JPS62238536A - エレクトロクロミツクデイスプレイ素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 エレクトロクロミックディスプレイ　（以下ＥＣＤとも
略称する）素子は電圧を印加することにより、無機ある
いは有機物質に起こる可逆的な色変化を利用した表示素
子である。該ＥＣＤ素子は液晶と比べ視野角依存性がな
く見易さの点ですぐれ、またメモリー機能を有し、低電
圧駆動ができるなどの特徴を有している。しかしながら
現在開発提案されているＥＣＤ素子は、実用上、その寿
命、応答速度及びコントラスト比の点でいま一歩であり
、今後の開発が待たれるのが実情である。

ＥＣＤ素子は一般に透明導電膜、エレクトロクロミック
膜（以下単にＥＣ膜とも云う）、イオン導電材及び対抗
電極を積層した構造が主構成となり組立てられている。

そしてＥＣＤ素子の寿命、応答速度及びコントラスト比
はＥＣ膜の材質のみならずイオン導電材を構成する材質
にも大きく依存をうけることが本発明者等によって確認
されている。

本発明者等は上記種々の問題点を解決すべく鋭意研究し
、既に数多くの提案を行い安定したＥＣＤ素子の製造に
成功した。ＥＣＤ素子を更に実用化するに際して、これ
に文字、画などの微細な表示をするためには、表示素子
を多くのセグメントに分割する必要があり、この分割し
たセグメント間の分離が充分でなければ鮮明な文字、画
等の表示は難しい。上記鮮明な文字、画を表示するため
にはエレクトロクロミック膜と対極との間に印加する電
圧と電流の間に非線型の関係があれば表示したいセグメ
ントと隣接するセグメントの間で電流値が著しく異なり
鮮明な像を表示することが出来る。従ってＥＣＤ素子開
発における現在の課題はＥＣ膜と対極との間に印加する
電圧と電流の間に非線型の関係があるＥＣＤ素子特に特
定の電圧または電流は流れないが特定の電圧になると急
に電流が流れる関係にあるＥＣＤ素子の開発である。

〔問題を解決するための手段〕

本発明者等は上記技術課題を解決すべく種々検討した結
果、ＥＣＤ素子のイオン交換膜として特定の触媒を存在
されたバイポーラ−イオン交換膜を用いることにより解
決出来ることを見出し本発明を完成するに至った。

本発明は透明導電膜、エレクトロクロミック膜、イオン
交換膜及び対向電極を積層して構成されたエレクトロク
ロミックディスプレイ素子に於いて、該イオン交換膜と
して陽イオン交換基が存在する陽イオン交換体層と陰イ
オン交換基が存在する陰イオン交換体層が積層された少
くとも二層よりなり且つ各層間又は各層中に加水分解を
促進する触媒が存在してなるバイポーラ−イオン交換膜
を用いることを特徴とするエレクトロクロミックディス
プレイ素子である。

本発明で用いるバイポーラ−イオン交換膜は一触に後述
する有機高分子化合物からなるものが好適に使用される
が、本発明にあっては必ずしも有機高分子化合物で構成
される必要はなくその一成分を無機イオン交換体の膜状
物で構成してもよい。

例えばリンゴ酸ジルコニウム、けいタングステン酸、ア
ンチモン等の無機イオン交換体を適当な結合剤、例えば
ポリビニルアルコール、ポリ塩化ビニル、ポリビニルブ
チラール、ポリスチレン等を適当な溶媒に溶解したもの
に分散して流延し、溶媒を飛散させ残った膜状物をバイ
ポーラ−イオン交換膜の一構成成分として使用すること
が出来る。

以下の本発明の説明においては特に記載しない限り、有
機高分子化合物で構成したバイポーラ−イオン交換膜に
ついて説明するが本発明が該有機高分子化合物に限定さ
れるものではない。

本発明で用いるバイポーラ−イオン交換膜のイオン交換
体層を構成する高分子体においてイオン交換基が結合し
ている高分子体の骨格としては炭化水素系の重合体又は
共重合体；塩素、沃素、臭素、弗素等の含ハロゲン炭化
水素系の重合体又は共重合体；パーフルオロカーボン系
の重合体又は共重合体；これらの重合体の主鎖中に金属
或いは珪素等の元素が結合して含有された重合体又は共
重合体等が好適であり、該共重合体にあっては前記炭化
水素系単量体、含ハロゲン炭化水素系単量体或いはパー
フルオロカーボン系の単量体を一成分とするものとこれ
ら相互の或いは共重合可能な他の単量体との共重合体が
特に限定されず使用出来る。これらの重合体、共重合体
の具体例については後述するが、従来イオン性高分子体
、イオン交換樹脂、イオン交換樹脂膜等と称されて公知
のものがそのまま或いは溶媒に可溶なものは必要に応じ
て溶媒に溶解して使用出来る。

本発明において、陽イオン交換体層及び陰イオン交換体
層のそれぞれ陽イオン交換基及び陰イオン交換基はＥＣ
Ｄの使用条件下に陽イオン交価基又は陰イオン交換基に
なっていればよく、ＥＤＣ製造時には使用条件下に陽イ
オン交換基又は陰イオン交換基になりうる官能基であっ
てもよい。

該イオン交換基は陽イオン交換基及び陰イオン交換基の
公知のものが特に限定されず使用出来る。

特に好適に使用されるものを例示すれば陽イオン交換基
としては、スルホン酸基、カルボン酸基、リン酸基、亜
リン酸基、硫酸エステル基、リン酸エステル基、亜リン
酸エステル基、チオール基、フェノール性水酸基、金属
錯塩で負の電荷をもつ　Ｆ　３ 　Ｆ　３ しては第一級アミン、第二級アミン、第三級アミン、第
四級アンモニウム塩基、第三級スルホニウム塩基、第四
級ホスホニウム塩基、コバルチジニウム塩基、金属錯塩
で正の電荷をもつもの等である。

更にまた使用条件下にイオン交換基に変る官能基として
は特に限定されず公知のものから選ぶことが出来るが一
般°に好適に使用される官能基を例示すれば陽イオン交
換基の場合−ＳＯ，Ｘ。

−ＣＯＸ、−ＣＮ、−ＣＯＲ，−３ＯＺＲ（Ｘはハロゲ
ン原子、Ｒはアルキル基）などがあり、陰イオン交換基
の場合、エポキシ基、ベンジルハライド基などがある。

上記イオン交換基又は使用条件下にイオン交換基に変る
官能基の前記骨格への結合は特に限定されず、側鎖又は
主鎖のいずれに結合していてもよい。またイオン交換基
の結合量は使用態様においてＥＣＤ素子が作動するもの
であれば特に限定されない。一般にはイオン交換基とし
ては０．２ミリ当量／グラム乾燥樹脂以上１２ミリ当量
／グラム乾燥樹脂以下のものが用いられる。好ましくは
０．５ミリ当量／グラム乾燥樹脂以上８ミリ当量／グラ
ム乾燥樹脂のものが用いられる。

本発明において前記イオン交換体層を構成している重合
体として最も好適に使用される具体的なものを例示する
と、スチレンスルホン酸の単独重合体又はスチレンスル
ホン酸を一成分とする共重合体（以下重合性単量体を一
成分とする共重合体を単に共重合体と称する）；アクリ
ル酸、メタアクリル酸、ビニルスルホン酸等の単独重合
体；共重合体；ポリスチレンのスルホン化物；パーフル
オロ（３，６−シオキサー４−メチル−７−オクテンス
ルホニルフルオライド）とテトラフルオロエチレンの共
重合体の加水分解物；ポリビニルピリジニウム塩基類；
ポリエチレンイミン類；ポリベンジルトリメチルアンモ
ニウム塩基類等である。

本発明のイオン交換膜の使用態様は特に限定されず公知
のバイポーラ−イオン交換膜の使用態様がそのまま採用
出来る。一般に好適に使用される態様を例示すると次ぎ
の通りである。

陽イオン交換基が存在するか使用条件下に陽イオン交換
基となる官能基を有する陽イオン交換体（以下単に陽イ
オン性高分子体とも云う）と陰イオン交換基が存在する
か使用条件下に陰イオン交換基となる交換基を有する陰
イオン交換体（以下単に陰イオン性高分子体とも云う）
とをそれぞれ層状に少くとも２層以上積層したイオン交
換膜は好適なものの１つの形態である。この場合積層す
る層数は特に限定されず、上記いずれかの１種のイオン
性高分子体を使用してもよいが工業的には２〜７層好ま
しくは３〜５層を積層して使用するのが好適である。ま
た上記積層する順序は少くともＩＭｉの積層体が陽イオ
ン性高分子体と陰イオン性高分子体と接するようにすれ
ばよいが一般には異種のイオン性高分子体が交互に積層
されるのが好ましい。また上記積層態様にあっては積層
する少くとも１種が液状物のイオン性高分子体であると
好適である。該液状物はイオン性高分子体自体が液状の
ものをそのまま又は非イオン性溶媒に溶解して使用する
態様の他に、固体状のイオン性高分子体を非イオン性溶
媒に溶解または膨潤した態様のいずれであってもよい。

上記液状物のイオン性高分子体を固体状物特に層状（膜
状）のイオン性高分子体に積層して本発明のイオン導電
材とする場合は固体状物の細孔が該液状物のイオン性高
分子体を通過させない大きさとするのが好ましい。

また前記複合積層体にあっては各層間は密着しているこ
とが望ましく、密着のための手段は必要に応じて公知の
手段から適宜選んで決定すればよい。

本発明に於ける最大の特徴はバイポーラ−イオン交換膜
を構成する陽イオン性高分子体及び陰イオン性高分子体
中に加水分解を促進する触媒を存在させるか又はバイポ
ーラ−イオン交換膜を構成する層間特に陽イオン性高分
子体と陰イオン性高分子体との層間に加水分解を促進す
る触媒を存在させることである。該加水分解を促進する
触媒がＥＣＤ素子の機能をどのような作用機構でより効
果的に発揮させるのか明確ではないが本発明者等は次ぎ
のように推測している。

即ち、バイポーラ−イオン交換膜は本来電圧−電流特性
が非線型線を与える性状を有するが上記加水分解を促進
する触媒の存在が加水分解を定量的に生起し、特にバイ
ポーラ−イオン交換膜を構成するイオン交換層の界面で
定量的な加水分解現象が生起しこのことにより上記電圧
−電流曲線で明確な非線型性が発揮されるものと考えら
れる。

加水分解を促進する触媒は公知であり、本発明にあって
はこれら公知の触媒が特に限定されず用いうる。特に好
適に使用されるものをより具体的に例示すると、例えば
白金属元素即ちＲｕ、　Ｒｈ、　Ｐｄ。

０３％　Ｉｒ、　Ｐｔなどの貫金属、これらの多孔体、
これらの酸化物、或いはアルミナ、アスベスト、活性炭
、シリカゲル、硫酸バリウム、軽石などにそれらを担持
したものである。これらの白金属元素又は化合物は単独
で用いてもよく、二種以上を混合して用いてもよい。或
いは他の金属又は化合物例えばＲｕＯ□、↑１０を等を
混合して用いてもよい。

本発明に於いて加水分解を促進する触媒の存在のさせ方
は特に限定されず如何なる方法を採用してもよい。一般
に好適に採用される方法を例示すると、該触媒を微粉状
にして、イオン交換膜中に分散させて製膜する方法、バ
イポーラ−イオン交換膜を構成する膜層の界面に該触媒
を層状にまたは分散状に存在させる方法、結合剤と共に
スクリーン印刷等によって膜面上に印刷して付着させる
方法、スパッタ法によって膜面上に付着させて膜を積層
する方法、公知の化学メッキ法によって膜面上に付着さ
せる方法等である。またバイポーラ−イオン交換膜を構
成する層の少くとも１層が液状の場合には適当な結合剤
によって固体の膜面上に付着させて用いると有効である
。

本発明で使用する前記以外のＥＣＤ素子を構成する材料
は特に限定されず公知のものが好適に使用出来る。代表
的なＥＣＤ素子の構成について説明すると次ぎの通りで
ある。例えばＥＣＤ素子は透明導電膜、ＥＣ膜、イオン
導電材及び対向電極の順序で構成されるのが一般的であ
る。上記透明導電膜、ＥＣ膜及び対向電極については従
来公知のものが任意に採用される。例えば透明導電膜に
ついては、公知のものが使用出来、例えば酸化インジウ
ム−酸化すず（ＩＴＯ）、酸化すず、酸化亜鉛、酸化チ
タン、酸化カドミウム、すず酸化カドミウム等の酸化物
半導体薄膜、あるいは厚さ５０オングストローム以下の
金、銀等の薄膜が好適に使用される。またＥＣ１ｉにつ
いては、公知のものが使用出来例えば無定形酸化タング
ステンが最も代表的であるがその他最近ＥＣ物質として
研究がされている有機色素、金属錯体、遷移金属化合物
、有機物の高分子体などが適宜採用される。更にまた対
向電極については、公知のものが使用出来、例えば酸化
イリジウム、酸化インジウム−酸化スズ膜（ＩＴＯ膜）
、金属、無定形酸化タングステン、鉄錯体、遷移金属酸
化物−カーボン焼結体及び酸化マンガンその他が挙げら
れる。なお、本明細書において対向電極とは単一電極の
ほか、ＥＣ膜と金属電極あるいはＥＣｖ！、とＩＴＯ膜
など積層構造の電極をも含めて指称するものであり、こ
れら積層構造の対向電極を有する所謂サンドイッチ構造
のＥＣＤ素子は一般に着消色のコントラスト比、応答速
度、寿命が良好である。

〔効果〕

本発明のイオン導電材を用いてＥＣＤ素子即ち透明導電
膜、ＥＣ膜、イオン導電材及び対向電極の順序で構成し
たＥＣＤ素子は例えばＥＣ膜をＸ軸とＹ軸にｎ及びｍ（
但し、ｎ及びｍは２〜３から数百分の正の整数）のセグ
メントに分割したとき、例えばＸ軸方向のｎ−２とＹ軸
方向のｍ−３のセグメントに信号を送ると（ｎ−２、ｍ
−３）のセグメントのみが作動し、これらに隣接するセ
グメントは作動しない。そのためにＥＣＤ素子に表示す
る文字、画等は鮮明な表示が可能となり、本発明の寄与
は計り知れないものとなる。

上記セグメントの数は勿論ＥＣ膜の大きさによって異な
り一概に特定することは出来ない。一般には前記ｎ及び
ｍが数個から数百万個の値で適宜選択される。該ＥＣ１
ｌを各セグメントに分割する方法は特に限定されず公知
の手段をそのまま採用することが出来る。代表的な方法
を例示すれば次ぎの通りである。セグメントの単位が大
きいときはＥＣ１５！を形成する際にＥＣ膜が形成され
ないよう予め格子状のバリヤ一層を透明電導膜例えばＩ
ＴＯ上に形成してＥＣ膜を形成後該バリヤ一層を除去す
る方法が採用出来る。またｒｃ、、ＬＳＩ工業に於て広
く利用されている光感光性樹脂謂ゆるホトレジストを用
いる方法が微細加工を行う場合有効である。即ち例えば
ＥＣ膜を透明電導膜となる基板例えばＩＴＯ上に形成し
、次いでこれにネガ型またはポジ型のホトレジストを塗
布したセグメントに分割する仕切を形成するマスクを重
ねたあと露光し、次いで仕切りとなる部分のホトレジス
トを溶解し、更に該仕切となる部分のＥＣ成膜ＴＯが溶
解する酸、アルカリ等で処理して溶解し、次いで残りの
ホトレジストを除去し、各セグメントに分割する方法で
ある。

〔実施例〕

本発明を更に具体的に説明するため、以下実施例を挙げ
て説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるも
のではない。

（ＥＣＤ素子の作成） まずＥＣ膜としてのＩｒＯ膜、ＷＯ３膜（以下Ｉ膜、Ｗ
膜と略称する。）は次のような方法で成膜した。

■膜は純酸素雰囲気中で高周波スパッター法で透明４電
膜上に成膜した。即ちターゲットに９９、９９％のイリ
ジウム金属板を用い、基板には透明導電膜（酸化すず膜
２０オーム／口）をコートしたガラスを１５ｍｍＸ　１
５ｍｍの大きさに切り出し、有機溶媒、純水にて十分洗
浄、乾燥した後、真空槽内にマウントし、まず真空槽内
を〜４×１０−７トール以下の真空になるまで吸引する
。次に基板を高真空中で１００℃程度で加熱を数分行な
ったのち、水冷して４０℃以下に保ち、純酸素を導入し
てスパッター成膜を行なった。酸素圧は１０ミリトール
、高周波電力は０．５Ｗ／ｃｎｌに保持した。この時成
膜速度は１０オングストロ一ム／分で、Ｉ膜厚は７００
オングストロームであった。

Ｗ膜は電子ビーム真空蒸着法によりｌ膜と同様の基板上
に成膜した。９９．９９％　のＷ　Ｏｚターゲットを用
い、４〜５オングストロ一ム／秒で３０００オングスト
ロームまで成膜した。

以上のようにして作製したＷＯ３膜と透明導電膜との複
合膜上に前記ホトレジスト法により後述するセグメント
を形成させた。

次いでこの複合膜上にイオン導電材を積層し、更にその
上に前記スパッター法で作成した透明導電膜とイリジウ
ムオキサイドとの複合膜を積層してこれを対向電極とし
たＥＣＤ素子を作製した。

このようにして製造したＥＣＤ素子を用いて後述する実
施例記載のような評価を行なった。

実施例１ 厚みが３０ミクロンのポリエチレンのシートをクロルメ
チルスチレン、ジビニルベンゼン、ベンゾイルパーオキ
サイドの混合物中に浸漬し、これらの単量体を充分にフ
ィルム中に浸み込ませたのち、沸騰している飽和の芒硝
溶液中に浸漬して重合させた。この得られたフィルムを
アセトン−水−トリメチルアミンの溶液中に浸漬して、
膜内のクロルメチル基をアミノ化して第４級アンモニウ
ム塩基をイオン交換基とする陰イオン交換膜を合成した
。この得られた膜をメタノール−アセトンの１：１の混
合溶媒で充分に抽出精製した。

次いでこの膜を乾燥し、これの両面にアダムスの方法に
よって作った表面積の大きい白金触媒をポリスチレンの
微粉末と均一に混合し、これを薄膜状に上記陰イオン交
換膜の上に塗布し、次いで加熱・加圧し陰イオン交換膜
の両面に白金触媒層を形成した。

他方スチレンスルホン酸ソーダを水に溶解して過硫酸ア
ンモニウムと亜硫酸ソーダを用いて重合させ次いでロー
タリーエバポレーターによって乾燥して重合体をとり出
した。この重合体をＨ”型とした陽イオン交換樹脂（ア
ンバーライトＩＲ−１２０Ｂ（商品名））に通液してポ
リスチレンスルホン酸とした。約１０％の濃度となるよ
うに濃縮したのち、これの１０ｇを平均孔径が４８人の
セルローズ製のチューブ状の透析膜によって外液に純水
を配して低分子物質の除去、精製を行った。

次いでこの液を凍結乾燥して固型状の精製ポリスチレン
スルホン酸（１）を収率７５％で得た。従って約２５％
が低分子物質として除去された。

このポリスチレンスルホン酸を５０％となるようにエチ
レングライコールに溶解し、ＥＣ膜上及び対極上に薄膜
状に塗布し、その中間に前記で合成し、白金触媒層を形
成し、Ｃｅ−型にした薄膜状の陰イオン交換膜をはさみ
、気泡が入らないように注意してプレスして密着させて
ＥＣＤ素子を作った。このときＥＣ膜は０．５ｍｍ間隙
でＸ軸、Ｙ軸ともに各３０セグメントに分割して用い、
駆動電圧を印加して表示させた。その結果Ｘ軸方向で１
５番目、Ｙ軸方向で１５番目のセグメントに０．９■の
信号を送ったところ、極めて鮮明に（１５，１５）のセ
グメントのみを発色、消色した。

実施例２ ステ了りルメタアクリレート５０部とスチレンスルホン
酸ソーダ５０部をジメチルホルムアミド３００部の中に
溶解し、これをベンゾイルパーオキサイド３部を加えて
均一な溶液としたのち１００℃に５時間加熱して重合体
を得た。ここで得られた粘稠な溶液を大過剰の１．０規
定の塩酸中に入れて激しく攪拌して放置し、析出したポ
リマーを再びジメチルホルムアミドに溶解し、１．０規
定の塩酸に投入することをくり返し、スルホン酸ソーダ
基をスルホン酸基に変換した。次いで再び乾燥後ジメチ
ルホルムアミドへの溶解、純水中への投入をくり返して
過剰の酸及び塩、オリゴマー未反応単量体を除去し収率
が７０％で精製物を得た。更に減圧乾燥して得られたポ
リマーをジメチルホルムアミドに溶解してこれをＥＣ膜
上及び対向電極上に塗布し放置して溶媒を飛散させた。

ＥＣ膜上には非水溶性のスルホン酸基を有する薄膜が形
成された。

これの上にスクリーン印刷によってエポキシ化合物とジ
アミンを混合したものにＲｕｂ、を分散したものをスク
リーン印刷によって付着させ、触媒層を形成させた。

他方分子量約８０００のポリクロロメチルスチレンをト
リエチルアミンと反応させて水溶性とした第四級アンモ
ニウム塩基を有するポリマーを合成した。

さて、このポリアミンをエチレングライコール中に濃度
が５０％となるように溶解して、前記薄膜を形成したＥ
Ｃ膜と対向電極の間にサンドイッチ状にはさんで三層構
造のＥＣＤ素子とした。このときＥＣ膜は０．５　ｍｍ
間隙でＸ軸、Ｙ軸ともにそれぞれ３０のセグメントに分
割されており、それに駆動電圧を印加して作動させた。

その結果Ｘ軸方向１５番目、Ｙ軸方向で１５番目のセグ
メントに０．８５　Ｖの信号を送ったところ、（１５，
１５）のセグメントのみが極めて鮮明に発消色をくり返
した。

実施例３ 分子量約５０万のポリスチレンスルホン酸を、筒状のセ
ロファン膜の内側に入れ、外液に純水を配し、純水をく
り返しとりかえて透析精製した。

これを濃縮して固形状とした。ここで得た精製したポリ
スチレンスルホン酸とポリビニルアルコールを重量比で
１：１に混合し、これをポリテトラフルオロエチレン製
の仮の上に流延し次いで８０℃で５時間加熱して後、ホ
ルマリン−硫酸−苛硝からなるホルマール化浴に６０℃
で３０分浸漬し、ホルマール化反応を実施した。ここで
得られたフィルムを０．５規定塩酸、１．０規定含塩水
でくり返しｃｏｎｄｉｔｉｏｎｉｎｇ　Ｌｐて後、０．
５規定塩酸に浸漬して膜を酸型とした。次いで膜を純水
中に純水をとりかえながらくり返し浸漬し、膜中に吸着
されている酸を完全に除去した。ここで得られた５０ミ
クロンの厚みのフィルムの両側にＴｒｙ２をＬｆｇ　粉
末状シリカに担持させたものを均一に塗布した。これを
純水中に平衡にした。

他方４−ビニルピリジンを純水中に懸濁しベンゾイルパ
ーオキサイドを触媒として窒素雰囲気で８０℃で加熱重
合した。得られたゴム状のポリマーを水から分け、乾燥
後トルエンに溶解し、大量のピリジン中に入れて沈澱を
析出させた。

次いでこれをニトロメタンに溶解しポリマーのピリジン
基の約２倍当量の沃化メチルを加えて７０℃で加熱還流
した。析出したポリマーを分離し、乾燥後に溶解し、塩
素イオン型にした陰イオン交換樹脂Ｉ　ＲＡ−４００の
カラムに通液して、沃素イオン型ポリ−（Ｎ−メチル−
４−ビニルピリジニウムクロライド）に変換した。通液
した液を集め濃縮し、固形物とした。

これをエチレングライコールの中に約５０％となるよう
に溶解した。次いでＥＣ膜及び対向電極上に約５０ミク
ロンの厚みに塗布し、この両極の間に先に得た陽イオン
交換膜をはさんで、ＥＤＣ素子とした。ＥＣ膜は実施例
１と同様にＸ軸、Ｙ軸に０．５ｍｍ間隙でセグメント分
割されており、実施例１と同様に（１５，１５）のセグ
メントに１．０■の信号を送ったところ、（１５，１５
）セグメントのみが鮮明に発色した。

実施例４ パーフルオロ（３，６−シオキサー４−メチル−７−オ
クテンスルホニルフルオライド）とテトラフルオロエチ
レンの共重合体で加水分解してスルホン酸としたときの
交換容量が０．９１ミリ当量の０．１７ｍｍのフィルム
を１規定塩酸とメタノールの１＝１の混合溶液に浸漬し
てスルホン酸型に完全に変換した。これをイソプロピル
アルコールと水の４＝１の混合溶液中に入れて加圧下に
加熱して大部分のフィルムを溶解させた。ここで得られ
た溶液をＥＣ膜と対向電極上に均一にくり返し塗布して
スルホン酸を持ったパーフルオロカーボンの薄膜を形成
した。この上にポリビニルアルコールの１０％溶液に白
金黒を分散した液を塗布し乾燥させ、次いで９０℃に１
時間加熱した。これを相対湿度８０％の雰囲気に１６時
間放置し平衡にした。

次いで実施例１で合成したポリアミンを用いて三層の電
解質層を形成し本発明のＥＣＤ素子とした。実施例１と
同様にしてマトリックス駆動をしたところセグメント（
１５，１５）は極めて鮮明に着消色した。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）透明導電膜、エレクトロクロミック膜、イオン交
   換膜及び対向電極を積層して構成されたエレクトロクロ
   ミックディスプレイ素子に於いて、該イオン交換膜とし
   て陽イオン交換基が存在する陽イオン交換体層と陰イオ
   ン交換基が存在する陰イオン交換体層が積層された少く
   とも二層よりなり且つ各層間又は各層中に加水分解を促
   進する触媒が存在してなるバイポーラ−イオン交換膜を
   用いることを特徴とするエレクトロクロミックディスプ
   レイ素子。
2. （２）加水分解を促進する触媒が白金族元素又はその化
   合物である特許請求の範囲第（１）項記載のエレクトロ
   クロミックディスプレイ素子。