JPH0212055B2 - - Google Patents

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JPH0212055B2
JPH0212055B2 JP56177413A JP17741381A JPH0212055B2 JP H0212055 B2 JPH0212055 B2 JP H0212055B2 JP 56177413 A JP56177413 A JP 56177413A JP 17741381 A JP17741381 A JP 17741381A JP H0212055 B2 JPH0212055 B2 JP H0212055B2
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JP
Japan
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latch circuit
transmission gate
unit latch
input
racing
Prior art date
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JP56177413A
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JPS5879328A (en
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Hiromasa Nakagawa
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Mitsubishi Electric Corp
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Mitsubishi Electric Corp
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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K3/00Circuits for generating electric pulses; Monostable, bistable or multistable circuits
    • H03K3/02Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses
    • H03K3/027Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use of logic circuits, with internal or external positive feedback
    • H03K3/037Bistable circuits

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は相補形MOS構造(CMOS)で構成
した単位ラツチ回路を2段縦続接続してなるマス
タ・スレーブ形のラツチ回路に関するものであ
る。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a master-slave type latch circuit formed by cascading two unit latch circuits each having a complementary MOS structure (CMOS).

CMOSインバータを2個直列に接続し、入力
側には入力信号源との間に、トランスミツシヨン
ゲートを接続して、2番目のインバータの出力と
1番目のインバータ入力とを別のトランスミツシ
ヨンゲートで結んで構成した単位ラツチ回路を用
い、このような単位ラツチ回路を2段縦続接続し
たものは、マスタ・スレーブ形のラツチ回路とし
て半導体集積回路に多く用いられている。
Two CMOS inverters are connected in series, a transmission gate is connected between the input side and the input signal source, and the output of the second inverter and the input of the first inverter are connected to another transmission. A device in which two stages of unit latch circuits are connected in cascade using unit latch circuits connected by gates is often used as a master-slave type latch circuit in semiconductor integrated circuits.

この種のラツチ回路は、逆相関係にある2相ク
ロツクによりデータ入力、データ保持を繰り返し
多段に直列接続した時には、カウンタとして使わ
れている。
This type of latch circuit is used as a counter when multiple stages are connected in series to repeatedly input and hold data using two-phase clocks having opposite phases.

第1図はCMOSで構成された単位ラツチ回路
を示す回路図で、1および2はCMOSインバー
タ、3はpチヤネルMOSトランジスタ(以下p
−MOSTという)Qp1とnチヤネルMOSトラン
ジスタ(以下n−MOSTという)Qo1とから成る
入力側のトランスミツシヨンゲートであり、4は
p−MOSTQp2とn−MOSTQo2とから成る帰還
側のトランスミツシヨンゲートである。第2図は
クロツクV1,V2の波形図であり、クロツクV2
クロツクV1の反転出力である。
Figure 1 is a circuit diagram showing a unit latch circuit composed of CMOS, where 1 and 2 are CMOS inverters, and 3 is a p-channel MOS transistor (hereinafter referred to as p-channel MOS transistor).
-MOST) Q p1 and an n-channel MOS transistor (hereinafter referred to as n-MOST) Q o1 , and 4 is a feedback side transmission gate consisting of p-MOSTQ p2 and n-MOSTQ o2 . It is a transmission gate. FIG. 2 is a waveform diagram of clocks V 1 and V 2 , where clock V 2 is the inverted output of clock V 1 .

第3図はこのような単位ラツチ回路を2段縦続
接続したマスタ・スレーブ形ラツチ回路を示す回
路図で、1段目の単位ラツチ回路L1は、インバ
ータ11および12、p−MOSTQp11およびn
−MOSTQo11からなる入力側トランスミツシヨ
ンゲート13、並びにp−MOSTQp12およびn
−MOSTQo12からなる帰還側トランスミツシヨ
ンゲート14で構成されている。2段目の単位ラ
ツチ回路L2はインバータ21および22、p−
MOSTQp21およびn−MOSTQo21からなる入力
側トランスミツシヨンゲート23並びにp−
MOSTQp22およびn−MOSTQo22からなる帰還
側トランスミツシヨンゲート24からなり、n−
MOSTQo11,Qo22およびp−MOSTQp12,Qp21
ゲートにはクロツクv1が供給され、n−
MOSTQo12,Qo21およびp−MOSTQp11,Qp22
ゲートにはクロツクv2が供給される。1段目の単
位ラツチ回路L1の入力電圧をVA、インバータ1
1の入力電圧をVB、インバータ11の出力電圧
をVC、単位ラツチ回路L1の出力電圧をVDとする。
2段目の単位ラツチ回路L2の入力へは電圧VC
供給される。インバータ21の入力電圧をVE
単位ラツチ回路L2の出力電圧をVFとする。
Figure 3 is a circuit diagram showing a master-slave type latch circuit in which two stages of such unit latch circuits are connected in cascade.The first stage unit latch circuit L1 has inverters 11 and 12, p-MOSTQ p11 and n
- input side transmission gate 13 consisting of MOSTQ o11 , and p-MOSTQ p12 and n
- It is composed of a feedback transmission gate 14 consisting of MOSTQ o12 . The second stage unit latch circuit L2 has inverters 21 and 22, p-
Input side transmission gate 23 consisting of MOSTQ p21 and n-MOSTQ o21 and p-
It consists of a feedback transmission gate 24 consisting of MOSTQ p22 and n-MOSTQ o22 , and n-MOSTQ p22 and n-MOSTQ o22.
Clock v 1 is supplied to the gates of MOSTQ o11 , Q o22 and p-MOSTQ p12 , Q p21 , and n-
A clock v2 is supplied to the gates of MOSTQ o12 , Q o21 and p-MOSTQ p11 , Q p22 . The input voltage of the first stage unit latch circuit L1 is V A , and the inverter 1 is
The input voltage of the inverter 11 is VB , the output voltage of the inverter 11 is VC , and the output voltage of the unit latch circuit L1 is VD .
A voltage V C is supplied to the input of the second stage unit latch circuit L2 . The input voltage of the inverter 21 is V E ,
Let the output voltage of unit latch circuit L2 be VF .

上記構成において、データ入力、データ保持を
制御する2相のクロツクV1とV2とが完全に逆相
関係にあれば、1段目の単位ラツチ回路L1の入
力側トランスミツシヨンゲート13をONにした
時、2段目の単位ラツチ回路L2の入力側トラン
スミツシヨンゲート23は完全にOFFになつて
おり、1段目の単位ラツチ回路L1に入力したデ
ータがそのまま2段目の単位ラツチ回路L2に抜
けるといういわゆるレーシングは起らない。しか
し、2相クロツクのうち一方が容量などの影響で
時間的遅れがある場合、レーシングが発生し誤動
作の原因となつていた。
In the above configuration, if the two-phase clocks V 1 and V 2 that control data input and data retention are in a completely opposite phase relationship, the input transmission gate 13 of the first stage unit latch circuit L 1 is When turned ON, the input side transmission gate 23 of the second stage unit latch circuit L2 is completely OFF, and the data input to the first stage unit latch circuit L1 is directly transmitted to the second stage unit latch circuit L2. The so-called lacing of leakage to the unit latch circuit L2 does not occur. However, if one of the two-phase clocks has a time delay due to the influence of capacitance, racing occurs and causes malfunction.

この発明は以上のような点に鑑みてなされたも
ので、このレーシングの発生機構を解析し、レー
シングの発生しない条件を見出すことによつて常
に正常動作をするマスタ・スレーブ形ラツチ回路
を実現することを目的としている。
This invention has been made in view of the above points, and aims to realize a master-slave type latch circuit that always operates normally by analyzing the mechanism in which racing occurs and finding conditions under which racing does not occur. The purpose is to

以下第4図aおよびbについて、クロツクV2
がV1の変化よりも時間TDだけ遅れて動作する場
合のレーシング発生条件を考える。タイミング
T1では、VAが単位ラツチ回路L1に取り込まれ
る。タイミングT2で保持され、かつ単位ラツチ
回路L2に転送される。タイミングT3では単位ラ
ツチ回路L1は、A(第4図aでは“0”レベル、
第4図bでは“1”レベル)を入力するためトラ
ンスミツシヨンゲート13をONにし、単位ラツ
チ回路L2は以前の値を保持するためトランスミ
ツシヨンゲート23をOFFとする。
Regarding Figure 4 a and b below, clock V 2
Let us consider the conditions under which racing occurs when V operates with a delay of time T D from the change in V 1 . timing
At T1 , V A is taken into the unit latch circuit L1 . It is held at timing T2 and transferred to unit latch circuit L2 . At timing T3 , the unit latch circuit L1 is at the A (“0” level in Fig. 4a,
In FIG. 4b, the transmission gate 13 is turned ON to input the "1" level), and the transmission gate 23 is turned OFF so that the unit latch circuit L2 retains the previous value.

タイミングT3の前半T31,T32,T33では、V1
V2>0となるために単位ラツチ回路L1,L2のト
ランスミツシヨンゲートのn−MOSTは、OFF
からONへの遷移状態あるいは完全なON状態に
なつている。このためタイミングT31,T32,T33
のどちらかで単位ラツチ回路L2のトランスミツ
シヨンゲート23が完全にOFFになる前に単位
ラツチ回路L1のトランスミツシヨンゲート13
がON状態を開始することにより、Aが入力され
て単位ラツチ回路L2の出力VFは反転し、レーシ
ングを起す。ここで、レーシングを起すタイミン
グがT31,T32,T33のいずれかを求める。簡単化
のため、第4図aにおいて、入力VAを電位VDD
らGNDに変化させた場合のタイミングT32では、
第5図に示すようにすべてのトランスミツシヨン
ゲートのゲート入力信号はVDDであり、高レベル
であるからp−MOSTはすべてOFF状態n−
MOSTはすべてON状態になる。各節点電位は、
VDD(高レベル)を“1”、GND(低レベル)を
“0”として示す。単位ラツチ回路L1の等価回路
は単位ラツチ回路L1が変化する前の状態では、
2つのインバータを除くと第6図となり、Qo12
飽和領域で、Qo11を非飽和領域で解くとVBは次
式で表わされる。
At the first half T 31 , T 32 , T 33 of timing T 3 , V 1 ,
Since V 2 > 0, the n-MOST of the transmission gates of unit latch circuits L 1 and L 2 is turned OFF.
is in a transition state from to ON or is in a complete ON state. Therefore, the timings T 31 , T 32 , T 33
Before the transmission gate 23 of the unit latch circuit L 2 is completely turned OFF, the transmission gate 13 of the unit latch circuit L 1 is turned off completely.
By starting the ON state, A is input and the output VF of the unit latch circuit L2 is inverted, causing racing. Here, the timing at which racing occurs is determined to be T 31 , T 32 , or T 33 . For simplification, in FIG. 4a, at timing T 32 when input V A is changed from potential V DD to GND,
As shown in Figure 5, the gate input signals of all transmission gates are V DD and are at a high level, so all p-MOSTs are in the OFF state n-
All MOSTs are turned ON. Each node potential is
V DD (high level) is shown as “1” and GND (low level) is shown as “0”. The equivalent circuit of unit latch circuit L 1 is as follows before unit latch circuit L 1 changes:
If we remove the two inverters, we get Figure 6, and when we solve for Q o12 in the saturated region and Q o11 in the non-saturated region, V B is expressed by the following equation.

ここで、VDD;電源電圧 VTN;n−MOSTのスレツシホールド
電圧 βN2;帰還側トランスミツシヨンゲー
ト14におけるn−MOSTQo12
コンダクタンス(以下コンダクタ
ンスをβという) βN1;入力側トランスミツシヨンゲー
ト13におけるn−MOSTQo11
のβ βN1=βN2,VDD=5V,VTN=0.6Vとすると、VB
=1.29Vとなり、単位ラツチ回路L1で保持してい
たVD=5Vは0Vに反転する。この時単位ラツチ回
路L2でVF=0Vが保持されていれば〔1〕式よ
り、VC=5VとなつてもVE=1.29Vとなり、VF
0Vを保持してレーシングは起きない。
Here, V DD ; power supply voltage V TN ; n-MOST threshold voltage β N2 ; n-MOST Q o12 at feedback transmission gate 14;
Conductance (hereinafter conductance is referred to as β) β N1 ; n-MOSTQ o11 at input side transmission gate 13
β β N1 = β N2 , V DD = 5V, V TN = 0.6V, then V B
=1.29V, and V D =5V held by the unit latch circuit L1 is inverted to 0V. At this time, if V F = 0V is held in the unit latch circuit L 2 , from equation [1], even if V C = 5V, V E = 1.29V, and V F =
Racing will not occur if 0V is maintained.

しかし、タイミングT31において単位ラツチ回
路L1の入力側トランスミツシヨンゲート13が
ONの状態で、VC=0Vから5Vに変化した時、単
位ラツチ回路L2の入力側トランスミツシヨンゲ
ート23もONの場合VEが単位ラツチ回路L2を反
転させる電圧に達した時にレーシングが発生す
る。
However, at timing T31 , the input transmission gate 13 of the unit latch circuit L1
When V C = 0V to 5V in the ON state, if the input transmission gate 23 of the unit latch circuit L 2 is also ON, racing occurs when V E reaches the voltage that inverts the unit latch circuit L 2 . occurs.

次に、第4図bにおいて、VAをGNDからVDD
に変化させた場合のタイミングT32では、〔1〕
式からVB=1.29Vとなり単位ラツチ回路L1は入力
側トランスミツシヨンゲート13がONの状態に
あつても、VD=0Vを保持するため、タイミング
T31では、レーシングは起らない。しかし、タイ
ミングT33では、単位ラツチ回路L1のトランスミ
ツシヨンゲート13がONの状態にあつて、VC
5Vから0Vに変化した時、単位ラツチ回路L2のト
ランスミツシヨンゲート23もONの場合、VE
単位ラツチ回路L2を反転させる電圧に達した時
にレーシングが発生する。以上のことから、VA
データのちがいにより、レーシングはクロツク
V1の立ち上がりあるいはクロツクV2の立ち下が
りで起る。今後レーシングが発生する条件は、入
力VAがVDDからGNDに変化した場合のクロツク
V1の立ち上りで考える。
Next, in Figure 4b, V A is changed from GND to V DD
At timing T 32 when changed to [1]
From the formula, V B = 1.29V, and the unit latch circuit L1 maintains V D = 0V even when the input transmission gate 13 is in the ON state, so the timing is
Racing doesn't happen on the T 31 . However, at timing T33 , the transmission gate 13 of the unit latch circuit L1 is in the ON state, and V C =
When changing from 5V to 0V, if the transmission gate 23 of the unit latch circuit L2 is also ON, racing will occur when V E reaches a voltage that inverts the unit latch circuit L2 . From the above, V A
Racing is slow due to data differences
Occurs at the rising edge of V 1 or the falling edge of clock V 2 . The condition for racing to occur in the future is when the input V A changes from V DD to GND.
Consider the rise of V 1 .

第4図aにおいて、タイミングT31でレーシン
グが発生するトランスミツシヨンゲートのゲート
入力電圧V1を求める。第3図及び第4図aから
タイミングT31のトランスミツシヨンゲートの状
態を第7図に示す。ここで、各節点電位はVDD
(高レベル)を“1”、GND(低レベル)を“0”
とする。インバータが反転する入力電圧はVB
VDD/2であり、VC=VDDと仮定した時、単位ラ
ツチ回路L1と単位ラツチ回路L2とのトランスミ
ツシヨンゲートの等価回路は第8図のようにな
る。レーシングが発生する条件をVB=VE=VDD
2とし、第8図のすべてのトランジスタは飽和領
域で動作するものと仮定すると単位ラツチ回路
L1,L2におけるトランスミツシヨンゲートのゲ
ート入力電圧V11,V12はそれぞれ次式で与えら
れる。単位ラツチ回路L1(入力側トランスミツシ
ヨンゲートOFF→ON) 単位ラツチ回路L2(入力側トランスミツシヨン
ゲートON→OFF) ここで;x=VDD−VTN−VTP y1=VDD−VTN−VB y2=VDD−VTN−VE である。
In FIG. 4a, the gate input voltage V 1 of the transmission gate at which racing occurs at timing T 31 is determined. FIG. 7 shows the state of the transmission gate at timing T31 from FIGS. 3 and 4a. Here, each node potential is V DD
(high level) is “1”, GND (low level) is “0”
shall be. The input voltage at which the inverter inverts is V B =
Assuming that V DD /2 and V C =V DD , the equivalent circuit of the transmission gates of unit latch circuit L 1 and unit latch circuit L 2 is as shown in FIG. The conditions for racing to occur are V B = V E = V DD /
2 and assuming that all transistors in Fig. 8 operate in the saturation region, the unit latch circuit
The transmission gate gate input voltages V 11 and V 12 at L 1 and L 2 are given by the following equations, respectively. Unit latch circuit L 1 (input side transmission gate OFF → ON) Unit latch circuit L 2 (input side transmission gate ON → OFF) Here; x= VDD - VTN - VTPy1 = VDD - VTN - VBY2 = VDD - VTN -VE .

βp1=βp2=βN1=βN2とし、VDD=5V、|VTP|=
VTN=0.6V、VB=VE=VDD/2とすれば、〔2〕,
〔3〕式からV11=V12=2.98Vとなる。これは、
レーシングが発生するかしないかの境界である。
Let β p1 = β p2 = β N1 = β N2 , V DD = 5V, |V TP |=
If V TN = 0.6V, V B = V E = V DD /2, [2],
From formula [3], V 11 =V 12 =2.98V. this is,
This is the boundary between whether racing occurs or not.

βp2>βp1,βN2>βN1,βp1=βN1,βp2=βN2
すれ
ば、V11>V12となり単位ラツチ回路L1の入力側
トランスミツシヨンゲート13がONする前に単
位ラツチ回路L2の入力側トランスミツシヨンゲ
ート23がOFFするのでレーシングは発生しな
い。例えば、βp2=βN2=1.1βp1=1.1βN1の時には、
V11=3.00V,V12=2.90Vとなりレーシング発生
はおさえられる。すなわち、入力側トランスミツ
シヨンゲートのβよりも帰還側トランスミツシヨ
ンゲートのβを大きくすることにより、クロツク
波形に多少の時間遅れがあつてもレーシングを防
止できる。
If β p2 > β p1 , β N2 > β N1 , β p1 = β N1 , β p2 = β N2 , then V 11 > V 12 and before the input transmission gate 13 of the unit latch circuit L 1 is turned on. Since the transmission gate 23 on the input side of the unit latch circuit L2 is turned OFF, no racing occurs. For example, when β p2 = β N2 = 1.1β p1 = 1.1β N1 ,
V 11 = 3.00V, V 12 = 2.90V, and racing can be suppressed. That is, by making β of the feedback transmission gate larger than β of the input transmission gate, racing can be prevented even if there is some time delay in the clock waveform.

以上詳述したように、この発明になるマスタ・
スレーブ形ラツチ回路では、各単位ラツチ回路の
帰還側トランスミツシヨンゲートを構成する
MOSTのコンダクタンスβを入力側トランスミ
ツシヨンゲートを構成するMOSTのコンダクタ
ンスβより大きくしたので、ゲートクロツクの反
転出力に多少の時間遅れがあつてもレーシングを
生ずることなく安定に動作する。
As detailed above, the master
In slave type latch circuits, the transmission gate on the feedback side of each unit latch circuit is configured.
Since the conductance β of the MOST is made larger than the conductance β of the MOST constituting the input transmission gate, stable operation is possible without causing racing even if there is a slight time delay in the inverted output of the gate clock.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図はCMOSで構成した単位ラツチ回路を
示す回路図、第2図は2相クロツクの波形図、第
3図はこの発明を適用するマスタ・スレーブ形ラ
ツチ回路の回路図、第4図a,bはレーシングの
発生機構を説明するための各部波形図、第5図は
第4図aのタイミングT32におけるマスタ・スレ
ーブ形ラツチ回路の状況を示す回路図、第6図は
第5図の状況における単位ラツチ回路L1のトラ
ンスミツシヨンゲートの等価回路図、第7図は第
4図aのタイミングT31におけるマスタ・スレー
ブ形ラツチ回路の状況を示す回路図、第8図aお
よびbはそれぞれ第7図の状況における単位ラツ
チ回路L1およびL2のトランスミツシヨンゲート
の等価回路図である。 図において、L1,L2は単位ラツチ回路、11,
12,21,22はインバータ回路、13,23
は入力側トランスミツシヨンゲート、14,24
は帰還側トランスミツシヨンゲートである。な
お、図中同一符号は同一または相当部分を示す。
Figure 1 is a circuit diagram showing a unit latch circuit constructed of CMOS, Figure 2 is a waveform diagram of a two-phase clock, Figure 3 is a circuit diagram of a master-slave type latch circuit to which the present invention is applied, and Figure 4a. , b are waveform diagrams of various parts to explain the racing generation mechanism, FIG. 5 is a circuit diagram showing the state of the master-slave type latch circuit at timing T 32 of FIG. 4 a, and FIG. FIG. 7 is a circuit diagram showing the state of the master-slave type latch circuit at timing T 31 of FIG. 4 a, and FIGS. 8 a and b are 8 is an equivalent circuit diagram of the transmission gates of unit latch circuits L1 and L2 in the situation of FIG. 7, respectively; FIG. In the figure, L 1 and L 2 are unit latch circuits, 11,
12, 21, 22 are inverter circuits, 13, 23
is the input side transmission gate, 14, 24
is the return side transmission gate. Note that the same reference numerals in the figures indicate the same or corresponding parts.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 1 縦続接続された第1段および第2段のインバ
ータ回路、上記第1段のインバータ回路の入力路
に挿入され相補形MOSトランジスタからなる入
力側トランスミツシヨンゲート、並びに上記第1
段のインバータ回路の入力端と上記第2段のイン
バータ回路の出力端との間に接続され、相補形
MOSトランジスタからなる帰還側トランスミツ
シヨンゲートを備えた単位ラツチ回路を複数個縦
続接続してなるものにおいて、各上記単位ラツチ
回路の上記帰還側トランスミツシヨンゲートを構
成する上記MOSトランジスタのコンダクタンス
を上記入力側トランスミツシヨンゲートを構成す
る上記MOSトランジスタのコンダクタンスより
大きくなるようにしたことを特徴とするマスタ・
スレーブ形ラツチ回路。
1 first-stage and second-stage inverter circuits connected in cascade, an input-side transmission gate consisting of a complementary MOS transistor inserted in the input path of the first-stage inverter circuit, and the first-stage inverter circuit;
The complementary type
In a structure in which a plurality of unit latch circuits each having a feedback transmission gate made of a MOS transistor are connected in cascade, the conductance of the MOS transistor constituting the feedback transmission gate of each unit latch circuit is expressed as above. A master device characterized in that the conductance is larger than the conductance of the above-mentioned MOS transistor constituting the input side transmission gate.
Slave type latch circuit.
JP56177413A 1981-11-04 1981-11-04 Master slave type latch circuit Granted JPS5879328A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP56177413A JPS5879328A (en) 1981-11-04 1981-11-04 Master slave type latch circuit

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JPS5879328A JPS5879328A (en) 1983-05-13
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