JPS62240937A - Ｅｃ膜つき基板およびその製造方法 - Google Patents
Ｅｃ膜つき基板およびその製造方法Info
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- JPS62240937A JPS62240937A JP61085449A JP8544986A JPS62240937A JP S62240937 A JPS62240937 A JP S62240937A JP 61085449 A JP61085449 A JP 61085449A JP 8544986 A JP8544986 A JP 8544986A JP S62240937 A JPS62240937 A JP S62240937A
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Landscapes
- Electrochromic Elements, Electrophoresis, Or Variable Reflection Or Absorption Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、ＥＣ膜（エレクトロクロミック膜）つき基板
およびその製造方法に関し、特に透過型ＥＣ素子製造に
使用するのに適した非晶質のヘキサシアノ鉄酸鉄塩膜つ
き基板およびその製造方法、 に関する。
およびその製造方法に関し、特に透過型ＥＣ素子製造に
使用するのに適した非晶質のヘキサシアノ鉄酸鉄塩膜つ
き基板およびその製造方法、 に関する。
ヘキサシアノ鉄酸鉄塩はＢＣ特性を有する物質として知
られており、該ヘキサシアノ鉄酸鉄塩の薄膜を用いた透
過型ＥＣ素子が知られている。
られており、該ヘキサシアノ鉄酸鉄塩の薄膜を用いた透
過型ＥＣ素子が知られている。
該透過型ＥＣ素子に用いるヘキサシアノ鉄酸鉄塩膜の製
造には、約Ｏ１乙Ｖ Ｖ、 Ｓ、 ＳＣＢ （Ｆｅ （
ＩＩＩ）。
造には、約Ｏ１乙Ｖ Ｖ、 Ｓ、 ＳＣＢ （Ｆｅ （
ＩＩＩ）。
（Ｆｅ（ＩＩＩＸＯＮ）６）３− イオン種あるいは錯
体が還元される電位） よりも低い還元電位を有する金
属（例えばＮｉ、 Ｆｅ、 Ｃｕ等）の基板のみに対し
て行なうことのできる無電解めっき法は基板の透光性の
面で使用できず、専ら電解めっき法が用いられてきた。
体が還元される電位） よりも低い還元電位を有する金
属（例えばＮｉ、 Ｆｅ、 Ｃｕ等）の基板のみに対し
て行なうことのできる無電解めっき法は基板の透光性の
面で使用できず、専ら電解めっき法が用いられてきた。
該電解析出法は、塩化第２鉄、硫着第２鉄等の３価の鉄
塩とフェリシアン化カリウム等のフェリシアン塩との混
合水溶液に電極基板と対向電極とを浸漬し、電極基板を
カソードとして電界還元する方法であろう 〔発明が解決しようとする間頌点〕 上記電解析出法は、透過型ＺＣ素子に使用できる例えば
透明導電膜つきガラス基板上にＰｃ特性を有するヘキサ
シアノ鉄酸鉄塩を析出させることができる利点を有する
ものの上記電解析出法により作成したヘキサシアノ鉄酸
鉄塩膜は基板との密着性が悪く、はく離等をひきおこす
問題点があった。
塩とフェリシアン化カリウム等のフェリシアン塩との混
合水溶液に電極基板と対向電極とを浸漬し、電極基板を
カソードとして電界還元する方法であろう 〔発明が解決しようとする間頌点〕 上記電解析出法は、透過型ＺＣ素子に使用できる例えば
透明導電膜つきガラス基板上にＰｃ特性を有するヘキサ
シアノ鉄酸鉄塩を析出させることができる利点を有する
ものの上記電解析出法により作成したヘキサシアノ鉄酸
鉄塩膜は基板との密着性が悪く、はく離等をひきおこす
問題点があった。
本発明は、上記間ｍ点を解決するために非晶質ヘキサシ
アノ鉄酸鉄塩膜が電極基板上に被覆されたＥＣ膜つき基
板を提供する。
アノ鉄酸鉄塩膜が電極基板上に被覆されたＥＣ膜つき基
板を提供する。
上記ＥＣ膜つき基板はＦｅ（ｍ ）イオンとＣＦｅ（ｍ
） （０Ｎ）６．） イオンとを含む水溶液と電極
基板とを接触させて、該電極基板表面にヘキサシアノ鉄
酸鉄塩よりなるＥＣ膜を析出させるＥＣ膜つき基板の製
造方法において、該水溶液に還元剤を添加しておき該Ｅ
Ｃ膜を非晶質としている。
） （０Ｎ）６．） イオンとを含む水溶液と電極
基板とを接触させて、該電極基板表面にヘキサシアノ鉄
酸鉄塩よりなるＥＣ膜を析出させるＥＣ膜つき基板の製
造方法において、該水溶液に還元剤を添加しておき該Ｅ
Ｃ膜を非晶質としている。
上記電極基板としては透過型ＥＣ素子を製造するのに適
した透明電極基板が好んで使用され内でも透明導電膜が
被覆されたガラス板が生産性が高いので望ましい。
した透明電極基板が好んで使用され内でも透明導電膜が
被覆されたガラス板が生産性が高いので望ましい。
該非晶質ヘキサシアノ鉄酸鉄塩膜はＥＣ素子としての発
色性を持ち、生産性の高い／Ｑｎｍ〜／μｍの厚さで設
けられることが好ましく、特に、コントラストがよく、
クラック等の膜ひずみの生じないｉｏｏｎｍ〜ＳＯＯル
ｍの膜厚が望ましい。
色性を持ち、生産性の高い／Ｑｎｍ〜／μｍの厚さで設
けられることが好ましく、特に、コントラストがよく、
クラック等の膜ひずみの生じないｉｏｏｎｍ〜ＳＯＯル
ｍの膜厚が望ましい。
又本発明に用いる還元剤としては、上記混合水溶液中の
鉄イオンよりも卑な還元電位を有する還元剤が使用でき
、内でも次亜リン酸塩が取扱いやすいなどの点で好まし
い。次亜リン酸塩としては、塩を構成するカチオンがヘ
キサシアノ鉄酸鉄塩膜中に取りこまれても害をおよぼさ
ないものが好ましく、例えばＨ３ＰＯ２，Ｎａ Ｈ２Ｐ
Ｏ２，ＫＨ２ＰＯ２などが望ましい。
鉄イオンよりも卑な還元電位を有する還元剤が使用でき
、内でも次亜リン酸塩が取扱いやすいなどの点で好まし
い。次亜リン酸塩としては、塩を構成するカチオンがヘ
キサシアノ鉄酸鉄塩膜中に取りこまれても害をおよぼさ
ないものが好ましく、例えばＨ３ＰＯ２，Ｎａ Ｈ２Ｐ
Ｏ２，ＫＨ２ＰＯ２などが望ましい。
該還元剤の添加量はＦｅ（ＩＩＩ ）イオンおよび（Ｆ
ｅ（Ｉｌｌ）（ＯＮ）６ ） イオンの濃度等により
調整することが好ましく、通常用いられるＦｅ （ＩＩ
Ｉ ）および（Ｆｅ（ＩＩＩ）（ＯＮ）６） イオン
の濃度０．０／ モに／１の場合、ｏ、ｏｏｉモル／
ｌ〜０，１モル／ｌの濃度望ましくは０．０１モル／ｌ
−０，０１１モル／ｌ の濃度で添加することが好ま
しい。還元剤の濃度がｏ、ｏｏｉモル／ｌよりもひくい
と還元剤添加による効果が得られにと、ｒｅ（ｆｆｌ）
イオンと（Ｆｅ（ＤＩ）（ＯＮ）６） イオンの混
合液に沈殿等が生じやすくなる。
ｅ（Ｉｌｌ）（ＯＮ）６ ） イオンの濃度等により
調整することが好ましく、通常用いられるＦｅ （ＩＩ
Ｉ ）および（Ｆｅ（ＩＩＩ）（ＯＮ）６） イオン
の濃度０．０／ モに／１の場合、ｏ、ｏｏｉモル／
ｌ〜０，１モル／ｌの濃度望ましくは０．０１モル／ｌ
−０，０１１モル／ｌ の濃度で添加することが好ま
しい。還元剤の濃度がｏ、ｏｏｉモル／ｌよりもひくい
と還元剤添加による効果が得られにと、ｒｅ（ｆｆｌ）
イオンと（Ｆｅ（ＤＩ）（ＯＮ）６） イオンの混
合液に沈殿等が生じやすくなる。
本発明は、従来のヘキサシアノ鉄酸鉄塩膜の基板からの
はく離等の現象が、前記従来の製造方法により作成した
ヘキサシアノ鉄酸鉄塩膜が結晶質のヘキサシアノ鉄酸鉄
膜であるために起こる現象であることにかんがみなされ
たものであり、本発明は基板表面のへキサシア／鉄酸鉄
塩膜を非晶質とすることによりヘキサシアノ鉄酸鉄膜の
基板に対する付着強度を向上させている。
はく離等の現象が、前記従来の製造方法により作成した
ヘキサシアノ鉄酸鉄塩膜が結晶質のヘキサシアノ鉄酸鉄
膜であるために起こる現象であることにかんがみなされ
たものであり、本発明は基板表面のへキサシア／鉄酸鉄
塩膜を非晶質とすることによりヘキサシアノ鉄酸鉄膜の
基板に対する付着強度を向上させている。
Ｆｅ（ｆｆｌ）イオンと（Ｆｅ（ｎ［）（ＣＭ）６）
３−イオントの混合液に還元剤を添加すると、非晶質の
ヘキサシアノ鉄酸鉄塩膜が得られる理由は明らかではな
いが、還元剤の作用によってＦｅ（Ｉ［ｌ）イオンが還
元さｔｔＴｌｌ）ン？ｉｌ’配位し、（Ｆｅ（ＩＩＩ）
（ＯＮ）６）３−と結合するためと考えられる。
３−イオントの混合液に還元剤を添加すると、非晶質の
ヘキサシアノ鉄酸鉄塩膜が得られる理由は明らかではな
いが、還元剤の作用によってＦｅ（Ｉ［ｌ）イオンが還
元さｔｔＴｌｌ）ン？ｉｌ’配位し、（Ｆｅ（ＩＩＩ）
（ＯＮ）６）３−と結合するためと考えられる。
実施例−７（無電解法）
０．０２ｍ０１／ｌの７エリシアン化カリウム水溶液と
Ｑ、０２ｍ０１／ｌの塩化第二鉄水溶液をそれぞれ１０
０ｍ１作成した。これら両液を混合後、０．０２ｍｏｌ
／７３の次亜リン酸を０．２ｍｌ添加し、直ちにインジ
ウムスズ酸化物膜（約／ ２０ ｎｍ厚）付ガラス基板
を浸漬し、７０時間後に引き上げ、該インジウムスズ酸
化物膜上に約２００ｎｍ厚のヘキサシアノ鉄酸鉄膜を形
成させた。
Ｑ、０２ｍ０１／ｌの塩化第二鉄水溶液をそれぞれ１０
０ｍ１作成した。これら両液を混合後、０．０２ｍｏｌ
／７３の次亜リン酸を０．２ｍｌ添加し、直ちにインジ
ウムスズ酸化物膜（約／ ２０ ｎｍ厚）付ガラス基板
を浸漬し、７０時間後に引き上げ、該インジウムスズ酸
化物膜上に約２００ｎｍ厚のヘキサシアノ鉄酸鉄膜を形
成させた。
得られた膜のＸ線回折製性を測定した結果第１図のよう
な結果を得た。（ＣｕＫα：０．／！；≠ｎｍ）第１図
に見られる３つの回折ピークはインジウムスズ酸化物の
回折線であり、ヘキサシアノ鉄酸鉄の回折ピークがみら
れない。そこで上記操作により得られたヘキサシアノ鉄
酸鉄膜はｘ−ｒａｙａｍｏｒｐｈｏｕｓ であることが
わかる。
な結果を得た。（ＣｕＫα：０．／！；≠ｎｍ）第１図
に見られる３つの回折ピークはインジウムスズ酸化物の
回折線であり、ヘキサシアノ鉄酸鉄の回折ピークがみら
れない。そこで上記操作により得られたヘキサシアノ鉄
酸鉄膜はｘ−ｒａｙａｍｏｒｐｈｏｕｓ であることが
わかる。
又得られたガラス基板の両端を固定しガラス基板の中央
位置のヘキサシアノ鉄酸鉄膜上に約０．３ｄの底面を持
つ固定ジグをエポキシ樹脂接着剤を用いて固定し固定ジ
グを垂直方向（重力と反対の方向）へ引っ張り、被膜が
はく離してジグが分離する荷重を測定した。その結果、
該引張り強度はダＯ匂／ｃｒＩ以上であった。
位置のヘキサシアノ鉄酸鉄膜上に約０．３ｄの底面を持
つ固定ジグをエポキシ樹脂接着剤を用いて固定し固定ジ
グを垂直方向（重力と反対の方向）へ引っ張り、被膜が
はく離してジグが分離する荷重を測定した。その結果、
該引張り強度はダＯ匂／ｃｒＩ以上であった。
又該非晶質ヘキサシアノ鉄酸鉄塩膜の０．５モル／ｌの
濃度の塩化カリウム水溶液（ｐＨ−１１，０）中でのサ
イクリックボルタモダラムを測定した。
濃度の塩化カリウム水溶液（ｐＨ−１１，０）中でのサ
イクリックボルタモダラムを測定した。
掃引速度／ ｏ ｍＶ／ｓｅｃとしたサイクリックボル
タモダラムの結果を第１Ｉ図に示す。該非晶質ヘキサシ
アノ鉄酸鉄塩膜は±０．５■で透明二青色の着消色を示
した。
タモダラムの結果を第１Ｉ図に示す。該非晶質ヘキサシ
アノ鉄酸鉄塩膜は±０．５■で透明二青色の着消色を示
した。
実施例−２（電解法）
０、０２ ｍｏｉｌ／ｌの７エリシアン化カリウム水溶
液とｏ、０２ｍｏｌ／ｌの塩化第二鉄水溶液をそれぞれ
１００ｍ１作成した。これら両液を混合後、０．０−Ｗ
ｉＯ１／ｌの次亜リン酸０．２ｍｌを添加し直ちにイン
ジウムスズ酸化物膜（約／ ２０ ｎｍ厚）付ガラス基
板及び対電極を浸漬し、電流密度１０μＡ／ｃＩ１１の
定電流で電解還元を行なって、インジウムスズ酸化物膜
上に約／ ｊ Ｏｎｍ厚のヘキサシアノ鉄酸鉄塩股を作
成した。
液とｏ、０２ｍｏｌ／ｌの塩化第二鉄水溶液をそれぞれ
１００ｍ１作成した。これら両液を混合後、０．０−Ｗ
ｉＯ１／ｌの次亜リン酸０．２ｍｌを添加し直ちにイン
ジウムスズ酸化物膜（約／ ２０ ｎｍ厚）付ガラス基
板及び対電極を浸漬し、電流密度１０μＡ／ｃＩ１１の
定電流で電解還元を行なって、インジウムスズ酸化物膜
上に約／ ｊ Ｏｎｍ厚のヘキサシアノ鉄酸鉄塩股を作
成した。
実施例１同様ヘキサシアノ鉄酸鉄塩膜の引っ張り強度を
測定した結果実施例１同様ｔｔｏＫ４７ａａ以上の強度
であった。又実施例／同様Ｘ線回折製性およびサイクリ
ックボルタモダラムを測定した。その結果を第２図およ
び第φ図に示す。第２図から本実施例のヘキサシアノ鉄
酸鉄塩膜はｚ−ｒａｙａｍｏｒｐｈｏｕｓ であること
およびサイクリックボルタモダラムの結果から実施例１
同様士（７，ｊＶで透明＝青色の着消色を示すことがわ
かった。
測定した結果実施例１同様ｔｔｏＫ４７ａａ以上の強度
であった。又実施例／同様Ｘ線回折製性およびサイクリ
ックボルタモダラムを測定した。その結果を第２図およ
び第φ図に示す。第２図から本実施例のヘキサシアノ鉄
酸鉄塩膜はｚ−ｒａｙａｍｏｒｐｈｏｕｓ であること
およびサイクリックボルタモダラムの結果から実施例１
同様士（７，ｊＶで透明＝青色の着消色を示すことがわ
かった。
比較例−１
０、ｏ２ｍｏｌ／ｌの７エロシアン化カリウムと０．０
２ ｍｏｌｔ／ｌの塩化第２鉄水溶液とをそれぞれ１０
０ｍ１作成し、両液を混合した後、実施例１゜コ同様の
インジウムスズ酸化物膜つきガラス板および対電極を浸
漬して電流密度ｉｏμＡ／ｃｄ の定電流で電解還元を
行なってインジウムスズ酸化物膜上に約２００ｎｍ厚の
ヘキサシアノ鉄酸鉄塩膜を作成した。
２ ｍｏｌｔ／ｌの塩化第２鉄水溶液とをそれぞれ１０
０ｍ１作成し、両液を混合した後、実施例１゜コ同様の
インジウムスズ酸化物膜つきガラス板および対電極を浸
漬して電流密度ｉｏμＡ／ｃｄ の定電流で電解還元を
行なってインジウムスズ酸化物膜上に約２００ｎｍ厚の
ヘキサシアノ鉄酸鉄塩膜を作成した。
こうして作成したヘキサシアノ鉄酸鉄塩膜の引張り強度
を実施例同様測定した結果引張り強度は／７．０’！Ｆ
ｑ／ｃｄであり、実施例１および２により得られた被膜
の引張り強度が高かったことを示した。 ４又実施例
同様Ｘ線回折特性およびサイクリックボルタモダラムを
測定した。その結果を第３図および第１Ｉ図に示す。第
３図から本従来の方法で得られるヘキサシアノ鉄酸鉄塩
膜は３本のインジウムスズ酸化物の回折ピーク（番印）
以外にヘキサシアノ鉄酸鉄塩の結晶による回折ピーク（
１印）を有する結晶質膜であることがわかる。又サイク
リックボルタモダラムは実施例により得られた被膜が従
来の結晶質膜と同様の着消色を示していたことを表わし
ている。
を実施例同様測定した結果引張り強度は／７．０’！Ｆ
ｑ／ｃｄであり、実施例１および２により得られた被膜
の引張り強度が高かったことを示した。 ４又実施例
同様Ｘ線回折特性およびサイクリックボルタモダラムを
測定した。その結果を第３図および第１Ｉ図に示す。第
３図から本従来の方法で得られるヘキサシアノ鉄酸鉄塩
膜は３本のインジウムスズ酸化物の回折ピーク（番印）
以外にヘキサシアノ鉄酸鉄塩の結晶による回折ピーク（
１印）を有する結晶質膜であることがわかる。又サイク
リックボルタモダラムは実施例により得られた被膜が従
来の結晶質膜と同様の着消色を示していたことを表わし
ている。
本発明のＥＣ膜つき基板は、実ｆｉｅｉ 例ｊから明ら
かなとうり従来の方法で得られるヘキサシア／鉄酸鉄塩
膜よりも付着強度の高いＥＣ膜を有するＥＣ膜つき基板
である。又本発明により得られるヘキサシアノ鉄酸鉄塩
膜は、従来の方法により得られたヘキサシアノ鉄酸鉄塩
膜同様のエレクトロクロミズム特性を有するため、良質
な透過型ＥＣ素子を製造するのに用いることができる。
かなとうり従来の方法で得られるヘキサシア／鉄酸鉄塩
膜よりも付着強度の高いＥＣ膜を有するＥＣ膜つき基板
である。又本発明により得られるヘキサシアノ鉄酸鉄塩
膜は、従来の方法により得られたヘキサシアノ鉄酸鉄塩
膜同様のエレクトロクロミズム特性を有するため、良質
な透過型ＥＣ素子を製造するのに用いることができる。
第１図および第２図は本発明実施例／および実施例２に
より得られたインジウムスズ酸化゛物膜上のヘキサシア
ノ鉄酸鉄塩膜のＸ線回折特性を示す図であり、第３図は
比較例１により得られた従来のインジウムスズ酸化物膜
上のヘキサシアノ鉄酸鉄塩膜のＸ線回折特性を示す図で
あり、第１図は実施例１および２および比較例／により
得られたヘキサシアノ鉄酸鉄塩膜のサイクリックポルタ
モグラムを示す図である。 第１図 回折＠ ２σ（ｄｅｇ） 第 ２ 図
より得られたインジウムスズ酸化゛物膜上のヘキサシア
ノ鉄酸鉄塩膜のＸ線回折特性を示す図であり、第３図は
比較例１により得られた従来のインジウムスズ酸化物膜
上のヘキサシアノ鉄酸鉄塩膜のＸ線回折特性を示す図で
あり、第１図は実施例１および２および比較例／により
得られたヘキサシアノ鉄酸鉄塩膜のサイクリックポルタ
モグラムを示す図である。 第１図 回折＠ ２σ（ｄｅｇ） 第 ２ 図
Claims (8)
- （１）非晶質ヘキサシアノ鉄酸鉄塩膜が電極基板上に被
覆されたＥＣ膜つき基板。 - （２）該非晶質ヘキサシアノ鉄酸鉄塩膜の膜厚が１０ｎ
ｍ〜１μｍである特許請求の範囲第１項記載のＥＣ膜つ
き基板。 - （３）該電極基板が透明電極基板である特許請求の範囲
第１項又は第２項記載のＥＣ膜つき基板。 - （４）Ｆｅ（III）イオンと〔Ｆｅ（III）（ＣＮ）＿６
〕＾３＾−イオンとを含む水溶液と電極基板とを接触さ
せて、該電極基板表面にヘキサシアノ鉄酸鉄塩よりなる
ＥＣ膜を析出させるＥＣ膜つき基板の製造方法において
、該水溶液に還元剤を添加しておき該ＥＣ膜を非晶質と
することを特徴とするＥＣ膜つき基板の製造方法。 - （５）該水溶液に浸漬した電極基板をカソードとして電
解析出を行なう特許請求の範囲第４項記載のＥＣ膜つき
基板の製造方法。 - （６）該析出操作が無電解析出である特許請求の範囲第
４項記載のＥＣ膜つき基板の製造方法。 - （７）該還元剤が次亜リン酸塩である特許請求の範囲第
４項ないし第６項記載のＥＣ膜つき基板の製造方法。 - （８）該次亜リン酸塩を０．００１モル／ｌ〜０．１モ
ル／ｌの濃度の水溶液として添加する特許請求の範囲第
７項記載のＥＣ膜つき基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61085449A JPH079523B2 (ja) | 1986-04-14 | 1986-04-14 | Ｅｃ膜つき基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61085449A JPH079523B2 (ja) | 1986-04-14 | 1986-04-14 | Ｅｃ膜つき基板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62240937A true JPS62240937A (ja) | 1987-10-21 |
| JPH079523B2 JPH079523B2 (ja) | 1995-02-01 |
Family
ID=13859189
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61085449A Expired - Lifetime JPH079523B2 (ja) | 1986-04-14 | 1986-04-14 | Ｅｃ膜つき基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH079523B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007102656A1 (en) * | 2006-03-06 | 2007-09-13 | Skc Co., Ltd. | Preparation of prussian blue coating film for electrochromic device |
| JP2011526000A (ja) * | 2008-06-27 | 2011-09-29 | エシロール アンテルナシオナル （コンパニー ジェネラル ドプティック） | 非電気堆積法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57195182A (en) * | 1981-05-26 | 1982-11-30 | Seiko Instr & Electronics Ltd | Electrochromic display apparatus |
-
1986
- 1986-04-14 JP JP61085449A patent/JPH079523B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57195182A (en) * | 1981-05-26 | 1982-11-30 | Seiko Instr & Electronics Ltd | Electrochromic display apparatus |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007102656A1 (en) * | 2006-03-06 | 2007-09-13 | Skc Co., Ltd. | Preparation of prussian blue coating film for electrochromic device |
| US8221829B2 (en) | 2006-03-06 | 2012-07-17 | Skc Co., Ltd. | Preparation of prussian blue coating film for electrochromic device |
| JP2011526000A (ja) * | 2008-06-27 | 2011-09-29 | エシロール アンテルナシオナル （コンパニー ジェネラル ドプティック） | 非電気堆積法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH079523B2 (ja) | 1995-02-01 |
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