JPS62238392A - メツキ方法 - Google Patents
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- JPS62238392A JPS62238392A JP8020586A JP8020586A JPS62238392A JP S62238392 A JPS62238392 A JP S62238392A JP 8020586 A JP8020586 A JP 8020586A JP 8020586 A JP8020586 A JP 8020586A JP S62238392 A JPS62238392 A JP S62238392A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
本発明は、メッキ方法に関するしのである。
従来より、磁気ディスクといったハードディスク等の磁
気記録媒体は、アルミニウム合金等の非磁性の基板上に
、塗布等の手段で磁性膜を設けたちの、あるいは例えば
Ni−1’の非磁性の磁性下地膜な湿式メッキ手段によ
り所定f′y−設け、 そしてこの磁性下地膜」二にF
a+1膜なスバンタ可の軟式メツA毛[よ、無電解メツ
A等の湿式メンキル段で設けたちのとして構成されてい
る。 そして、このような磁気記録媒体の基板としては、初期
に4bっではMn及びCrを添加したへl!−Mg系a
金が用いられていたものの、このアルミニウム合金は、
Mn、Cr等が!!1体で又は全α間1ヒ会物として表
面にわi出し、この為そのに面に設けられるメッキ膜に
ビットが発生するといった致命的な欠点が指摘されてお
り、そこでこれに代わるものとして、例えば特開昭59
−193537号公報又は特開昭6(1194040号
公報で提案されているようなZn、Cu。 F、!を含有する^f’−Mg系合金が提案されている
。 すなわち、基板として用いられているアルミニウム合金
中のHn?Crの成分が好ましくないことが究明され、
これに代わる元素としてZn、Cu、Fc等か提案され
るに至っている。 つまり、アルミニウム合金の硬さ及び強度を向」ニさせ
る為に1Mg′5:Mg上ているのであり、又。 大きな金属間化き物を形成することなく−’+x+ :
i&の強度及び611Iさを向上さぜ、さらにはこの」
二に形成されるメツ;V膜の粗さ3小さく、かつ均一に
する為にZn、Cu笠が添加されている。 しかし、本発明者の研究によると、 このようなアルミ
ニウム合金か用いられて製造された磁気ディスクであっ
ても、次第に欠点があることがわか−)できた。 1rなわぢ、上記のようなアルミニウム合金に対して所
定のに面処理を行ない、その後メッキ形成した磁性下地
膜であるN i −PメッキW1表面には約1〜10B
m程度のミクロ欠陥が高密度で存在していることが判明
し、このミクロ欠陥はN1−Pメッキ膜を約5μtO程
度研磨しても完全にはなくならず、こグ)/1この上に
メッキ処理して形成した磁性膜には欠陥が生じるように
なり、すなわちエラーが生じることになり、さらにはN
i−!’メッキ膜がアルミニウノ、合金の基板から局所
的に脹れ上がり、この為この部分において磁性膜表面の
平坦性が失われ、健−)で記録再生に際してこのご分が
磁気ヘッドによって削り取られる等電磁変換特性及び走
行性の低下に千−)でしまうことに気1・1いたのであ
る。
気記録媒体は、アルミニウム合金等の非磁性の基板上に
、塗布等の手段で磁性膜を設けたちの、あるいは例えば
Ni−1’の非磁性の磁性下地膜な湿式メッキ手段によ
り所定f′y−設け、 そしてこの磁性下地膜」二にF
a+1膜なスバンタ可の軟式メツA毛[よ、無電解メツ
A等の湿式メンキル段で設けたちのとして構成されてい
る。 そして、このような磁気記録媒体の基板としては、初期
に4bっではMn及びCrを添加したへl!−Mg系a
金が用いられていたものの、このアルミニウム合金は、
Mn、Cr等が!!1体で又は全α間1ヒ会物として表
面にわi出し、この為そのに面に設けられるメッキ膜に
ビットが発生するといった致命的な欠点が指摘されてお
り、そこでこれに代わるものとして、例えば特開昭59
−193537号公報又は特開昭6(1194040号
公報で提案されているようなZn、Cu。 F、!を含有する^f’−Mg系合金が提案されている
。 すなわち、基板として用いられているアルミニウム合金
中のHn?Crの成分が好ましくないことが究明され、
これに代わる元素としてZn、Cu、Fc等か提案され
るに至っている。 つまり、アルミニウム合金の硬さ及び強度を向」ニさせ
る為に1Mg′5:Mg上ているのであり、又。 大きな金属間化き物を形成することなく−’+x+ :
i&の強度及び611Iさを向上さぜ、さらにはこの」
二に形成されるメツ;V膜の粗さ3小さく、かつ均一に
する為にZn、Cu笠が添加されている。 しかし、本発明者の研究によると、 このようなアルミ
ニウム合金か用いられて製造された磁気ディスクであっ
ても、次第に欠点があることがわか−)できた。 1rなわぢ、上記のようなアルミニウム合金に対して所
定のに面処理を行ない、その後メッキ形成した磁性下地
膜であるN i −PメッキW1表面には約1〜10B
m程度のミクロ欠陥が高密度で存在していることが判明
し、このミクロ欠陥はN1−Pメッキ膜を約5μtO程
度研磨しても完全にはなくならず、こグ)/1この上に
メッキ処理して形成した磁性膜には欠陥が生じるように
なり、すなわちエラーが生じることになり、さらにはN
i−!’メッキ膜がアルミニウノ、合金の基板から局所
的に脹れ上がり、この為この部分において磁性膜表面の
平坦性が失われ、健−)で記録再生に際してこのご分が
磁気ヘッドによって削り取られる等電磁変換特性及び走
行性の低下に千−)でしまうことに気1・1いたのであ
る。
本発明菖は2前記の間m点、すなわちメッキ膜の欠陥及
びメツ:′r−膜がアルミニウノ、合金製の基板から局
所的に脹れ上がる原因についての研究を押し進めた結果
5これはメッキ膜形成前に行なわれる脱脂処理の作用と
アルミニウム合金の成分どによって大さな影響を受ける
ことが判明し、そこてこの知見に基いて、多くの種類の
アルミニウム3全につい”C幾通りかの脱脂処理を行な
い、そしてその後メッキ処理を行ない、このメッキ膜の
具りを観察した結果、Zn又はCuを少なくとも必須成
分として含イ1するへN−ME系α金の表面をノンエツ
チング型の脱脂処理したものである場合には、表面に形
成されるメッキ膜が優秀なものであることが判った。 尚、このアルミニウム合金におけるM8の1首りは、磁
気ディスク用の基板として用いる場合には約2.0〜5
.0 ’Ji 31 %であることが、又、Znのaイ
「量は約01へ一15重1%であることが、又、Cuの
含存皿は約0.1〜1.0重量%であることか、ぞして
Zn及びCuを共に用いる場かには前記の条件のほかに
合計量が約0.1〜2.0重量%であることが望ましい
ものてあり、そしてその池例えば、Fe、Zr及び/又
はMll等の成分がi蓋含まれていても良いものである
。 尚、これら微量成分のうち、Zrに関しては、アルミニ
ウム含金基板の結晶粒及び金属間化合物を微細化する作
用が4するので、このような特性が要求される場合にあ
っては、Zrを約0.03〜0.2重通21;かまぜて
おくと特に望ましいものである。 ぞして、本発明に言うノンエツチング型の脱脂り1!埋
とは、その脱脂処理に際しての溶解量が大きな、例えば
5%N a OIt脱脂剤可によるエツチング型の脱脂
処理に対向して用いられたものであって、1!+11え
ばリン酸塩と界面活性剤と33むノンエツチング型の脱
脂剤を用い、約40〜70℃で約2〜5分間の脱脂処理
を行なうことによって、その溶解量か約01g/dl1
12以下、特に望ましくは約0.0002〜0.012
g/d噛2程度のものを意味するしのである。
びメツ:′r−膜がアルミニウノ、合金製の基板から局
所的に脹れ上がる原因についての研究を押し進めた結果
5これはメッキ膜形成前に行なわれる脱脂処理の作用と
アルミニウム合金の成分どによって大さな影響を受ける
ことが判明し、そこてこの知見に基いて、多くの種類の
アルミニウム3全につい”C幾通りかの脱脂処理を行な
い、そしてその後メッキ処理を行ない、このメッキ膜の
具りを観察した結果、Zn又はCuを少なくとも必須成
分として含イ1するへN−ME系α金の表面をノンエツ
チング型の脱脂処理したものである場合には、表面に形
成されるメッキ膜が優秀なものであることが判った。 尚、このアルミニウム合金におけるM8の1首りは、磁
気ディスク用の基板として用いる場合には約2.0〜5
.0 ’Ji 31 %であることが、又、Znのaイ
「量は約01へ一15重1%であることが、又、Cuの
含存皿は約0.1〜1.0重量%であることか、ぞして
Zn及びCuを共に用いる場かには前記の条件のほかに
合計量が約0.1〜2.0重量%であることが望ましい
ものてあり、そしてその池例えば、Fe、Zr及び/又
はMll等の成分がi蓋含まれていても良いものである
。 尚、これら微量成分のうち、Zrに関しては、アルミニ
ウム含金基板の結晶粒及び金属間化合物を微細化する作
用が4するので、このような特性が要求される場合にあ
っては、Zrを約0.03〜0.2重通21;かまぜて
おくと特に望ましいものである。 ぞして、本発明に言うノンエツチング型の脱脂り1!埋
とは、その脱脂処理に際しての溶解量が大きな、例えば
5%N a OIt脱脂剤可によるエツチング型の脱脂
処理に対向して用いられたものであって、1!+11え
ばリン酸塩と界面活性剤と33むノンエツチング型の脱
脂剤を用い、約40〜70℃で約2〜5分間の脱脂処理
を行なうことによって、その溶解量か約01g/dl1
12以下、特に望ましくは約0.0002〜0.012
g/d噛2程度のものを意味するしのである。
【実施例1−9】
表1に示す組成のアルミニウム合金のブランクtt f
、 、 2 +1/リン酸すトリウ11及び25°≦界
面活性剤を禽む脱脂剤を用いて約65°C,2,5分間
のノンエンチング型の脱脂処理(溶解量は表1に示す)
を行ない、そのIQ ノに洗した浚20%fiPi 1
8iFt中に60℃で2分間の酸浸漬を行ない、次いで
水洗を行なってスーパージンク−l−液(キザイ製)を
用いて23℃で60秒間の第1回目のジンチー1〜処理
を行ない、この第1回日のジンケート処理後水洗を行な
いそして33%硝酸(8液中に23℃で30秒間の酸浸
漬を行ない、そして水洗3行なった後スーパージンゲー
ト液を用いて23°(−°で30秒間の第2回目のりン
′ケート処理を行ない、その後水洗を行なってからナイ
コー14 E L 1. (=X−デ1′・罠)と用い
て90℃で2時間の月町′8−解メツキを行ない、N1
−Pメツ−1i−膜を形成する。 このNじ11メツ;V膜形成後、従来のハードディス乏
製造の場合と同様な工程3経て、Ni−1’メツキ股上
に所定のメッキ型磁性膜を形成してハードディスクを得
る。
、 、 2 +1/リン酸すトリウ11及び25°≦界
面活性剤を禽む脱脂剤を用いて約65°C,2,5分間
のノンエンチング型の脱脂処理(溶解量は表1に示す)
を行ない、そのIQ ノに洗した浚20%fiPi 1
8iFt中に60℃で2分間の酸浸漬を行ない、次いで
水洗を行なってスーパージンク−l−液(キザイ製)を
用いて23℃で60秒間の第1回目のジンチー1〜処理
を行ない、この第1回日のジンケート処理後水洗を行な
いそして33%硝酸(8液中に23℃で30秒間の酸浸
漬を行ない、そして水洗3行なった後スーパージンゲー
ト液を用いて23°(−°で30秒間の第2回目のりン
′ケート処理を行ない、その後水洗を行なってからナイ
コー14 E L 1. (=X−デ1′・罠)と用い
て90℃で2時間の月町′8−解メツキを行ない、N1
−Pメツ−1i−膜を形成する。 このNじ11メツ;V膜形成後、従来のハードディス乏
製造の場合と同様な工程3経て、Ni−1’メツキ股上
に所定のメッキ型磁性膜を形成してハードディスクを得
る。
【比 重21列 1 】
実施例1におけるアルミニウムh上の代りに、J[S
A 5(18Gアルミニウノ、h金を用いて同様に11
ない、ハートティスク分14)る。
A 5(18Gアルミニウノ、h金を用いて同様に11
ない、ハートティスク分14)る。
【比較例2〜10】
実施例1へ−9において、2%リン酸すトリウム及び2
2t?−面活性剤を含む脱脂剤によるノンエンチンク型
の脱脂処理の代りに、5%N a OIfによるエッチ
〉′グIuの脱脂処理を50℃で25分間行ない、その
他は同様に行なってハードディスクを得る。
2t?−面活性剤を含む脱脂剤によるノンエンチンク型
の脱脂処理の代りに、5%N a OIfによるエッチ
〉′グIuの脱脂処理を50℃で25分間行ない、その
他は同様に行なってハードディスクを得る。
上記各間で得たハードディスクについて、そのジンゲー
ト処理性、N1−Pメッキ膜のミクロ欠陥、密着性及び
長面■さくRa)、N1−Pメッキ膜を3μデn1Ji
麿した場合のミクロ欠陥及び耐食性3調べると、表2に
示す通りである。 尚、ジンゲート処理性は、ダブルジンゲ−1−i面分先
願微分干渉像とSEMで観察し、析出粒子の均−性及び
緻密性を○、△、Xの三段附で評(直したものであり、
また、N1−Pメッキ膜のミクロ欠陥は、光題微分干渉
卯で1111察して1μmφ以上の欠に1nの数をカウ
ントシ、単位面績当り3個以内力ものを○印で、4〜1
0個のものをΔ印て、11m以上のものを〕・、印で表
わしたものであり、N1−Pメッキ膜の富含性は、90
’及び180゛の折り曲げ試験を行ない、j!I+離が
ないものを○印で5.&11 離が多少、ちるもの?Δ
印で、剥離が多いものを・×印で表わしたものであり、
又、耐火性は、l Q I+、;硫酸溶血中!二30℃
で48時間浸漬し、脹れがない場合念○叩て、軽度の脹
れく3輪部φ以下の脹れ)がある場合と、へ印で2強度
の脹れ(4+nmφ以」二の脹れ)かある場へ−念×印
で表わしたものである。 この表2かられかるように、本発明に係るハードディス
クにおけるジンゲート処理性は良いらめであり、又、N
1−Pメッキ膜のミクY7欠陥は著しく少なく、又、N
i −Pメンキ膜の密着性は良く、さらにはN i
−Pメンキ膜のに部平滑性が良く、シかも耐食性にも混
れている。 これに対して、ハードディスクの基板であるアノ[ミニ
r゛7ム合金として本発明に係るものと同じアルミニ・
”7ム3金が用いられても、脱脂処理がエツチング型の
乙のである比較例2〜10のものでは、ジンク−1−R
面が良くろ・<、又、N1−Pメッキ膜のミクロ欠陥は
歩く、又、密着性についても良くなく、さらには耐食性
も悪いものであり、又、ハードディスクの基板であるア
ルミニウム合金としてJIS A 5086アルミニウ
ム会金が用いられた場合には、脱脂処理がノンエツチン
グ型のものであってら、本発明のような効果は奏されな
いものである。
ト処理性、N1−Pメッキ膜のミクロ欠陥、密着性及び
長面■さくRa)、N1−Pメッキ膜を3μデn1Ji
麿した場合のミクロ欠陥及び耐食性3調べると、表2に
示す通りである。 尚、ジンゲート処理性は、ダブルジンゲ−1−i面分先
願微分干渉像とSEMで観察し、析出粒子の均−性及び
緻密性を○、△、Xの三段附で評(直したものであり、
また、N1−Pメッキ膜のミクロ欠陥は、光題微分干渉
卯で1111察して1μmφ以上の欠に1nの数をカウ
ントシ、単位面績当り3個以内力ものを○印で、4〜1
0個のものをΔ印て、11m以上のものを〕・、印で表
わしたものであり、N1−Pメッキ膜の富含性は、90
’及び180゛の折り曲げ試験を行ない、j!I+離が
ないものを○印で5.&11 離が多少、ちるもの?Δ
印で、剥離が多いものを・×印で表わしたものであり、
又、耐火性は、l Q I+、;硫酸溶血中!二30℃
で48時間浸漬し、脹れがない場合念○叩て、軽度の脹
れく3輪部φ以下の脹れ)がある場合と、へ印で2強度
の脹れ(4+nmφ以」二の脹れ)かある場へ−念×印
で表わしたものである。 この表2かられかるように、本発明に係るハードディス
クにおけるジンゲート処理性は良いらめであり、又、N
1−Pメッキ膜のミクY7欠陥は著しく少なく、又、N
i −Pメンキ膜の密着性は良く、さらにはN i
−Pメンキ膜のに部平滑性が良く、シかも耐食性にも混
れている。 これに対して、ハードディスクの基板であるアノ[ミニ
r゛7ム合金として本発明に係るものと同じアルミニ・
”7ム3金が用いられても、脱脂処理がエツチング型の
乙のである比較例2〜10のものでは、ジンク−1−R
面が良くろ・<、又、N1−Pメッキ膜のミクロ欠陥は
歩く、又、密着性についても良くなく、さらには耐食性
も悪いものであり、又、ハードディスクの基板であるア
ルミニウム合金としてJIS A 5086アルミニウ
ム会金が用いられた場合には、脱脂処理がノンエツチン
グ型のものであってら、本発明のような効果は奏されな
いものである。
Claims (1)
- Zn又はCuを少なくとも必須成分として含有するA
l−Mg系合金の表面をノンエッチング型の脱脂処理を
行ない、その後メッキ処理することを特徴とするメッキ
方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61080205A JP2542188B2 (ja) | 1986-04-09 | 1986-04-09 | 記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61080205A JP2542188B2 (ja) | 1986-04-09 | 1986-04-09 | 記録媒体の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62238392A true JPS62238392A (ja) | 1987-10-19 |
JP2542188B2 JP2542188B2 (ja) | 1996-10-09 |
Family
ID=13711881
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61080205A Expired - Lifetime JP2542188B2 (ja) | 1986-04-09 | 1986-04-09 | 記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2542188B2 (ja) |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59193537A (ja) * | 1983-04-15 | 1984-11-02 | Mitsubishi Alum Co Ltd | 磁気デイスク基板用Al合金 |
JPS60194040A (ja) * | 1984-02-18 | 1985-10-02 | Kobe Steel Ltd | メツキ性に優れたデイスク用アルミニウム合金板 |
-
1986
- 1986-04-09 JP JP61080205A patent/JP2542188B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59193537A (ja) * | 1983-04-15 | 1984-11-02 | Mitsubishi Alum Co Ltd | 磁気デイスク基板用Al合金 |
JPS60194040A (ja) * | 1984-02-18 | 1985-10-02 | Kobe Steel Ltd | メツキ性に優れたデイスク用アルミニウム合金板 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2542188B2 (ja) | 1996-10-09 |
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