JPS62232843A - 線源線状電子ビ−ム発生系 - Google Patents
線源線状電子ビ−ム発生系Info
- Publication number
- JPS62232843A JPS62232843A JP7581486A JP7581486A JPS62232843A JP S62232843 A JPS62232843 A JP S62232843A JP 7581486 A JP7581486 A JP 7581486A JP 7581486 A JP7581486 A JP 7581486A JP S62232843 A JPS62232843 A JP S62232843A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lens
- electron
- deflector
- source
- irradiated object
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 title claims abstract description 23
- 238000007654 immersion Methods 0.000 abstract description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 3
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 3
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
この発明は、線源線状電子ビーム発生系に関するもので
ある。
ある。
（従来の技術）
従来電子ビーム発生系は、１電子・イオンビームハンド
ブック、日本学術振興会第１３２姿員会編、日刊工業＃
ｒ聞社１第２章電子統及び第４章レンズの項に書かれて
いるように、熱隘極及び強電界電子放出陰極により発生
した電子ビームをグリッド及び陽極によって形成される
イマージ曹ン対物レンズによって収束され（クロスオー
バ）、ソれ以後の電子ビームを１段あるいはそれ以上の
レンズによって、ビーム照射面上に収束してきた。
ブック、日本学術振興会第１３２姿員会編、日刊工業＃
ｒ聞社１第２章電子統及び第４章レンズの項に書かれて
いるように、熱隘極及び強電界電子放出陰極により発生
した電子ビームをグリッド及び陽極によって形成される
イマージ曹ン対物レンズによって収束され（クロスオー
バ）、ソれ以後の電子ビームを１段あるいはそれ以上の
レンズによって、ビーム照射面上に収束してきた。
特に線源線状電子ビームの場合は、第３図に示すように
、熱ｐｊ！極である長方形カソード１から電子ビームを
発生し、クロスオーバにて線状ソース２を形成し、投影
レンズ１０によってビーム照射面上あるいはウェハ６上
に？ＩＭ状ソース２を投影し、デフレクタ９により線状
電子ビームを走査する。
、熱ｐｊ！極である長方形カソード１から電子ビームを
発生し、クロスオーバにて線状ソース２を形成し、投影
レンズ１０によってビーム照射面上あるいはウェハ６上
に？ＩＭ状ソース２を投影し、デフレクタ９により線状
電子ビームを走査する。
（発明が屏決しようとする問題点）
通常、Ｗ！Ｌｍ Ａ以上のビームを流ではビーム収束に
磁界型電子レン埴投影レンズ１０）を使用するが、電子
ビームの場合レンズ内の磁界によって光軸上以外のビー
ムは磁界内で角速度を得て回転する。
磁界型電子レン埴投影レンズ１０）を使用するが、電子
ビームの場合レンズ内の磁界によって光軸上以外のビー
ムは磁界内で角速度を得て回転する。
回転角は磁界強度により変わるため、線状ビームなどの
非対称ビームに対しである一定方向にデフレクタ９によ
り偏向したり、被照射物あるいはウェハ６に対してビー
ムをある一定方向に走査したりする場合、デフレクタ９
をビーム回転に合せて回したり、被照射物あるいはウエ
ノＳ６を回さなくてはならず、デフレクタ９及び被照射
物あるいはウェハ６の方向合せに多くの時間を必要とし
、操作性向上の大きな阻害要因のひとつとなっている。
非対称ビームに対しである一定方向にデフレクタ９によ
り偏向したり、被照射物あるいはウェハ６に対してビー
ムをある一定方向に走査したりする場合、デフレクタ９
をビーム回転に合せて回したり、被照射物あるいはウエ
ノＳ６を回さなくてはならず、デフレクタ９及び被照射
物あるいはウェハ６の方向合せに多くの時間を必要とし
、操作性向上の大きな阻害要因のひとつとなっている。
本発明の目的はこの問題点を解決したビーム回転無き線
源線状電子ビーム発生糸を提供することにある。
源線状電子ビーム発生糸を提供することにある。
（問題点を解決するための手段）
本発明のｆｆＭ源線状電子ビーム発生糸は、線状電子ビ
ームを収束させる磁界型電子レンズ（投影レンズ）を２
段設け、それぞれに流れる電流方向を逆にし、該磁界型
電子レンズの段の間に設けたデフレクタから構成される
。また、２段のレンズはコイル巻数、形状が実質的に同
一であることが重要である。
ームを収束させる磁界型電子レンズ（投影レンズ）を２
段設け、それぞれに流れる電流方向を逆にし、該磁界型
電子レンズの段の間に設けたデフレクタから構成される
。また、２段のレンズはコイル巻数、形状が実質的に同
一であることが重要である。
（作用）
一般に、電子は電界及び磁界によって運動方向を変える
。電子の円柱座標系による各成分の運動方程式は次の通
シである。
。電子の円柱座標系による各成分の運動方程式は次の通
シである。
ここで用いた記号は次の通りである。
Ｃ；電子の電気量
ｍ；電子の質量
２ ；円柱座標糸の軸方向位置
ｒ ；円柱座標系の半径方向位置
Ｕ ；円柱座標系の回転角
Ｅｚ；軸方向の電界の強嘔
Ｅｒ；半径方向の電界の強さ
８０１回転方向の電界の強ち
Ｂｚ；軸方向の磁束密度
Ｂｒ；半径方向の磁束密度
Ｂσ一回転方向の磁束密度
磁界型電子レンズを用いる場合、空間を等電位に保つの
が普通でめるから、θ方向に関しては式式（４）を積分
し、近軸の電子とすると、近似的にとなる。そこで回転
角は式（５）を積分しとなる。
が普通でめるから、θ方向に関しては式式（４）を積分
し、近軸の電子とすると、近似的にとなる。そこで回転
角は式（５）を積分しとなる。
すなわち、電子ビームの回転角は近軸に関して磁界Ｂ２
によって決まる。よって電子がＢｚの磁界中を遡った後
、同時間−Ｂｚの磁界中を辿れば電子の回転角は結局０
となる。また、コイルの内径を大きくすることで、多少
大きなビームも近似的に；丘ｔＩＬＩＩ７１− 人 Ｌ
目 ち−トｒ Ｌ ４？−＋１也 ７（実施例） 第１図は本発明の一実施例の溝成図である。長方形カソ
ード１により、発射された非対称電子ビームは長方形孔
付グリッド、アノード（図示せず）による異方性イマー
ジョンレンズで線状ンース２を形成し、第一レンズ３及
び第二レンズ４により、たとえばウェハー６上の被照射
物上に線状イメージ７を投影する。このとき第一レンズ
３．第二レンズ４は同形状とし、コイルは直列につなぎ
逆向き電流とする。さらにデフレクタ５１ｔ用いること
により、被照射物上に線状イメージを走査させビーム走
査跡８を得ることができる。ここでデフレクタ５を被照
射物からよシ遠くに離し同一偏向角で走査範囲を大きく
するよう第一レンズ３と第二レンズ４の間に入れる。偏
向により第二レンズ４に入射する電子ビームは中心軸か
らすれて収走が生じるが、この程度は使用上問題がない
。第１図のデフレクタ５は静電偏向型であり、本発明の
もうひとつの実施例である８ｇ２図でのデフレクタ９は
電磁偏向型でおる。
によって決まる。よって電子がＢｚの磁界中を遡った後
、同時間−Ｂｚの磁界中を辿れば電子の回転角は結局０
となる。また、コイルの内径を大きくすることで、多少
大きなビームも近似的に；丘ｔＩＬＩＩ７１− 人 Ｌ
目 ち−トｒ Ｌ ４？−＋１也 ７（実施例） 第１図は本発明の一実施例の溝成図である。長方形カソ
ード１により、発射された非対称電子ビームは長方形孔
付グリッド、アノード（図示せず）による異方性イマー
ジョンレンズで線状ンース２を形成し、第一レンズ３及
び第二レンズ４により、たとえばウェハー６上の被照射
物上に線状イメージ７を投影する。このとき第一レンズ
３．第二レンズ４は同形状とし、コイルは直列につなぎ
逆向き電流とする。さらにデフレクタ５１ｔ用いること
により、被照射物上に線状イメージを走査させビーム走
査跡８を得ることができる。ここでデフレクタ５を被照
射物からよシ遠くに離し同一偏向角で走査範囲を大きく
するよう第一レンズ３と第二レンズ４の間に入れる。偏
向により第二レンズ４に入射する電子ビームは中心軸か
らすれて収走が生じるが、この程度は使用上問題がない
。第１図のデフレクタ５は静電偏向型であり、本発明の
もうひとつの実施例である８ｇ２図でのデフレクタ９は
電磁偏向型でおる。
（発明の効果）
以上述べたように１本発明によれば、線源線状ビームは
磁界型電子レンズによる回転がないため、偏量方向の修
正及いは被照射物の方向の修正の必要がなくなり、装置
の操作性向上を図ることができる。
磁界型電子レンズによる回転がないため、偏量方向の修
正及いは被照射物の方向の修正の必要がなくなり、装置
の操作性向上を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明による一実施例の構成図、第２図は本発
明による別の実施例の構成図、第３図は従来技術による
線源編状電子ビーム発生系の構成図である。 ｌは長方形カンード、２Ｊ’１線状ソース、３は第一レ
ンズ、４は第二レンＸ、ＳＵデフレクタ、６はウェハ、
７は線状イメージ、８はビーム走査跡、第ｌ 図 第 ２ 図
明による別の実施例の構成図、第３図は従来技術による
線源編状電子ビーム発生系の構成図である。 ｌは長方形カンード、２Ｊ’１線状ソース、３は第一レ
ンズ、４は第二レンＸ、ＳＵデフレクタ、６はウェハ、
７は線状イメージ、８はビーム走査跡、第ｌ 図 第 ２ 図
Claims (1)
- 線状ソースを形成する手段と、前記線状ソースを被照射
面上に線状イメージとして収束させる磁界型電子レンズ
と、前記線状イメージを前記被照射面上で走査させるデ
フレクタとを具備する線源線状電子ビーム発生系におい
て、前記磁界型電子レンズを２段設け、各段のコイル巻
数、形状を互いに実質的に同一とし、各段に流れる電流
方向を逆にし、該磁界型電子レンズの段の間に前記デフ
レクタを設けたことを特徴とする線源線状電子ビーム発
生系。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7581486A JPS62232843A (ja) | 1986-04-01 | 1986-04-01 | 線源線状電子ビ−ム発生系 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7581486A JPS62232843A (ja) | 1986-04-01 | 1986-04-01 | 線源線状電子ビ−ム発生系 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62232843A true JPS62232843A (ja) | 1987-10-13 |
Family
ID=13587023
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7581486A Pending JPS62232843A (ja) | 1986-04-01 | 1986-04-01 | 線源線状電子ビ−ム発生系 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62232843A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0367496A2 (en) * | 1988-10-31 | 1990-05-09 | Fujitsu Limited | Charged particle beam lithography system and a method thereof |
| US5173582A (en) * | 1988-10-31 | 1992-12-22 | Fujitsu Limited | Charged particle beam lithography system and method |
-
1986
- 1986-04-01 JP JP7581486A patent/JPS62232843A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0367496A2 (en) * | 1988-10-31 | 1990-05-09 | Fujitsu Limited | Charged particle beam lithography system and a method thereof |
| US5173582A (en) * | 1988-10-31 | 1992-12-22 | Fujitsu Limited | Charged particle beam lithography system and method |
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