JPS62238244A - 液晶性化合物 - Google Patents
液晶性化合物Info
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- JPS62238244A JPS62238244A JP7678986A JP7678986A JPS62238244A JP S62238244 A JPS62238244 A JP S62238244A JP 7678986 A JP7678986 A JP 7678986A JP 7678986 A JP7678986 A JP 7678986A JP S62238244 A JPS62238244 A JP S62238244A
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Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Liquid Crystal Substances (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、複数の分校を持つ光学活性基を持ち、画像表
示に際して高速応答性を示し、且つ、広範囲の作動温度
域で強誘電性を示す液晶性化合物に関する。したかって
本発明は、液晶テレビジョン受像機などに使用される画
像表示装置あるいは光プリンターヘッドなどに利用され
る。
示に際して高速応答性を示し、且つ、広範囲の作動温度
域で強誘電性を示す液晶性化合物に関する。したかって
本発明は、液晶テレビジョン受像機などに使用される画
像表示装置あるいは光プリンターヘッドなどに利用され
る。
従来の技術
画像表示素子の一つとじて、現在液晶は広く使用されて
いる。液晶材料を用いた一般的な画像表示方法としては
、捩じれネマチック型(TN型)及びゲスト−ホスト型
(G−H型)が広く採用されているが、いずれもネマチ
ック液晶を利用しており、他の画像表示材料−CRT、
プラズマディスプレー、エレクトロルミネッセンスディ
スプレーなどと比べて応答速度がdいのが現実である。
いる。液晶材料を用いた一般的な画像表示方法としては
、捩じれネマチック型(TN型)及びゲスト−ホスト型
(G−H型)が広く採用されているが、いずれもネマチ
ック液晶を利用しており、他の画像表示材料−CRT、
プラズマディスプレー、エレクトロルミネッセンスディ
スプレーなどと比べて応答速度がdいのが現実である。
しかし、液晶による画像表示は受光型の表示であるから
、発光型ディスプレーと比べて眼の疲労が少なく、また
、消費電力も少ないなどの長所をもっている。近年、更
に高密度で大型のディスプレーへのニーズが高まってい
るから、薄型で軽罎のディスプレーを構成しうる液晶表
示素子の応答の高速化がま力ます求められている。こう
した高速の応答性を示す液晶材料として、ちかごろ強誘
電性液晶が開発され、その速い光スイッチング現象を利
用した画像表示装置が提案されている。強誘電性液晶は
、アール、ビー。メイヤー(R,B。
、発光型ディスプレーと比べて眼の疲労が少なく、また
、消費電力も少ないなどの長所をもっている。近年、更
に高密度で大型のディスプレーへのニーズが高まってい
るから、薄型で軽罎のディスプレーを構成しうる液晶表
示素子の応答の高速化がま力ます求められている。こう
した高速の応答性を示す液晶材料として、ちかごろ強誘
電性液晶が開発され、その速い光スイッチング現象を利
用した画像表示装置が提案されている。強誘電性液晶は
、アール、ビー。メイヤー(R,B。
にayer )らにより1975年にズルナル争ドーフ
ィジークエeレトル(J、 da Phys、 Let
t、 ) (7)36.69.1975に報告され、液
晶分類上、木 カイラルスメクチックC相(Sc相)あるいは力木 イラルスメクチックG相(Sc相)に属するといわれて
いる。また、エヌφニー争クラーク(N、A。
ィジークエeレトル(J、 da Phys、 Let
t、 ) (7)36.69.1975に報告され、液
晶分類上、木 カイラルスメクチックC相(Sc相)あるいは力木 イラルスメクチックG相(Sc相)に属するといわれて
いる。また、エヌφニー争クラーク(N、A。
C1ark)らはアプライド費フィジックス拳しターズ
(Appl、 Phys、 Lett、 ) 36 、
899 、1980において、この強誘電性液晶化合物
の一種であるP−デシルオキシベンジリデン−P′−ア
ミノ−?−メチルブチルシンナメート(DOBAMBC
と略記する。)を薄膜セルにいれ、マイクロセカンド・
オーダーの光スイツチング現象を観察している0強誘電
性液晶のこうした高速応答性を利用した液晶テレビジョ
ン、光プリンターヘッド、非線形光学素子などのオプト
エレクトロニクス材料への応用が既に検討され始めてい
る。しかし、DOBAMBCをはじめとする従来開発さ
れた強誘電性液晶化合物は、強誘電性を示すr、、&
If範囲が室温よりもかなり高く、実用的ではなかった
。
(Appl、 Phys、 Lett、 ) 36 、
899 、1980において、この強誘電性液晶化合物
の一種であるP−デシルオキシベンジリデン−P′−ア
ミノ−?−メチルブチルシンナメート(DOBAMBC
と略記する。)を薄膜セルにいれ、マイクロセカンド・
オーダーの光スイツチング現象を観察している0強誘電
性液晶のこうした高速応答性を利用した液晶テレビジョ
ン、光プリンターヘッド、非線形光学素子などのオプト
エレクトロニクス材料への応用が既に検討され始めてい
る。しかし、DOBAMBCをはじめとする従来開発さ
れた強誘電性液晶化合物は、強誘電性を示すr、、&
If範囲が室温よりもかなり高く、実用的ではなかった
。
最近、より室温に近い温度範囲で強誘電性を示す液晶性
化合物がジェー・ダブリュー・ グツドビイ (J、l
il、 Goodby)及びティー−エムしレズリー
(T、 M、 Leslie)の共著にかかるリキンド
ークリスタルズψアントψオーダード拳フルーイズ(L
iquid Crystals and 0rdere
d Fluids)第4巻〔下記の式(II )および
式(■)〕や、〕特開昭59−118744号公報下記
の式(■)〕などに報告されている。
化合物がジェー・ダブリュー・ グツドビイ (J、l
il、 Goodby)及びティー−エムしレズリー
(T、 M、 Leslie)の共著にかかるリキンド
ークリスタルズψアントψオーダード拳フルーイズ(L
iquid Crystals and 0rdere
d Fluids)第4巻〔下記の式(II )および
式(■)〕や、〕特開昭59−118744号公報下記
の式(■)〕などに報告されている。
本
CH(CH)CH(II)
本
CH(CH3)(CH2)5CH3(III)本
(CH) CH(CH)C,、H5(IV)1−記の
化合物(II )と(III)は、強:A電性液晶化合
物として知られているが、化合物(II )はSr相を
しめず温度範囲が狭く、化合物(町のRがC8H,□の
ものは、液晶相の温度範囲が非常本 に狭くてS。相も示さない、化合物(IV)は、木本 S、相を経由せずにS。相へ転移し、S:相は粘度の関
係から好ましいとはいえない。
化合物(II )と(III)は、強:A電性液晶化合
物として知られているが、化合物(II )はSr相を
しめず温度範囲が狭く、化合物(町のRがC8H,□の
ものは、液晶相の温度範囲が非常本 に狭くてS。相も示さない、化合物(IV)は、木本 S、相を経由せずにS。相へ転移し、S:相は粘度の関
係から好ましいとはいえない。
発明が解決しようとする聞題点
」−記の現状であるから、室温付近において、安定なS
ご相をもち、より広い温度範囲で強誘電性を示し、且つ
、高速応答性を示す液晶性化合物の出現が待望されてい
る0本発明は、この期待に応えようとしたものである。
ご相をもち、より広い温度範囲で強誘電性を示し、且つ
、高速応答性を示す液晶性化合物の出現が待望されてい
る0本発明は、この期待に応えようとしたものである。
問題点を解決するための手段
強誘電性液晶を11するための基本的条件は1分子が光
学活性体であること、分子長軸と垂直な双極子モーメン
トが存在すること、及びSご相、Sr相あるいは、S−
相(カイラルスメクチックI相)を取ることであると考
えられている。したがって光学活性基は、強誘電性液晶
にとって重要な役割を果たしている。また、強誘電性を
示す温度範囲は、液晶化合物の分子構造中のコア部分に
よる寄かが大きいといわれている。
学活性体であること、分子長軸と垂直な双極子モーメン
トが存在すること、及びSご相、Sr相あるいは、S−
相(カイラルスメクチックI相)を取ることであると考
えられている。したがって光学活性基は、強誘電性液晶
にとって重要な役割を果たしている。また、強誘電性を
示す温度範囲は、液晶化合物の分子構造中のコア部分に
よる寄かが大きいといわれている。
上記の条件を満足する多くの液晶化合物が研究開発され
ているが、アルコキシジフェニル誘導体零 において、ただ一つの分校を有するものは、Sc本 相が狭いか、または、全くSc相を示さないものが多い
、特に、炭素原子数が7以上で不斉炭素原本 子を有する光学活性基の導入によってS、相があられれ
ている例は少ない、一方、中−の液晶化合物であって、
ディスプレーとして必要な作動温度範囲にわたって強誘
電性を示すものはない、そのため、幾つかの化合物を配
合することによって作!!IJ温度範囲を広げる工夫が
されている。この点から見ると、多種類の強誘電性液晶
化合物が心安である。ところが現状においては、多くの
強誘電性液晶化合物が特に光学活性部分として2−メチ
ルブチル基のように、ただ−・つの分枝を持つ光学活性
基を用いているため、液晶化合物の種類の増加が妨げら
れる結果となっている0強誘電性液晶化合物は、光学活
性基を・9人すればかならず得られるわけではなく1例
えば、2−オクチル基、4−メチルブチル基等を導入し
てもS*相を経由せず限定された光学活性基を導入した
ときのみS*相が出現し1強誘電性液晶化合物として使
用することができる。
ているが、アルコキシジフェニル誘導体零 において、ただ一つの分校を有するものは、Sc本 相が狭いか、または、全くSc相を示さないものが多い
、特に、炭素原子数が7以上で不斉炭素原本 子を有する光学活性基の導入によってS、相があられれ
ている例は少ない、一方、中−の液晶化合物であって、
ディスプレーとして必要な作動温度範囲にわたって強誘
電性を示すものはない、そのため、幾つかの化合物を配
合することによって作!!IJ温度範囲を広げる工夫が
されている。この点から見ると、多種類の強誘電性液晶
化合物が心安である。ところが現状においては、多くの
強誘電性液晶化合物が特に光学活性部分として2−メチ
ルブチル基のように、ただ−・つの分枝を持つ光学活性
基を用いているため、液晶化合物の種類の増加が妨げら
れる結果となっている0強誘電性液晶化合物は、光学活
性基を・9人すればかならず得られるわけではなく1例
えば、2−オクチル基、4−メチルブチル基等を導入し
てもS*相を経由せず限定された光学活性基を導入した
ときのみS*相が出現し1強誘電性液晶化合物として使
用することができる。
そこで本発明者らは、光学活性基をも含めて強誘電性液
晶化合物の分子構造を検討し、室温付近で強誘電性を示
し、その作動温度範囲が広い液晶化合物について、光学
活性部分をも含めて多くの研究を続けてきた。その結果
として、炭素原子数が9以上の光学活性基であって、複
数の分校を持つ光学活性基を導入することにより、得ら
れた化合物の融点が低下し、安定なS*相をより広い温
度範囲で示すことを見いt、ニジ、本発明を完成するに
至ったのである。
晶化合物の分子構造を検討し、室温付近で強誘電性を示
し、その作動温度範囲が広い液晶化合物について、光学
活性部分をも含めて多くの研究を続けてきた。その結果
として、炭素原子数が9以上の光学活性基であって、複
数の分校を持つ光学活性基を導入することにより、得ら
れた化合物の融点が低下し、安定なS*相をより広い温
度範囲で示すことを見いt、ニジ、本発明を完成するに
至ったのである。
すなわち本発明は、室温付近において強誘電性を示し、
その作動温度範囲が広い−・般式(式中のRは炭素原f
数が6〜12のアルギル基を示し、R8は複数の分枝を
持っていて炭素原子数が9〜15の不斉炭素原子を有す
る光学活性基を示す) で表される化合物を提供するものである。
その作動温度範囲が広い−・般式(式中のRは炭素原f
数が6〜12のアルギル基を示し、R8は複数の分枝を
持っていて炭素原子数が9〜15の不斉炭素原子を有す
る光学活性基を示す) で表される化合物を提供するものである。
(光学活性基)
本発明において用いられる光学活性基は、複数の分枝を
持ち、炭素原子数が9〜15の不斉炭素原子を有する光
学活性基である。このような光学活性基を使用すると、
特に安定したsご相の出現がinされる。炭素原子数が
16以」二の光学活性* 基においても同様にS。相は出現するが、粘性の関係で
応答速度に#響を及ぼし、実用」―あまり好ましいもの
とは考えられない。
持ち、炭素原子数が9〜15の不斉炭素原子を有する光
学活性基である。このような光学活性基を使用すると、
特に安定したsご相の出現がinされる。炭素原子数が
16以」二の光学活性* 基においても同様にS。相は出現するが、粘性の関係で
応答速度に#響を及ぼし、実用」―あまり好ましいもの
とは考えられない。
本発すIにおいて通出な光学活性基を例示すると、次の
とおりである。
とおりである。
2.3−ジメチルヘプチル基、
2.4−ジメチルヘプチル基、
2.5−ジメチルヘプチル基、
?、6−ジメチルへブチル基。
3.4−ジメチルへブチル基、
3.5−ジメチルへブチル基、
3.6−ジメチルヘプチル基、
2.3−ジメチルオクチル基、
2.4−ジメチルオクチル基、
2.5−ジメチルオクチル基、
2.6−ジメチルオクチル基、
2.7−ジメチルオクチル基、
3.4−ジメチルオクチル基。
3.5−ジメチル/ニル基^、
3.6−ジメチルオクチル基。
3.7−ジメチルオクチル基、
3.6.6−ドリメチルオクチル基、
2.3−ジメチルノニル基、
2.4−ジメチルノニル基、
2.5−ジメチルノニル基、
2.6−ジメチル/ニル基。
2.7−ジメチル/ニル基、
2.8−ジメチルノニル基、
3.4−ジメチルノニル基、
3.5−ジメチルノニル基、
3.6−ジメチル/ニル基。
3.7−ジメチル/ニル基、
3.8−ジメチル/ニル基、
2.3−ジメチルデシル基、
2.4−ジメチルデシル基、
2.5−ジメチルデシル基。
2.6−ジメチルデシル基、
2.7−ジメチルデシル基。
2.8−ジメチルデシル基、
2.9−ジメチルデシル基。
3.4−ジメチルデシル基^、
3.5−ジメチルデシル基、
3.6−ジメチルデシル基、
3.7−ジメチルデシル基、
3.8−ジメチルデシル基、
3.9−ジメチルデシル基、
2.3.4−トリメチルヘキシル基、
2.3.5−)リメチルヘキシル基、
2.4.5−トリメチルヘキシル基、
3.4.5−)リメチルヘキシル基2
2 、6 、6− )リメチルヘキシル基、2.3.4
−)リメチルヘプチル基。
−)リメチルヘプチル基。
2.3.5−トリメチルへブチル基。
2.3.6−トリメチルヘプチル基。
2.4.5−トリメチルヘプチル基。
2.4.6−1リメチルヘプチル基。
3.7−ツメチルー7−メトキシオクチル基、3.7−
ジメチル−6−オクテニル2人。
ジメチル−6−オクテニル2人。
3.7.11−トリメチル−ドデシル、!!l!i等。
特に3.7−ツメチルオクチル基は、強誘′屯性を示す
温度範囲が広く、−nつ、その安定性が高いから、好ま
しいものである。
温度範囲が広く、−nつ、その安定性が高いから、好ま
しいものである。
使用できるアルコキシ基の中のアルキル基は、炭素原子
数が6〜12のアルキル基であり、)R素原子数が5以
下あるいは、13以上のアルキル基本 を導入するとS、相の温度範囲が狭くなるから好ましく
ない。
数が6〜12のアルキル基であり、)R素原子数が5以
下あるいは、13以上のアルキル基本 を導入するとS、相の温度範囲が狭くなるから好ましく
ない。
(液晶性化合物の併用)
液晶性化合物を混合して使用すると、一般にその性能を
引き上げることができる。それでS*相を有する液晶性
化合物であれば、本発明品以外のものでも本発1N11
品と混合して使用することができる。
引き上げることができる。それでS*相を有する液晶性
化合物であれば、本発明品以外のものでも本発1N11
品と混合して使用することができる。
(!1!造方法)
本発明に係る式CI)の化合物は、一般に以下のように
して製造することができる。
して製造することができる。
原料である4−アルコキシ−4′−ビフエニルカルボン
酸を、常法に従って塩素化し、4−アルコキシ−4′−
ビフェニルカルボン酸クロリドとする。この酸クロリド
をトルエンなどの溶剤にとかし、所要のジ(またはポリ
)アルキルアルカノールをピリジンの存在下に上記の酸
クロリド溶液に加え、加熱反応させ2反応終了後、洗浄
し、溶剤を留去して粗エステルを得る。
酸を、常法に従って塩素化し、4−アルコキシ−4′−
ビフェニルカルボン酸クロリドとする。この酸クロリド
をトルエンなどの溶剤にとかし、所要のジ(またはポリ
)アルキルアルカノールをピリジンの存在下に上記の酸
クロリド溶液に加え、加熱反応させ2反応終了後、洗浄
し、溶剤を留去して粗エステルを得る。
この粗エステルをシリカゲルカラムクロブトグラフィー
にかけて精製後、再結晶して製品を得る。
にかけて精製後、再結晶して製品を得る。
実 施 例
以下に実施例、比較例及び応用例を示して本発明を更に
具体的に説明する。
具体的に説明する。
実施例−1
4−オクチルオキシ−4′−ビフェニルカルボン酸13
.5gと塩化チオニル33m1を、還流下に4時間反応
させた後、a縮し、4−オクチルオキシ−4′−ビフェ
ニルカルボン酸クロリドを得た。この酸クロリドをトル
エン20m1に溶解させ、(S)−3,7−ツメチルオ
クタ7−ル19.7gとピリジン32.8gの混合液に
冷却しながら滴下した0滴下終了後、90〜95℃に加
温して反応を3時間行った。冷却後、トルエン100m
1を加え、希11!酸、重炭酸、ナトリウム水溶液、水
の順に洗節し、トルエンを減圧下に溜去して粗生成物を
得た。この粗生成物をクロロホルムを溶媒としてシリカ
ゲルのカラムクロマトグラフィーによって精製した後、
エタノールから再結晶を数回行い、目的物14.5gを
得た。構造の確認はNMR及び質量分析によって行った
。その結果は、次のとおりである。
.5gと塩化チオニル33m1を、還流下に4時間反応
させた後、a縮し、4−オクチルオキシ−4′−ビフェ
ニルカルボン酸クロリドを得た。この酸クロリドをトル
エン20m1に溶解させ、(S)−3,7−ツメチルオ
クタ7−ル19.7gとピリジン32.8gの混合液に
冷却しながら滴下した0滴下終了後、90〜95℃に加
温して反応を3時間行った。冷却後、トルエン100m
1を加え、希11!酸、重炭酸、ナトリウム水溶液、水
の順に洗節し、トルエンを減圧下に溜去して粗生成物を
得た。この粗生成物をクロロホルムを溶媒としてシリカ
ゲルのカラムクロマトグラフィーによって精製した後、
エタノールから再結晶を数回行い、目的物14.5gを
得た。構造の確認はNMR及び質量分析によって行った
。その結果は、次のとおりである。
質量分析値CM+)8466、
融点 44.1℃、
クロロホルム中での比旋光度[α]D
−3、21’″
水晶の核磁気共鳴(NIRと略記する。)スペクトルは
、第2図に示すとおりである。また、相転移温度の確認
は、示差走査熱漬J及び偏光顕微鏡を用いた観察により
行った。その結果を第1表に示す、第1表の相転移温度
の列において、カッコ()内の数値は、加熱時には転移
せずして冷却時にのみ相転移するモノトロピックの相転
移温度を示す。
、第2図に示すとおりである。また、相転移温度の確認
は、示差走査熱漬J及び偏光顕微鏡を用いた観察により
行った。その結果を第1表に示す、第1表の相転移温度
の列において、カッコ()内の数値は、加熱時には転移
せずして冷却時にのみ相転移するモノトロピックの相転
移温度を示す。
実施例−2ないし8
実施例−1と同様にして合成し、その結果を第1表に示
す。
す。
に施例−9
実施例−1と同様に4−才クチルオキシ−4′−ビフェ
ニルカルボン酸と(S)−3,7−ツメチルー7−メト
キシオクタノールから合成した。
ニルカルボン酸と(S)−3,7−ツメチルー7−メト
キシオクタノールから合成した。
一点は43.8℃、
(M+)は496゜
[α1口は−1.89°であった9本品のNMRスペク
トルを第3図に示す。
トルを第3図に示す。
実施例−10ないし12
実施例−1と同様にして合成し2その結果を実施例−9
と共に第1表に示す。
と共に第1表に示す。
比較例1ないし3
本発明の液晶性化合物と類似の化学構造を持ち、分枝が
一つの不斉炭素原子を持った光学活性基を有する化合物
との比較なおこなった。その伐木 本 表的なものに付き、融点、SG、Sc、SA (スメク
チックA相)およびI (等方性液体相)をしらべ、そ
の結果を第2表に示す。
一つの不斉炭素原子を持った光学活性基を有する化合物
との比較なおこなった。その伐木 本 表的なものに付き、融点、SG、Sc、SA (スメク
チックA相)およびI (等方性液体相)をしらべ、そ
の結果を第2表に示す。
次に、Sawye r−Towe r法で測定した実施
例−1の (液晶性化合物の自発分極を第1図に示す
、比較例−1の化合物と比べてみると、本発明の液晶性
化 化合物は、明らかに自発分極を示す温度範囲が広
′く、且つ、自発分極の温度変化が少ないため、自
4発分極自体は小さいが、広い温度範囲で使用で3
Jる液晶性化合物であることがわかる。
例−1の (液晶性化合物の自発分極を第1図に示す
、比較例−1の化合物と比べてみると、本発明の液晶性
化 化合物は、明らかに自発分極を示す温度範囲が広
′く、且つ、自発分極の温度変化が少ないため、自
4発分極自体は小さいが、広い温度範囲で使用で3
Jる液晶性化合物であることがわかる。
比較例−2の化合物は、液晶性を示すけれどもS*相な
ど強誘電性を示す液晶相を持たず、強請 1電性液晶
としては使用できない、また比較例−3本本 の化合物は、So相を経由せずにS。相へ転換すること
が知られており、粘度が高く、応答速度にも影響を及ぼ
すので実用上好ましいものとは考えられない。
ど強誘電性を示す液晶相を持たず、強請 1電性液晶
としては使用できない、また比較例−3本本 の化合物は、So相を経由せずにS。相へ転換すること
が知られており、粘度が高く、応答速度にも影響を及ぼ
すので実用上好ましいものとは考えられない。
応用例1〜2
より広い温度範囲で強誘電性を示す液晶組成物を得る1
」的で、各種の液晶性化合物を混合し、その性能を調べ
、また、実施例によって得た液晶性化合物を用いて、液
晶表示未了としての応答特性C評価した。
」的で、各種の液晶性化合物を混合し、その性能を調べ
、また、実施例によって得た液晶性化合物を用いて、液
晶表示未了としての応答特性C評価した。
液晶セルとしては、ガラス板−Lに透明電極を設置、更
に高分子膜をコーティングし、一定力向にラビングした
後、2枚の基板のラビング方向が平テになるようにして
、スベーザーを用いて一定のfさに組み立てたものを用
いた。セル間隔はSgmであった。このセルに前述の液
晶材料を注(し、偏光顕微鏡下で矩形波の交流を印加し
て、!気光学効果を観察したところ、明確なコントラく
トに加え、高速応答性が確、遥され、液晶表示素r′と
して使用可能であることがわかった。その代(例を第3
表に示す。
に高分子膜をコーティングし、一定力向にラビングした
後、2枚の基板のラビング方向が平テになるようにして
、スベーザーを用いて一定のfさに組み立てたものを用
いた。セル間隔はSgmであった。このセルに前述の液
晶材料を注(し、偏光顕微鏡下で矩形波の交流を印加し
て、!気光学効果を観察したところ、明確なコントラく
トに加え、高速応答性が確、遥され、液晶表示素r′と
して使用可能であることがわかった。その代(例を第3
表に示す。
発明の効果
本発明の液晶性化合物は、画像表示における高速応答性
を示し、■つ、広範囲とくに室温付近の低作動温度域で
強1誘電性を示すので、介接の高密度で大型のディスプ
レー用素材としての需妾に応えることのできるものであ
る。
を示し、■つ、広範囲とくに室温付近の低作動温度域で
強1誘電性を示すので、介接の高密度で大型のディスプ
レー用素材としての需妾に応えることのできるものであ
る。
第1図は実施例−1の液晶性化合物の1−1発分極曲線
図、第2図は実施例−1の液晶性化合物の核磁気共鳴ス
ペクトル図、第3図は実施例−9の液晶性化合物の核磁
気共鳴スベグトル図である。
図、第2図は実施例−1の液晶性化合物の核磁気共鳴ス
ペクトル図、第3図は実施例−9の液晶性化合物の核磁
気共鳴スベグトル図である。
Claims (1)
- (1)一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼( I ) (式中のRは炭素原子数が6〜12のアルキル基を示し
、R^*は複数の分枝を持っていて炭素原子数が9〜1
5の不斉炭素原子を有する光学活性基を示す) で表される化合物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61076789A JPH0723343B2 (ja) | 1986-04-04 | 1986-04-04 | 液晶性化合物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61076789A JPH0723343B2 (ja) | 1986-04-04 | 1986-04-04 | 液晶性化合物 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62238244A true JPS62238244A (ja) | 1987-10-19 |
JPH0723343B2 JPH0723343B2 (ja) | 1995-03-15 |
Family
ID=13615385
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61076789A Expired - Lifetime JPH0723343B2 (ja) | 1986-04-04 | 1986-04-04 | 液晶性化合物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0723343B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01261493A (ja) * | 1988-04-12 | 1989-10-18 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 液晶組成物 |
-
1986
- 1986-04-04 JP JP61076789A patent/JPH0723343B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01261493A (ja) * | 1988-04-12 | 1989-10-18 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 液晶組成物 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0723343B2 (ja) | 1995-03-15 |
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