JPS62248665A - サ−マルヘツドおよびその製造法 - Google Patents
サ−マルヘツドおよびその製造法Info
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- JPS62248665A JPS62248665A JP61091604A JP9160486A JPS62248665A JP S62248665 A JPS62248665 A JP S62248665A JP 61091604 A JP61091604 A JP 61091604A JP 9160486 A JP9160486 A JP 9160486A JP S62248665 A JPS62248665 A JP S62248665A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N97/00—Electric solid-state thin-film or thick-film devices, not otherwise provided for
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Non-Adjustable Resistors (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、サーマルヘッドおよびその製造法に関するも
のであり、さらに具体的には、サーマルヘッドの電極2
発熱抵抗体を保護するための酸化防止層、耐摩耗層、お
よびその形成方法に関するものである。
のであり、さらに具体的には、サーマルヘッドの電極2
発熱抵抗体を保護するための酸化防止層、耐摩耗層、お
よびその形成方法に関するものである。
従来の技術
サーマルヘッドには構成上からの分類で厚膜型。
薄膜型、およびその併用型の3種類が存在する0第6図
は厚膜型であり、アルミナセラミック基板4o上のガラ
スグレーズ層41、電極層42、発熱抵抗体層43、耐
摩耗層44から構成される。
は厚膜型であり、アルミナセラミック基板4o上のガラ
スグレーズ層41、電極層42、発熱抵抗体層43、耐
摩耗層44から構成される。
電極層42はガラスフリットと金との混合ペースト、発
熱抵抗体層43は、ガラスフリットと酸化ルテニウムと
の混合ペースト、耐摩耗層44はSt○2フリットなど
のペースト印刷、乾燥、焼成のいわゆる厚膜プロセスに
よって形成され各層の厚さは0.5pm〜10μmであ
り第6図は薄膜型であり、アルミナセラミック基板51
上のガラスグレーズ層52、発熱抵抗体層63、電極層
64、酸化防止層55、耐摩耗層56から基本的に構成
される。
熱抵抗体層43は、ガラスフリットと酸化ルテニウムと
の混合ペースト、耐摩耗層44はSt○2フリットなど
のペースト印刷、乾燥、焼成のいわゆる厚膜プロセスに
よって形成され各層の厚さは0.5pm〜10μmであ
り第6図は薄膜型であり、アルミナセラミック基板51
上のガラスグレーズ層52、発熱抵抗体層63、電極層
64、酸化防止層55、耐摩耗層56から基本的に構成
される。
発熱抵抗体層53はTaxi、TaNなど、電極層64
はCu、Cr、Auなど、酸化防止層66は5102な
ど、耐摩耗層66はSiCなどがスパッタリング。
はCu、Cr、Auなど、酸化防止層66は5102な
ど、耐摩耗層66はSiCなどがスパッタリング。
蒸着などの薄膜プロセスによって形成され厚さは数1o
Ooオングストロームである。
Ooオングストロームである。
厚膜、薄膜併用型は、例えば、電極を厚膜プロセスで抵
抗体を薄膜プロセスで形成するなど、抵抗値ばらつき、
製造の簡易性を考慮して、両者の長所を生かして製造す
るものである。
抗体を薄膜プロセスで形成するなど、抵抗値ばらつき、
製造の簡易性を考慮して、両者の長所を生かして製造す
るものである。
なお、基板としては上記のアルミナ基板の他に、ホーロ
基板を用いたものも考案されている。
基板を用いたものも考案されている。
上に述べた耐摩耗層44.56は発熱抵抗体層43.5
3.電極層42.54が印字時の印字用紙との摺動によ
って摩耗劣化することを防ぐための保護膜である。薄膜
型の場合、上述のようにスパッタリング法により形成さ
れたSiC,TiCなどの高硬度膜が用いられているが
、これらの膜でもサーマルヘッドの実使用(紙走行30
km以上)を考慮すると、厚さが3〜eμm必要になり
、スパッタリング法では膜形成に3〜6時間の長時間を
要し、製造上の問題となる。また膜形成時の基板加熱な
どからも長時間のスパッタリングは下地発熱抵抗体層に
及ぼす悪影響が大である〇厚膜型の場合、上述のように
Sio2.B2O3を主成分とするガラス粉末をテルペ
ノールなどと混合したペーストを発熱体上に印刷し乾燥
、焼成する。ただし、現在までに開発されているものは
、焼成温度が700〜1000℃の範囲であり、高温に
よる下地発熱体の抵抗値変化、さらには劣化が生じるこ
とがある。
3.電極層42.54が印字時の印字用紙との摺動によ
って摩耗劣化することを防ぐための保護膜である。薄膜
型の場合、上述のようにスパッタリング法により形成さ
れたSiC,TiCなどの高硬度膜が用いられているが
、これらの膜でもサーマルヘッドの実使用(紙走行30
km以上)を考慮すると、厚さが3〜eμm必要になり
、スパッタリング法では膜形成に3〜6時間の長時間を
要し、製造上の問題となる。また膜形成時の基板加熱な
どからも長時間のスパッタリングは下地発熱抵抗体層に
及ぼす悪影響が大である〇厚膜型の場合、上述のように
Sio2.B2O3を主成分とするガラス粉末をテルペ
ノールなどと混合したペーストを発熱体上に印刷し乾燥
、焼成する。ただし、現在までに開発されているものは
、焼成温度が700〜1000℃の範囲であり、高温に
よる下地発熱体の抵抗値変化、さらには劣化が生じるこ
とがある。
これらの問題点以外に、両者に共通した問題点として、
膜のピンホールの影響が考えられる。スパッタリングに
より形成されたSiC膜や、厚膜印刷焼成法によるガラ
ス膜は多少のピンホールを有し、第7図に示すように例
えば空気中の水分61を介してピンホール62を通じて
銅電極層63のd部に腐食が生じることがある。これに
は、紙ドラム64のアース電位と、電極63電位との差
が寄与していると考えられる。なお第7図において66
は基板、66は発熱抵抗体、67はSiC層、68はヒ
ータドライブ直流電源である◇発明が解決しようとする
問題点 従来の厚膜型、薄膜型や併用型においては、耐摩耗層形
成のために長時間を要し、かつ膜形成のために基板が高
温になり、下地抵抗に悪影響を及ぼしたり、熱処理のた
めに下地発熱抵抗体の抵抗値が変化する。また、形成膜
にピンホールが形成されたりする。
膜のピンホールの影響が考えられる。スパッタリングに
より形成されたSiC膜や、厚膜印刷焼成法によるガラ
ス膜は多少のピンホールを有し、第7図に示すように例
えば空気中の水分61を介してピンホール62を通じて
銅電極層63のd部に腐食が生じることがある。これに
は、紙ドラム64のアース電位と、電極63電位との差
が寄与していると考えられる。なお第7図において66
は基板、66は発熱抵抗体、67はSiC層、68はヒ
ータドライブ直流電源である◇発明が解決しようとする
問題点 従来の厚膜型、薄膜型や併用型においては、耐摩耗層形
成のために長時間を要し、かつ膜形成のために基板が高
温になり、下地抵抗に悪影響を及ぼしたり、熱処理のた
めに下地発熱抵抗体の抵抗値が変化する。また、形成膜
にピンホールが形成されたりする。
問題点を解決するための手段
本発明は、セラミック、ホーロなどの絶縁基板と、この
基板上の対向電極層5発熱抵抗体層と、これらの層の上
の、金属アルコキシド溶液もしくは、添加物を加えた金
属アルコキシド溶液を出発原料として作られた絶縁性金
属酸化物層もしくはこれと窒化物、炭化物、複合層とか
ら構成されるサーマルヘッドである。
基板上の対向電極層5発熱抵抗体層と、これらの層の上
の、金属アルコキシド溶液もしくは、添加物を加えた金
属アルコキシド溶液を出発原料として作られた絶縁性金
属酸化物層もしくはこれと窒化物、炭化物、複合層とか
ら構成されるサーマルヘッドである。
さらに本発明は、セラミック、ボー口などの絶縁基板上
に対向電極9発熱抵抗体を形成し、この発熱抵抗体上に
、塗布、浸漬、スピンのいずれかの方法により金属アル
コキシド溶液もしくは添加物を加えた金属アルコキシド
溶液を担持し、加水分解させ、加熱して金属酸化物層も
しくはこれと窒化物、炭化物、複合層とすることを特徴
とするサーマルヘッドの製造方法である。上記添加物と
は、St、Ti、AA’のいずれかの窒化物、炭化物の
いずれかである。
に対向電極9発熱抵抗体を形成し、この発熱抵抗体上に
、塗布、浸漬、スピンのいずれかの方法により金属アル
コキシド溶液もしくは添加物を加えた金属アルコキシド
溶液を担持し、加水分解させ、加熱して金属酸化物層も
しくはこれと窒化物、炭化物、複合層とすることを特徴
とするサーマルヘッドの製造方法である。上記添加物と
は、St、Ti、AA’のいずれかの窒化物、炭化物の
いずれかである。
作 用
本発明によれば、金属アルコキシド溶液の、塗布、浸漬
、スピン法などにより、電極、抵抗体上にこの液を担持
し、加水分解、およびひきつづき6o○℃以下の低温で
の熱分解により任意の厚さく100人〜数μm)の金属
酸化物層が得られる〇この層は非常に緻密でピンホール
もほとんど無く、絶縁耐圧も大である。
、スピン法などにより、電極、抵抗体上にこの液を担持
し、加水分解、およびひきつづき6o○℃以下の低温で
の熱分解により任意の厚さく100人〜数μm)の金属
酸化物層が得られる〇この層は非常に緻密でピンホール
もほとんど無く、絶縁耐圧も大である。
さらに、金属アルコキシド溶液にSiC粉末など高硬度
材料粉末を添加することにより、加水分解、加熱により
得られる膜は、より高硬度、薄く。
材料粉末を添加することにより、加水分解、加熱により
得られる膜は、より高硬度、薄く。
緻密になる。
このように、高硬度、薄く、緻密な膜が容易な操作で、
しかも6oo℃以下の低温プロセスで得られることから
、本発明の金属酸化物層、金属酸化物−窒化物複合層は
、サーマルヘッドの耐摩耗層、酸化防止層として優れた
特性を有する。
しかも6oo℃以下の低温プロセスで得られることから
、本発明の金属酸化物層、金属酸化物−窒化物複合層は
、サーマルヘッドの耐摩耗層、酸化防止層として優れた
特性を有する。
実施例
本発明の具体的実施例を示す前に、金属アルコキシドお
よびその加水分解、加熱による膜合成反応に若干言及す
る。
よびその加水分解、加熱による膜合成反応に若干言及す
る。
第1図は、金属アルコキシド(Si(OC2H5)4)
からのガラス膜(SiO□)の生成のフロー図である。
からのガラス膜(SiO□)の生成のフロー図である。
Si(OC2H5)4 をエタノールに溶かした溶液と
する。これからバルク状のガラスを得ようとする時は、
これに水もしくは水と塩酸のアルコール溶液をゆっくり
攪拌しながら添加し、均一なゲルをつくる。これを60
0〜900℃の温度で加熱することによりS 102ガ
ラス片を得ることができる。
する。これからバルク状のガラスを得ようとする時は、
これに水もしくは水と塩酸のアルコール溶液をゆっくり
攪拌しながら添加し、均一なゲルをつくる。これを60
0〜900℃の温度で加熱することによりS 102ガ
ラス片を得ることができる。
一方基板上をSiO2膜でコーティングする時は、基板
をアルコキシド溶液に浸漬したり、基板表面にアルコキ
シド溶液を塗布する方法を用いる。この時、アルコキシ
ド溶液に八)と同じように予め水分を加えておく方法も
あるが、アルコキシド溶液単体にディップして、これを
空気中にさらして付着したアルコキシドを空中水分で加
水分解させ、100〜5oot:の低温で加熱すれば膜
は基板上に容易に形成する。ディッピング、スピニング
。
をアルコキシド溶液に浸漬したり、基板表面にアルコキ
シド溶液を塗布する方法を用いる。この時、アルコキシ
ド溶液に八)と同じように予め水分を加えておく方法も
あるが、アルコキシド溶液単体にディップして、これを
空気中にさらして付着したアルコキシドを空中水分で加
水分解させ、100〜5oot:の低温で加熱すれば膜
は基板上に容易に形成する。ディッピング、スピニング
。
加水分解、焼成による形成膜厚は、アルコキシド液の粘
度にもよるが0.01〜1μであり、さらに厚い膜を要
する場合は、上記の操作を繰り返せば良い。
度にもよるが0.01〜1μであり、さらに厚い膜を要
する場合は、上記の操作を繰り返せば良い。
いずれの場合も、水が加水分解のだめの必須成分であり
、これに続く重縮合反応により均一で薄く緻密な膜が得
られる。
、これに続く重縮合反応により均一で薄く緻密な膜が得
られる。
またSt、Ti、Alなどの窒化物、炭化物の粉末を予
めSt(OC2H5)4のエタノール溶液に加え、良く
攪拌し、これに基板を浸漬乾燥、焼成すると、例えば第
2図に示すよりな5i02ガラスのマトリクス1中に高
硬度のSiC粉末2が分散されたガラス膜3が基板4上
に得られ、高硬度のガラス膜が容易に得られ、本発明の
大きな特徴になる。
めSt(OC2H5)4のエタノール溶液に加え、良く
攪拌し、これに基板を浸漬乾燥、焼成すると、例えば第
2図に示すよりな5i02ガラスのマトリクス1中に高
硬度のSiC粉末2が分散されたガラス膜3が基板4上
に得られ、高硬度のガラス膜が容易に得られ、本発明の
大きな特徴になる。
第1表に、本発明で用いる金属アルコラードの代表的な
性質を掲げる。
性質を掲げる。
(シ・表 1−1石 [相] )
次に本発明の具体的な実施例を示す。
〔実施例1〕
厚さ0.5 teaのアルミナ基板(99,9%純度)
210表面に厚さ50μmのグレーズ層22を施こす。
210表面に厚さ50μmのグレーズ層22を施こす。
この上にスパッタリング法によりTaSiの抵抗体層(
3000人)23、さらにAu電極層(sooo人)2
4を形成し、フォトリングラフ法、エツチング法により
第3図に示すようにパタニングを行なう。
3000人)23、さらにAu電極層(sooo人)2
4を形成し、フォトリングラフ法、エツチング法により
第3図に示すようにパタニングを行なう。
この上にマスクスピン塗布法によV) S t (QC
2H5)4259をC2H60H3oII/に溶かした
液をスピンオンしく 1000 rpm 、 10秒、
Bee)引続き室温にてO,S時間放置し、150℃で
O,S時間乾燥する。さらに200℃で0.5 時間
焼成し、S I 02層26を形成する。
2H5)4259をC2H60H3oII/に溶かした
液をスピンオンしく 1000 rpm 、 10秒、
Bee)引続き室温にてO,S時間放置し、150℃で
O,S時間乾燥する。さらに200℃で0.5 時間
焼成し、S I 02層26を形成する。
〔実施例2〕
実施例1のS iO2層の上にさらに1μmのSiC膜
をスパッタリング法により形成する。
をスパッタリング法により形成する。
〔実施例3〕
実施例1の層24を形成後エツチングし、5t(oc2
H5)42 ts y 、 C2H50H3ostt
stc粉末(直径1〜2μm)25Fの混合液をマスク
あるいはスピン塗布しく 11000rp、20秒、1
0cc)、引続き室温放置、150℃乾燥、250℃焼
成しSio2・SiC混合層を形成する◇ 〔実施例4〕 実施例1の層24の上にスパッタ法によりS 102膜
(3000人)を形成し、さらに実施例3の方法で31
02・SiC混合層を形成する。
H5)42 ts y 、 C2H50H3ostt
stc粉末(直径1〜2μm)25Fの混合液をマスク
あるいはスピン塗布しく 11000rp、20秒、1
0cc)、引続き室温放置、150℃乾燥、250℃焼
成しSio2・SiC混合層を形成する◇ 〔実施例4〕 実施例1の層24の上にスパッタ法によりS 102膜
(3000人)を形成し、さらに実施例3の方法で31
02・SiC混合層を形成する。
〔実施例6〕
第4図に示すように、厚さ0.5 mの鋼板36の両面
にSio2・B2O2を主成分とするホーロ層(厚さ1
00μm)31を形成し、この片面にガラスフリットと
金粉の混合ペーストの印刷、焼成、エツチング、ひきつ
づきRu O2−ガラスフリットペーストの印刷、焼成
により第4図に示す厚膜型ヘッドをつくる。32は金電
極、33は抵抗体。ひきつづき、Ti (0−ic、H
7)450 fr をi −C3H70H100耐に溶
かし、これにTiN 粉末(直径1〜2μm)60り
を加えた液をスピン塗布する。室温乾燥(0,5時間)
、1so℃乾燥(0,5時間)。
にSio2・B2O2を主成分とするホーロ層(厚さ1
00μm)31を形成し、この片面にガラスフリットと
金粉の混合ペーストの印刷、焼成、エツチング、ひきつ
づきRu O2−ガラスフリットペーストの印刷、焼成
により第4図に示す厚膜型ヘッドをつくる。32は金電
極、33は抵抗体。ひきつづき、Ti (0−ic、H
7)450 fr をi −C3H70H100耐に溶
かし、これにTiN 粉末(直径1〜2μm)60り
を加えた液をスピン塗布する。室温乾燥(0,5時間)
、1so℃乾燥(0,5時間)。
600℃焼成(0,5時間)してT 102・TiN複
合層34を形成する。得られた各種サーマルヘッドの特
性、特徴を第2表に示す。
合層34を形成する。得られた各種サーマルヘッドの特
性、特徴を第2表に示す。
(シ″人 −ト、 4 h )〔比較例1〕
実施例1における層24(第3図)形成後、スパッタリ
ング法によりS iO2(3000人)、5iC(6μ
m)を形成する。基板温度は500℃、成膜時間は5l
o21時間、SiCは6hr。
ング法によりS iO2(3000人)、5iC(6μ
m)を形成する。基板温度は500℃、成膜時間は5l
o21時間、SiCは6hr。
〔比較例2〕
実施例5における層33(第4図)形成後、5102・
B2o3系ガラスフリットを主体とするインクを層33
の上に印刷焼成(890℃1hr)する。
B2o3系ガラスフリットを主体とするインクを層33
の上に印刷焼成(890℃1hr)する。
なお、本発明においては、サーマルヘッドの保護層とし
てのガラス層について述べたが、固定抵抗、薄膜素子な
どの耐温湿度層として本発明層を用いることも有効であ
る。
てのガラス層について述べたが、固定抵抗、薄膜素子な
どの耐温湿度層として本発明層を用いることも有効であ
る。
発明の効果
以上記載のように、本発明によれば高硬度、緻密、薄い
保護膜が低温プロセスで短時間に得られ、これをサーマ
ルヘッドの保護層として用いることは抵抗変化率、耐摩
耗性の点から非常に有効である。特に薄膜サーマルヘッ
ドでTi−8iのような非酸化物系の抵抗体を用いる時
、本発明のSiO2・SLCのような酸化物窒化物複合
膜は、これ一層だけで酸化防止膜と、耐摩耗層を兼ねて
おり、その作用効果は非常に犬である。また厚膜方式の
従来のものはSOO〜900℃の焼成温度を保護層形成
のために要していたが、本発明では500℃以下での形
成が可能であり、保護膜形成時に下地素子に与える影響
を極力抑えることができる。
保護膜が低温プロセスで短時間に得られ、これをサーマ
ルヘッドの保護層として用いることは抵抗変化率、耐摩
耗性の点から非常に有効である。特に薄膜サーマルヘッ
ドでTi−8iのような非酸化物系の抵抗体を用いる時
、本発明のSiO2・SLCのような酸化物窒化物複合
膜は、これ一層だけで酸化防止膜と、耐摩耗層を兼ねて
おり、その作用効果は非常に犬である。また厚膜方式の
従来のものはSOO〜900℃の焼成温度を保護層形成
のために要していたが、本発明では500℃以下での形
成が可能であり、保護膜形成時に下地素子に与える影響
を極力抑えることができる。
第1図は本発明の一実施例の製造におけるガラス膜合成
のフロー図、第2図は本発明の一実施例のサーマルヘッ
ドにおいて、酸化物ガラスマトリクス中に金属窒化物の
分散した膜の状態を示す模式図、第3図および第4図は
本発明実施例を示す図、第6図および第6図は従来例の
厚膜型および薄膜型のサーマルヘッドの構成を示す図、
第7図は耐摩耗層のピンホールを通しての電極腐食の機
構を説明するための模式図である。 21・・・・・・基板、22・・・・・・グレーズ層、
23・・・・・・抵抗体層、24・・・・・・電極層、
25・・・・・・S 102層。 第1図 第2図 第4図 I 第5図 第7図
のフロー図、第2図は本発明の一実施例のサーマルヘッ
ドにおいて、酸化物ガラスマトリクス中に金属窒化物の
分散した膜の状態を示す模式図、第3図および第4図は
本発明実施例を示す図、第6図および第6図は従来例の
厚膜型および薄膜型のサーマルヘッドの構成を示す図、
第7図は耐摩耗層のピンホールを通しての電極腐食の機
構を説明するための模式図である。 21・・・・・・基板、22・・・・・・グレーズ層、
23・・・・・・抵抗体層、24・・・・・・電極層、
25・・・・・・S 102層。 第1図 第2図 第4図 I 第5図 第7図
Claims (5)
- (1)絶縁基板上に形成した対向電極層および発熱抵抗
体層を形成し、これらの層上の、金属アルコキシド溶液
単体、または金属アルコキシド溶液に添加物を加えた溶
液を出発原料として得られた絶縁性酸化物層もしくはこ
れと炭化物、窒化物の複合層とから構成されたサーマル
ヘッド。 - (2)添加物が、Si、Ti、Alのいずれかの窒化物
、炭化物いずれかであることを特徴とする特許請求の範
囲第1項記載のサーマルヘッド。 - (3)絶縁性金属酸化物層がSiO_2などの酸化防止
層と、この層の上のマイクロビッカース硬度が500以
上の層とから成ることを特徴とする特許請求の範囲第1
項記載のサーマルヘッド。 - (4)絶縁性金属酸化物層の上にさらに蒸着、スパッタ
、印刷、焼成などの方法によって形成されたマイクロビ
ッカース硬度が600以上の層を有することを特徴とす
る特許請求の範囲第1項記載のサーマルヘッド。 - (5)絶縁基板上に対向電極および発熱抵抗体を順次形
成し、この発熱抵抗体上に金属アルコキシド溶液または
添加物を加えた金属アルコキシド溶液を担持し、加水分
解させ、加熱して金属酸化物層もしくは、これと炭化物
の複合層とすることを特徴とするサーマルヘッドの製造
法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61091604A JPH0780309B2 (ja) | 1986-04-21 | 1986-04-21 | サ−マルヘツドおよびその製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61091604A JPH0780309B2 (ja) | 1986-04-21 | 1986-04-21 | サ−マルヘツドおよびその製造法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62248665A true JPS62248665A (ja) | 1987-10-29 |
JPH0780309B2 JPH0780309B2 (ja) | 1995-08-30 |
Family
ID=14031163
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61091604A Expired - Lifetime JPH0780309B2 (ja) | 1986-04-21 | 1986-04-21 | サ−マルヘツドおよびその製造法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0780309B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5234771A (en) * | 1990-09-18 | 1993-08-10 | Kanegafuchi Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha | Permanent magnet having high corrosion resistance |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59225973A (ja) * | 1983-06-08 | 1984-12-19 | Hitachi Ltd | サ−マルヘツド |
JPS60131851A (ja) * | 1983-12-19 | 1985-07-13 | Hoya Corp | リン酸塩レ−ザガラスの耐熱衝撃強度を増加させる方法 |
-
1986
- 1986-04-21 JP JP61091604A patent/JPH0780309B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59225973A (ja) * | 1983-06-08 | 1984-12-19 | Hitachi Ltd | サ−マルヘツド |
JPS60131851A (ja) * | 1983-12-19 | 1985-07-13 | Hoya Corp | リン酸塩レ−ザガラスの耐熱衝撃強度を増加させる方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5234771A (en) * | 1990-09-18 | 1993-08-10 | Kanegafuchi Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha | Permanent magnet having high corrosion resistance |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0780309B2 (ja) | 1995-08-30 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
EXPY | Cancellation because of completion of term |