JPS62252967A - 入出力装置 - Google Patents
入出力装置Info
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- JPS62252967A JPS62252967A JP61096146A JP9614686A JPS62252967A JP S62252967 A JPS62252967 A JP S62252967A JP 61096146 A JP61096146 A JP 61096146A JP 9614686 A JP9614686 A JP 9614686A JP S62252967 A JPS62252967 A JP S62252967A
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- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 29
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 28
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 10
- 239000010410 layer Substances 0.000 abstract description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 2
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 abstract description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 11
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14665—Imagers using a photoconductor layer
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
且Ｊしど乱
本発明は、入出力装置、より詳細には、ファクシミリ等
の入出力装置２例えば、感熱記録装置、密着型イメージ
センサに関する。
の入出力装置２例えば、感熱記録装置、密着型イメージ
センサに関する。
史來技地
第６図は、従来の出力装置の一例を示す電気回路図で、
図中、１は発熱抵抗体、２はドライバー、３はラッチ回
路、４はシフトレジスタで、周知のように、画情報はシ
リアルにシフトレジスタ４に入力され、１ライン分の入
力終了後、パラレルにラッチ回路３に入力される。画情
報によりドライバー２をオン、オフさせて発熱抵抗体１
に電流を流して該発熱抵抗体１を発熱させて感熱紙に記
録する。
図中、１は発熱抵抗体、２はドライバー、３はラッチ回
路、４はシフトレジスタで、周知のように、画情報はシ
リアルにシフトレジスタ４に入力され、１ライン分の入
力終了後、パラレルにラッチ回路３に入力される。画情
報によりドライバー２をオン、オフさせて発熱抵抗体１
に電流を流して該発熱抵抗体１を発熱させて感熱紙に記
録する。
第７図は、従来の入力装置の一例を示す電気回路図で、
図中、６は共通側スイッチ素子、７は光センサ、８は個
別側スイッチで、例えばＣｄＳを用いた密着型センサー
では１図示のように、マトリクス型に構成され、ＭＯＳ
−ＩＣによるスイッチング素子が設けられている。
図中、６は共通側スイッチ素子、７は光センサ、８は個
別側スイッチで、例えばＣｄＳを用いた密着型センサー
では１図示のように、マトリクス型に構成され、ＭＯＳ
−ＩＣによるスイッチング素子が設けられている。
上述のように、従来装置においては、入力装置と出力装
置が別々に構成され、スイッチング素子及び駆動回路が
各々独立に構成されているため、これが装置の小型化及
びコストダウンに対して大きな障害となっていた。
置が別々に構成され、スイッチング素子及び駆動回路が
各々独立に構成されているため、これが装置の小型化及
びコストダウンに対して大きな障害となっていた。
上述のごとき実情に鑑みて、本出願人は、先に。
上記入力装置及び出力装置のスイッチング素子及び駆動
回路を共通化することにより、装置の小型化、コストダ
ウンを図った入出力装置について提案した。
回路を共通化することにより、装置の小型化、コストダ
ウンを図った入出力装置について提案した。
第８図は、本出願人が先に提案した入出力装置の一例を
説明する概略構成図で、図中、１１は抵抗体アレイ、１
２はセンサアレイ、１３はスイッチング素子で、発熱抵
抗体１１と光電変換素子１２は、それぞれ共通電極と個
別電極に接続され、個別電極側はそれぞれ一組づつ共通
に接続されている。また、個別電極はそれぞれスイッチ
ング素子１３に接続されている。出力装置として使用す
る場合は、スイッチＳＷａをＶＴＨ側に接続し、各発熱
抵抗体（Ｔｉ）に電圧（ＶＴＨ）を印加する。なお。
説明する概略構成図で、図中、１１は抵抗体アレイ、１
２はセンサアレイ、１３はスイッチング素子で、発熱抵
抗体１１と光電変換素子１２は、それぞれ共通電極と個
別電極に接続され、個別電極側はそれぞれ一組づつ共通
に接続されている。また、個別電極はそれぞれスイッチ
ング素子１３に接続されている。出力装置として使用す
る場合は、スイッチＳＷａをＶＴＨ側に接続し、各発熱
抵抗体（Ｔｉ）に電圧（ＶＴＨ）を印加する。なお。
スイッチＳＷｂは開放Ｉ ＶＢに接続、ＧＮＤに接続の
どれでも良いが、以下の説明はＧＮＤに接続したものと
する。また、スイッチＳＷｃはＧＮＤに接続する。
どれでも良いが、以下の説明はＧＮＤに接続したものと
する。また、スイッチＳＷｃはＧＮＤに接続する。
第９図は、スイッチング素子の構成図で、図中、１３は
スイッチング素子、１４はアンド回路。
スイッチング素子、１４はアンド回路。
１５はエネーブルシフトレジスタ、１６はクロック選択
回路、１７はラッチ回路、１８はデータシフトレジスタ
である。
回路、１７はラッチ回路、１８はデータシフトレジスタ
である。
第１０図は、動作説明をするためのタイムチャートで、
（１）は出力装置として使用した場合のタイムチャート
、（ｎ）は入力装置として使用した場合のタイムチャー
トで、各個別スイッチ（ＳＷ ｉ ）はＣＭＯ８−ＩＣ
等による駆動素子で、図示のごとき回路構成にすると、
記録効率の向上を計ることができ、また、入力装置の駆
動回路としても使用できる。光電変換素子（Ｓｉ）は照
射された光量に応じて、その抵抗値が変化するもので、
発熱抵抗体の抵抗値と比較して非常に大きいものが良い
。今、発熱抵抗体Ｔｉの抵抗値をＲＴ、光電変換素子Ｓ
ｉの抵抗値をＲｓとする。
（１）は出力装置として使用した場合のタイムチャート
、（ｎ）は入力装置として使用した場合のタイムチャー
トで、各個別スイッチ（ＳＷ ｉ ）はＣＭＯ８−ＩＣ
等による駆動素子で、図示のごとき回路構成にすると、
記録効率の向上を計ることができ、また、入力装置の駆
動回路としても使用できる。光電変換素子（Ｓｉ）は照
射された光量に応じて、その抵抗値が変化するもので、
発熱抵抗体の抵抗値と比較して非常に大きいものが良い
。今、発熱抵抗体Ｔｉの抵抗値をＲＴ、光電変換素子Ｓ
ｉの抵抗値をＲｓとする。
画情報に応じ５個別スイッチＳＷｉを開閉し、それによ
り印字を行う、スイッチＳＷｉが開の場合、これは印字
しない場合であるが、この時、電流は発熱抵抗体Ｔｉ、
光電変換素子Ｓｉを通ってＧ Ｎ Ｄ 電流れる。流れ
る電流工９は、Ｉ／Ｖ＝ＶＴＨ／ （ＲＴ ＋ Ｒｓ
）であり発熱抵抗体Ｔｉで消費さレル電力Ｐ ｓ Ｉｔ
、 Ｐ／／ ＝ Ｉ ｓ ２ＲＴ＝ＶＴＨ” ・ＲＴ／
（Ｒ工＋Ｒｓ）”となる。個別スイッチＳＷｉが閉の場
合、これは印字する場合であるが、この時、電流は発熱
抵抗体Ｔｉ、スイッチＳｗｃを通ってＧＮＤに流れる。
り印字を行う、スイッチＳＷｉが開の場合、これは印字
しない場合であるが、この時、電流は発熱抵抗体Ｔｉ、
光電変換素子Ｓｉを通ってＧ Ｎ Ｄ 電流れる。流れ
る電流工９は、Ｉ／Ｖ＝ＶＴＨ／ （ＲＴ ＋ Ｒｓ
）であり発熱抵抗体Ｔｉで消費さレル電力Ｐ ｓ Ｉｔ
、 Ｐ／／ ＝ Ｉ ｓ ２ＲＴ＝ＶＴＨ” ・ＲＴ／
（Ｒ工＋Ｒｓ）”となる。個別スイッチＳＷｉが閉の場
合、これは印字する場合であるが、この時、電流は発熱
抵抗体Ｔｉ、スイッチＳｗｃを通ってＧＮＤに流れる。
流れる電流ＩＢは、ｌ８＝Ｉ。２・Ｒ７＝ Ｖ ＴＨ２
／ Ｒ７となる。両者の消費電力ＰＮとＰＢを比較する
と次のようになる。
／ Ｒ７となる。両者の消費電力ＰＮとＰＢを比較する
と次のようになる。
ここで、ＲＴ＜＜Ｒ３とすると次のようになる。
Ｐ８／Ｐ＃中（Ｒｓ ／ Ｒ７）” ＞＞ １即ちＰＢ
はＰＮより非常に大きく、ＰＢの時発熱発色し、ＰＮの
時は発熱発色しない。この様に従来のサーマルヘッドと
同等の機能となる。
はＰＮより非常に大きく、ＰＢの時発熱発色し、ＰＮの
時は発熱発色しない。この様に従来のサーマルヘッドと
同等の機能となる。
入力装置として使用する場合は、スイッチｓｗｂをＶＢ
に接続し、各光電変換装置（Ｓｉ）に電圧（Ｖｓ ）を
印加する。スイッチＳＷｃは開とする。スイッチＳＷａ
はＧＮＤに接続すると電圧読み取り型となり、開放とす
ると電流読み取り型となる。
に接続し、各光電変換装置（Ｓｉ）に電圧（Ｖｓ ）を
印加する。スイッチＳＷｃは開とする。スイッチＳＷａ
はＧＮＤに接続すると電圧読み取り型となり、開放とす
ると電流読み取り型となる。
電流読み取り型の場合、個別スイッチＳｉを順次１ビツ
トずつオンさせていくと、センサＳｉの抵抗値に応じた
光電流Ｉｐが増幅器１９に流れ込む。このＩｐを観測す
ることにより画像を読み取る。電圧読み取り型の場合、
光電流ＩｐはＴｉを通ってＧＮＤに流れている。即ち、
個別端子にはＶＰ＝Ｉｐ−Ｒ工の電圧が現われている。
トずつオンさせていくと、センサＳｉの抵抗値に応じた
光電流Ｉｐが増幅器１９に流れ込む。このＩｐを観測す
ることにより画像を読み取る。電圧読み取り型の場合、
光電流ＩｐはＴｉを通ってＧＮＤに流れている。即ち、
個別端子にはＶＰ＝Ｉｐ−Ｒ工の電圧が現われている。
個別スイッチＳｉを順次１ビツトずつオンさせていくこ
とにより、各素子のＶｐを増幅器１９に入力して画像を
読み取る。
とにより、各素子のＶｐを増幅器１９に入力して画像を
読み取る。
而して、上記入力装置は、駆動回路の共通化を図ったも
のであり、発熱抵抗体、光電変換素子、これらの電極等
の一体構成については何ら開示していない。
のであり、発熱抵抗体、光電変換素子、これらの電極等
の一体構成については何ら開示していない。
また、特開昭５７−３８０６１号公報には同一基板上に
発熱抵抗体及び光電変換素子を配設し、かつ駆動回路を
同一基板上に設けることが開示されているが、該公報に
記載された入出力装置はマトリクス駆動型で高速駆動に
適しておらず、また、各素子の位置関係が具体的に開示
されていない等の問題点がある。
発熱抵抗体及び光電変換素子を配設し、かつ駆動回路を
同一基板上に設けることが開示されているが、該公報に
記載された入出力装置はマトリクス駆動型で高速駆動に
適しておらず、また、各素子の位置関係が具体的に開示
されていない等の問題点がある。
目 的
本発明は、上述のごとき実情に鑑みてなされたもので、
特に、製造工程が容易で、かつ、装置の小型化を計るこ
とのできる一体型の入出力装置を提供することを目的と
してなされたものである。
特に、製造工程が容易で、かつ、装置の小型化を計るこ
とのできる一体型の入出力装置を提供することを目的と
してなされたものである。
崖−一處
本発明は、上記目的を達成するために、一列に配列され
た発熱抵抗体と、一列に配列された光電変換素子とを同
一基板上に略平行に有し、前記発熱抵抗体列及び光電変
換素子列のそれぞれの相対する外側に各々共通電極を構
成し、前記発熱抵抗体列と光電変換素子列との間に各発
熱抵抗体及び光電変換素子に対する個別電極を構成した
ことを特徴としたものである。以下、本発明の実施例に
基いて説明する。
た発熱抵抗体と、一列に配列された光電変換素子とを同
一基板上に略平行に有し、前記発熱抵抗体列及び光電変
換素子列のそれぞれの相対する外側に各々共通電極を構
成し、前記発熱抵抗体列と光電変換素子列との間に各発
熱抵抗体及び光電変換素子に対する個別電極を構成した
ことを特徴としたものである。以下、本発明の実施例に
基いて説明する。
第１図は１本発明による入出力装置の一実施例を説明す
るための断面構成図、第２図は、平面図で、図中、２１
は基板、２２は発熱抵抗体層。
るための断面構成図、第２図は、平面図で、図中、２１
は基板、２２は発熱抵抗体層。
２３は光電変換素子層、２４は発熱抵抗体用共通電極、
２５は光電変換素子用共通電極、２６は個別電極、２７
は配線パッド、２８は配線ライン。
２５は光電変換素子用共通電極、２６は個別電極、２７
は配線パッド、２８は配線ライン。
２９は駆動用ＩＣ１３０はボンディング線、３１は絶縁
層で、第５図における参照番号はそれぞれ前記参照番号
に対応して付されている。
層で、第５図における参照番号はそれぞれ前記参照番号
に対応して付されている。
而して、本発明においては、同一基板２１上に発熱抵抗
体２２及び光電変換素子２３を一列に形成するが、これ
は平行に形成することが望ましい。
体２２及び光電変換素子２３を一列に形成するが、これ
は平行に形成することが望ましい。
発熱抵抗体２２の共通電極２４は光電変換素子２３が形
成されている側と反対側に形成する。又。
成されている側と反対側に形成する。又。
光電変換素子２３の共通電極２５は発熱抵抗体２２が形
成されている側と反対側に形成する０個別電極２６は光
電変換素子２３と発熱抵抗体２２の間に形成し、画素子
を一対づつ接続し、この上に絶縁層（兼保護層）３１を
形成し、この上に駆動用ＩＣ２９と電気的接続をするた
めの各種配線パターン２８及びボンディング用パッド２
７を形成する。又、駆動用ＩＣもここに配置し、スイッ
チング端子と個別電極をボンディング線３０等により接
続する。
成されている側と反対側に形成する０個別電極２６は光
電変換素子２３と発熱抵抗体２２の間に形成し、画素子
を一対づつ接続し、この上に絶縁層（兼保護層）３１を
形成し、この上に駆動用ＩＣ２９と電気的接続をするた
めの各種配線パターン２８及びボンディング用パッド２
７を形成する。又、駆動用ＩＣもここに配置し、スイッ
チング端子と個別電極をボンディング線３０等により接
続する。
第３図は、本発明の他の実施例を説明するための断面図
、第４図は、平面図で、図中、第１図及び第２図に示し
た実施例と同様の作用をする部分には第１図及び第２図
の場合と同一の参照番号が付しである。而して、この実
施例は、個別電極２６の下部にコンタクトホールを設け
、共通電極２４．２５、個別電極２６の下の導電層２７
により個別電極２６を共通電極の外側に引き出す。共通
電極の外側に各種配線パターン及び駆動用ＩＣ２９を設
けることにより、第１図及び第２図と同様の回路が形成
できる。なお、以上は、構成の概略のみを示したもので
あり、他の特性上必要な層は従来と同様であることは言
うまでもない。
、第４図は、平面図で、図中、第１図及び第２図に示し
た実施例と同様の作用をする部分には第１図及び第２図
の場合と同一の参照番号が付しである。而して、この実
施例は、個別電極２６の下部にコンタクトホールを設け
、共通電極２４．２５、個別電極２６の下の導電層２７
により個別電極２６を共通電極の外側に引き出す。共通
電極の外側に各種配線パターン及び駆動用ＩＣ２９を設
けることにより、第１図及び第２図と同様の回路が形成
できる。なお、以上は、構成の概略のみを示したもので
あり、他の特性上必要な層は従来と同様であることは言
うまでもない。
効ニーー過
以上の説明から明らかなように、本発明によれば、発熱
抵抗体及び光電変換素子が同一基板上に構成でき、かつ
、駆動回路の共通化が計れるので、低コストでかつコン
パクトな入出力装置が構成できる。
抵抗体及び光電変換素子が同一基板上に構成でき、かつ
、駆動回路の共通化が計れるので、低コストでかつコン
パクトな入出力装置が構成できる。
第１図は、本発明による入出力装置の一実施例を説明す
るための断面図、第２図は、平面図、第３図は、本発明
の他の実施例を説明するための断面図、第４図は、平面
図、第５図は、本発明が適用される電気回路の一例を示
す図、第６図は、従来の出力装置の一例を示す図、第７
図は、従来の入力装置の一例を示す図、第８図は、本出
願人が先に提案した入出力装置の一例を説明するた亀の
概略構成図、第９図は、スイッチング素子の構成例を示
す図、第１０図は、その動作説明をするためのタイムチ
ャートである。 ２１・・・基板、２２・・・発熱抵抗体層、２３・・・
光電変換素子層、２４・・・発熱抵抗体用共通電極、２
５・・・光電変換素子用共通電極、２６・・・個別電極
、２７・・・配線パッド、２８・・・配線ライン、２９
・・・駆動用工Ｃ１３０・・・ボンディング線、３１・
・・絶縁層。 特許出願人 株式会社 リコー 嘉 １ 図 ｔつ ＠ ６ 図 第 ７ 図 第 ８ 図 第 ９ 図
るための断面図、第２図は、平面図、第３図は、本発明
の他の実施例を説明するための断面図、第４図は、平面
図、第５図は、本発明が適用される電気回路の一例を示
す図、第６図は、従来の出力装置の一例を示す図、第７
図は、従来の入力装置の一例を示す図、第８図は、本出
願人が先に提案した入出力装置の一例を説明するた亀の
概略構成図、第９図は、スイッチング素子の構成例を示
す図、第１０図は、その動作説明をするためのタイムチ
ャートである。 ２１・・・基板、２２・・・発熱抵抗体層、２３・・・
光電変換素子層、２４・・・発熱抵抗体用共通電極、２
５・・・光電変換素子用共通電極、２６・・・個別電極
、２７・・・配線パッド、２８・・・配線ライン、２９
・・・駆動用工Ｃ１３０・・・ボンディング線、３１・
・・絶縁層。 特許出願人 株式会社 リコー 嘉 １ 図 ｔつ ＠ ６ 図 第 ７ 図 第 ８ 図 第 ９ 図
Claims (3)
- （１）、一列に配列された発熱抵抗体と、一列に配列さ
れた光電変換素子とを同一基板上に略平行に有し、前記
発熱抵抗体列及び光電変換素子列のそれぞれの相対する
外側に各々共通電極を構成し、前記発熱抵抗体列と光電
変換素子列との間に各発熱抵抗体及び光電変換素子に対
する個別電極を構成したことを特徴とする入出力装置。 - （２）、前記個別電極の上に配線パッド及び他の配線ラ
インを設けるとともに駆動用ＩＣを設けたことを特徴と
する特許請求の範囲第（１）項記載の入出力装置。 - （３）、前記個別電極の下に他の導電層を設け、個別電
極端子を該共通電極の外側に引き出したことを特徴とす
る特許請求の範囲第（１）項記載の入出力装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61096146A JPS62252967A (ja) | 1986-04-25 | 1986-04-25 | 入出力装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61096146A JPS62252967A (ja) | 1986-04-25 | 1986-04-25 | 入出力装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62252967A true JPS62252967A (ja) | 1987-11-04 |
Family
ID=14157240
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61096146A Pending JPS62252967A (ja) | 1986-04-25 | 1986-04-25 | 入出力装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62252967A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63318157A (ja) * | 1987-06-19 | 1988-12-27 | Sony Corp | イメ−ジセンサ複合装置 |
-
1986
- 1986-04-25 JP JP61096146A patent/JPS62252967A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63318157A (ja) * | 1987-06-19 | 1988-12-27 | Sony Corp | イメ−ジセンサ複合装置 |
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