JPS62242417A - Semiconductor integrated circuit - Google Patents

Semiconductor integrated circuit

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Publication number
JPS62242417A
JPS62242417A JP61084920A JP8492086A JPS62242417A JP S62242417 A JPS62242417 A JP S62242417A JP 61084920 A JP61084920 A JP 61084920A JP 8492086 A JP8492086 A JP 8492086A JP S62242417 A JPS62242417 A JP S62242417A
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JP
Japan
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circuit
signals
normally
pull
fet
Prior art date
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Pending
Application number
JP61084920A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Katsue Kawahisa
克江 川久
Atsushi Kameyama
敦 亀山
Yasuo Igawa
井川 康夫
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Filing date
Publication date
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Abstract

PURPOSE:To increase driving current and to shorten delay time by connecting a normally ON FET to the output stage source follower side of a circuit for forming plural clock signals for timing signals and connecting a normally OFF FET to the pull-down side. CONSTITUTION:A timing signal generating circuit 51 is constituted of synchroniz ing octonary counters 302a-302c consisting of three master/ slave flip-flops and outputs six timing signals for one clock input. The timing signals are input ted to an 8:1 multiplexer 52 as state signals and light input data I0-I7 are sequentially outputted so that parallel input data are converted into serial data and outputted. In the master/ slave type FF circuit, a push-pull circuit 115 is connected to the output stage so that the normally ON FET is used for the source follower side 113 and the normally OFF FET is used for the pull- down side 114, and the outputs 111, 112 of the FF are connected to the input of the circuit.

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕    ゛ (産業上の利用分野) この発明は、クロック信号及びタイミング信号を扱う半
導体集積回路に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Object of the Invention] (Field of Industrial Application) The present invention relates to a semiconductor integrated circuit that handles clock signals and timing signals.

(従来の技術) G a p、 sショットキーゲート形電界効果トラン
ジスタ(M)iSFgT)を用いた集積回路(IC)は
、従来のSiを用いたものに比べて低消費電力及び高速
動作が可能であることから注目を集めている。
(Prior art) Integrated circuits (ICs) using Schottky gate field effect transistors (M) iSFgT) can consume less power and operate at higher speeds than those using conventional Si. It is attracting attention because of this.

特にその高速性に看目して高速データのシフトレジスタ
、データマルチプレクサ等の様な高速データを扱う集積
回路として用いることができる。一般に上記の機能を待
つ回路は、フリップフロップ、ラッチ、マルチプレクサ
等高速データを扱う部分とそちらの動作タイミングを決
めるカウンター等のタイミング信号形成回路からm成さ
れる。また高速性を十分に引き出すように動作タイミン
グは。
In particular, due to its high speed, it can be used as an integrated circuit that handles high-speed data such as a high-speed data shift register, data multiplexer, etc. Generally, the circuit that waits for the above-mentioned functions is composed of parts that handle high-speed data such as flip-flops, latches, and multiplexers, and timing signal forming circuits such as counters that determine the operation timings of these parts. In addition, the operation timing has been adjusted to take full advantage of high speed.

クロック信号と開明するように回路を設計する。Design the circuit to interact with the clock signal.

この場合、タイミング信号形成部でつくられたタイミン
グ信号は、シフトレジスタ、ラッチ、マルチプレクサ等
高速データを扱うm分に分配されるため、タイミング信
号出力に継がる配線容量、ファンアウト容量は非常に大
きくなる。
In this case, the timing signal generated by the timing signal generation section is distributed to m units that handle high-speed data, such as shift registers, latches, and multiplexers, so the wiring capacitance and fan-out capacitance connected to the timing signal output are extremely large. Become.

G a A s M B S F E Tを用いた論理
回路は、ノーマリオンロジックとノーマリオフロジック
がある。このなかでノーマリオフロジックの代表である
1)CF L (Direct Coupled F’
ET Logic )の回路構成を@2図に示す。本回
路では、負荷としてデプレッションFgT21.  ド
ライバとしてエンハンスメントFET22を用いる。図
ではドライバFETを2つ備えた2人力NOR回路の例
が示さnている。このようにDCFLは、GaAs論理
回路の中で最も回路構成が1市奉でゲート当りの消費゛
成力が最も少ないため、高集積化のために用いる回路と
して最良と考えられる。しかしDCBLは、他のロジッ
クに比べ電流容量が小さく、配線ファンアウト等による
容量負荷の駆動能力が小さい。すなわち負荷による遅延
時間の増加率が大きい。そこで上述のデータマルチプレ
クサ、シフトレジスタ内のタイミング信号発生回路のよ
うに、各種の出力パルスを多数の回路に分配する場合は
、ファンアウト数が多く、また配線長も長くなるため、
これらの容量負荷による遅延が問題となる。
Logic circuits using GaAsMBSFET include normally-on logic and normally-off logic. Among these, 1) CF L (Direct Coupled F') is a representative of normally off logic.
The circuit configuration of ET Logic is shown in Figure @2. In this circuit, depletion FgT21. An enhancement FET 22 is used as a driver. The figure shows an example of a two-man power NOR circuit equipped with two driver FETs. As described above, DCFL is considered to be the best circuit to be used for high integration because it has the most single circuit configuration among GaAs logic circuits and has the lowest power consumption per gate. However, DCBL has a smaller current capacity than other logics, and has a smaller ability to drive capacitive loads due to wiring fan-out and the like. In other words, the rate of increase in delay time due to load is large. Therefore, when distributing various output pulses to a large number of circuits, such as the timing signal generation circuit in the data multiplexer and shift register mentioned above, the number of fan-outs and wiring lengths become long.
Delays caused by these capacitive loads become a problem.

従来は、このような橋台出力段に′域流駆動能力の大き
いバッファ回路を接続してこれらの負荷を駆動する方法
がとられている。
Conventionally, a method has been used to drive these loads by connecting a buffer circuit with a large current driving capacity to such an abutment output stage.

一例として第3図を参照しながら、バッファ回路を設け
たフリップフロップ回路について考察する。
As an example, a flip-flop circuit provided with a buffer circuit will be considered with reference to FIG.

第3図はクロックの1/25)同、l/4分周、178
分周のタイミング信号を発生する回路である。図に示さ
れているように通常タイミング信号発生回路の出力30
1a、301b、3nlc、30ユd*301e。
Figure 3 is 1/25 of the clock), 1/4 frequency division, 178
This is a circuit that generates a frequency division timing signal. As shown in the figure, the output 30 of the normal timing signal generation circuit
1a, 301b, 3nlc, 30yud*301e.

301fは、クロックと同期をとる必要性からフリップ
フロップ302a、302b、302cから出力される
301f is output from flip-flops 302a, 302b, and 302c due to the need to synchronize with the clock.

第4図は、このフリップフロップの1つを更に詳しく説
明する図であり、フリップフロップの出力部のドライブ
能力をより高めるために従来から知られている回路であ
る。8個のN0R1?51 % 401゜402.40
3,404,405,406,407,408からなる
マスタースレーブ形フリップフロップト、 1tlQ 
FIG. 4 is a diagram illustrating one of these flip-flops in more detail, and is a conventionally known circuit for further increasing the drive capability of the output section of the flip-flop. 8 N0R1?51% 401゜402.40
Master-slave type flip-flop consisting of 3,404,405,406,407,408, 1tlQ
.

Qの間に、バッファ回路4.1las411b、412
cw412bが設けられている。
During Q, buffer circuit 4.1las411b, 412
cw412b is provided.

409がマスタlie、  410がスレーブ調である
409 is the master tone, and 410 is the slave tone.

NOR回路は負荷にデプレシミン形F’g’l”、ドラ
イバーに二ンへンスメント形FETを用いた第2図に示
すようなりCFLII成とする。
The NOR circuit has a CFLII configuration as shown in FIG. 2, using a depressimine type F'g'l'' as a load and a secondment type FET as a driver.

スレーブ側フリップフロップの出力Q、Qには。For the outputs Q and Q of the slave side flip-flop.

ファンアウトによる負荷と配線負荷の和CL(413)
が存在する。バッファ回路はインバータ2段から構成さ
れ、そのうち侵段412as412bのインバータを構
成するFgTのゲート幅はCL (413)を充分に駆
動できるのに必要な値を選ぶ。
Sum of load due to fan-out and wiring load CL (413)
exists. The buffer circuit is composed of two stages of inverters, and the gate width of the FgT constituting the inverter of the inverter 412as412b is selected to a value necessary to sufficiently drive CL (413).

FgTゲート幅と遅延時間との間係について以下で式を
用いて説明する。負荷CLによるインバータ一段あたり
の遅延時間は充電時間に代表すると次式で表わすことが
できる。
The relationship between the FgT gate width and the delay time will be explained below using a formula. The delay time per inverter stage due to the load CL can be represented by the following equation as a charging time.

Dss CL:負荷 Δv:i哩振幅 ID5s:インバータの負荷Ft2Tに流れる飽和’i
t流 またID5sは IDs 5saKo @ Wjl M (V# S −
V TR) ! ・−・−・−・(2)Ko:ゲート幅
1μあたりのに1直 wp :負荷FITのゲート16 V#s:負荷FETのゲート・ソース間電圧 VTR:負荷FETのしきい値電圧 である。
Dss CL: Load Δv: i Amplitude ID5s: Saturation 'i flowing to inverter load Ft2T
t style or ID5s is IDs 5saKo @ Wjl M (V# S -
VTR)!・−・−・−・(2) Ko: 1 voltage per 1 μm of gate width wp: Gate 16 of load FIT V#s: Voltage between gate and source of load FET VTR: Threshold voltage of load FET .

DCFL嘴成のインバータにおいては、負荷FETのゲ
ートとソースがショートしているため(第2図参照)V
Ilsは Vlils sa □    ・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・ (3)であり、よ
りて(2)は ID5s耀KO・Wf−VTax  ・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・ 14)と表わされる。K
 o * W 9 t V T Hの3つのファクター
の中で、Koはデバイス構造により決まる1直であr)
、 VTH4、インバータのノイズマージンを大きくす
る条件により限定されてしまうので、 ID5s火大き
くして、遅延時間ヶ小さくする1会にはWII父大きく
する方法以外にない。
In the DCFL inverter, the gate and source of the load FET are shorted (see Figure 2), so V
Ils is Vlils sa □ ・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・ (3), and (2) is ID5s KO Wf-VTax ・・・・・・・・・
It is expressed as ・・・・・・・・・・・・ 14). K
Among the three factors of o * W 9 t V T H, Ko is a single factor determined by the device structure.
Since VTH4 is limited by the condition of increasing the noise margin of the inverter, the only way to increase the ID5s and reduce the delay time is to increase the WII.

そこで配線容壕やファンアウト容量が大きいタイミング
信号な作り出す鴨倉には、バッファ回路のインバータの
ゲート幅を非’[C大きくして、高速動作を可能にして
いたわけであるが、インバー(発明が解決しようとする
問題点) 一般vc高速データな扱う集積回路において、配線容1
1 *ファンアウト容量が大きいタイミング信号を作る
場合には出力段に、ゲート幅な大きくした駆動能力の大
きいインバータをバッファ回路として設けたが1寸法も
大きくなってしまうという理由から高集積化の点で問題
でありた。
Therefore, Kamokura, who created timing signals with wiring trenches and large fan-out capacitances, made the gate width of the inverter of the buffer circuit large by non-[C] to enable high-speed operation. Problem to be solved) In integrated circuits that handle general VC high-speed data, wiring capacity 1
1 *When creating a timing signal with a large fan-out capacity, an inverter with a large gate width and large drive capacity is installed as a buffer circuit in the output stage, but this increases the size by one dimension, so high integration is required. That was the problem.

〔発明の構成〕[Structure of the invention]

(問題点を解決するための手段) 本発明は屓数のクロッ27号あるいはタイミング省号を
形成する回路の出力段ソースフォロワ側にノーマリオン
形FETを、プルダウン1則にノーマリオフ形PET火
用いたプッシュプル回路火設けること欠特徴とする。
(Means for Solving the Problems) The present invention uses a normally-on type FET on the output stage source follower side of a circuit forming a frequency clock or a timing signal, and a normally-off type PET for the pull-down. It is characterized by a push-pull circuit.

(作用ン 本発明によればプッシュプル回路のソースフォロワFg
ToVgsが従来方法VCよるインバータ回路の負荷F
ETのVJFs(−0+v)よりも大きいため。
(According to the present invention, the source follower Fg of the push-pull circuit
ToVgs is the load F of the inverter circuit using the conventional method VC.
Because it is larger than ET's VJFs (-0+v).

駆動電流が大きく、負荷に対する遅延時間大小さくする
ことができる。
The drive current is large, and the delay time for the load can be greatly reduced.

(実施例) @5図は本発明の一実施例にかかる並直列変換回路のブ
ロック図であるiタイミング信号発生回路51は、第3
図に示すように302at302bs302Cの3つの
マスタースレーブ型フリップフロップからなる同期型8
進カウンタで、クロック入力に対しくS、lジ、Sl、
鉦、S慮−r)の6個のタイミングτ号を出力する。こ
のタイミング偏すは8:lマルチプレクサ52に“大m
a号として入力され、その糖果8個の入力データI・〜
Iマが順欠出力され並列に入りたデータ欠直列に変換し
て出力する。
(Embodiment) Figure 5 is a block diagram of a parallel-to-serial conversion circuit according to an embodiment of the present invention.
As shown in the figure, synchronous type 8 consists of three master-slave type flip-flops of 302at302bs302C.
In the digit counter, S, lji, Sl,
6 timing τ signals are output. This timing bias is applied to the 8:l multiplexer 52.
The input data I for the 8 sugar fruits, which is input as number a, is
The I-ma is sequentially outputted and the data input in parallel is converted into a missing series and output.

8:lマルチプレクサは、l46図に示すように4人力
NOR回路(601〜608 ) 811aト8人力N
OR回路(609) 1個からなる。したがりてタイミ
ング信号発生回路51の出力部は、マルチプレクサ部の
4つの4人力NOR回路を均等に駆動する必要があるが
、ファンアウト数が4と大きく配線長が長くなるため、
マスタースレーブ形フリップフロップ回路は%@1図【
川に示すよう4C1出力段にプッシュプル回路(115
)を設けた。
The 8:l multiplexer is a 4-manpower NOR circuit (601 to 608) 811a and 8-manpower NOR circuit as shown in Figure 146.
Consists of one OR circuit (609). Therefore, the output section of the timing signal generation circuit 51 needs to equally drive the four four-way NOR circuits in the multiplexer section, but since the number of fan-outs is 4 and the wiring length is long,
The master-slave type flip-flop circuit is %@1 figure [
A push-pull circuit (115
) was established.

このプッシュプル回路はソースフォロアjllll(1
13)に7−マリオン形FITをプルダウンl111(
114)にノーマリオフ形FfiiTを用い、入力にフ
リップフロップの出力(xlx*o2) &接続する。
This push-pull circuit has a source follower jllll(1
13) Pull down the 7-mullion type FIT l111 (
114), a normally-off type FfiiT is used, and the output (xlx*o2) & of the flip-flop is connected to the input.

第1図(b)に。In Figure 1(b).

プッシュプル回路の動作欠説明するため第1図1a)の
Aの部分を拡大して示す。
In order to explain the lack of operation of the push-pull circuit, the portion A in FIG. 1a) is shown enlarged.

出力(Ill)にHigh1号、出力(l12) ic
 Low! @が現われる1合のDC的なレベルを考察
する。出力(111) ハ、 ’lt源(118) ト
同CvDDwtts力(112)は前段のNOR回路の
Lowレベル(VL)が現われる。プルダウンFRT 
(114)はOFF状態になるため、出力(116) 
[ハ、 High L/へ/L/ (Vit) カ現わ
れ、 VHは1次段のDCFL回路のゲートに入力する
のでゲートのショットキー電圧φBにクランクされる。
High No. 1 for output (Ill), output (l12) ic
Low! Let us consider the DC-like level of 1 go where @ appears. The low level (VL) of the NOR circuit at the previous stage appears in the output (111), 'lt source (118), and CvDDwtts power (112). pull down FRT
(114) is in the OFF state, so the output (116)
[C, High L/to/L/ (Vit) appears, and since VH is input to the gate of the primary stage DCFL circuit, it is cranked to the Schottky voltage φB of the gate.

よりてソースフォロワF B T (113)・のゲー
ト・ソース間電圧VIISは。
Therefore, the gate-source voltage VIIS of the source follower F B T (113) is.

VHs  −VDD−φB   =−・曲−−−−−−
−−15)となる。このとき、のCLにょる遅延時間欠
前述(1)l21式を用いて、a常用いられる次の条件
を設定し計算火打う。
VHs −VDD−φB =−・Song−−−−−−
--15). At this time, using the above-mentioned (1) l21 formula, the following conditions that are commonly used are set and calculations are performed.

設定条件 は VDD −1,5V   ・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・(6)VH−φB = Q、7 V 
  ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・(7
)7−x 7 オo 7 F E T OVTH−−0
,6V −+8)とした。
Setting conditions are VDD -1,5V ・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・(6) VH-φB = Q, 7V
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・(7
)7-x 7 o 7 FET OVTH--0
, 6V −+8).

(5) 、 +6) 、 +7) j tJ、Vgs−
VDD−)g−1,5−0,7=0.8V・・・・・・
・・・・・・・・・ 19)r8) 、 (9)を(2
)式に代入すると。
(5) , +6) , +7) j tJ, Vgs-
VDD-)g-1,5-0,7=0.8V...
・・・・・・・・・ 19) r8) , (9) to (2
) When substituted into Eq.

I d 51zKo * Wl @ (Vg 5−VT
R)”=Ko−WII・(0,8−(−0゜6))!−
1.96Ko・wg   ・・−・・・・・・・・・・
・・・曲 (1o)よりて△tは(1)式から CL−△V   CL−ΔV ユl 、 m −m□曲・・・・・ (11)” S 
*   1.96Ko −Wlである。
I d 51zKo * Wl @ (Vg 5-VT
R)”=Ko-WII・(0,8-(-0°6))!-
1.96Ko・wg・・・・・・・・・・・・・・・
...Song From (1o), △t is CL-△V CL-ΔV Yul, m - m□Song... (11)"S
*1.96Ko-Wl.

一方従来のインバータ回路におけるCLによる遅延時間
ケ同様の東件で求めると、(4)式からIds、 mK
o−WJf、VTH” 冨Ko*WjF・(−0,6)冨 = 0.36 Ko @wg+m+++++++++ 
 (12)よって△【は111式から となる。
On the other hand, if the delay time due to CL in a conventional inverter circuit is found using the same Token equation, Ids, mK is obtained from equation (4).
o-WJf, VTH” TomiKo*WjF・(-0,6)Tomi=0.36 Ko @wg+m++++++++++
(12) Therefore, △[ is obtained from equation 111.

プッシェプル回路を用いたときの遅延時間△t0と、イ
ンバータ回路欠相いたときの遅延時間△1゜との比をと
ると(11) −(13)0)ら、CL@Δ■ 036Ko・Wfi も遅延時間が小さい。
Taking the ratio of the delay time △t0 when using the push-pull circuit to the delay time △1° when there is an open phase in the inverter circuit, we get (11) - (13) 0), and CL@Δ■ 036Ko・Wfi. Delay time is small.

すなわち、プッシェプル回路のソースフォロワFgTの
vIISが、従来方法によるインバータ回路O負荷F 
E T (D Vl 5(−0V)j、 ?) 4b大
きく、駆Sa流が大きいことにより、負荷に対する遅延
時間が小さいのである。
That is, vIIS of the source follower FgT of the push-pull circuit is different from the inverter circuit O load F according to the conventional method.
E T (D Vl 5(-0V)j, ?) 4b is large and the Sa flow is large, so the delay time with respect to the load is small.

また、逆にいえば同じ遅延時間で比べると、ゲート幅を
、電流が大きい分だけ小さくできるので高集積化の点で
メリットがある。
Conversely, when compared with the same delay time, the gate width can be made smaller by the amount of current, which is advantageous in terms of higher integration.

上記フリップフロップのバッファにプッシュプル11路
火用いて、@並列変換回路ケ試作した。
A prototype parallel conversion circuit was fabricated using push-pull 11 circuits as the buffer of the above flip-flop.

その債果りロック周仮数1.9GHz″??動作するこ
と欠確認した。これに対し比較のため第4図に示すよう
なインバータ回路をバッファに用いた並直列変換回路を
1司時に試作したが、その性能は、動作周波数7QQM
Hzであった。この違いはタイミング信号発生回路の遅
延時間の差によるものとみることができる。
It was confirmed that the lock cycle mantissa was 1.9 GHz''?? It was confirmed that it worked.For comparison, we prototyped a parallel-to-serial conversion circuit using an inverter circuit as a buffer as shown in Figure 4. However, its performance is limited to the operating frequency 7QQM
It was Hz. This difference can be considered to be due to the difference in delay time of the timing signal generation circuit.

本発明は、上記実施例に示した同期型GaAs論理集攬
回路のように同期信号の同時性と、高速性が憔めて強く
要求される同期型団高速論理回路に適用すると、厖めて
有効であるが、その有効性はGaAs集積回路に限らな
いことは、言うまでもない。また一般に駆動能力の大き
いバイポーラトランジスタより駆動能力の小さいFET
v用いた回路に適用して有効に働く。
The present invention can be applied to a synchronous group high-speed logic circuit in which synchronization signal simultaneity and high speed are strongly required, such as the synchronous GaAs logic collection circuit shown in the above embodiment. Although it is effective, it goes without saying that its effectiveness is not limited to GaAs integrated circuits. In addition, FETs generally have a smaller driving capacity than bipolar transistors, which have a larger driving capacity.
It works effectively when applied to circuits using V.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

本発明によれば%m動′礪流が大きく、負荷に対する遅
延時間火手さくできるという効果が得られる。
According to the present invention, it is possible to obtain the effect that the %m dynamic current is large and the delay time for the load can be reduced.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は1本発明の一実施例のマスタースレーブ形フリ
ップフロップ回路の出力段にプツシニブル回路ン設けた
回路火水す図、@2!4はD CF L構成の2人力N
OR回路火示す図、第3図はタイミング4ぎ号発生回路
ケ示す図、第4図はマスタースレーブ型フリップフロッ
プ回路の出力段にインバータ回路な設けた場合の例を示
す図、第5図は本発明の一実施例の並直列変換回路火示
す図、第6図は8:lマルチプレクサ回路を示す図であ
る。 51 ・・・タイミング発生+?1ilvPr、 52
−8 : lマルチプレクサ、302a 、302b−
302c・−・同期型8進カウンタ、401402t・
・408・・・NOR回路。 601〜608・・・4人力NO几回路。 代理人 弁理士   則 近 憲 右 同     竹 花 喜久男
Figure 1 is a diagram of a circuit in which a push-inable circuit is provided at the output stage of a master-slave type flip-flop circuit according to an embodiment of the present invention.
FIG. 3 is a diagram showing a timing signal generation circuit, FIG. 4 is a diagram showing an example in which an inverter circuit is provided at the output stage of a master-slave type flip-flop circuit, and FIG. FIG. 6 is a diagram showing an 8:l multiplexer circuit, which is a diagram showing a parallel-to-serial conversion circuit according to an embodiment of the present invention. 51...timing occurrence +? 1ilvPr, 52
-8: l multiplexer, 302a, 302b-
302c -- Synchronous octal counter, 401402t
・408...NOR circuit. 601-608... 4-man power NO method circuit. Agent Patent Attorney Ken Nori Chika Udo Kikuo Takehana

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)複数のクロック信号あるいはタイミング信号を形
成する部分と、これらの信号の供給を受けて動作する部
分とからなり、前記複数のクロック信号あるいはタイミ
ング信号は、それらと相補関係にある信号を各々有して
いる半導体集積回路において、前記複数のクロック信号
あるいはタイミング信号と、それらと相補関係にある信
号とをプッシュプル回路を通して、前記これらの信号の
供給を受けて動作する部分に供給することを特徴とする
半導体集積回路。
(1) It consists of a part that forms a plurality of clock signals or timing signals, and a part that operates in response to the supply of these signals, and the plurality of clock signals or timing signals each generate a signal that is complementary to them. In a semiconductor integrated circuit having a semiconductor integrated circuit, the plurality of clock signals or timing signals and signals complementary thereto are supplied through a push-pull circuit to a part that operates in response to supply of these signals. Features of semiconductor integrated circuits.
(2)前記プッシュプル回路においてソースフォロワ側
にノーマリオン型FETを用い、プルダウン側にノーマ
リオフ形FETを用いたことを特徴とする特許請求の範
囲第1項記載の半導体集積回路。
(2) The semiconductor integrated circuit according to claim 1, wherein in the push-pull circuit, a normally-on type FET is used on the source follower side, and a normally-off type FET is used on the pull-down side.
(3)電界効果トランジスタが砒化ガリウムから構成さ
れてなることを特徴とする特許請求の範囲第1項及び2
項記載の半導体集積回路。
(3) Claims 1 and 2, characterized in that the field effect transistor is made of gallium arsenide.
Semiconductor integrated circuit described in Section 1.
JP61084920A 1986-04-15 1986-04-15 Semiconductor integrated circuit Pending JPS62242417A (en)

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