JPS62226437A - 光記録媒体 - Google Patents
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- JPS62226437A JPS62226437A JP61068402A JP6840286A JPS62226437A JP S62226437 A JPS62226437 A JP S62226437A JP 61068402 A JP61068402 A JP 61068402A JP 6840286 A JP6840286 A JP 6840286A JP S62226437 A JPS62226437 A JP S62226437A
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Landscapes
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[発明の目的]
(産業上の利用分野)
本発明は、光ビームの照射条件により記録材料の相変化
を利用して情報を記録・消去する光記録媒体に係わり、
特に初期反射率を均一にすることができる媒体に関する
ものである。
を利用して情報を記録・消去する光記録媒体に係わり、
特に初期反射率を均一にすることができる媒体に関する
ものである。
(従来の技術)
情報の記録・再生のみならず、記録された情報の消去を
可能にした光記録媒体としては光磁気型、相変化型の媒
体が知られている。
可能にした光記録媒体としては光磁気型、相変化型の媒
体が知られている。
この内、相変化型の光記録媒体は記録膜に光ビームを照
射し、記録膜が例えば、結晶質と非晶質との間で可逆的
に相転移することを利用して情報の記録・消去を行って
いる。ずなわち、記録膜に光ビームを照射して急速加熱
し、これを急速冷却することにより、結晶質から非晶質
へ相転移を行って情報の記録がされる。また、光ビーム
を照射して加熱した後、徐冷することにより、再び非晶
質から結晶質へ戻すことで記録情報の消去がされる。情
報の再生は、光ビームを照射して情報が記録された非晶
質の部分と記録されていない結晶質の部分との反射率、
透過率の変化を読み取ることでなされる。
射し、記録膜が例えば、結晶質と非晶質との間で可逆的
に相転移することを利用して情報の記録・消去を行って
いる。ずなわち、記録膜に光ビームを照射して急速加熱
し、これを急速冷却することにより、結晶質から非晶質
へ相転移を行って情報の記録がされる。また、光ビーム
を照射して加熱した後、徐冷することにより、再び非晶
質から結晶質へ戻すことで記録情報の消去がされる。情
報の再生は、光ビームを照射して情報が記録された非晶
質の部分と記録されていない結晶質の部分との反射率、
透過率の変化を読み取ることでなされる。
ところで、従来より相変化型の光記録媒体では、特開昭
52−138145号公報や特開昭60−17746号
公報等に示されたAs −Te −Ge系材料やIn
−8b −M (ただし、MはAu 、 A(1,cu
、Pd、Pt、An、Si、Ge、Ga。
52−138145号公報や特開昭60−17746号
公報等に示されたAs −Te −Ge系材料やIn
−8b −M (ただし、MはAu 、 A(1,cu
、Pd、Pt、An、Si、Ge、Ga。
3n、Te、Se、si )系材料等の合金材料で記録
膜が形成されたものが知られている。また、これらの合
金材料を使用した記録膜は、ガラスや樹脂等から成る基
板上に真空蒸着法やスパッタ法等のPVD法により合金
薄膜として形成されている。
膜が形成されたものが知られている。また、これらの合
金材料を使用した記録膜は、ガラスや樹脂等から成る基
板上に真空蒸着法やスパッタ法等のPVD法により合金
薄膜として形成されている。
上述のように記録膜を合金薄膜で構成するのは以下のよ
うな理由による。
うな理由による。
すなわら、例えば、TeやGe等の相変化する半導体か
ら成る単体薄膜で記録膜を構成した場合、Te単体、Q
e単体はII膜にすると化学的安定性に乏しく酸化しや
すい。また、機械的強度も弱く、長期間の使用によりク
ラック等が発生する。そこで、上記単体簿膜の欠点を改
善するために、合金薄膜で記録膜を構成し、例えば、T
eやGeにSeやsbなどを添加して酸化を防止したり
、また、Pbやinを添加してクラックの発生を防止し
たりしている。
ら成る単体薄膜で記録膜を構成した場合、Te単体、Q
e単体はII膜にすると化学的安定性に乏しく酸化しや
すい。また、機械的強度も弱く、長期間の使用によりク
ラック等が発生する。そこで、上記単体簿膜の欠点を改
善するために、合金薄膜で記録膜を構成し、例えば、T
eやGeにSeやsbなどを添加して酸化を防止したり
、また、Pbやinを添加してクラックの発生を防止し
たりしている。
しかしながら、記録膜を形成する合金材料を同−然4源
から基板上に合金薄膜として蒸着した場合、この合金を
構成する複数の元素の融点と蒸気圧は各々で異なるため
、均一な合金組成を有する記録膜を形成できないという
問題がある。また、合金を構成する複数の元素単体を多
源蒸着法を用いて記録膜を形成した場合、成膜中に部分
的に化合物の形成や結晶化が起こり、大面積の光記録媒
体において均一な合金組成を有する記録膜を形成できな
いという問題がある。
から基板上に合金薄膜として蒸着した場合、この合金を
構成する複数の元素の融点と蒸気圧は各々で異なるため
、均一な合金組成を有する記録膜を形成できないという
問題がある。また、合金を構成する複数の元素単体を多
源蒸着法を用いて記録膜を形成した場合、成膜中に部分
的に化合物の形成や結晶化が起こり、大面積の光記録媒
体において均一な合金組成を有する記録膜を形成できな
いという問題がある。
(発明が解決しようとする問題点)
上述のように、従来の光記録媒体にあっては、均一な合
金組成を有する記録膜を形成できないという問題があり
、その結果、照射された光ビームの均一な初期反射率(
記録前の反射率をいう)を1qることかできないという
問題がある。
金組成を有する記録膜を形成できないという問題があり
、その結果、照射された光ビームの均一な初期反射率(
記録前の反射率をいう)を1qることかできないという
問題がある。
本発明は上記事情に基づいたもので、均一な初期反射率
を(qることができる光記録媒体を提供することを目的
とする。
を(qることができる光記録媒体を提供することを目的
とする。
[発明の構成]
(問題点を解決するための手段)
上記問題点を解決するために本発明は、合金材料を組成
する2種類以上の単体材料を各膜厚が10乃至100A
となるよう順番に複数回v4層して記録膜を形成したも
のである。
する2種類以上の単体材料を各膜厚が10乃至100A
となるよう順番に複数回v4層して記録膜を形成したも
のである。
(作用)
合金材料を相成りる単体材料を基体上に順番に複数回積
層する。各膜厚は10A〜100Aとする。このように
単体材料を順番に積層した場合、各膜は数原子オーダの
極薄膜となる。この記録膜は、ミクロ的にみると数1o
X;i−ダの複数層の積層構造であっても、反射率や透
過率等の光学特性は合金材料と等しいので、この記録膜
に光ビームを照射すると、複数の単体材料から組成され
る合金材料と同様の初期反射率が19られる。
層する。各膜厚は10A〜100Aとする。このように
単体材料を順番に積層した場合、各膜は数原子オーダの
極薄膜となる。この記録膜は、ミクロ的にみると数1o
X;i−ダの複数層の積層構造であっても、反射率や透
過率等の光学特性は合金材料と等しいので、この記録膜
に光ビームを照射すると、複数の単体材料から組成され
る合金材料と同様の初期反射率が19られる。
(実施例)
第1図は本発明に係る光記録媒体の一実施例の断面を示
している。この光記録媒体は基板3とこの基板3上に積
層された多層構造の記録膜5とから成っている。
している。この光記録媒体は基板3とこの基板3上に積
層された多層構造の記録膜5とから成っている。
基板3は、アクリルやポリカーボネート等の樹脂または
ガラスにより形成された透明基板である。
ガラスにより形成された透明基板である。
記録膜5は、レーザビームの照射条件により、例えば、
結晶質と非晶質との間で可逆的に相転移する合金材料を
以下のように積層して構成されている。すなわち、この
記録膜5は、合金材料をAx Sr −x (Q<x
<1.xは体積分率)とすると、その各組成元素A、
Bから成るA元素膜7゜8元索膜9を各膜厚が10〜1
00Aとなるように順番に複数回積層し、かつ記録膜5
全体としては50〜5000Aとなるようにv4層され
ている。
結晶質と非晶質との間で可逆的に相転移する合金材料を
以下のように積層して構成されている。すなわち、この
記録膜5は、合金材料をAx Sr −x (Q<x
<1.xは体積分率)とすると、その各組成元素A、
Bから成るA元素膜7゜8元索膜9を各膜厚が10〜1
00Aとなるように順番に複数回積層し、かつ記録膜5
全体としては50〜5000Aとなるようにv4層され
ている。
各元索膜7.9の膜厚dA、dsは、
d A =XZ/V (A)
d n = (1−x )z /y (A)で表わす
ことができる。但し、上式中、yはへ元索膜7及びB元
索膜9の繰り返し積層回数、Zは記録膜5全体の膜厚(
A>である。
ことができる。但し、上式中、yはへ元索膜7及びB元
索膜9の繰り返し積層回数、Zは記録膜5全体の膜厚(
A>である。
第2図は1.F記記録膜5の各元索膜7,9を形成する
真空蒸着装置を示している。
真空蒸着装置を示している。
同図において、11は真空チャンバであり、この真空チ
ャンバ11内には前記基板3が回転自在に取付けられ、
また、この基板3に対向して前記へ元素及びB元素の各
ソース7a及び9aが設けられており、各ソース7a、
9aは仕切板15で仕切られている。さらに、各ソース
7a 、9aの上面にはソースの上にのみ蒸着物質が基
板3に蒸着するようにマスク17が設けられている。
ャンバ11内には前記基板3が回転自在に取付けられ、
また、この基板3に対向して前記へ元素及びB元素の各
ソース7a及び9aが設けられており、各ソース7a、
9aは仕切板15で仕切られている。さらに、各ソース
7a 、9aの上面にはソースの上にのみ蒸着物質が基
板3に蒸着するようにマスク17が設けられている。
13は排気装置であり、蒸着の際に真空チャンバ11内
を10’ 〜10−6 torr程度の真空に排気して
いる。
を10’ 〜10−6 torr程度の真空に排気して
いる。
基板3上に蒸着される物質の膜厚は以下のようにして制
御される。
御される。
すなわち、前記ソース7a 、9aからの蒸発速度をそ
れぞれV (A/S )とし、また、このときの基板
回転数をn(rpm)とすると、へ元素膜及び8元素膜
の1層当りの膜厚w (A)は。
れぞれV (A/S )とし、また、このときの基板
回転数をn(rpm)とすると、へ元素膜及び8元素膜
の1層当りの膜厚w (A)は。
w =60v /n (A)
として表わすことができる。
第4図は本発明に係る光記録媒体の他の実施例の断面を
示している。
示している。
前記第1図に示した実施例がへ元素膜7.B元素膜9を
繰り返し積層して記録fl!5を構成したものであるの
に対して、本実施例の光記録媒体はざらに0元系膜11
に付加して、へ元素111,8元素躾9及び0元素膜1
1を順番に繰り返し積層して記録膜5を積層したもので
ある。
繰り返し積層して記録fl!5を構成したものであるの
に対して、本実施例の光記録媒体はざらに0元系膜11
に付加して、へ元素111,8元素躾9及び0元素膜1
1を順番に繰り返し積層して記録膜5を積層したもので
ある。
従って、このように構成された記録1!5は、合金Ax
ByCz(ただし、x+y+z=1 0<x<1.0<
y<1.0<z<1.x、y、zは体積分率)から成る
合金薄膜と同様のものとなる。
ByCz(ただし、x+y+z=1 0<x<1.0<
y<1.0<z<1.x、y、zは体積分率)から成る
合金薄膜と同様のものとなる。
以下、本発明に係る光記録媒体の具体的な実施例につい
て説明する。
て説明する。
(実施例−1)
まず、真空チャンバ11内を10 ’ torrに排気
し、ガラス基板を3.6romで回転した。次いで上記
へ元素、B元素(蒸発材料)として、GeとTeを用い
、GeソースとTeソースの加熱を調整して各蒸発速度
が5A/sとなるようにした。
し、ガラス基板を3.6romで回転した。次いで上記
へ元素、B元素(蒸発材料)として、GeとTeを用い
、GeソースとTeソースの加熱を調整して各蒸発速度
が5A/sとなるようにした。
そして、基板3を回転させ、ガラス基板上にGe簿膜と
Te薄膜を約84Aの厚さで順番に繰り返して8層層し
、合計膜厚が100OAの記録膜5を形成した。
Te薄膜を約84Aの厚さで順番に繰り返して8層層し
、合計膜厚が100OAの記録膜5を形成した。
上述のようにして、Ge薄膜とTei?膜との多周構造
を有する膜厚1000Aの記録膜5をガラス基板の回転
数を可変し、5. Qrpm 、 8.4rllIll
、 9.6rp111及び12.OI’1)IIIの
各々の場合について記録膜5を形成し、Ge薄膜とTe
薄膜の繰り返し積層回数が異なる光記録媒体を得た。
を有する膜厚1000Aの記録膜5をガラス基板の回転
数を可変し、5. Qrpm 、 8.4rllIll
、 9.6rp111及び12.OI’1)IIIの
各々の場合について記録膜5を形成し、Ge薄膜とTe
薄膜の繰り返し積層回数が異なる光記録媒体を得た。
第3図は上述のようにして形成された記録wA5の繰り
返し積層回数と反射率の関係を示したもので、繰り返し
積層回数が2〜6回の場合の反射率はGe50Te50
合金膜の反射率より低いが、10回以上VJ層した場合
には、反射率はGe5゜Te50合金膜とほぼ等しくな
ることが判明した。
返し積層回数と反射率の関係を示したもので、繰り返し
積層回数が2〜6回の場合の反射率はGe50Te50
合金膜の反射率より低いが、10回以上VJ層した場合
には、反射率はGe5゜Te50合金膜とほぼ等しくな
ることが判明した。
従って、Ge薄膜とT e薄膜を順番に複数回積層する
ことにより記録膜全体としてはGe5oTe5oR膜と
同様の光学特性を得ることができた。
ことにより記録膜全体としてはGe5oTe5oR膜と
同様の光学特性を得ることができた。
しかも、合金膜にみられるように、合金組成の不均一な
個所や化合物の形成個所が存在「ず、均一な初期反射率
を得ることができる。
個所や化合物の形成個所が存在「ず、均一な初期反射率
を得ることができる。
(実施例−2)
前記実施例−1と同様の方法にて、蒸発材料としてGe
、Teおよびsbを用い、Geソース。
、Teおよびsbを用い、Geソース。
Teソースおよびsbソースの加熱を調整して、各蒸発
速度が5A/sとなるように設定した。そして、ガラス
基板を3.Qrpmで回転させ、Ge膜、Te膜および
sb膜を順番に複数回積層し、全体の膜厚が100OA
となるようにして記録膜5を形成し、第4図に示した光
記録媒体を得た。
速度が5A/sとなるように設定した。そして、ガラス
基板を3.Qrpmで回転させ、Ge膜、Te膜および
sb膜を順番に複数回積層し、全体の膜厚が100OA
となるようにして記録膜5を形成し、第4図に示した光
記録媒体を得た。
このようにして形成された記録膜5の組成を調べるため
に、ICP発光分析で組成分析した結果、その組成<t
、 Gegx、3Te33.3St)33.8 (体
積%で表記)合金とほぼ等しいことが判明した。
に、ICP発光分析で組成分析した結果、その組成<t
、 Gegx、3Te33.3St)33.8 (体
積%で表記)合金とほぼ等しいことが判明した。
従って、その光学特性も、G Q 33j T ” 3
3.38b33.8薄膜と同様となり、しかも均一な初
期反射率を得られることが確認された。
3.38b33.8薄膜と同様となり、しかも均一な初
期反射率を得られることが確認された。
[発明の効果]
以上、説明したように本発明によれば、合金材料を組成
する2種類以上の単体材料を各膜厚がそれぞれ10乃至
100Aとなるよう順番に複数回積層して記録膜を形成
したので、合金膜一層から成る記録膜に比べ、光記録媒
体の全域に渡って均一な初期反射率を得ることができ、
信頼性の高い光記録媒体を提供できる。
する2種類以上の単体材料を各膜厚がそれぞれ10乃至
100Aとなるよう順番に複数回積層して記録膜を形成
したので、合金膜一層から成る記録膜に比べ、光記録媒
体の全域に渡って均一な初期反射率を得ることができ、
信頼性の高い光記録媒体を提供できる。
第1図は本発明に係る光記録媒体の一実施例の構成を示
す断面図、第2図は第1図の光記録媒体を作製する装置
の概略構成図、第3図は本発明に係る光記録媒体の一実
施例における記録膜の繰り返し積層回数と反射率との関
係を示す図、第4図は本発明に係る光記録媒体の他の実
施例の構成を示す断面図である。 3・・・基板 5・・・記録膜 7・・・へ元素膜 9・・・8元素膜 11・・・C元素膜 第1図 第2図 くり返し回数 第3図 第4シ1 手Vごネ甫ロ三周(自発) 口r(和62年6月ぎ日
す断面図、第2図は第1図の光記録媒体を作製する装置
の概略構成図、第3図は本発明に係る光記録媒体の一実
施例における記録膜の繰り返し積層回数と反射率との関
係を示す図、第4図は本発明に係る光記録媒体の他の実
施例の構成を示す断面図である。 3・・・基板 5・・・記録膜 7・・・へ元素膜 9・・・8元素膜 11・・・C元素膜 第1図 第2図 くり返し回数 第3図 第4シ1 手Vごネ甫ロ三周(自発) 口r(和62年6月ぎ日
Claims (1)
- (1)基体と、この基体上に積層され光ビームの照射条
件により可逆的に相転移する合金材料で形成された記録
膜とを備え、 前記記録膜は、前記合金材料を組成する2種類以上の単
体材料を各膜厚が10乃至100Åとなるよう順番に複
数回積層して形成されたことを特徴とする光記録媒体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61068402A JPS62226437A (ja) | 1986-03-28 | 1986-03-28 | 光記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61068402A JPS62226437A (ja) | 1986-03-28 | 1986-03-28 | 光記録媒体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62226437A true JPS62226437A (ja) | 1987-10-05 |
Family
ID=13372658
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61068402A Pending JPS62226437A (ja) | 1986-03-28 | 1986-03-28 | 光記録媒体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62226437A (ja) |
-
1986
- 1986-03-28 JP JP61068402A patent/JPS62226437A/ja active Pending
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