the reaction being investigated
    • G01N21/77Systems in which material is subjected to a chemical reaction, the progress or the result of the reaction being investigated by observing the effect on a chemical indicator
    • G01N21/7703Systems in which material is subjected to a chemical reaction, the progress or the result of the reaction being investigated by observing the effect on a chemical indicator using reagent-clad optical fibres or optical waveguides

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 くH業上の刊用分!予〉 この発明は免疫検査装置に関し、さらに詳細にいえば、
光導波路を用いて抗原、抗体の6無を検出することによ
り免疫検査を行なう免疫検査装置に関りる。
〈従来の技術〉 従来から免疫検査を71なう目的で、先導波路の表面に
、抗原または抗体を固定しlに金属層を形成し、この金
属層に血液雪を接触させた状態で11;d光導波路に九
を導入し、光導波路から出射される光強度を検出するこ
とにより、抗体、まIJは抗原のfj無を検知し、免疫
検査をf−Jな′)ようにした装’a h<12 Xさ
れている( Bo Liedbcrg、 5ensor
s andActuators、 4(1983) 2
99 =g照)aさらに詳細に説明すると、光が光導波
路を伝播する場合にtよ、金属層の光導波路側表面に電
j′が局在した状態が発生すると、表面に平行な方向に
は、電子が光エネルギーを受けて波動としてjす」作し
、人血と重直な方向には、光エネルギーの1°1]徨請
合が指数関数的に減少;J−るのぐ、指数関数的に強肛
が減少ケる、k面プンズしン波が升生し、この表(n1
プラズモン現象が発生すると、先導波路から出力する光
強度が減少−することになり、減少7j1合は、表面に
13 L)る電子密度に依?7 Mる。
Ill tう、上記金属層の表面に抗原、または抗体へ
予め固定しておいC1この部分に血′a等を接触させた
状態で光を入射さければ、面液秀が全く抗原、抗体を右
していない場合には、上記抗原、または抗体のみで電荷
をイjb−cいても、金属層に固定された状態でバラン
スしているのであるから、金属層の光導波路側表面に電
aが局在する状態は全く生成されず、表面ブラノ[ン波
が発生し4にいのC1TネルV−吸収が行なわれヂ、人
中光強jαとほぼ秀しい強度の光が出射される。
しかし、血液等が抗原、抗体を有している場合には、抗
原抗体反応により形成される生体細胞が、抗原または抗
体のみの場合と異なる表面電位へ有する状態になるので
、金属層の光導波路側表面に電荷が誘起され、局在覆る
状態が生成される。
L、 jc:が)−(、光導波路と金属層41′の界面
にd3い″C1入射光が表面/ラズlン波を励b:する
角度で光を59人するこ之: 4.m 、J、す、−,
1,−、:’ru電fの密度に依6′しC人%1光の吸
収崩、即メ)、81+ りJ光強度が変化で16゜また
、■−記電rの密度は抗原抗体反応の吊に依(’r j
)で変化するのC1」配出0=1光強麻の変化(dを検
出・)るごとにJl、す、抗原、抗体の0右ifa、即
ら、免疫の程度6.測定することができる(勿論、変化
の有無を検出1にとにより、免疫の右無6検査りること
が“(゛きろ)。
また、金属層の光導波路側表面における電子1竹1σ〔
J依0口)(表面ゾシズしン波を励起りる雇人v)起角
度が奏化す゛るので、この角度庖all定ザることにJ
ニー>”Cち免疫の程度を測定することができる。
〈発明が解決し・ようとする問題点〉 、上記の構成の免疫検査装置におい−(は、当初抗原、
また(、1抗体を固定した金属層に血液等を接触さけた
場合に、電界二Φ層が!t1fj、されることに伴なっ
て金R層自体の電位が変化しく電昇二重層の幅が広狭変
化するので、この幅の変化に対応して金属層の電位が変
化し〉、金属層の電位が安定ず把までにかなりの時間(
数分以上の時間)がかかるので、抗原抗体反応に起因す
る電位変化のみならず、上記金属層自体の電位変化が重
畳された状態の電位変化に基く減衰が生じさせられた光
が外部に取出されることになるのであるから、正確な免
疫の(j照、免疫の程度を検出することができないとい
う問題がある。
さらに詳細に説明すると、抗1京、または抗体を固定し
た金属層に接触させられる血液等が同一であっても、叩
も、同一の血液等に基いて免疫の有無、免疫の程度を検
出しようとする場合にも、金属層の電位が安定するまで
の間は金属層中の電荷が分極した状態であるから、この
分極1伺と、抗原抗体反応774に起因する分極電信と
が、金属層の表面に生成され、特に1.F記安定するま
での間の分極Ti仙は、血液等を投入した当初において
著しい変化を伴なった状態になるとともに、分極型荷吊
を予測することが全く不可能であるから、実際には補正
を行なうことは不可能であり、抗原抗体反応にJ4 <
電位変化のみを検出層ること(表面プラズモン波の影響
による、減衰された導出光強度を検出りること)はでき
ないのである(第5図13参照)。
また、血液等の中に抗体以外の蛋白質等がY?イfする
場合には、抗体以外の蛋白質等が金属層の表面に、ある
確率で吸着し、しかt)抗体以外の蛋白質等ら所定の電
位をイイしているのであるから、この電位によっても、
金属層の表面に生成され、やはり抗原抗体反応に基く電
位変化のみを検出りろことができないという問題がある
〈発明の目的〉 この発明は上記の問題点に鑑みてなされたしのであり、
抗原抗体反応以外の原因に基く分極主部の影響を完全に
除去して、正確な免疫検査をriなうことができる免疫
検査装置を提供することを目的としている。
く問題点を解決するだめの手段〉 1−記の目的を達成するための、この発明の免疫検査装
置t、太、光導波路の表向に、抗原または抗体を固定し
た>9体層を光の進行方向と平tiに形成しであるとと
もに1.F2導体層と甲りに、かつ1フに絶縁された状
態で、上記導体層と同一材料からなる導体のみで構成さ
れた導体層を形成してあり、ざらに上記両導体層により
それぞれ反射されられた光を人力として、両光の差を検
出する検出手段を有しているしのぐある。
但し、上記両力体層に向かって同時に光を照射するらの
であってしよく、または上−2両領域に向かって交T7
に光を照射りるものであつ−CもJ:い。
〈作用〉 以上の構成の免疫検査装置であれば、抗原+lたは抗体
を固定した導体層には、抗原抗体反応に起因する分極電
荷、おにび血液等を没入したことに起因する分極電荷、
伯の物質の右する電)かに起因する分I4i電向等が重
畳された上位の分極電荷が導体層の表面にノ土成される
。したがって、上記導体層により反射されるように光を
先導波路に入射さUれば、分極電荷の苗に対応して減資
させられた光が出射される。
J、た、導体層とψtJに、かつr7に絶縁された状態
て゛、1記導体層と同−材料かうなる導体のみ′(゛構
成された導体層には、抗原抗体反応に起因りる分極雷(
Jl以外の分+4電6bが導体層の表面ににF成される
1、シたがって、上記導(41層により艮国されろJ、
うに光を光導波路に人*=32きtq tqば、抗11
;臼八体反応に無関係な分極°市(1行の字にス・1応
して減貞さIJられた光が出射される。
したがって、上に両力体層に、」、って・れぞれ縦用さ
れた光を検出手段に人力することにより、両光の差を検
出し、差の有無により免疫の有無を、差の程度により免
疫の程度をそれぞれ検出JるこJ′ができる。
また、上記両力体層に向かつ”T: F41t;’jに
光をIHH%1りるbのである場合には、直接検出手段
により差の検出をfjなうことができ、または上記両々
!4層に向かって交Hに光を照射するもので・ある場合
には、周期的に変化する出力を(qることができ、に記
と同様に周期的な変化の有無により免疫の有無を、周I
I!1的な変化の程度により免疫の程度をそれぞれ検出
することができる。
〈実施例〉 以下、実施例を示1′添付図面によって詳細に説明する
第1図はこの発明の免疫検査装置の一実施例を示す概略
図であり、全体が三角柱状であり、互に隣合う側面を、
それぞれ光導入部(4)、光導出部(5)としてなる光
導波路(3)の上面に、光の伝播方向と平行な2つの導
体層[1) (2)を、互に絶縁さけた状態で併設して
いる。そして、上記光導出部(5)から導出される光を
、九電変換蒸、差動増幅器等を有する検出部((3)に
轡いている。
上記轡体F4filは、第2図に詳細を概略的に丞すよ
うに、金、銀等に代表される金属、或は半導体のように
等々電性のある材質で構成された層であり、導体層(1
)の上面には抗体(刀を固定してなる。
したがって、抗原(8)を含む溶1が接触しIこ曳倉に
は、抗原抗体反応を行ない、抗原抗体反応により生成さ
れた生体細胞がhしている電位に対応する分極電荷を表
面に生成する。
J、た、上記導4h層(2)は、上記導体層(1)と同
一の材質からなるものぐある。
そして、上記両力体層+1) +2)の間には、ギャッ
プ、或は絶縁材料からなる絶縁層(9)を介在させてい
る。
上記の構成の免疫検査装置の動作は次のとおりである。
光導入部(4)から、同一強度の光を導入し、ぞれぞれ
導体層(1)(21により1回反中させて光導出部(5
)から検出部(6)に導くことにより、免疫検査をb 
!にうことが−できる。
さらに詳細に説明すると、血液客の溶液を上記領域(1
) (21に全く接触さUていない状態、或は血液等の
溶液中の抗原、抗体が全く在合しない(免疫がく1い)
状態であれば、血液等を没入したj33合等における影
響は両力体層m f2+に対して等しく出現し、両力体
層<1) (21の表面における分i iif簡吊(ま
1111−どなる。したがって、両光の、導体層+1)
 12)にJ3LJる表面プラズモン波に起因する減貞
吊)ま同一であり、両力出光の強1aは同一となるので
、免疫がないと判定することができる。
また、血液等の溶液中に抗原、抗体が存n?lる場合に
は、」−記脣体層(1)において抗原抗体反応が行なわ
れ、抗原抗体反応により所定の電位を有りる抗原(E3
)が抗体(7)に捕捉されるので、導体層(1)の表面
にJノける分極電荷部が、抗1京抗体反応を全く?7な
わない轡体朽(2)の表向における分極電荷部よりも多
くなる。
したがって、導体層(1)にJ3Gノる表面/ラズtン
波に起因づ゛る1■1の7’Jが、導体層(2)にJ3
ける表面11)ズ[ン波に起因する減Qh1より6多く
なり、導体層(1)により反射さけられた光の強度のh
が、導体Vi(2+により反射させられた光の強Iff
よりし弱くなる。即ら、[記脣体層(1)により反)1
さ1まられた光の強1σIlbは、 1ヨb・ト0(1(K−+−W> )  (第5図13
参照)であり、 十記脣体層(2)により反射させられた光の強度fE 
aは、 E a=f:E o(i−W >  (第5図C参照)
であるから(但し、FE Oは導入光強瓜であり、Kは
抗原抗体反応に起因1)゛る減Q割合であり、Wは血液
舌を投入したこと、J3J、び抗原以外の蛋白質等に起
因ザる減Q割合である。)、両者の差を求めると、[a
 −[b・EOKと4にす、抗原抗体反応に起因σる光
強度変化分のみを検出することがでさる。
したがって、上記光強度変化分のイj無により免疫の4
1無を検出・Jることができ、光強度変化分の程度にJ
、り免疫の程度を検出することがでさることになる。
第3図は検出部(6)の一実施例を示す電気回路図て゛
あり、上記両力出光を受光して゛市気仏ニジに変換づ゛
るフA!・ダイオード<11)(12)と、十記各フ、
i l−ダイオード(11)N2)からの出力信)−J
を増幅りる増幅器(13H14)と、[2両増幅器(1
3)(14)からの出力4m号を入力として差信号を出
力する差動増幅器(15)とから構成されている。
したがって、上記導体層(11により反射させられた光
(抗原抗体反応に起因する減資が生じさせられる光)を
−ノオ[−ダイオード(11)により受光しく電気(i
’;号に変換し、増幅器(13)により所定レベルにま
r増幅することがでさ゛るとともに、上記導体層(2)
により反射させられた光(抗原抗体反応に起因する減衰
が全く生じさせられない光)をフォトダイオード(12
)により受光して電気信号に変換し、増幅器(14)に
より所定レベルにまで増幅することができる。そして、
を記両増幅信21を差動増幅器(15)に供給するごと
により、抗原抗体反応に起因する減1fflに相当する
信号のみを得ることができる。
尚、この実施例を使用する場合には、例えば、第4図に
承りように、1111−の光源(16)からの出力光を
ハーフミラ−(17)により2分し、 7jの光を他方
の光と平行になるようにミラー(1B)により反射させ
、この状態で両光を、ぞれぞれ導体層(11[2)によ
り反射されるよう光導波路(3)に導入することが、両
力入光の強mを同一にすることかぐさ−C好ましい。
上記の実施例により得られた導出光強度差は、血液等が
役人されたことに起因与る導体層表面における分極主部
h1の変動、抗原以外の蛋白質等の電位に起因する分極
電荷h1に拘わらず抗原h1.抗原抗体反応吊に対応し
て一義的に定まる(第5図C参照、但し、同図中におけ
る各曲線は、抗原r11に対応するものて゛ある)ので
あるから、例えば、血液等を投入した後における条件が
変化しくも(特に血液等を没入した後において導体層の
電イひが安定化するまでの間においても) 、Ir1l
−の狛竹線に括いて抗原抗体反応量、すなわち、免疫の
程度を筒中に検出することができる。
第6図は他の実施例を示す電気回路図工・あり、第7図
は照射光光路を1i7J替える切8装置を丞づ概略図で
ある。。
この実施例においては、光源(21)からの出力光を、
平面ミラー、或は多面体ミラー等からなるミラー(22
)を回転させることにより、順次!iに逆方向に反射さ
せ(第7図中実線、および破線参照)、]−記実線で示
す光、J3よび破線で示J光をそれぞれミラー(23a
)(23b)により反射させて、それぞれ導体層(1)
(2)で反13されるように先導波路に3)に導入する
ことができる。
そして、光導波路(3)から導出された8光は、それぞ
れミラー<24aH24b)により反射させられた後、
ト記ミラー(22)と同期して回転するミラー(25)
によりフォトダイオード(26)に照射される。
、ト記フォI−ダイオード(2G)により変換された電
気信号は増幅器(27)により増幅された後、]ンデン
リ(28)により直流成分が除去されて、増幅器(29
)による増幅が行なわれ、イの後、ダイオード(30)
により整流され、コンデンサ(31)により平滑化され
て、外部に検出信号として取出される。。
即ら、図示しない駆動源により上記ミラー(22)(2
5)を回転部vJ′Tjれば、導体層(1)により反射
された光、および導体層(2)により反り1された光が
交りにフォトダイオード(26)に照射されるのぐ、増
幅器(27)により増幅されることにより、第8図へに
示1ように、所定の直流信号成分が重畳された正弦波信
号を得ることができる。その後、」ンデン(J(28)
により直流成分が除去され、増幅器(29)により増幅
されることにより、第8図Bに示すように、直流信号成
分が除去された正弦波信号を得、次いで、ダイオード(
30)にJ、る整流、J3よび“−jンfンリ(31)
ににる平滑がミラなねれることにより、抗原抗体反応に
起因する、両々出光の強度差に相当する直流信号を得る
ことができる。
したがっ(、この直流信号が零か否かにより抗原抗体反
応の有無、叩も、免疫の有無を検出Jることがぐき、さ
らに直流信号のレベルに基いて抗原抗体反応の間、即ら
、免疫の程度含検出することができる。
尚、この実施例の場合には、光源(21)、フJ t−
ダイオード(26)、増幅器f27)(29)、]ンf
ンリ(28H31)、おにびダイオード(30)が両光
に対して共通に使用されるのであるから、各素子等の温
度条1/FMに起因する変動をも完全に除去した状態C
の直流(3号を得ることができること(なり、検出精酊
を向上させることができる。
第9図は照射光光路をVJRえるl/l B 1首の他
の実施例を示す概略図であり、上記第7図の実施例と責
なる点は、図示しない駆!llI源により回転駆動され
るミラー(31)の所定位置に、複数個の聞「1(32
)を形成し、開口(32)のサイズを、b’i o同1
の間のミラ一部分のサイズと同一とした点、および、開
口(32)を通った光が直接導体層(1)により反射さ
れるように先導波路(3)に導入するとともに、ミラー
 (31)により反射された光が、ミラー(33)(3
4)ににり反(ト)されて、導体層(aにより反射され
るように光導波路(3)に導入するようにした点のみで
ある。
したがって、この実施例の場合には、正弦波信号が得ら
れる代わりに、第10図△に承すように、矩形波信号が
得られることになるが、上記実施例と同様に直流成分の
除去動作(第1cj図B参照)、おにび整流、平滑動作
を行なうことにより、抗原抗体反応に起因16両導出光
の強度差に相当する直流信号を得ることができる。
したがって、この直流信号が零が否かにより抗原抗体反
応の有無、即ち、免疫の有無を検出することができ、さ
らに直流信号のレベルに基いて抗原抗体反応の吊、即ち
、免疫の程匪を検出することができる。
第12図はさらに他の実施例を示す概略図であり、レー
リ゛光源から出射されるレー(f光をハーフミラ−(4
1)に導くことにより、1対のレーザ光を形成し、各レ
ーデ光をミラー<42)(43)により反射させること
により、それぞれ領域(11(21で反射されるように
先々波路(3)に導入し、光導波路(3)からの出(J
3レー1F光を、ミラー(44)(45)によりハーフ
ミラ−(46)に導いてHに一トルさせ、干渉光をフォ
トダイオード(41)に照射することにより、干渉光に
対応する光信号を得、増幅器(48)により増幅するこ
とにより、検出信号を取出すようにしている。
この実施例の場合には、領域(1)で反射されIこレー
ザ光は、抗原抗体反応けに依存して位相が変化すること
になるのであるから、−F渉光強度も位相差に応じて変
化し←←4、ノ第1−ダイオード(47)からの光信号
も位相差に応じて変化しく第13図参照)、この光信号
を増幅することにより、抗原抗体反応聞を検出すること
ができる。叩ら、両光の位相差に基いて抗原抗体反応量
を検出り゛ることがでさる。
尚、この発明は上記の実施例に限定されるものでl;L
 ’、r < 、例えば、第11図に示づように、上記
導体層(11(21により、導入光が2回収1−反射さ
せられるようにすることがIiJ能′Cある(この場合
にtま、表面ブラズLン波に起因する減穴を複数回受け
ることになるので、検出感度を向上さけることがでさる
)他、出ツノ信号の微分値をとることにより、検出感度
の向」、検出所要り間の短縮を達成りることができ、さ
らには、導(+!1層(1)の表面に抗体(7)庖固定
寸代わりに抗原(E31を固定4ることが司能ぐあり(
この場合には、血液中において存在する抗体の7flが
坑口;ミのNilの約100イfi程度であるから、感
度を向上させることがでキ)、その他、この発明の要旨
を変更しない範囲内にJ3いて種々の設置11変史を施
すことが可能である。
〈発明の効果〉 以↓のようにこの発明は抗原抗体反応を行なう導体層と
、抗原抗体反応を行なわない他は上記導体層と同一の性
質を右プる導体層とにより反射さヒらるように光導波路
に光を導入し、両力出光に基いて差を得ることにより免
疫検査をfjなうようにしているので、血液等を投入し
た(す、安定1)るまCの電)ひ変化の影響、抗原また
は抗体以外の蛋白質の彰菅等を受けることなく、正確C
’z免疫検査を行な゛)ことができるとい・)特有の効
果を奈する。。
また、両導体層に向かってijl B、’jに光を照射
するbのC゛ある場合には、甲に差を得ることににり免
疫検査を(1なうことができ、検出手段を簡素化するこ
とがでさるという利点を右し、ざらに、両力体層に向か
って交nに光を照射するものζ゛あろ場合に番31、光
源、および検出1段を共用することがでさ、抗原、およ
び検出手段の、潟爪等に起因する変勃の影響を完全に排
除しC正確な免疫検査をfjなうことがでさるという利
点をイJする。
【図面の簡単な説明】
第1図μこの発明の免疫検査装置の一実施例を示す概略
図、 第2図は22部概略縦断面図、 第3図は検出部の一実施例を示す電気回路図、第4図は
光導入部を示σ5t18図、 第5図へは導出光強度差の時間的変化を示す図、第5図
B、Cはそれぞれ両力出光強度の変化ωの時間的変化を
承り図、 第6図は他の実施例を示す電気回路図、第7図は照射光
光路を切替える切Vj装置を承り概略図、 第8図は電気回路図の各部の信号波形を示′Tj図、第
9図は照射光光路をり呂える1、yJ替装置の他の実施
例を示ず概略図、 第10図は各部の信号波形を承り一図、第11図はさら
に他の実施例を丞す概略図、第12図はさらに他の実施
例を示す概略図、第13図は)41〜ダイA−ドの光信
号と抗原抗体反応量との関係を承り図。 (1) f2)・・・導体層、(3)・・・光々波路、
(6)・・・検出部、(力・・・抗体 特許出願人  ダイ4−ン工業株式会社、  −代  
理  人   弁理t  亀  jt   弘  勝(
ほか2名)″−−−− 第11図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、光導波路の表面に、抗原または抗体を 固定した導体層を光の進行方向と平行に 形成してあるとともに、上記導体層と平 行に、かつ互に絶縁された状態で、上記 導体層と同一材料からなる導体のみで構 成された導体層を形成してあり、さらに 上記両導体層によりぞれぞれ反射された 光を入力として、両光の差を検出する検 出手段を有していることを特徴とする免 疫検査装置。 2、両導体層に向かって同時に光を照射す るものである上記特許請求の範囲1項 記載の免疫検査装置。 3、両導体層に向かって交互に光を照射す るものである上記特許請求の範囲第1項 記載の免疫検査装置。
JP8746486A 1986-04-16 1986-04-16 免疫検査装置 Pending JPS62254039A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP8746486A JPS62254039A (ja) 1986-04-16 1986-04-16 免疫検査装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP8746486A JPS62254039A (ja) 1986-04-16 1986-04-16 免疫検査装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS62254039A true JPS62254039A (ja) 1987-11-05

Family

ID=13915608

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP8746486A Pending JPS62254039A (ja) 1986-04-16 1986-04-16 免疫検査装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS62254039A (ja)

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01221666A (ja) * 1988-02-29 1989-09-05 Daikin Ind Ltd 免疫検査装置および免疫検査方法
JPH01221667A (ja) * 1988-02-29 1989-09-05 Daikin Ind Ltd 免疫検査装置および免疫検査方法
JPH05288672A (ja) * 1992-04-06 1993-11-02 Nippon Laser Denshi Kk 被センシング物質の差動検出方法
EP0709454A2 (en) * 1994-10-25 1996-05-01 Hamamatsu Photonics K.K. Culture observation vessel and observation device
JP2003202289A (ja) * 2001-11-02 2003-07-18 Fuji Photo Film Co Ltd 全反射光を利用した測定装置に用いられる測定ユニット、該測定ユニットの製造方法および全反射光を利用した測定装置
JP2003279475A (ja) * 2002-03-25 2003-10-02 Japan Science & Technology Corp 表面プラズモン共鳴センサ
JP2004245637A (ja) * 2003-02-12 2004-09-02 Fuji Photo Film Co Ltd 表面電位測定装置
JP2005024456A (ja) * 2003-07-04 2005-01-27 Mitsubishi Chemicals Corp 表面プラズモン共鳴センサ及びバイオセンサ
JP2006003217A (ja) * 2004-06-17 2006-01-05 Kyoto Univ センサチップ及びそれを用いたセンサ装置
JP2006078364A (ja) * 2004-09-10 2006-03-23 Ntt Advanced Technology Corp 表面プラズモン測定装置および測定方法
JP2016148655A (ja) * 2015-02-05 2016-08-18 日東電工株式会社 計測装置

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01221666A (ja) * 1988-02-29 1989-09-05 Daikin Ind Ltd 免疫検査装置および免疫検査方法
JPH01221667A (ja) * 1988-02-29 1989-09-05 Daikin Ind Ltd 免疫検査装置および免疫検査方法
JPH05288672A (ja) * 1992-04-06 1993-11-02 Nippon Laser Denshi Kk 被センシング物質の差動検出方法
EP0709454A2 (en) * 1994-10-25 1996-05-01 Hamamatsu Photonics K.K. Culture observation vessel and observation device
EP0709454A3 (en) * 1994-10-25 1997-05-21 Hamamatsu Photonics Kk Culture vessel for observation and observation device
JP2003202289A (ja) * 2001-11-02 2003-07-18 Fuji Photo Film Co Ltd 全反射光を利用した測定装置に用いられる測定ユニット、該測定ユニットの製造方法および全反射光を利用した測定装置
JP2003279475A (ja) * 2002-03-25 2003-10-02 Japan Science & Technology Corp 表面プラズモン共鳴センサ
JP2004245637A (ja) * 2003-02-12 2004-09-02 Fuji Photo Film Co Ltd 表面電位測定装置
JP2005024456A (ja) * 2003-07-04 2005-01-27 Mitsubishi Chemicals Corp 表面プラズモン共鳴センサ及びバイオセンサ
JP2006003217A (ja) * 2004-06-17 2006-01-05 Kyoto Univ センサチップ及びそれを用いたセンサ装置
JP2006078364A (ja) * 2004-09-10 2006-03-23 Ntt Advanced Technology Corp 表面プラズモン測定装置および測定方法
JP2016148655A (ja) * 2015-02-05 2016-08-18 日東電工株式会社 計測装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS62254039A (ja) 免疫検査装置
US5351127A (en) Surface plasmon resonance measuring instruments
WO2010044193A1 (ja) 試料分析方法
CN113678041A (zh) 基于缺陷中心的传感器
JP2006132970A (ja) 比吸収率測定システム及び方法
JPH02257107A (ja) エネルギフイルタ装置
US8981303B2 (en) Sensor device
US10799861B2 (en) Biochemical-immunological hybrid biosensor and sensor system including the same
CN104819769B (zh) 一种基于偏振奇点光束激光散斑的振动测量装置
JP2768744B2 (ja) 電気光学信号の測定
JP3578188B2 (ja) 表面プラズモンセンサー
US6943893B2 (en) Optical heterodyne surface plasma wave detecting method and apparatus
Alquie et al. Comparison of polarization distribution measurement by the LIMM and PWP methods
CN108896221A (zh) 一种基于马赫-增德尔干涉的冲击波信号检测装置及方法
WO2003036362A1 (fr) Systeme optique generant une lumiere terahertzienne, systeme optique de detection d'une lumiere terahertzienne et dispositif optique terahertzien utilisant un tel systeme
Yasuoka et al. Coupling to an’’edge metal‐oxide‐metal’’junction via an evaporated long antenna
JP2004177214A (ja) 3次元電界分布測定方法および3次元電界分布測定装置
JPS62254040A (ja) 免疫検査装置
JPH0376419B2 (ja)
CN114739286B (zh) 一种双波长复合激光干涉仪系统
JP2006258641A (ja) 光学計測方法
JPS63133068A (ja) 回路電圧検出装置
JPH02248061A (ja) 半導体材料のライフタイム計測方法
KR102062701B1 (ko) 준광학 밀리미터 및 테라헤르츠파를 이용한 반도체 캐리어 수명 측정 장치 및 그 방법
JPH01287482A (ja) 半導体装置測定システム