JPS62245218A - 液晶表示装置の製造方法 - Google Patents
液晶表示装置の製造方法Info
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- JPS62245218A JPS62245218A JP8948586A JP8948586A JPS62245218A JP S62245218 A JPS62245218 A JP S62245218A JP 8948586 A JP8948586 A JP 8948586A JP 8948586 A JP8948586 A JP 8948586A JP S62245218 A JPS62245218 A JP S62245218A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
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- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1337—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers
- G02F1/133711—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers by organic films, e.g. polymeric films
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は液晶表示装置の液晶分子を配列せしめる配向層
の形成方法に関する。
の形成方法に関する。
従来の液晶表示装置の配向処理方法としては特開昭５５
−１４３５２３の様にポリアミック酸を溶剤に溶解し基
板上に塗布した後、加熱処理によシ脱水閉猿してイミド
結合を行なわせポリイミド系高分子被膜を形成する工程
及び前記ポリイミド糸高分子被勝をそれぞれ一方向に配
向処理する工程とからなってい友。
−１４３５２３の様にポリアミック酸を溶剤に溶解し基
板上に塗布した後、加熱処理によシ脱水閉猿してイミド
結合を行なわせポリイミド系高分子被膜を形成する工程
及び前記ポリイミド糸高分子被勝をそれぞれ一方向に配
向処理する工程とからなってい友。
近年、液晶表示装置の発展はめざましく、パーソナルコ
ンピュータなどの表示装置として用いられているが、大
型で大容量の液晶表示装置の要求が強く、従来のツィス
テッド・ネマテイク（ＴＮ）型では対処できなくなって
いるのが現状である。
ンピュータなどの表示装置として用いられているが、大
型で大容量の液晶表示装置の要求が強く、従来のツィス
テッド・ネマテイク（ＴＮ）型では対処できなくなって
いるのが現状である。
そこで、最近、大型・大容量化の方法として液晶分子の
ツイスト角を従来のＴＮ型より大きくした方式（スーパ
ーＴＮ方式：ＳＴＮ方式）が提案されている。該ＳＴＮ
方式において、大きなツイスト角（１８０°〜２７０°
）においても液晶分子を安定かつ均一に配向させる配向
技術において最も大きなポイントとなるのは液晶分子の
チルト角（電圧無印加時に液晶分子が電極基板平面とな
す角度）を少なくとも５度以上に安定して形成できる配
向処理方法を確立することである。
ツイスト角を従来のＴＮ型より大きくした方式（スーパ
ーＴＮ方式：ＳＴＮ方式）が提案されている。該ＳＴＮ
方式において、大きなツイスト角（１８０°〜２７０°
）においても液晶分子を安定かつ均一に配向させる配向
技術において最も大きなポイントとなるのは液晶分子の
チルト角（電圧無印加時に液晶分子が電極基板平面とな
す角度）を少なくとも５度以上に安定して形成できる配
向処理方法を確立することである。
しかし、前述の従来技術では液晶分子のチルト角がせい
ぜい数度程度であり、ＳＴＮ方式の配向処理に用いると
配向が不章定になり、目的の性能が得られないという問
題点を有する。
ぜい数度程度であり、ＳＴＮ方式の配向処理に用いると
配向が不章定になり、目的の性能が得られないという問
題点を有する。
また、一般に知られている方法として、ＳｉＯを基板に
対して斜め方向から真空蒸着した蒸着膜により液晶分子
を配向させ、目的のチルト角を得る方法があるが、この
方法によると、大型基板上に均一な蒸着膜を形成するこ
とが困難で、また、高コストになるという欠点を有し、
量産技術としては不適当である。
対して斜め方向から真空蒸着した蒸着膜により液晶分子
を配向させ、目的のチルト角を得る方法があるが、この
方法によると、大型基板上に均一な蒸着膜を形成するこ
とが困難で、また、高コストになるという欠点を有し、
量産技術としては不適当である。
そこで、本発明はこのような問題点を解決するもので、
その目的とするところは液晶分子のチルト角が大きく、
かつ、均一な配向を量産的方法によシ低コストで提供す
るところにある。
その目的とするところは液晶分子のチルト角が大きく、
かつ、均一な配向を量産的方法によシ低コストで提供す
るところにある。
本発明の液晶表示装置の製造方法は、電極基板上に液晶
分子を一方向く配列せしめる配向層を、高分子樹脂を用
い、該高分子樹脂中に液晶分子を混入分散させ、磁界も
しくは電界で一方向に配列させ固定し、形成することを
特徴とし、前記高分子樹脂には熱可塑性樹脂、熱可塑性
樹脂、あるいは紫外線硬化性樹脂、その他の高分子樹脂
を用いることを特徴とする。
分子を一方向く配列せしめる配向層を、高分子樹脂を用
い、該高分子樹脂中に液晶分子を混入分散させ、磁界も
しくは電界で一方向に配列させ固定し、形成することを
特徴とし、前記高分子樹脂には熱可塑性樹脂、熱可塑性
樹脂、あるいは紫外線硬化性樹脂、その他の高分子樹脂
を用いることを特徴とする。
本発明の上記の構成による作用を第１図を用い説明する
。電極基板１上にネマティック液晶の液晶分子２と高分
子樹脂などの配向層１５との混合液を塗布し、該配向剤
３を硬化させるととによシ該配向層３中に前記液晶分子
２を固定せしめ、該処理を行った電極基板を対向させ液
晶４を挾持した場合、該電極基板１によシ挾持された液
晶分子４は前記配向層３中に固定された液晶分子２の向
きＫならい安定する。該現象は液晶分子の有する性質に
起因する。また、前記配向剤３を硬化させる時、一様な
磁界又は電界５を印加し前記配向層３中に固定する液晶
分子２の方向を磁化率異方性又は誘電率異方性を利用し
制御することにょυ、前記電極基板１によシ挾持された
液晶分子４の方向を制御できる。したがって、該印加す
る一様な磁界又は電界５の前記電極基板１千面に対る角
度６を任意に変えることによシ、前記配向層３中の液晶
分子２の該電極基板１千面に対する角度７ｔ−制御でき
、該チルト角７によシ前記１！極基板１によシ挾持され
た液晶分子４のチルト角８が制御可能となる。
。電極基板１上にネマティック液晶の液晶分子２と高分
子樹脂などの配向層１５との混合液を塗布し、該配向剤
３を硬化させるととによシ該配向層３中に前記液晶分子
２を固定せしめ、該処理を行った電極基板を対向させ液
晶４を挾持した場合、該電極基板１によシ挾持された液
晶分子４は前記配向層３中に固定された液晶分子２の向
きＫならい安定する。該現象は液晶分子の有する性質に
起因する。また、前記配向剤３を硬化させる時、一様な
磁界又は電界５を印加し前記配向層３中に固定する液晶
分子２の方向を磁化率異方性又は誘電率異方性を利用し
制御することにょυ、前記電極基板１によシ挾持された
液晶分子４の方向を制御できる。したがって、該印加す
る一様な磁界又は電界５の前記電極基板１千面に対る角
度６を任意に変えることによシ、前記配向層３中の液晶
分子２の該電極基板１千面に対する角度７ｔ−制御でき
、該チルト角７によシ前記１！極基板１によシ挾持され
た液晶分子４のチルト角８が制御可能となる。
実施例１
電極基板上に、ＰＥ５１シアノターフエニル系液晶（タ
ーフェニル液晶）、ＤＭＡＣ（ジメチルアセトアミド）
を、（Ｌ７：（Ｌ３：１０の割合で混合した溶液を塗布
し、該電極基板を１５０℃×２ｈｏｕｒｓ −１−２５
０℃Ｘ １ ｈｏｕｒの焼成を行い、該焼成後の電極基
板をサランを用いてラビングを行い、その後前記電極基
板を再び２５０℃ｘ １ ｈｏｕｒの焼成を行い除冷し
なからｓ ５ ＫＶ／ｃｍの電界を印加した。上記の
工程を施し配向処理を行った２枚の前記電極基板を対向
させ、該２枚の電極基板上の配向層中の液晶分子がお互
いに平行となるように組んだ液晶セルにネマティック液
晶を挾持し、該挟持した液１分子の前記電極基板に対す
るチルト角を測定したところ約１０度のチルト角が得ら
れた。また、ＰＥ８の代シに、紫外線硬化樹脂、熱可塑
性樹脂、その他高分子樹脂を用いても構わない。
ーフェニル液晶）、ＤＭＡＣ（ジメチルアセトアミド）
を、（Ｌ７：（Ｌ３：１０の割合で混合した溶液を塗布
し、該電極基板を１５０℃×２ｈｏｕｒｓ −１−２５
０℃Ｘ １ ｈｏｕｒの焼成を行い、該焼成後の電極基
板をサランを用いてラビングを行い、その後前記電極基
板を再び２５０℃ｘ １ ｈｏｕｒの焼成を行い除冷し
なからｓ ５ ＫＶ／ｃｍの電界を印加した。上記の
工程を施し配向処理を行った２枚の前記電極基板を対向
させ、該２枚の電極基板上の配向層中の液晶分子がお互
いに平行となるように組んだ液晶セルにネマティック液
晶を挾持し、該挟持した液１分子の前記電極基板に対す
るチルト角を測定したところ約１０度のチルト角が得ら
れた。また、ＰＥ８の代シに、紫外線硬化樹脂、熱可塑
性樹脂、その他高分子樹脂を用いても構わない。
実施例２
第２図は実施例１において、ＰＥＳの代９に紫外線硬化
型樹脂を用いた実施例２の説明図で紫外線硬化樹脂？
（２５ｃｐｏｉｓｅ ）にシアノターフェニル系液晶２
０ｖｏ１％となるように調整し、該混合液を電極基板１
に塗布し、該電極基板を一様な５）（Ｑａｕｓｓ以上の
磁場の中に、該磁場の方向に対し前記電極基板平面のな
す角１１が３０度となるように固定し紫外線硬化樹脂？
中の液晶分子２の電極基板１チルト角を３０度となるよ
うに制御し、高圧水銀ランプを用いて紫外線を５０秒間
照射し該紫外線硬化樹脂を硬化させた。該配向処理を行
った電極基板金用い、実施例１と同様にしてチルト角を
測定したところ約３０度のチルト角を得た。また、紫外
線硬化樹脂の代９に熱可塑性樹脂、熱可塑性樹脂その他
の高分子樹脂を用いても構わない。
型樹脂を用いた実施例２の説明図で紫外線硬化樹脂？
（２５ｃｐｏｉｓｅ ）にシアノターフェニル系液晶２
０ｖｏ１％となるように調整し、該混合液を電極基板１
に塗布し、該電極基板を一様な５）（Ｑａｕｓｓ以上の
磁場の中に、該磁場の方向に対し前記電極基板平面のな
す角１１が３０度となるように固定し紫外線硬化樹脂？
中の液晶分子２の電極基板１チルト角を３０度となるよ
うに制御し、高圧水銀ランプを用いて紫外線を５０秒間
照射し該紫外線硬化樹脂を硬化させた。該配向処理を行
った電極基板金用い、実施例１と同様にしてチルト角を
測定したところ約３０度のチルト角を得た。また、紫外
線硬化樹脂の代９に熱可塑性樹脂、熱可塑性樹脂その他
の高分子樹脂を用いても構わない。
実施例３
実施例２において、磁場の代’りＫ５ＫＶ／ｃＩＩＬ以
上の電場を印加した以外同様の処理を行い、同様にして
チルト角を測定したところ全く同じ結果を得た。
上の電場を印加した以外同様の処理を行い、同様にして
チルト角を測定したところ全く同じ結果を得た。
以上述べたように本発明によれば、液晶分子を一方向に
配列せしめる配向層を、該配向層中に液晶分子を混入し
、該液晶分子を一方向に配列させ、かつ、前記配向層中
で一方向に固定形成することにより、電極基板平面に対
する液晶分子のチルト角を、前記配向層中で配列させる
前記液晶分子の方向を任意に変えることで、任意に制御
することができる。
配列せしめる配向層を、該配向層中に液晶分子を混入し
、該液晶分子を一方向に配列させ、かつ、前記配向層中
で一方向に固定形成することにより、電極基板平面に対
する液晶分子のチルト角を、前記配向層中で配列させる
前記液晶分子の方向を任意に変えることで、任意に制御
することができる。
これにより、ＳＴＮ方式に必要とされる５度以上のチル
ト角を提供でき、したがって、大容量、大型の液晶表示
装置を低コストで提供できる。
ト角を提供でき、したがって、大容量、大型の液晶表示
装置を低コストで提供できる。
第１図は本発明の作用における配向層の構成配向原理を
七デル的に示した説明図。 第２図は従来の配向層の構成、配向原理（仮説）をモデ
ル的に示した説明図。 １・・・電極基板、２・・・配向層中に混入した液晶分
子、３・・・高分子樹脂などの配向層、４・・・２枚の
電極基板１で挾持された液晶層の液晶分子、５・・・磁
場及びその方向、６・・・磁場の方向が電極基板１平面
に々す角度、７・・・配向層５中の液晶分子２が電極基
板１になす角度、８・・・液晶層の液晶分子４が電極基
板１千面になす角度、９・・・ラビング方向。 以上
七デル的に示した説明図。 第２図は従来の配向層の構成、配向原理（仮説）をモデ
ル的に示した説明図。 １・・・電極基板、２・・・配向層中に混入した液晶分
子、３・・・高分子樹脂などの配向層、４・・・２枚の
電極基板１で挾持された液晶層の液晶分子、５・・・磁
場及びその方向、６・・・磁場の方向が電極基板１平面
に々す角度、７・・・配向層５中の液晶分子２が電極基
板１になす角度、８・・・液晶層の液晶分子４が電極基
板１千面になす角度、９・・・ラビング方向。 以上
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１）電極基板上に液晶分子を一方向に配列させる配向
層を設けた液晶表示装置において、該配向層を形成する
方法が高分子樹脂中に液晶分子を混入分散させ該液晶分
子を配列させ、前記配向層を形成することを特徴とする
液晶表示装置の製造方法。 （２）前記配向層を熱可塑性樹脂を用いて形成したこと
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の液晶表示装置
の製造方法。 （５）前記配向層を、紫外線硬化樹脂を用いて形成した
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の液晶表示
装置の製造方法。 （４）前記配向層を、熱硬化性樹脂を用いて形成したこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の液晶表示装
置の製造方法。 （５）前記配向層中に混入分散させた液晶分子を、磁界
又は電界を用いて配列させたことを特徴とする特許請求
の範囲第１項記載の液晶表示装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8948586A JPS62245218A (ja) | 1986-04-18 | 1986-04-18 | 液晶表示装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8948586A JPS62245218A (ja) | 1986-04-18 | 1986-04-18 | 液晶表示装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62245218A true JPS62245218A (ja) | 1987-10-26 |
Family
ID=13972043
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8948586A Pending JPS62245218A (ja) | 1986-04-18 | 1986-04-18 | 液晶表示装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62245218A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6364029A (ja) * | 1986-09-04 | 1988-03-22 | フィリップス エレクトロニクス ネムローゼ フェンノートシャップ | 画像表示セルおよびこれに用いる単量体 |
| EP0506175A2 (en) * | 1991-03-26 | 1992-09-30 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Liquid crystal display device comprising an orientation layer |
| US5155610A (en) * | 1990-07-19 | 1992-10-13 | U.S. Philips Corporation | Method of providing a liquid crystalline auxiliary layer in a display cell |
| JPH04350822A (ja) * | 1991-05-29 | 1992-12-04 | Nec Corp | 液晶配向膜およびその製造方法および液晶光学素子 |
| EP0525478A2 (de) * | 1991-07-26 | 1993-02-03 | F. Hoffmann-La Roche Ag | Flüssigkristallanzeigezelle |
| EP0601895A1 (en) * | 1992-12-11 | 1994-06-15 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method for forming an orientation film |
| JP2009175247A (ja) * | 2008-01-22 | 2009-08-06 | Nagaoka Univ Of Technology | 液晶素子の製造方法 |
-
1986
- 1986-04-18 JP JP8948586A patent/JPS62245218A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6364029A (ja) * | 1986-09-04 | 1988-03-22 | フィリップス エレクトロニクス ネムローゼ フェンノートシャップ | 画像表示セルおよびこれに用いる単量体 |
| US5155610A (en) * | 1990-07-19 | 1992-10-13 | U.S. Philips Corporation | Method of providing a liquid crystalline auxiliary layer in a display cell |
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| EP0601895A1 (en) * | 1992-12-11 | 1994-06-15 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method for forming an orientation film |
| JP2009175247A (ja) * | 2008-01-22 | 2009-08-06 | Nagaoka Univ Of Technology | 液晶素子の製造方法 |
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