JP3080038B2 - Semiconductor integrated circuit - Google Patents

Semiconductor integrated circuit

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JP3080038B2
JP3080038B2 JP09181118A JP18111897A JP3080038B2 JP 3080038 B2 JP3080038 B2 JP 3080038B2 JP 09181118 A JP09181118 A JP 09181118A JP 18111897 A JP18111897 A JP 18111897A JP 3080038 B2 JP3080038 B2 JP 3080038B2
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は半導体集積回路に関
し、特に複数の出力バッファを有する半導体集積回路に
関する。
The present invention relates to a semiconductor integrated circuit, and more particularly, to a semiconductor integrated circuit having a plurality of output buffers.

【0002】[0002]

【従来の技術】一般的に、半導体集積回路の出力バッフ
ァ回路は、負荷である外部素子に加えてそれ自身のトラ
ンジスタの寄生容量や出力端子と外部素子への接続容量
などの負荷容量を駆動するため大利得を有し、この負荷
容量の充放電時に瞬間的に数十mAの電流が出力バッフ
ァ回路の素子に流れる。これにより半導体集積回路内の
電源電位が瞬間的に変動することにより電源ノイズが生
じ、それに伴い各素子の入力しきい値も変動するため、
半導体集積回路が誤動作する問題点があった。
2. Description of the Related Art Generally, an output buffer circuit of a semiconductor integrated circuit drives a load capacitance such as a parasitic capacitance of its own transistor and a connection capacitance between an output terminal and an external element in addition to an external element as a load. Therefore, it has a large gain, and a current of several tens mA flows instantaneously to the elements of the output buffer circuit when charging and discharging the load capacitance. As a result, the power supply noise in the semiconductor integrated circuit fluctuates instantaneously and the input threshold value of each element also fluctuates.
There is a problem that the semiconductor integrated circuit malfunctions.

【0003】従来、この種の複数の出力バッフア回路の
同時動作時の電源ノイズによる素子の誤動作を防ぐため
種々の提案がなされている。例えば、特開昭63−39
212号公報記載の従来の半導体集積回路は、複数の出
力バッフア回路の少なくとも1つの入力側に遅延回路を
設けることにより、これら複数の同時動作を回避すると
いうものであった。
Conventionally, various proposals have been made to prevent malfunctions of elements due to power supply noise during simultaneous operation of a plurality of such output buffer circuits. For example, JP-A-63-39
In the conventional semiconductor integrated circuit described in Japanese Patent Publication No. 212, simultaneous operation of a plurality of output buffer circuits is avoided by providing a delay circuit on at least one input side of the plurality of output buffer circuits.

【0004】従来の半導体集積回路をブロックで示す図
4を参照すると、この従来の半導体集積回路は、半導体
集積回路の内部信号S101,S102を出力する内部
回路100と、内部信号S101の供給に応答して出力
端子T101に出力信号O101を出力する出力バッフ
ア回路101と、内部信号S102を所定時間遅延し遅
延信号D102を出力する遅延回路103と、遅延信号
D102の供給に応答して出力端子T102に出力信号
O102を出力する出力バッフア回路102とをとを備
える。
Referring to FIG. 4, which shows a block diagram of a conventional semiconductor integrated circuit, this conventional semiconductor integrated circuit responds to the supply of the internal signal S101 and an internal circuit 100 for outputting internal signals S101 and S102 of the semiconductor integrated circuit. An output buffer circuit 101 for outputting an output signal O101 to an output terminal T101, a delay circuit 103 for delaying the internal signal S102 by a predetermined time and outputting a delay signal D102, and an output terminal T102 in response to the supply of the delay signal D102. And an output buffer circuit 102 that outputs an output signal O102.

【0005】出力バッフア回路101は、直列接続され
たインバータI101,I102と、PMOSトランジ
スタQ101,NMOSトランジスタQ102からなる
インバータI103とで構成される。
[0005] The output buffer circuit 101 comprises inverters I101 and I102 connected in series and an inverter I103 comprising a PMOS transistor Q101 and an NMOS transistor Q102.

【0006】出力バッフア回路102は、直列接続され
たインバータI201,I202と、PMOSトランジ
スタQ201,NMOSトランジスタQ202からなる
インバータI203とで構成される。遅延回路103は
直列接続された4個のインバータI301〜I304か
ら成る。
The output buffer circuit 102 comprises inverters I201 and I202 connected in series and an inverter I203 comprising a PMOS transistor Q201 and an NMOS transistor Q202. The delay circuit 103 includes four inverters I301 to I304 connected in series.

【0007】次に、図4及び各信号波形を波形図で示す
図5を参照して、従来の半導体集積回路の動作について
説明すると、まず内部回路101は同一タイミングで変
化する内部信号S101,S102を出力する。内部信
号S101,S102が同一タイミングでLレベルから
Hレベルに遷移した時、インバータI101,I10
2,I201,I202及び遅延回路6を構成するイン
バータI301〜I304の各遅延時間をΔTとする
と、内部信号S102が、LレベルからHレベルへ遷移
した後、6ΔT後に節点N102の電位はLレベルから
Hレベルへ遷移する。一方節点N201の電位は、内部
信号S1の遷移後、2ΔT後にLレベルからHレベルへ
遷移する。
Next, the operation of the conventional semiconductor integrated circuit will be described with reference to FIG. 4 and FIG. 5 which shows each signal waveform in a waveform diagram. First, the internal circuit 101 changes the internal signals S101 and S102 which change at the same timing. Is output. When the internal signals S101 and S102 transition from the L level to the H level at the same timing, the inverters I101 and I10
2, I201, I202 and each delay time of the inverters I301 to I304 constituting the delay circuit 6 are represented by ΔT. After the internal signal S102 transitions from the L level to the H level, the potential of the node N102 changes from the L level after 6ΔT. Transition to the H level. On the other hand, the potential of the node N201 changes from the L level to the H level 2ΔT after the transition of the internal signal S1.

【0008】すなわち、内部信号S101,S102の
電位が同一タイミングで変化しても、出力端子T10
1,T102の出力信号O101,O102の各電位は
同時に変化せず、出力信号O101の電位変化後4ΔT
後に出力信号O102の電位が変化することになる。こ
れにより、出力バッフア回路101,102の各々の負
荷電流が時間的に分散されので、半導体集積回路内の電
源ノイズを低減でき内部回路素子の誤動作を防止でき
る。
That is, even if the potentials of the internal signals S101 and S102 change at the same timing, the output terminal T10
1, the potentials of the output signals O101 and O102 of T102 do not change at the same time, and 4ΔT after the potential change of the output signal O101.
Later, the potential of the output signal O102 changes. As a result, the load currents of the output buffer circuits 101 and 102 are temporally dispersed, so that power supply noise in the semiconductor integrated circuit can be reduced and malfunction of the internal circuit elements can be prevented.

【0009】[0009]

【発明が解決しようとする課題】上述した従来の半導体
集積回路は、各出力バッファ回路毎に独立に遅延制御を
行っているため、各々の遅延回路や内部信号のタイミン
グスキューにより遅延が相殺された場合、効果が得られ
ないという欠点があった。
In the conventional semiconductor integrated circuit described above, the delay control is performed independently for each output buffer circuit, so that the delay is canceled by the timing skew of each delay circuit and internal signal. In this case, there is a disadvantage that the effect cannot be obtained.

【0010】また、内部信号の変化と無関係に各出力バ
ッファに一律の遅延時間を割り当てるため、上記変化の
組み合わせの全て考慮して設計する必要があり、内部信
号が同時に変化する出力バッファ回路の確定と、それぞ
れに適合する遅延回路の挿入を行う必要があり回路設計
が困難であるという欠点があった。
In addition, since a uniform delay time is assigned to each output buffer regardless of a change in the internal signal, it is necessary to design in consideration of all the combinations of the above changes, and it is necessary to determine an output buffer circuit in which the internal signal changes simultaneously. Therefore, there is a disadvantage that it is necessary to insert a delay circuit suitable for each of them and circuit design is difficult.

【0011】本発明の目的は、出力バッファ回路の同時
動作時の電源ノイズによる内部回路素子の誤動作を防止
する半導体集積回路を提供することにある。
An object of the present invention is to provide a semiconductor integrated circuit which prevents malfunctions of internal circuit elements due to power supply noise during simultaneous operation of output buffer circuits.

【0012】[0012]

【課題を解決するための手段】本発明の半導体集積回路
は、それぞれ入力信号の供給に応答して対応する出力信
号を出力する第1〜第N(2以上の正の整数)の出力バ
ッファ回路を備える半導体集積回路において、前記第1
〜第Nの出力バッファ回路の各々が、前記入力信号と
の入力信号のラッチを制御する制御信号の供給を受けこ
の制御信号の制御に応答して前記入力信号をラッチしこ
のラッチしたラッチ信号を前記出力信号として出力する
入力信号制御回路と、前記入力信号の入力を検出し予め
定めた時間幅の入力検出信号を出力する入力検出回路
と、前記制御信号の供給を受けこの制御信号を所定の遅
延時間分遅延させて遅延制御信号を生成しこの遅延制御
信号と前記入力検出信号との論理演算結果により他の出
力バッフア回路の制御信号として供給する制御出力信号
を出力する制御信号出力回路とを備え、前記第1〜第N
の出力バッファ回路の各々の制御信号として前記第N,
第1〜第N−1の出力バッファ回路の制御出力信号をそ
れぞれ供給するよう接続し、 前記第1〜第Nの出力バッ
ファ回路の各々が、前記出力信号の出力が終了するまで
前記制御出力信号の供給先の出力バッファ回路の出力を
遅延させるよう制御することを特徴とするものである。
According to the present invention, there is provided a semiconductor integrated circuit including first to Nth (positive integers of 2 or more) output buffer circuits for outputting corresponding output signals in response to supply of input signals, respectively. A semiconductor integrated circuit comprising:
Each said input signal and this output buffer circuit, second N
An input signal control circuit for receiving a control signal for controlling the latch of the input signal, latching the input signal in response to the control of the control signal, and outputting the latched latch signal as the output signal; An input detection circuit for detecting an input of the control signal and outputting an input detection signal having a predetermined time width; receiving the control signal and delaying the control signal by a predetermined delay time to generate a delay control signal; and a control signal output circuit which outputs a supply control output signal by a logical operation result of the signal and the input detection signal as a control signal of another output buffer circuit, the first to N
Of the N-th output buffer circuit as the control signal.
The control output signals of the first to (N-1) th output buffer circuits are
And the first to Nth output
And a control circuit for delaying the output of the output buffer circuit to which the control output signal is supplied until the output of the output signal is completed.

【0013】[0013]

【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態を特徴
づける出力バッフア回路をブロックで示す図1を参照す
ると、この図に示す本実施の形態の半導体集積回路の出
力バッフア回路は、入力信号Sと制御信号CSの供給を
受けラッチ信号SLを出力する入力信号制御回路1と、
ラッチ信号SLの供給に応答して出力信号Oを出力する
バッフア回路2と、入力信号Sの入力を検出して検出信
号SDを出力する入力信号検出回路3と、制御信号CS
の供給を受け制御出力信号COを出力する制御信号出力
回路4とを備える。
FIG. 1 is a block diagram showing an output buffer circuit which characterizes an embodiment of the present invention. Referring to FIG. 1, an output buffer circuit of a semiconductor integrated circuit according to this embodiment shown in FIG. An input signal control circuit 1 that receives a supply of an input signal S and a control signal CS and outputs a latch signal SL;
A buffer circuit 2 that outputs an output signal O in response to the supply of the latch signal SL; an input signal detection circuit 3 that detects an input of an input signal S and outputs a detection signal SD;
And a control signal output circuit 4 for receiving the supply of the control signal and outputting a control output signal CO.

【0014】入力信号制御回路1は、入力信号Sを反転
して反転入力信号SBを出力すると共にΔt1の遅延値
を有するインバータI11と、反転入力信号SBをラッ
チしラッチ信号SLを出力する負論理ゲート入力のラッ
チL11とを備える。
The input signal control circuit 1 outputs an inverted input signal SB by inverting the input signal S and an inverter I11 having a delay value of Δt1, and a negative logic for latching the inverted input signal SB and outputting a latch signal SL. And a gate input latch L11.

【0015】バッフア回路2は、ラッチ信号SLを反転
して出力信号Oを出力するインバータI21を備える。
The buffer circuit 2 includes an inverter I21 for inverting the latch signal SL and outputting an output signal O.

【0016】入力信号検出回路3は、直列接続され各々
Δt1,Δt2の遅延値を有し遅延信号D1を出力する
インバータI31,I32と、Δt3の遅延値を有し遅
延信号D1と入力信号Sとの排他的否定論理和をとり遅
延信号SDを出力するEXNORゲートEX31とを備
える。
The input signal detection circuit 3 includes inverters I31 and I32 which are connected in series and have a delay value of Δt1 and Δt2, respectively, and output a delay signal D1, a delay signal D1 having a delay value of Δt3 and an input signal S. And an EXNOR gate EX31 for taking an exclusive NOR of the above and outputting a delay signal SD.

【0017】制御信号出力回路4は、制御信号CSをラ
ッチしラッチ信号Qを出力する負論理クロックのD型の
フリップフロップF41と、制御信号CSをラッチしラ
ッチ信号LCを出力するラッチL41と、ラッチ信号L
Cを反転し反転ラッチ信号CBを出力するインバータI
41と、遅延信号SDと反転ラッチ信号CBの否定論理
積をとり制御出力信号COを出力するNANDゲートG
41とを備える。
The control signal output circuit 4 latches the control signal CS and outputs a latch signal Q and outputs a negative logic clock D-type flip-flop F41. The control signal output circuit 4 latches the control signal CS and outputs a latch signal LC. Latch signal L
Inverter I which inverts C and outputs inverted latch signal CB
NAND gate G which takes the NAND of the delay signal SD and the inverted latch signal CB and outputs a control output signal CO
41.

【0018】次に、図1を参照して本実施の形態の出力
バッフア回路の動作について説明すると、本実施の形態
の出力バッフア回路は、入力信号制御回路1が他の出力
バッフア回路の出力する制御信号CSにしたがって入力
信号Sの出力信号Oへの伝達を制御するとともに、入力
信号検出回路3は、入力信号Sの変化を検出し、制御信
号CSとともに新たな制御出力信号COを生成して他の
出力バッフア回路に供給する。
Next, the operation of the output buffer circuit of the present embodiment will be described with reference to FIG. 1. In the output buffer circuit of the present embodiment, the input signal control circuit 1 outputs the output of another output buffer circuit. In addition to controlling the transmission of the input signal S to the output signal O according to the control signal CS, the input signal detection circuit 3 detects a change in the input signal S and generates a new control output signal CO together with the control signal CS. Supply to other output buffer circuits.

【0019】まず、入力信号制御回路1は、インバータ
I11が入力信号Sを反転して反転入力信号SBを出力
すると共にΔt1の遅延値を与え、ラッチL11に供給
する。ラッチL11は入力制御信号CSがLレベルのと
き反転入力信号SBをラッチしラッチ信号SLをバッフ
ア回路2に供給する。バッフア回路2のインバータI2
1は、ラッチ信号SLを反転し出力信号Oを端子T3を
経由して出力する。入力信号検出回路3は、インバータ
I31,I32が入力信号SにΔt1+Δt2の遅延値
を与えて信号D1を出力し、EXNORゲートEX31
に供給する。EXNORゲートEX31は、信号D1と
入力信号Sとの排他的否定論理和をとり、入力信号Sの
立ち上がり,立ち下がり変化を検出しこの入力信号Sか
らΔt3の遅延値を有し幅がΔt1+Δt2の負論理の
遅延信号SDを出力する。
First, in the input signal control circuit 1, the inverter I11 inverts the input signal S, outputs an inverted input signal SB, gives a delay value of Δt1, and supplies it to the latch L11. The latch L11 latches the inverted input signal SB when the input control signal CS is at the L level, and supplies the latch signal SL to the buffer circuit 2. Inverter I2 of buffer circuit 2
1 inverts the latch signal SL and outputs the output signal O via the terminal T3. In the input signal detection circuit 3, the inverters I31 and I32 give a delay value of Δt1 + Δt2 to the input signal S and output a signal D1, and the EXNOR gate EX31
To supply. The EXNOR gate EX31 performs an exclusive NOR operation of the signal D1 and the input signal S, detects a rise or fall of the input signal S, detects a delay value of Δt3 from the input signal S, and has a negative width of Δt1 + Δt2. The logic delay signal SD is output.

【0020】制御信号出力回路4は、入力信号検出回路
3の出力する遅延信号SDの立ち下がり遷移で制御信号
CSのレベルをフリップフロップF41にラッチし、ラ
ッチ信号Qを出力する。すなわちフリップフロップF4
1は制御信号CSのレベルがLレベルであればLレベル
のラッチ信号QによりラッチL41をラッチ状態にし、
HレベルであればHレベルのラッチ信号Qによりラッチ
L41をスルー状態として、制御信号CSのラッチ信号
LCをインバータI41に供給する。インバータI41
はラッチ信号LCの供給に応答して反転ラッチ信号CB
をNANDゲートG41に伝達する。NANDゲートG
41は、反転ラッチ信号CBと遅延信号SDとの否定論
理積をとり、制御出力信号COを端子T4を経由して出
力する。
The control signal output circuit 4 latches the level of the control signal CS in the flip-flop F41 at the falling transition of the delay signal SD output from the input signal detection circuit 3, and outputs a latch signal Q. That is, the flip-flop F4
1 indicates that when the level of the control signal CS is L level, the latch L41 is latched by the L level latch signal Q,
If it is at the H level, the latch L41 is set to the through state by the latch signal Q at the H level, and the latch signal LC of the control signal CS is supplied to the inverter I41. Inverter I41
Is the inverted latch signal CB in response to the supply of the latch signal LC.
To the NAND gate G41. NAND gate G
41 performs a NAND operation on the inverted latch signal CB and the delay signal SD, and outputs the control output signal CO via the terminal T4.

【0021】次に、複数の出力バッフア回路の相互接続
をブロックで示す図2を参照すると、この図に示す本実
施の形態の半導体集積回路は上述の出力バッフア回路1
0,20及び30を有する。以下説明の便宜上出力バッ
フア回路10,20,30の各々の構成要素で1桁のも
のをそれぞれ10番台,20番台,30番台で表す。例
えば、出力バッフア回路10の入力信号制御回路を11
とする。
Next, referring to FIG. 2 showing a block diagram of the interconnection of a plurality of output buffer circuits, the semiconductor integrated circuit of this embodiment shown in FIG.
0, 20 and 30. For convenience of description, the components of the output buffer circuits 10, 20, and 30 each having a single digit are represented by 10s, 20s, and 30s, respectively. For example, the input signal control circuit of the output buffer
And

【0022】出力バッフア回路10の入力端子T11は
入力端子TI10に接続され、入力信号S1がこれら端
子TI10,T11を経由して入力信号制御回路11,
入力信号検出回路13に供給される。また出力端子T1
3は出力端子TO10に接続され出力信号O1を出力す
る。制御入力端子T12は出力バッフア回路30の制御
信号出力端子T34に接続され制御信号CS1として信
号CO3の供給を受ける。制御信号出力端子T14は出
力バッフア回路20の制御入力端子SD2に接続され制
御出力信号CO1を供給する。
The input terminal T11 of the output buffer circuit 10 is connected to the input terminal TI10, and the input signal S1 is supplied to the input signal control circuit 11 via these terminals TI10 and T11.
It is supplied to the input signal detection circuit 13. The output terminal T1
3 is connected to the output terminal TO10 and outputs an output signal O1. The control input terminal T12 is connected to the control signal output terminal T34 of the output buffer circuit 30, and receives the signal CO3 as the control signal CS1. The control signal output terminal T14 is connected to the control input terminal SD2 of the output buffer circuit 20, and supplies the control output signal CO1.

【0023】同様に、出力バッフア回路20の入力端子
T21は入力端子TI20に接続され、入力信号S2が
これら端子TI20,T21を経由して入力信号制御回
路21,入力信号検出回路23に供給される。また出力
端子T23は出力端子TO20に接続され出力信号O2
を出力する。制御入力端子SD2は、上述のように、制
御信号CS2として出力バッフア回路10からの信号C
O1の供給を受ける。制御信号出力端子T24は出力バ
ッフア回路30の制御入力端子T32に接続され制御出
力信号CO2を供給する。
Similarly, the input terminal T21 of the output buffer circuit 20 is connected to the input terminal TI20, and the input signal S2 is supplied to the input signal control circuit 21 and the input signal detection circuit 23 via these terminals TI20 and T21. . The output terminal T23 is connected to the output terminal TO20 and the output signal O2
Is output. As described above, the control input terminal SD2 receives the signal C from the output buffer circuit 10 as the control signal CS2.
Receive supply of O1. The control signal output terminal T24 is connected to the control input terminal T32 of the output buffer circuit 30 and supplies a control output signal CO2.

【0024】同様に、出力バッフア回路30の入力端子
T31は入力端子TI30に接続され、入力信号S3が
これら端子TI30,T31を経由して入力信号制御回
路31,入力信号検出回路33に供給される。また出力
端子T33は出力端子TO30に接続され出力信号O3
を出力する。制御入力端子SD2は、上述のように、制
御信号CS3として出力バッフア回路20からの信号C
O2の供給を受ける。制御信号出力端子T34は出力バ
ッフア回路10の制御入力端子T12に接続され制御出
力信号CO3を供給する。
Similarly, the input terminal T31 of the output buffer circuit 30 is connected to the input terminal TI30, and the input signal S3 is supplied to the input signal control circuit 31 and the input signal detection circuit 33 via these terminals TI30 and T31. . The output terminal T33 is connected to the output terminal TO30 and the output signal O3
Is output. As described above, the control input terminal SD2 receives the signal C from the output buffer circuit 20 as the control signal CS3.
Receive supply of O2. The control signal output terminal T34 is connected to the control input terminal T12 of the output buffer circuit 10 and supplies a control output signal CO3.

【0025】図1,図2及び各部動作波形をタイムチャ
ートで示す図3を参照して本実施の形態の半導体集積回
路の動作について説明すると、まず、出力バッフア回路
10の入力端子TI10に入力された入力信号S1は、
時刻T1で立ち上がり遷移したとする。出力バッフア回
路10は、入力信号S1の供給に応答して入力信号制御
回路11のインバータI11によりΔt1遅れた信号S
B1を生成し、この信号SB1をラッチL11,インバ
ータI21,端子T13を経由して出力信号O1として
出力端子TO10から出力する。
The operation of the semiconductor integrated circuit according to the present embodiment will be described with reference to FIGS. 1 and 2 and FIG. 3 showing the operation waveforms of the respective parts in a time chart. First, the operation is input to the input terminal TI10 of the output buffer circuit 10. The input signal S1 is
Assume that the rising transition occurs at time T1. The output buffer circuit 10 receives the signal S delayed by Δt1 by the inverter I11 of the input signal control circuit 11 in response to the supply of the input signal S1.
B1 is generated, and the signal SB1 is output from the output terminal TO10 as the output signal O1 via the latch L11, the inverter I21, and the terminal T13.

【0026】また、入力信号検出回路13は、入力信号
S1の供給に応答してΔt3遅れた遅延時間幅(Δt1
+Δt2)の信号SD1を生成して出力する。この時、
信号SD1の立ち下がりエッジで制御出力検出回路14
のフリップフロップF41は入力制御信号CS1のLレ
ベルをラッチしてLレベルのラッチ信号Q1を生成す
る。ラッチL41はこのLレベルのラッチ信号Q1の供
給に応答してラッチ状態になってラッチ信号LC1を出
力し、インバータI41はこのラッチ信号LC1を反転
して信号CB1のHレベルを出力したまま、以後の入力
制御信号CS1の信号の伝達を遮断する。信号CB1が
Hレベルであるため、NANDゲートG41は前述の信
号SD1の反転信号を制御出力信号CO1として出力
し、出力バッフア回路20に入力制御信号CS2として
供給する。
The input signal detection circuit 13 responds to the supply of the input signal S1 by a delay time width (Δt1) delayed by Δt3.
+ Δt2) is generated and output. At this time,
Control output detection circuit 14 at the falling edge of signal SD1
Flip-flop F41 latches the L level of the input control signal CS1 to generate an L level latch signal Q1. The latch L41 enters the latch state in response to the supply of the L level latch signal Q1 and outputs the latch signal LC1, and the inverter I41 inverts the latch signal LC1 and outputs the H level of the signal CB1. The transmission of the input control signal CS1 is interrupted. Since the signal CB1 is at the H level, the NAND gate G41 outputs an inverted signal of the signal SD1 as the control output signal CO1 and supplies the inverted signal to the output buffer circuit 20 as the input control signal CS2.

【0027】ここで、出力バッフア回路20の入力端子
TI20に時刻T1より少し遅れた入力信号S2の供給
を受けるものとする。
Here, it is assumed that the input signal S2 slightly delayed from the time T1 is supplied to the input terminal TI20 of the output buffer circuit 20.

【0028】出力バッフア回路20は、入力信号S2の
供給に応答して前述の出力バッフア回路10と同様に動
作し信号SB2,SD2を生成する。しかし、入力信号
制御回路21のラッチL11は、信号SB2の立ち下が
りエッジ時刻TaのときHレベルの入力制御信号CS2
の供給を受けているため、信号SB2はラッチL11で
遮断される。したがって、信号SB2対応の出力信号O
2は出力端子TO20へ出力されない。次に、時刻Tb
になると、入力制御信号CS2が立ち下がり、ラッチL
11がスルー状態になり、信号SB2対応のラッチ信号
SL2をインバータI21に供給し、インバータI21
はこの信号SL2対応の出力信号O2を出力端子TO2
0に出力する。
The output buffer circuit 20 operates in the same manner as the aforementioned output buffer circuit 10 in response to the supply of the input signal S2, and generates the signals SB2 and SD2. However, the latch L11 of the input signal control circuit 21 outputs the H level input control signal CS2 at the falling edge time Ta of the signal SB2.
, The signal SB2 is cut off by the latch L11. Therefore, output signal O corresponding to signal SB2 is output.
2 is not output to the output terminal TO20. Next, at time Tb
, The input control signal CS2 falls and the latch L
11 enters a through state, and supplies a latch signal SL2 corresponding to the signal SB2 to the inverter I21.
Outputs an output signal O2 corresponding to the signal SL2 to an output terminal TO2.
Output to 0.

【0029】また、信号SD2の立ち下がりエッジで制
御出力検出回路24のフリップフロップF41はHレベ
ルの入力制御信号CS2をラッチしラッチ信号Q2を出
力する。信号Q2の供給に応答してラッチL41はスル
ー状態になり、入力制御信号CS2対応のラッチ信号L
C2をインバータI41に供給する。インバータI41
はこのラッチ信号LC2対応のΔt4遅延した信号CB
2をNANDゲートG41に供給する。NANDゲート
G41は信号SD2,CB2のNAND論理演算結果の
制御出力信号CO2を出力し、出力バッファ回路30の
制御入力信号CS3として供給する。
At the falling edge of the signal SD2, the flip-flop F41 of the control output detection circuit 24 latches the H level input control signal CS2 and outputs a latch signal Q2. The latch L41 enters a through state in response to the supply of the signal Q2, and the latch signal L corresponding to the input control signal CS2.
C2 is supplied to the inverter I41. Inverter I41
Is a signal CB delayed by Δt4 corresponding to the latch signal LC2.
2 is supplied to the NAND gate G41. The NAND gate G41 outputs a control output signal CO2 as a result of a NAND logical operation of the signals SD2 and CB2, and supplies it as a control input signal CS3 of the output buffer circuit 30.

【0030】出力バッフア回路30は、入力信号S3の
供給に応答して前述の出力バッフア回路20と同様に動
作し信号SB3,SD3を生成する。出力端子TO30
には、制御入力信号CS3が立ち下がる時刻Tcに時刻
T1より少し遅れて供給された入力信号S3対応の出力
信号O3を出力する。
The output buffer circuit 30 operates in the same manner as the above-described output buffer circuit 20 in response to the supply of the input signal S3, and generates the signals SB3 and SD3. Output terminal TO30
Outputs an output signal O3 corresponding to the input signal S3 supplied at a time Tc when the control input signal CS3 falls slightly after the time T1.

【0031】出力バッフア回路30の制御出力信号CO
3は、出力バッフア回路10の入力制御信号CS1とし
て供給するが、前述のように、このときの入力制御回路
11のラッチL41はラッチ状態であるため、信号CS
1の伝達は遮断され、制御出力信号CO1として出力さ
れない。
The control output signal CO of the output buffer circuit 30
3 is supplied as an input control signal CS1 of the output buffer circuit 10. As described above, since the latch L41 of the input control circuit 11 at this time is in the latched state, the signal CS1 is supplied.
1 is cut off and is not output as the control output signal CO1.

【0032】これにより、最初に信号入力端子T1に入
力信号Sが入力された出力バッファ回路を起点とし、順
次相互に接続された制御信号入力端子T2への制御信号
CSの伝達を行い、この制御信号CSのHレベルの各出
力バッファ回路での遅延時間分シフトした時間に出力端
子T3から出力信号Oを出力する。
As a result, the control signal CS is transmitted to the control signal input terminal T2, which is sequentially connected to the control signal input terminal T2, starting from the output buffer circuit in which the input signal S is input to the signal input terminal T1. The output signal O is output from the output terminal T3 at the time when the signal CS is shifted to the H level by the delay time in each output buffer circuit.

【0033】制御信号CSのHレベルの遅延時間は、前
段の出力バッファ回路が出力する制御出力信号COに対
して、1つの出力バッファ回路を経由する毎に、インバ
ータI41の単位遅延時間Δt4分づつ増加するため、
各出力バッファ回路の入力信号Sがほぼ同時に変化して
も出力信号OはΔt4幅で分離される。
The H-level delay time of the control signal CS is equal to the control output signal CO output from the output buffer circuit of the preceding stage by a unit delay time Δt4 of the inverter I41 every time the output signal passes through one output buffer circuit. To increase,
Even if the input signals S of the output buffer circuits change almost simultaneously, the output signals O are separated by the width Δt4.

【0034】以上、本実施の形態では、出力バッファ回
路10を起点とする場合の動作について説明したが時刻
T2に示すように出力バッファ回路20を起点にした場
合も同様に説明することが出来る。
As described above, in this embodiment, the operation in the case where the output buffer circuit 10 is the starting point has been described. However, the case where the output buffer circuit 20 is the starting point as shown at time T2 can be similarly described.

【0035】また、本実施の形態では3個の出力バッフ
ァ回路の接続について説明したが、これに限ることな
く、4個以上の相互接続についても同様に動作する。
In the present embodiment, the connection of three output buffer circuits has been described. However, the present invention is not limited to this, and the same operation can be performed for four or more interconnections.

【0036】[0036]

【発明の効果】以上説明したように、本発明の半導体集
積回路は、複数の出力バッファ回路の各々が、制御信号
の制御に応答して入力信号をラッチし出力信号として出
力する入力信号制御回路と、入力信号の入力を検出し予
め定めた時間幅の入力検出信号を出力する入力検出回路
と、上記制御信号を所定の遅延時間分遅延させた遅延制
御信号と上記入力検出信号との論理演算結果により他の
出力バッフア回路の制御信号として供給する制御信号出
力回路とを備え、上記出力信号の出力が終了するまで上
記制御出力信号により他の出力バッフア回路の出力を遅
延させるよう制御することにより、任意の出力バッファ
回路の入力信号の変化とほぼ同一タイミングで他の出力
バッファ回路の入力信号が変化しても一定の遅延間隔に
て他の出力バッファ回路の出力信号を変化させるため、
出力バッファ回路の同時動作が抑制され、同時動作によ
る誤動作を防止できるという効果がある。
As described above, in the semiconductor integrated circuit of the present invention, each of the plurality of output buffer circuits latches an input signal in response to control of a control signal and outputs the latched input signal as an output signal. An input detection circuit that detects an input of an input signal and outputs an input detection signal having a predetermined time width; and a logical operation of the delay control signal obtained by delaying the control signal by a predetermined delay time and the input detection signal A control signal output circuit for supplying a control signal as a control signal for another output buffer circuit according to the result, and controlling the output of the other output buffer circuit to be delayed by the control output signal until the output of the output signal is completed. Even if the input signal of another output buffer circuit changes at substantially the same timing as the change of the input signal of any output buffer circuit, the other output buffer For changing the output signal of the circuit,
There is an effect that simultaneous operation of the output buffer circuit is suppressed, and malfunction due to simultaneous operation can be prevented.

【0037】また、各々の出力バッファ回路の入力信号
の状態をそれぞれで監視し、他の出力バッファ回路の制
御用信号を出力するので、設計者が入力信号のタイミン
グに合わせて、出力バッファ回路の使用箇所を考えるこ
となく、同時動作による誤動作の防止効果を得ることが
出きるという効果がある。
Further, since the state of the input signal of each output buffer circuit is individually monitored and the control signal of the other output buffer circuit is output, the designer can adjust the output buffer circuit in accordance with the timing of the input signal. There is an effect that the effect of preventing malfunction due to simultaneous operation can be obtained without considering the use location.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の半導体集積回路の一実施の形態を特徴
付ける出力バッフア回路を示すブロック図である。
FIG. 1 is a block diagram showing an output buffer circuit characterizing one embodiment of a semiconductor integrated circuit of the present invention.

【図2】本実施の形態の半導体集積回路における複数の
出力バッフア回路の相互接続の一例を示すブロック図で
ある。
FIG. 2 is a block diagram showing an example of interconnection of a plurality of output buffer circuits in the semiconductor integrated circuit according to the present embodiment.

【図3】本実施の形態の半導体集積回路における動作の
一例を示すタイムチャートである。
FIG. 3 is a time chart illustrating an example of an operation in the semiconductor integrated circuit of the present embodiment.

【図4】従来の半導体集積回路の一例を示すブロック図
である。
FIG. 4 is a block diagram illustrating an example of a conventional semiconductor integrated circuit.

【図5】従来の半導体集積回路における動作の一例を示
すタイムチャートである。
FIG. 5 is a time chart showing an example of an operation in a conventional semiconductor integrated circuit.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 入力信号制御回路 2 バッフア回路 3 入力信号検出回路 4 制御信号出力回路 10,20,30,101,102 出力バッフア回
路 100 内部回路 103 遅延回路 F41 フリップフロップ G41 NANDゲート I11,I21,I31,I32,I41 インバー
タ L11,L41 ラッチ EX31 EXNORゲート
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Input signal control circuit 2 Buffer circuit 3 Input signal detection circuit 4 Control signal output circuit 10, 20, 30, 101, 102 Output buffer circuit 100 Internal circuit 103 Delay circuit F41 Flip-flop G41 NAND gate I11, I21, I31, I32, I41 Inverter L11, L41 Latch EX31 EXNOR gate

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H03K 17/00 - 17/70 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on front page (58) Field surveyed (Int.Cl. 7 , DB name) H03K 17/00-17/70

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 それぞれ入力信号の供給に応答して対応
する出力信号を出力する第1〜第N(2以上の正の整
数)の出力バッファ回路を備える半導体集積回路におい
て、 前記第1〜第Nの出力バッファ回路の各々が、前記入力
信号とこの入力信号のラッチを制御する制御信号の供給
を受けこの制御信号の制御に応答して前記入力信号をラ
ッチしこのラッチしたラッチ信号を前記出力信号として
出力する入力信号制御回路と、 前記入力信号の入力を検出し予め定めた時間幅の入力検
出信号を出力する入力検出回路と、 前記制御信号の供給を受けこの制御信号を所定の遅延時
間分遅延させて遅延制御信号を生成しこの遅延制御信号
と前記入力検出信号との論理演算結果により他の出力バ
ッフア回路の制御信号として供給する制御出力信号を出
力する制御信号出力回路とを備え、前記第1〜第Nの出力バッファ回路の各々の制御信号と
して前記第N,第1〜第N−1の出力バッファ回路の制
御出力信号をそれぞれ供給するよう接続し、 前記第1〜第Nの出力バッファ回路の各々が、 前記出力
信号の出力が終了するまで前記制御出力信号の供給先の
出力バッファ回路の出力を遅延させるよう制御すること
を特徴とする半導体集積回路。
1. A corresponding response to the supply of each input signal
The first to Nth (two or more positive integers)
A semiconductor integrated circuit comprising : (a) an output buffer circuit, wherein each of the first to Nth output buffer circuits receives the input signal and a control signal for controlling a latch of the input signal, and controls the control signal. An input signal control circuit that latches the input signal in response to the input signal and outputs the latched latch signal as the output signal; and an input detection that detects an input of the input signal and outputs an input detection signal having a predetermined time width. A circuit for receiving the control signal, delaying the control signal by a predetermined delay time to generate a delay control signal, and controlling another output buffer circuit based on a logical operation result of the delay control signal and the input detection signal. A control signal output circuit that outputs a control output signal supplied as a signal, and a control signal for each of the first to Nth output buffer circuits.
To control the Nth, 1st to N-1st output buffer circuits.
Connect to supply a control output signals, respectively, each of the output buffer circuit of the first to N is a supply destination of <br/> output buffer circuit of the control output signal to the output of said output signal is terminated A semiconductor integrated circuit characterized in that output is controlled to be delayed.
【請求項2】 前記入力信号制御回路が、前記入力信号
を反転して反転入力信号を出力する第1のインバータ
と、前記反転入力信号をラッチし前記ラッチ信号を出力
する負論理ゲート入力の第1のラッチとを備え、 前記入力検出回路が、直列接続され全体で第1の遅延値
を有し第1の遅延信号を出力する第2,第3のインバー
タと、第2の遅延値を有し前記第1の遅延信号と前記入
力信号との排他的否定論理和をとり第2の遅延信号を出
力するEXNORゲートとを備え、 前記制御信号出力回路が、前記制御信号をラッチし第1
のラッチ制御信号を出力する負論理クロックのフリップ
フロップと、前記第1のラッチ制御信号の供給に応答し
て前記制御信号をラッチし第2のラッチ制御信号を出力
する第2のラッチと、前記第2のラッチ制御信号を反転
し第3の遅延値の反転ラッチ信号を出力する第4のイン
バータと、前記第2の遅延信号と前記反転ラッチ信号と
の否定論理積をとり前記制御出力信号を出力するNAN
Dゲートとを備えることを特徴とする請求項1記載の半
導体集積回路。
2. An input signal control circuit comprising: a first inverter for inverting the input signal to output an inverted input signal; and a negative logic gate input for latching the inverted input signal and outputting the latched signal. A first latch, wherein the input detection circuit is connected in series, has a second delay value, outputs a first delay signal having a first delay value as a whole, and a second delay value. An EXNOR gate for performing an exclusive NOR operation on the first delay signal and the input signal to output a second delay signal, wherein the control signal output circuit latches the control signal and outputs a first signal.
A flip-flop of a negative logic clock that outputs a latch control signal of a first latch control signal, a second latch that latches the control signal in response to the supply of the first latch control signal, and outputs a second latch control signal; A fourth inverter that inverts a second latch control signal and outputs an inverted latch signal of a third delay value, and performs a NAND operation on the second delay signal and the inverted latch signal to generate the control output signal. NAN to output
2. The semiconductor integrated circuit according to claim 1, further comprising a D gate.
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