JPS62228169A - 測定装置及び管接続並びにそれらの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、例えば流体（気体、液体）の熱伝導度、粘度
、密度、誘電率、屈折率などの測定のために、検査され
る流体が少なくともひとつの測定装置を有する測定管路
と該流体１こ対する少なくともひとつの供給及び排出口
とを通って導かれる測定装置、殊に貫流式測定装置並び
に検査される流体が測定センサを有する測定管路を通っ
て案内される、ないしは測定管路へ供給される流体の熱
伝導度、粘度、密度、誘電率などの測定装置、殊に貫流
式測定装置の製造方法に関する。

本発明の目的は、このような測定装置を微少な物質量に
対してできる限り高感度に製作し、また大量生産のため
に小型化することにある。

冒頭に述べた様式の本発明に基づく測定装置は、測定管
路が基体つまり担体と該基体から離れて延びる範囲つま
り例えば蒸着、スピニング、スパッタリング、ドリッピ
ング（Ａｕｆｔｒｏｐｆｅｎ　）、ＣＶＤまたはＰＥＣ
ＶＤ法の化学反応析出などにより塗布された例えばプラ
スチック、ガラス、セラミックＳｉ、Ｎ４．５ｉｎ２．
５１０１コレラノ材料の組合せなどから成る層９壁片と
の間に形成されること、また層形状の測定装置が例えば
蒸着、スピニング、スパッタリング、ドリッピング（Ａ
ｕｆｔｒｏｐｆｅｎ　）、化学反応析出つまりＣＶＩ）
またはＰＥＣＶＤ法などにより基体上及び／または層上
に配設され、ないしは基体内及び／または層内に形成さ
れることを特徴とする。

冒頭に述べた様式の本発明に基づく方法は、基体上に測
定管路の内部空間に応じた溶解性物質、例えばフォトラ
ッカー、プラスチックなどから成る被膜が形成されるこ
と、この溶解性被膜上に基体にまで達する該被膜をおお
う層が例エバ蒸着、スピニング、ドリッピング、スパッ
タリング、化学反応つまりＣｖＤまたはＰＥＣｌ／Ｄ法
析出などにより塗布され、溶解性被膜のない箇所では核
層が基体と結合し、つまり基体に固着し、自身と基体と
の間で測定管路を限定すること、さらに溶解性被膜が層
及び基体を好都合に溶解つまり冒さない物質と共に測定
管路へ開いている供給口及び／または排出口を通って溶
出することを特徴とする。

本発明に基づく測定装置並びに本発明に基づく方法の好
ましい実施態様は、従請求の範囲、説明、図面から明ら
かにされる。

さらに、細い管への接続部を構成し、これらの管から流
体を装置、例えば本発明に基づく測定装置内へ、あるい
は装置、例えば本発明に基づく測定装置力１ら流体を管
内へ導き得るようにすることが本発明の目的である。特
に上述の様式の測定装置への接続のための管接続ないし
管口は、本発明にしたがって、基体と結合、例えば貼着
された少なくともひとつの管の上に、管口を塞がずに、
少なくともひとつの層が例えばドリッピング、蒸着、ス
パッタリング、スピニング、化学反応析出、ＣＶＤまた
はＰＥＣＶＤ法蒸着などにより塗布され、該層は管及び
基体と密封的に結合されて、自身と基体との間に管容積
を継続する少なくともひとつの自由空間を形成ないし限
定することを特徴とする〇 このような管接続部を製作する方法は、本発明にしたが
って、基体上並びに基体に固定、例えば接着された少な
くともひとつの管上に、溶解性物質、例えばフォトラッ
カー、プラスチックなどが管容積を継続する被膜の形で
塗布されること、この溶解性被膜上に該被膜をおおい、
管及び基体にまで到達し、管及び基体に密接し、あるい
はそれらと密に結合する層が例えば蒸着、ドリッピング
、スパッタリング、スピニング、化学反応つまりＣＶＤ
またはＰＥＣＶＤ法析出などにより塗布されること、さ
らにその後に溶解性物質が管の開口及び／または層によ
り限定された継続する管容積ないし自由空間の開口を通
って、好都合に基体及び／または層を冒さない、ないし
はそれに触れない物質と共に溶出することを特徴とする
。

管接続またはその製作方法の好ましい実施態様は、従請
求の範囲、説明、図面から明らかになる。

測定信号の評価は、層上または層内に、または基体上ま
たは基体内に形成されたセンサ層と結合されている当該
の電子装置において行われる。これらの装置は、熱層の
加熱または音響表面波の発生並びに形成された層に対し
て測定に必要とされるその他の作用をも及ぼす。

以下に説明される他の種類の測定装置、例えばクロマト
グラフ装置、ｐＨ測定器、圧力測定器なども、本発明に
基づくやり方で製造できることは自明である。

溶解性物質ないしはその溶剤として使用される物質の選
択は、大巾に専門家に委ねることができる。

以下に、本発明は図面に基づいて詳しく説明される。

第１図は、粘度及びまたは熱伝導度の測定のための測定
装置を示している。

第１ａ図及び第１Ｃ図は、第１図の変更態様を示してい
る。

第１ｂ図は、温度推移の概略図である。

第２図は、粘度及び／または誘電率の測定のための測定
装置を、第２ａ図はその実施態様を示している。

第２ａ図は、第２図による測定装置に対する線図である
。

第３図は、密度測定用の測定装置を示している。

第３ａ図は、第３図の断面図であるう 第４図は、２つの管を結合するための配置を示している
。

第５図は、供給口及び排出口が接合された管により構成
されている測定装置を示している。

第６図は、基体上の管の配置を示している。

第７図は、管の延長におけるノズルの構成を示している
。

第８図及び第９図は、基体上にある個別の管を結合する
種々の方法を示している。

第１図は、特に流体の熱伝導度及び粘度の測定のために
用いられる測定装置を示している。

基体１上には、層２が基体１と層２との間に流体に対す
る少なくともひとつの供給口４及び排出口５とを有する
測定管路が形成されるように配設される。層２は、先ず
基体１上に後の測定管路３の形態を有する溶解性物質を
配設し、次いでこの溶解性物質上にそれをおおって基体
１まで達する層２を配設することによって基体上に配設
されるが、この層はこれらの箇所つまり周辺範−囲（２
′）において基体１と結合する、つまり基体に緊密に固
着する。その後、測定管路３を調製する溶解性物質が供
給口及び／または排出口４．５を通って溶出し、層２と
基体１によ゛り限定される測定管路３が残留する。測定
管路３に、所要の測定またはセンサ装置及び／または流
体に作用する装置を具備させるために、基体１上及び／
または基体１内にもまた層２上及び／または層２内にも
、一定の使用目的に供し得る適当な供与（Ｇｅｂｅｒ　
）ないしセンサ層が配設つまり形成できる。その場合に
、基体１上または基体１内の層と基体１上の被覆層８は
、溶解性物質の配設前に配設されるのが有利である。

しかし、溶解性物質の排出後に測定管路３の内面を被覆
層８″（第１ｃ図）の配設により不動態化すること、あ
るいは測定管路をエツチングにより拡大すること、ある
いは供与及び／またはセンサ層に後から作用を加えてそ
れらの特性を変えることも可能である。

第１図では、基体１の凹所の配設された熱層が６で、ま
た層２上に配設された、あるいは基体１内に注入、ドー
ピングなどにより形成された熱層が６′で表わされてい
るが、この熱層は尚該の接点を介して、図示されてはい
ない電流供給装置に接続することができる。基体１上に
、または基体１内に配設された温度センサ層が７で、ま
た層２上に配設された温度センサ層が７′で表わされて
いる。これらの温度センサ層７゜７′は、例えば温度と
共にそれらの抵抗値の変化する層、半導体層、イオンで
ドーピングされた基体１またはＭ２の層、配設された金
属層などの層とすることができる。第１Ｃ図が示すよう
に、層６′、７’も層２内に形成でき、場合によっては
被覆層８“によりおおうことができる。これは、例えば
層２または基体１が非晶質のＳｉ層から成る時に特に可
能であるが、この層には、Ｓｉ層がドーピングされ、イ
オンが注入され、あるいは化学反応析出またはＣｖＤな
いしＰＥＣＶＤ法析出が行われることにより、センサと
して、あるいは流体に作用する供与装置としての機能が
与えられる。この場合には、層２または基体１自身が、
測定装置あるいは流体作用装置のための部分ないし基盤
である。

層６及び７は、第１図が示すように、基体ｌ内の例えば
エツチングされた凹所に配役でき、あるいは第１ａ図が
示すように、基体上に凸状に配役できる。最終的に、基
体１上にある層６及び７は（溶解性物質の配設前に）被
覆層８でおおうことができるため、被検流体が層６，７
に作用を及ぼすことはない。測定装置に所要の安定性を
与えるために、層２及びこの層上に配設された熱層及び
測定層６′　、　７’の上にも、相当に厚い補強層９を
配設することがでキル。

本実施態様並びに他の図示されたすゝての実施態様にお
いて、個々の層２　、８　、９　、８’などの配設は、
ドリッピング、塗布、スパッタリング、スピニング、蒸
着などにより行われる。その上に層２が形成される溶解
性物質に対する溶剤としては、それらが基体１及び層２
に不利な影響を与えない限り、任意の溶剤が使用できる
。

同様に考慮すべきは、基体に配設された層、半導体層、
センサ層、被覆層８が望ましくないやり方で影響されな
いようにすることである。但し、一定の溶剤の使用によ
り、後加工あるいは層特性の変化を得ることができる。

層２の厚さは１〜５０μｍが有利であり、測定管路の高
さは５０μｍ以下が有利であるが、最小値についてはほ
とんど制限がない。測定管路の巾は例えば１μｍ〜５０
０μｍ１また長さは例えば１０，２０、あるいは３０順
とすることができる。しかし、これらの数値は必要に応
じて変更することができる。但し、測定管路の高さはそ
の巾に対して小さいことが望ましく、巾は高さの倍数と
される。それにより、被検流体は設置された測定または
作用装置と最適に接触することができる。センサまたは
作用装置の厚さは、０．２〜４０μｍとすることができ
る。

粘度測定の際の測定プロセスは、一定の流体量の加熱後
または熱層６，６′による一定の時間における熱供給後
に、個々の測定層７及び／または７′における加熱され
た流体の貫流が測定され、流体の通過運動の速度から速
度に比例する粘度が計算されるという様式で進行する。

粘度測定に対する測定結果の評価のために、流入口にお
ける圧力と排出口における圧力が判っていなければなら
ないが、そのために特に流入口及び／または排出口の範
囲に圧力を感受する層τ′を設けることができる。塔（
］定管路３に基準測定管路が配設され、両測定管路が大
気へ導かれるようにすることが望ましい。したがって、
唯ひとつの測定管路における測定のように入口圧力と出
口圧力とを測定するのではなく、各測定管路のその都度
の入口及び出口圧力間に等しい圧力差のみを調整するこ
とにより、測定管路及び基準測定管路の測定結果から粘
度を算出すルコとができる。安定した入口圧力及びまた
は出口圧力は、例えば流体に対するタンクにより調整す
ることができる。

熱伝導率は、流体に対して時間的な推移を持つ一定の熱
量を与え、個々の温度センサ層７における種々の時点で
の温度最大値の発生を測定し、推移から、つまり温度最
大値の減少から熱伝導率を逆算定することにより測定で
きる。この測定は特に静止している流体において実施さ
れるのであり、原理的には第１ｂ図に示されている。

第１図について行われた説明全体は、原理的に他のすべ
ての実施態様にあてはまるものであり、また詳述された
特徴は、その他の特徴と組合わせることかできる。

第２図は粘度及び／または誘電率を測定するための測定
装置を示しているが、これは原理上からは第１図に示さ
れた測定装置に類似した構造となっている。

基体１上並びに測定管路３を限定する層２上に、それぞ
れ導体層１０　、１０’が配設されるが、これらはコン
デンサ板を構成し、さらに轟該の配線を介して容量測定
のための電子装置（図示されていない）に接続されてい
る。測定管路３を通って流体が流れるならば、第２ａ図
に示されているように、１０の時点で流体の先端部が層
１０　、１０’により構成されるコンデンサに進入し始
める。流体がさらに流入するならば、先端部がコンデン
サに絶えず接触して、その容量を変化、つまり増大させ
る。ｔｌの時点でコンデンサは流体で充てんされて、そ
の容量は最大値に到達する。コンデンサ層１０と１０′
の間の測定管路３内に予め空気または真空があるならば
、容量の変化、殊に増大から流体の貫流速度が逆算定で
き、また速度は粘度に比例するため、粘度が算定できる
のである。

測定精度にとって有利なのは、測定管路３の厚さが、測
定管路３とコンデンサ面、例えば１゜との間に設けられ
た層の厚さに合致することである。それゆえ、第２図に
おいては１被覆層８がより大きな厚さを以て再度点線で
示されて符号８′で表わされており、測定管路３の厚さ
に合致する厚さを保有している。

誘電率は、流体を充てんされたコンデンサの容量から、
充てんされていないコンデンサとの比較により、あるい
は基準流体を供給される同一構造の基準測定管路との比
較により算定できる。

第２ｂ図には第２図の実施態様が示されていルカ、それ
においては、基体１がドーピングされていない層つまり
基層１′とドーピングされた層１”とに分けられている
。ドーピングされていない層としては、例えばＳｌまた
はｐ−ｓｉ層１′が準備されるが、その上には例えばり
んをドーピングされたｎ　−３１層１”が配設されてい
るため、障壁容量が形成される。

次いで、容量及び粘度または誘電率を決定するために、
コンデンサ層１０　、１０’に対して当該の電圧Ｕ′が
印加ないし走査される。しかし、測定値制御のために、
コンデンサ層１０とドーピングされていない基層１′と
の間に電位差Ｕを発生させること、適合した電圧°を印
加すること、層１′と下位のコンデンサ層１０との間の
容量を変えることも可能である。そのために、適合した
配線並びに電子装置を設けるべきである。

第３図及び第３ａ図は、流体の密度を決定するための装
置の平面図及び断面図を示している。

圧電基体１の凹所内及び／または表面に、指状にかみ合
っている供与層１１　（Ｇｅｂｅｒｓｃｈｉｃｂｔ　）
と受容層１２　（Ｅｌ！Ｉｐｆｕｎｇｅｒｓｃｈｉｏｈ
ｔ）が配設されている。低電圧範囲において例えば２０
〜５０ｋＨの周波数を発生する高周波発電機１３の出力
側にそれぞれ接続されている供与層１１により、基体１
において音響表面波が銹導される。該供与層１１から上
位（ｓｔｒｏｍａｕｆ　）及び／または下位（８ｔｒｏ
ｍａｂ　）に配設でき、また検知器または評価装置１４
へ接続されている受容層１２により、共振波の受容及び
評価を行うことがでキル・種々の流体を測定管路３へ流
入させるならば、受容された表面波の形態及び減衰が、
測定管３内の密度に応じて変化する。

第４図は、例えば接着剤Ｎ３１５により基体１上に固定
された２つの管１７を示している。両管は、基体１から
離れて延びて管１７にもまた基体１にも密封的に接する
層２と結合している。

層２から管１７への移行部、つまり屈曲部や露出した湾
曲部などは補強層１６により強化することができるが、
これらの層は層２と同じあるいは異なる材料から形成さ
れている。基体１に既に固定された管１７つまりそれら
の端部並びに基体１上に、両方の管端の間の自由空間の
推移に照応し、その塗布範囲が例えばマスキングにより
制限される溶解性物質が塗布されることによって、この
ような構造が製作される。次いで、この溶解性物質上に
層２用の材料が配設され、溶解性物質は周縁が基体ｌに
まで達して基体１と密接に結合するように被覆する。層
の硬化後に、溶解性物質は管１７を通って溶出する。

それにより、密封的で、製作し易く、最小の管サイズま
たは寸法に適した結合方法が得られるのである。

第５図に示すように、このような構造は測定装置の測定
管路３の流入口及び排出口４．５の形成にも適用できる
が、この場合には、測定回路３へ組み込まれた管１７は
基体１における穴を回避できる。一方の管から供給され
た流体は管１７の開口４．５を通って測定管路３へ導か
れ、あるいは他の管を通って測定管路から排出される。

センサ面７を備えた基体ｌの構造及び測定装置の構造は
、第１図〜第３図におけると同様に行うことができる。

層２は、外部に向かって、補強層つまり被覆層１６′に
よりおおうことができるが、この層も層２と同様に配役
でき、また同一あるいは異なる材料（例えば接着剤）か
ら形成できる。管１７の端部は、任意の角度で傾斜させ
ることも可能である。

第６図に示すように、管１７つまりそれらの端部は全面
的に、あるいは少なくともそれらの外部に向いた側にお
いて層２により囲まれて、基体１と密封的且つ強固に結
合することができる。付加的に、基本にまで到達し、そ
こで付着する層１６は、管１７が既に接着剤層１５によ
り基体１と固く結合されているとはいえ、管１７と基体
１との間の結合を向上させることができる。

第６図に示すように、管１７は基体１の凹所１９に配置
できる。管１７の横断面形状は任意であり、円形、長方
形、正方形などとすることができる。それに応じて、基
体１における凹所が加工ないしエツチングされる。

管１７を基体１に結合しく第７図）、特別な管延長を設
けるには、管１７を例えば接着剤により基体１に固定し
た後、管延長、つまり管容積を延長する自由空間１８の
望ましい形状、例えばノズル形状を有する溶解性物質に
より管口の範囲において包囲せねばならない。その後、
溶解性物質上へ自由空間の形状を与える層２を配設し、
その硬化後に溶解性物質は管及び／または溶解性物質の
被覆されずに残った部分を通って溶出するため、例えば
管１７のノズル状の延長部１８としての層が残留する。

この種の管延長部は、管１７を通って物質を例えば組織
内へ注入ないし供給したい時に必要とされる。第７図に
おけると同様に、第４図においても、管１７のノズル状
の延長部を有し、また補強層１６によっても強化できる
層２′が示されている。

第８図は基体上に必ずしも平行でないいくつかの管１７
が配設されている構造を示しているが、これらの管は層
２と基体１とにより限定される管路に結合されている。

左側に設けられた管１７の開口部は統合されており、し
たがって測定管路３の横断面が減少している。その後部
では、測定管路３が異なる横断面を有し異なる管１７へ
接続する２つの管路へ分割されている。

前述の本発明に基づく工程方法により、管路のほとんど
任意の分岐部、横断面、管部が多数の管の間に製作でき
るのであり、それによって弁状の制御機構並びに流動変
化が実現できる。

さらに、例えば第８図に基づく測定管路３の延長を（第
６図に示されたように）同様に基体１においてエツチン
グを施し、測定管路３への管の内径のなめらかな移行部
を得ることが可能である。この種の工程方法に対する管
の通常の直径はほぼ５μｍ〜２００　ｔｔｍであるが、
これは実際には薄層構造と結合することがむずかしい。

２つの隣接する、または互いに接触する管をこの種の接
続部と結合することも可能である。

本発明に基づく測定装置及び管接続部は、例えば神経系
などへの物質の供給のために、特に体液及び組織液の検
査において適用することができる。しかし、例えばイン
ク噴射記録機や、細管から成る配管系が接続装置と結合
されねばならない、あるいは流体が管内へ導かれねばな
らないような他の装置に対して、この様式の装置を技術
的に応用することも可能である。この様式の測定装置の
大きな長所は、測定装置が非常に僅少な物質量の場合に
も正確な結果を示すことである。

層２及び１６に対する材料としては、特に有機合成物質
、重合体、エポキシ樹脂、あるいは例えば窒化珪素、！
１ｌｉｏ２、Ｓｉｎ、　　ＳｉＣなどの無機材料、その
他の類似物質が用いられる。

ＣＶＤとは「化学蒸着」、すなわち気相からの化学反応
析出であり、ＰＥＣＶＤとは「プラズマ化学蒸着」であ
る。したがって、これらは２種類の化学反応析出法であ
る。

測定層及び液体作用層の接触は、例えば層または測定セ
ンサと同様のやり方で配設できる導体条（Ｌｅｉｔｅｒ
ｂａｈｎｅｎ　）によって行われる。

測定管路内に、基体１上及び／または層２上に配役でき
、あるいはこれらに組込むことのできる任意の数量及び
組合わせの上述の測定装置及び／または作用装置が設置
できることは自明である。

例えば屈折率測定などの流体検査のために、発光器及び
光学検知器が透明に形成された層または基体に係属され
、あるいは基体１内または基体１上及び／または層２上
に光感部分または光学反応部分が形成できる。したがっ
て、例えば斜光を測定管路内へ照射する発光器に対して
、光学センサの光を反射する鏡面が他の管路側に配設さ
れ、照射光の変化から流体への逆算室を行うことができ
るであろう。

第９図には、貫流制御の機構が示されている。

層２により形成された管路を通る流体の管１７′から管
１７”’への貫流は、管１７“における流体の流入によ
り変えることができる。さらに、］７′において供給さ
れた流体の全量を管１７“へ導く管路へ転向することも
可能である。

本発明にしたがって、小型化された弁制御及び貫流制御
機構が製作できる。

第３ａ図は、Ｓｉから成る基体１が供給板つまりＩＣ基
板１″とどのように結合できるかを点線で示している。

基板１″は金メッキされた金属から成るため、それは周
知のやり方で共融はんだ付けによりＳｌから成る基体１
と特に気密に結合され得る。基板１″内には流入管及び
排出管４′。

５′がはんだ付けできるため、このようにして測定管路
３に対する流体接続部が実現できる。２０で表示されて
いるのは、センナ層の接触を行う測定線２１のためのセ
ラミック導管である。

第２ｂ図において、温度センサが２２で、また加熱装置
が２３で表わされているが、したがってこの測定装置は
付加的に気化熱の測定にも適用できる。そのためには、
管路に流体を満たし、次いで測定管路３内の温度を測定
する。揮発し易い物質゛は気化時に周囲から熱を奪うが
、これをセンサ２２が測定する。温度推移は、第２ａ図
において点線で表わされている。時間並びにＴｏ　（当
初温度、また測定管路は満たされている）とＴ１（最終
温度、測定管路は空である）間の温度推移から、気化熱
が計算できる。測定管路内にある物質の量は、同時に測
定される容量から確定できる。

しかし、熱は連続的にも供給されるが、温度推移から気
化熱が決定できる。

特に第２図から、センサ層及び流体作用層が！　＆’　
ｉｃ並装及び／または上下に配置できることが明らかと
なる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、粘度及び／または熱伝導度の測定のための測
定装置を示している。 第１ａ図及び第１ｃ図は、第１図の変更態様を示してい
る。 第１ｂ図は、温度推移の概略図である。 第２図は、粘度及び／または誘電率の測定のための測定
装置を、第２ｂ図はその実施態様を示している。 第２ａ図は、第２図による測定装置に対する線図である
。 第３図は、密度測定用の測定装置を示している。 第３ａ図は、第３図の断面図である。 第４図は、２つの管を結合するための配置を示している
。 第５図は、供給口及び排出口が接合された管により構成
されている測定装置を示している。 第６図は、基体上の管の配置を示している。 第７図は、管の延長におけるノズルの構成を示している
。 第８図及び第９図は、基体上にある個別の管を結合する
種々の方法を示している。 特許出願人　　オツトー・プロハスカ 手続補正書（１） 昭和〆２年／り／３日 特許庁哀　官　黒画引離　殿　　　１′、−！ １、事件の表示ｖｇ身篩１５ｊｒ討彎瀞牙２７２２’ｌ
＞θらむｔう／）う＆埴りう牙区 ３、補正をする者 事件との関係　　＋ｉｑ料譚亀入 嘲−禰一一一４ ４、代理人 ４、　茅４吟’＃ｔｒｒ　ａ、！を蔓−胡　３１４ン覇
≧名　　　（匍〉レー・こ　リ・ｉし２７、中ＩＯ−妹 ９元金ｆＪ４　　　（才省し匙、しの）　　　　　　　
Ｉｊ狂手続補正書（ふ式°）

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、例えば流体（気体及び／または液体）の熱伝導度、
   粘度、密度、誘電率、屈折率などの測定のために、検査
   される流体が少なくともひとつの測定装置を有する測定
   管路と該流体に対する少なくともひとつの供給及び排出
   口とを通つて導かれる測定装置、殊に貫流式測定装置に
   おいて、測定管路（３）が基体つまり担体（１）と該基
   体（１）から離れて延びる範囲つまり例えば蒸着、スピ
   ニング、スパッタリング、ドリッピング（Ａｕｆｔｒｏ
   ｐｆｅｎ）、ＣＶＤまたはＰＥＣＶＤ法の化学反応析出
   などにより塗布された例えばプラスチック、ガラス、セ
   ラミック、Ｓｉ＿３Ｎ＿４、ＳｉＯ＿２、ＳｉＯ、これ
   らの材料の組合せなどから成る層（２）の壁片との間に
   形成されること、また層形状の測定装置が例えば蒸着、
   スピニング、スパッタリング、ドリッピング（Ａｕｆｔ
   ｒｏｐｆｅｎ）、化学反応析出つまりＣＶＤまたはＰＥ
   ＣＶＤ法などにより基体（１）上及び／または層（２）
   上に配設され、ないしは基体（１）内及び／または層（
   ２）内に形成されることを特徴とする測定装置。 ２、基体（１）及び／または層（２）において、イオン
   注入、ドーピング、化学反応析出、ＣＶＤまたはＰＥＣ
   ＶＤ法などにより例えばＳｉＯ＿２から成る基礎体とし
   て測定層及び／または流体に作用する層が形成されるこ
   とにより、基体（１）及び／または層（２）自身が少な
   くともひとつの測定装置または少なくともひとつの流体
   に作用する装置、例えば加熱装置の一部であること、な
   いしはこれらに組み込まれていることを特徴とする特許
   請求の範囲第１項記載の装置。 ３、基体（１）上または基体内及び／または層（２）上
   または層内で、場合によつては互いに対置される流体の
   熱伝導度及び／または粘度を測定するための測定装置に
   おいて、少なくともひとつの熱層（６、６′）と少なく
   ともひとつの、好ましくは多数の温度センサ層（７、７
   ′）が形成され、これらの層が粘度測定時には好ましく
   は熱層（６、６′）の下流に、また熱伝導度測定時には
   熱層の上流及び／または下流に配置されていることを特
   徴とする特許請求の範囲第１項または第２項記載の装置
   。 ４、流体の粘度及び／または誘電率の測定装置において
   、互いに対置し、好ましくは測定管路（３）の縦方向に
   延びる電気を導くコンデンサ層（１０、１０′）が、基
   体（１）上または基体内及び層（２）上または層内の測
   定管路（３）の範囲に形成されていることを特徴とする
   特許請求の範囲第１項〜第３項のいずれかに記載の装置
   。 ５、特に圧電基体（１）に配置された流体の密度の測定
   装置において、表面音響波（Ｏｂｅｒｆｌ■ｃｈｅｎｗ
   ｅｌｌｅ）のための少なくともひとつの供与層（１１）
   とそれから離れた、例えば下流に位置する少なくともひ
   とつの受容層（１２）が測定管路（３）の範囲に形成さ
   れていることを特徴とする特許請求の範囲第１項〜第４
   項のいずれかに記載の装置。 ６、測定装置として、光学的な感受性を有する供与層（
   Ｇｅｂｅｒｓｃｈｉｃｈｔｅｎ）及び／または検知層が
   例えば互いに対置されて、あるいは基体上または層上の
   光路にある反射面により結合されて、基体（１）上また
   は基体内及び／または層（２）上または層内に形成され
   ていることを特徴とする特許請求の範囲第１項〜第５項
   のいずれかに記載の装置。 ７、基体（１）上または基体内及び／または層（２）上
   または層内の測定装置として、少なくともひとつの圧力
   感受層が測定管路の内部に、殊に基体（１）及び／また
   は層（２）の内面に形成されていることを特徴とする特
   許請求の範囲第１項〜第６項のいずれかに記載の装置。 ８、測定管路（３）の巾がその高さより大きいこと、特
   に測定管路（３）の巾が高さの倍数であること、また場
   合により高さが０．１〜５０μｍであることを特徴とす
   る特許請求の範囲第１項〜第７項のいずれかに記載の装
   置。 ９、供給口及び／または排出口が、基体を通り測定管路
   （３）内へ通じている穴（４、５）により、あるいは基
   体により担持されて層（２）により緊密に囲まれている
   管（１７）の開口により構成されていることを特徴とす
   る特許請求の範囲第１項〜第８項のいずれかに記載の装
   置。 １０、熱層（６、６′）及び／または温度センサ層（７
   、７′）、またはコンデンサ層（１０、１０′）、また
   は供与及び受容層（Ｇｅｂｅｒ−ｕｎｄＥｍｐｆ■ｎｇ
   ｅｒｓｃｈｉｃｈｔｅｎ）（１１、１２）、または光学
   的供与及び／または受容面、圧力感受層、基体（１）上
   に、場合により基体のエッチングされた凹所内及び／ま
   たは層（２）の外側に塗布され、または形成された、例
   えば蒸着された、スパッタリングされた、ＣＶＤまたは
   ＰＥＣＶＤ法により析出された、あるいは類似の層面、
   導体条、半導体層、あるいはイオンでドーピングされた
   、またはイオン注入された、あるいは化学反応析出によ
   り形成された層が、基体（１）内ないしは層（２）内な
   どにあることを特徴とする特許請求の範囲第１項〜第９
   項のいずれかに記載の装置。 １１、基体（１）及び／または層（２）により担持され
   た、ないしはこれらの中に形成された層、例えば熱層（
   ６）及び／または測定センサ層（７）またはコンデンサ
   層（１０）または供与及び受容層（１１、１２）が、基
   体（１）及び／または層（２）上に配設された被覆層（
   ８）によりおおわれていることを特徴とする特許請求の
   範囲第１項〜第１０項のいずれかに記載の装置。 １２、層（２）の外側に配設された熱層（６′）及び／
   または測定センサ層（７′）またはコンデンサ層が、層
   （２）上に配設されたもうひとつの被覆層（９）により
   おおわれていることを特徴とする特許請求の範囲第１項
   〜第１１項のいずれかに記載の装置。 １３、各測定管路（３）に対して、基準流体の測定のた
   めの基本的に同等に構成ないし製作された基準測定管路
   が配属されていることを特徴とする特許請求の範囲第１
   項〜第１２項のいずれかに記載の装置。 １４、層（２）の厚さあるいはコンデンサ層（１０）を
   おおうために基体（１）上に配設された被覆層（８′）
   の厚さが、大きさの等級によれば、測定管路（３）の高
   さに合致し、または好ましくは測定管路（３）の高さに
   ほぼ等しいことを特徴とする特許請求の範囲第４項〜第
   １３項のいずれかに記載の装置。 １５、測定管路（３）が、ほぼ長方形ないしは台形状の
   横断面を有することを特徴とする特許請求の範囲第１項
   〜第１４項のいずれかに記載の装置。 １６、管端部ないし管延長部などの構成のための、殊に
   特許請求の範囲第１項〜第１５項のいずれかに基づく測
   定装置のひとつを具備した管の結合のための管接続（Ｒ
   ｏｈｒａｎｓｃｈｌｕｓｓ）ないし管口（Ｒｏｈｒｍ■
   ｎｄｕｎｇ）において、基体（１）と結合した、例えば
   貼着された少なくともひとつの管（１７）の上に、管口
   を塞がずに、少なくともひとつの層（２）が例えばドリ
   ッピング（ａｕｆｇｅｔｒｏｐｆｔ）、蒸着、スパッタ
   リング、スピニング、化学反応析出、ＣＶＤまたはＰＥ
   ＣＶＤ法蒸着などにより塗布され、該層は管（１７）及
   び基体（１）と密封的に結合されて、自身と基体（１）
   との間に管容積を継続する少なくともひとつの自由空間
   （１８）を形成ないし限定することを特徴とする管接続
   ないし管口。 １７、少なくとも２つの管（１７）の間の管結合を形成
   するために、層（２）が基体（１）上に固定された少な
   くとももうひとつの管（１７）まで通じていること、ま
   たこの管と密封的に結合されていること、またその際に
   層（２）及び基体（１）により限定される自由空間（１
   ８）が少なくとももうひとつの管の管容積に通じている
   ことを特徴とする特許請求の範囲第１６項記載の管接続
   。 １８、自由空間（１８）が、せばまつてノズルとなつて
   いることを特徴とする特許請求の範囲第１６項または第
   １７項記載の管接続。 １９、層（２）が、配設された層面（１６）により、及
   び／または少なくともひとつの連続して配設された層（
   １６′）により少なくとも部分的に補強されていること
   を特徴とする特許請求の範囲第１６項〜第１８項のいず
   れかに記載の管接続。 ２０、基体（１）上のひとつまたは複数の管（１７）が
   、場合により管形状に適合したひとつまたは複数の凹所
   ないしみぞ（１９）内に配設されていることを特徴とす
   る特許請求の範囲第１６項〜第１９項のいずれかに記載
   の管接続。 ２１、管の自由空間（１８）を限定する層（２）が、い
   くつかの管（１７）に分岐していること、ないしはいく
   つかの管（１７）の管容積を合一していること、またそ
   の際に場合により、層（２）により限定される管容積な
   いし自由空間（１８）の横断面が変えられることを特徴
   とする特許請求の範囲第１６項〜第２０項のいずれかに
   記載の管接続。 ２２、管口を密封的に囲む層（２）が、特許請求の範囲
   第１項〜第１５項のいずれかに基づく測定装置の測定管
   路（３）として形成されていることを特徴とする特許請
   求の範囲第１６項〜第２１項のいずれかに記載の管接続
   。 ２３、被検流体が少なくともひとつの測定センサを具備
   する測定管路を通つて導かれ、ないしは測定管路へ供給
   される流体の熱伝導度、粘度、密度、誘電率、屈折率な
   どに対する特許請求の範囲第１項〜第１５項のいずれか
   に基づく測定装置、殊に貫流測定装置の製造方法におい
   て、基体（１）上に測定管路（３）の内部空間に応じた
   溶解性物質、例えばフオトラッカー、プラスチックなど
   から成る被膜が形成されること、この溶解性被膜上に基
   体（１）にまで達する該被膜をおおう層（２）が例えば
   蒸着、スピニング、ドリッピング、スパッタリング、化
   学反応つまりＣＶＤまたはＰＥＣＶＤ法析出などにより
   塗布され、溶解性被膜のない箇所では該層が基体と結合
   し、つまり基体（１）に固着し、自身と基体（１）との
   間で測定管路（３）を限定すること、さらに溶解性被膜
   が層（２）及び基体（１）を好都合に溶解しないつまり
   冒さない物質と共に測定管路（３）へ開いている供給口
   及び／または排出口（４、５）を通つて溶出することを
   特徴とする方法。 ２４、溶解性物質を基体（１）上に、場合によつて基体
   （１）のエッチングされた凹所に配設する前に、導体層
   、センサ層、供与及び受容層（Ｇｅｂｅｒ−ｂｚｗ、Ｅ
   ｍｐｆ■ｎｇｅｒｓｃｈｉｃｈｔｅｎ）、コンデンサ層
   、光学的感受層、圧力感受層なとが、例えば蒸着、ドリ
   ッピング（Ａｕｆｔｒｏｐｆｅｎ）、スパッタリング、
   イオンのドーピングないし注入、ＣＶＤまたはＰＥＣＶ
   Ｄ法などにより配設され、または基体（１）内に形成さ
   れること、またこれらの層が場合によつては被覆層（８
   ）でおおわれることを特徴とする特許請求の範囲第２３
   項記載の方法。 ２５、特に層（２）の外側へ溶解性被膜を溶出した後に
   、導体層、センサ層、供与及び／または受容層、コンデ
   ンサ層などが配設され、または層（２）内に形成され、
   さらに場合によつては被覆層（９）がこれらの層上に配
   設されることを特徴とする特許請求の範囲第２３項また
   は第２４項に記載の方法。 ２６、測定管路（３）の内部空間が、層（２）及び／ま
   たは基体（１）及び／または配設された層の処理のため
   に、場合により溶解性物質の排出（Ａｕｓｌ■ｓｅｎ）
   と同時に、例えば拡大のためにエッチングされまた不動
   態化され、あるいは設けられた被覆層（８″）によりお
   おわれることを特徴とする特許請求の範囲第２３項〜第
   ２５項のいずれかに記載の方法。 ２７、特許請求の範囲第１項〜第１５項のいずれかに基
   づく管を測定装置に結合するための方法、ないしは特許
   請求の範囲第１６項〜第２２項のいずれかに基づき、特
   に特許請求の範囲第２３項〜第２６項のいずれかに関連
   する管接続を製作する方法において、基体（１）上並び
   に基体に固定、例えば接着された少なくともひとつの管
   （１７）上に、溶解性物質、例えばフオトラッカー、プ
   ラスチックなどが管容積を継続する被膜の形で塗布され
   ること、この溶解性被膜上に該被膜をおおい、管（１７
   ）及び基体（１）にまで到達し、管（１７）及び基体（
   １）に密接し、あるいはそれらと密封的に結合する層（
   ２）が例えば蒸着、ドリッピング、スパッタリング、ス
   ピニング、化学反応つまりＣＶＤまたはＰＥＣＶＤ法析
   出などにより塗布されること、さらにその後に溶解性物
   質が管（１７）の開口（４、５）及び／または層（２）
   により限定された継続する管容積ないし自由空間（１８
   ）の開口を通つて、好都合に基体（１）及び／または層
   （２）を冒さない、ないしはそれに触れない物質と共に
   溶出することを特徴とする方法。 ２８、層（２）上に、局部的な補強体（１６）及び／ま
   たは少なくとももうひとつの層（１６′）が配設される
   ことを特徴とする特許請求の範囲第２３項〜第２７項の
   いずれかに記載の方法。 ２９、測定管路（３）の延長に沿い、または管容積の継
   続部に沿い、または自由空間（１８）に沿つて、基体（
   １）の表面が、特に管（１７）が基体（１）の表面内に
   その大きさだけ沈下して配置される深さに合致する深さ
   までエッチングされることを特徴とする特許請求の範囲
   第２３項〜第２８項のいずれかに記載の方法。 ３０、管（１７）及び／または基体（１）上の溶解性物
   質から成る被膜の拡大ないし面積伸展の形状が、基体（
   １）及び／または管（１７）上に配設ないし装着できる
   マスク（Ｍａｓｋｅ）により限定ないし決定されること
   を特徴とする特許請求の範囲第２３項〜第２９項のいず
   れかに記載の方法。