JPS6224933Y2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS6224933Y2 JPS6224933Y2 JP1980150733U JP15073380U JPS6224933Y2 JP S6224933 Y2 JPS6224933 Y2 JP S6224933Y2 JP 1980150733 U JP1980150733 U JP 1980150733U JP 15073380 U JP15073380 U JP 15073380U JP S6224933 Y2 JPS6224933 Y2 JP S6224933Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electron beam
- sample
- deflection coil
- objective lens
- rays
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 15
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 6
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 3
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 claims description 3
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 2
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 claims 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 2
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- 230000008030 elimination Effects 0.000 description 1
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 229910000889 permalloy Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案は透過電子顕微鏡にＸ線分析装置を付加
した装置の改良に関する。
した装置の改良に関する。
近年、透過電子顕微鏡の対物レンズによる強磁
場内に試料を配置し、該試料に電子線を照射する
ことにより該試料から発生したＸ線をエネルギー
分散型のＸ線検出器によつて検出し、該試料のＸ
線分析を可能となしている。ここで試料から発生
するＸ線を対物レンズの上磁極片に穿たれた電子
線通過孔から検出する場合には、検出効率を上げ
るためにＸ線検出器は対物レンズの上磁極片に接
近して設置される。一方対物レンズの上磁極片付
近には試料の前方に形成される対物レンズの前方
磁場と組み合わされて電子線を試料上で二次元的
に走査させるための偏向磁場を発生させる偏向コ
イルが配置される。
場内に試料を配置し、該試料に電子線を照射する
ことにより該試料から発生したＸ線をエネルギー
分散型のＸ線検出器によつて検出し、該試料のＸ
線分析を可能となしている。ここで試料から発生
するＸ線を対物レンズの上磁極片に穿たれた電子
線通過孔から検出する場合には、検出効率を上げ
るためにＸ線検出器は対物レンズの上磁極片に接
近して設置される。一方対物レンズの上磁極片付
近には試料の前方に形成される対物レンズの前方
磁場と組み合わされて電子線を試料上で二次元的
に走査させるための偏向磁場を発生させる偏向コ
イルが配置される。
そこで面分析を行なうために偏向コイルに走査
信号を供給して試料上の一定領域を電子線で走査
させた場合、偏向コイルからの動磁場がＸ線検出
器に影響を及ぼすことが判明した。これは以下の
ような理由によるものと思われる。即ち、前記エ
ネルギー分散型のＸ線検出器は、半導体検出部と
初段プリアンプはFET（電界効果トランジスタ
ー）等により構成されているが、前記偏向コイル
からの動磁場が前記半導体検出部を貫通すると、
前記半導体検出部にうず電流が発生し、このうず
電流に起因してゴーストピークを生じたり、又低
エネルギー部分のピークがカツトされる等の不都
合が生じるため、試料の同定を正確に行なうこと
ができなくなる。
信号を供給して試料上の一定領域を電子線で走査
させた場合、偏向コイルからの動磁場がＸ線検出
器に影響を及ぼすことが判明した。これは以下の
ような理由によるものと思われる。即ち、前記エ
ネルギー分散型のＸ線検出器は、半導体検出部と
初段プリアンプはFET（電界効果トランジスタ
ー）等により構成されているが、前記偏向コイル
からの動磁場が前記半導体検出部を貫通すると、
前記半導体検出部にうず電流が発生し、このうず
電流に起因してゴーストピークを生じたり、又低
エネルギー部分のピークがカツトされる等の不都
合が生じるため、試料の同定を正確に行なうこと
ができなくなる。
本考案は斯様な欠点を解決することを目的とす
るもので、以下図面に基づき詳説する。
るもので、以下図面に基づき詳説する。
第１図は本考案の一実施例装置要部の概略を示
すものである。図中１及び２は夫々対物レンズの
上磁極片と下磁極片で光軸Ｚに関して対称な形状
の電子線通過孔３，４が夫々穿たれており、又該
上磁極片と下磁極片とは非磁性体製のスペーサー
５により一体化されている。更に該上磁極片１と
下磁極片２との間の略中央には試料６が設置され
ている。通常の対物レンズは強励磁で使用される
ため、試料の前方に形成される対物レンズの前方
磁場が試料を照射する電子線に対する最終段の集
束レンズとして機能し、試料の後方に形成される
対物レンズの後方磁場が本来の対物レンズの機能
を果すことになる。７は対物レンズの磁路を構成
するヨークである。
すものである。図中１及び２は夫々対物レンズの
上磁極片と下磁極片で光軸Ｚに関して対称な形状
の電子線通過孔３，４が夫々穿たれており、又該
上磁極片と下磁極片とは非磁性体製のスペーサー
５により一体化されている。更に該上磁極片１と
下磁極片２との間の略中央には試料６が設置され
ている。通常の対物レンズは強励磁で使用される
ため、試料の前方に形成される対物レンズの前方
磁場が試料を照射する電子線に対する最終段の集
束レンズとして機能し、試料の後方に形成される
対物レンズの後方磁場が本来の対物レンズの機能
を果すことになる。７は対物レンズの磁路を構成
するヨークである。
８は前記対物レンズの前方磁場と組み合わされ
て電子線を試料６上で二次元的に走査させるため
の偏向コイルで、該偏向コイルはヨーク７に固定
された例えばステンレス鋼や青銅の如き非磁性金
属製のコイル枠９により対物レンズの前方磁場に
よるレンズの前焦点面或いはその近傍に設置され
ている。
て電子線を試料６上で二次元的に走査させるため
の偏向コイルで、該偏向コイルはヨーク７に固定
された例えばステンレス鋼や青銅の如き非磁性金
属製のコイル枠９により対物レンズの前方磁場に
よるレンズの前焦点面或いはその近傍に設置され
ている。
１０は前記試料６に電子線が照射されることに
より発生するＸ線の内、前記上磁極１の電子線通
過孔３を通過したＸ線Ｘを検出するため半導体よ
り成るエネルギー分散型Ｘ線検出器で、該Ｘ線検
出器は検出効率を上げるために前記偏向コイル８
に接近して設置されている。
より発生するＸ線の内、前記上磁極１の電子線通
過孔３を通過したＸ線Ｘを検出するため半導体よ
り成るエネルギー分散型Ｘ線検出器で、該Ｘ線検
出器は検出効率を上げるために前記偏向コイル８
に接近して設置されている。
１１は前記偏向コイル８によつて形成される磁
場がＸ線検出器１０に及ぶのを防止するための例
えばパーマロイの如き磁性体で形成された磁気シ
ールド板で、コイル枠９に固定されており、又該
磁気シールド板の中央部には電子線及びＸ線を通
過させるための穴１２が形成してある。尚Ｘ線検
出器１０の前方には図示しないが、コリメーター
が設置されている。
場がＸ線検出器１０に及ぶのを防止するための例
えばパーマロイの如き磁性体で形成された磁気シ
ールド板で、コイル枠９に固定されており、又該
磁気シールド板の中央部には電子線及びＸ線を通
過させるための穴１２が形成してある。尚Ｘ線検
出器１０の前方には図示しないが、コリメーター
が設置されている。
斯様な構成となせば、偏向コイル８から発生し
て上方に漏洩する磁場は磁気シールド板１１によ
つてシールドされるため、Ｘ線検出器１０に到達
しない。そのためＸ線検出器は偏向コイルによる
動磁場の影響を受けることがなくなるので、従来
のように本来あつてはならないゴーストピークを
生じたり、又低エネルギー部分のピークがカツト
されることがなくなり、試料の同定を正確に行な
うことができる。
て上方に漏洩する磁場は磁気シールド板１１によ
つてシールドされるため、Ｘ線検出器１０に到達
しない。そのためＸ線検出器は偏向コイルによる
動磁場の影響を受けることがなくなるので、従来
のように本来あつてはならないゴーストピークを
生じたり、又低エネルギー部分のピークがカツト
されることがなくなり、試料の同定を正確に行な
うことができる。
尚前述の説明では偏向コイル８の上方のみに磁
気シールド板を設置したが、これに限定されるこ
となく第２図に示すように穴１３を有した断面コ
の字状の磁気シールド板１４を設置することによ
り偏向コイル８の上方及び側面をシールドするよ
うに構成してもよい。
気シールド板を設置したが、これに限定されるこ
となく第２図に示すように穴１３を有した断面コ
の字状の磁気シールド板１４を設置することによ
り偏向コイル８の上方及び側面をシールドするよ
うに構成してもよい。
又１段の偏向コイル８を対物レンズの前方磁場
によるレンズの前焦点面に設置した場合を示した
が、２段の偏向コイルをＸ線検出器１０の上方に
設置し、２段の偏向コイルによつて常に電子線を
対物レンズの前方磁場によるレンズの前焦点を通
るように偏向させるように構成した場合において
も偏向コイルの下方に磁気シールド体を設置すれ
ばよい。
によるレンズの前焦点面に設置した場合を示した
が、２段の偏向コイルをＸ線検出器１０の上方に
設置し、２段の偏向コイルによつて常に電子線を
対物レンズの前方磁場によるレンズの前焦点を通
るように偏向させるように構成した場合において
も偏向コイルの下方に磁気シールド体を設置すれ
ばよい。
第１図は本考案の一実施例装置の要部を示す略
図、第２図は本考案の他の実施例を示す略図であ
る。 １：上磁極片、２：下磁極片、３及び４：電子
線通過孔、５：スペーサー、６：試料、７：ヨー
ク、８：偏向コイル、９：コイル枠、１０：Ｘ線
検出器、１１：磁気シールド板、１２：穴。
図、第２図は本考案の他の実施例を示す略図であ
る。 １：上磁極片、２：下磁極片、３及び４：電子
線通過孔、５：スペーサー、６：試料、７：ヨー
ク、８：偏向コイル、９：コイル枠、１０：Ｘ線
検出器、１１：磁気シールド板、１２：穴。
Claims (1)
- 透過電子顕微鏡に用いられる対物レンズの上磁
極片と下磁極片との間隙内に設置される試料に電
子線を照射することにより発生するＸ線のうち上
磁極片の電子線通過孔を通過するＸ線を検出する
エネルギー分散型半導体Ｘ線検出手段と、前記試
料上の電子線照射位置を走査するための偏向コイ
ルとを備え、前記偏向コイルとエネルギー分散型
半導体Ｘ線検出手段との間に磁性体からなる磁気
シールド体を設けてなるＸ線分析装置を備えた電
子顕微鏡。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1980150733U JPS6224933Y2 (ja) | 1980-10-22 | 1980-10-22 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1980150733U JPS6224933Y2 (ja) | 1980-10-22 | 1980-10-22 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5773858U JPS5773858U (ja) | 1982-05-07 |
| JPS6224933Y2 true JPS6224933Y2 (ja) | 1987-06-25 |
Family
ID=29510084
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1980150733U Expired JPS6224933Y2 (ja) | 1980-10-22 | 1980-10-22 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6224933Y2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10269536B2 (en) | 2015-03-25 | 2019-04-23 | Hitachi High-Technologies Corporation | Electron microscope |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS524747B2 (ja) * | 1972-11-22 | 1977-02-07 | ||
| JPS5258355A (en) * | 1975-11-07 | 1977-05-13 | Hitachi Ltd | X-ray detecting unit for electronic microscope |
| JPS53104152A (en) * | 1977-02-24 | 1978-09-11 | Hitachi Ltd | Electronic microscope |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS49150284U (ja) * | 1973-04-27 | 1974-12-26 | ||
| JPS524747U (ja) * | 1975-06-24 | 1977-01-13 |
-
1980
- 1980-10-22 JP JP1980150733U patent/JPS6224933Y2/ja not_active Expired
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS524747B2 (ja) * | 1972-11-22 | 1977-02-07 | ||
| JPS5258355A (en) * | 1975-11-07 | 1977-05-13 | Hitachi Ltd | X-ray detecting unit for electronic microscope |
| JPS53104152A (en) * | 1977-02-24 | 1978-09-11 | Hitachi Ltd | Electronic microscope |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5773858U (ja) | 1982-05-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7507962B2 (en) | Electron-beam device and detector system | |
| EP0259907B1 (en) | Electron detection with energy discrimination | |
| US4426577A (en) | Electron microscope of scanning type | |
| US5008537A (en) | Composite apparatus with secondary ion mass spectrometry instrument and scanning electron microscope | |
| JP2810797B2 (ja) | 反射電子顕微鏡 | |
| US3717761A (en) | Scanning electron microscope | |
| JP3514070B2 (ja) | 走査電子顕微鏡 | |
| JPS6224933Y2 (ja) | ||
| JPH05182625A (ja) | 対物レンズ | |
| JPH08222172A (ja) | 電子顕微鏡 | |
| US9543115B2 (en) | Electron microscope | |
| JPH03173054A (ja) | 粒子線装置 | |
| JPH08138611A (ja) | 荷電粒子線装置 | |
| JPH06338281A (ja) | 走査電子顕微鏡 | |
| JP4146103B2 (ja) | 電界放射型電子銃を備えた電子ビーム装置 | |
| JP3014369B2 (ja) | 試料の高さ計測手段を備えた電子ビーム装置 | |
| KR100711198B1 (ko) | 주사형전자현미경 | |
| US3869611A (en) | Particle-beam device of the raster type | |
| JPS6342460Y2 (ja) | ||
| JP2500423Y2 (ja) | 電子顕微鏡 | |
| JP2839683B2 (ja) | フーコー電子顕微鏡 | |
| JP2001116847A (ja) | Ｘ線検出装置、元素分析装置および半導体製造装置 | |
| JPH0220679Y2 (ja) | ||
| JPS5812123Y2 (ja) | 電子顕微鏡等におけるｘ線分析装置 | |
| JPS6081753A (ja) | 荷電粒子照射電子顕微鏡 |