JPS6222479B2 - - Google Patents

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Publication number
JPS6222479B2
JPS6222479B2 JP10400279A JP10400279A JPS6222479B2 JP S6222479 B2 JPS6222479 B2 JP S6222479B2 JP 10400279 A JP10400279 A JP 10400279A JP 10400279 A JP10400279 A JP 10400279A JP S6222479 B2 JPS6222479 B2 JP S6222479B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light emitting
light
present
epoxy resin
hemispherical shape
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
JP10400279A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS5627981A (en
Inventor
Makoto Morioka
Hisatoshi Uchida
Juichi Shimada
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
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Publication of JPS5627981A publication Critical patent/JPS5627981A/ja
Publication of JPS6222479B2 publication Critical patent/JPS6222479B2/ja
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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H01L33/56—Materials, e.g. epoxy or silicone resin

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Devices (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は発光半導体装置における外部構造に
関する。
発光ダイオード（以下LEDという）の主体と
なるＧaＡs1-xＰx等の主として−族化合物半
導体結晶は屈折率が高い（〜3.6）ためにpn接合
部からの発光をそのまま空気中に取り出そうとす
ると空気との界面で全反射損失がおこり、大部分
の光は結晶内部に反射され吸収されてしまう。こ
のため普通は第１図に示すようにLEDチツプ１
の上からエポキシ系の透明樹脂を用いて半球形
（ドーム状）のコーテイング２を行なうか、又は
第２図に示すようにIREDチツプ自体３を半球形
状に加工し、これをサブマウント４を介してステ
ム５上に取付ける構造が知られている。
しかしエポキシ樹脂の屈折率は約1.6〜1.8程度
であるため充分な光取出し率の向上が期待できな
い。又、LEDを構成する半導体結晶を半球状に
加工することは多くの時間と技術的困難を伴な
い、コスト高となつた。
本発明は上記した従来技術の問題を解決するた
めになされたものであり、その目的は加工が容易
で光取出し率の向上ができる発光ダイオードの提
供にある。
上記目的を達成するためこの発明は、発光半導
体素子の発光面にアモルフアスシリコーン膜を介
してＡs2S3等のカルコゲナイドガラスを半球形状
にコーテイングしたことを特徴とする。
以下実施例にそつて本発明を詳述する。
第３図に本発明によるLEDの一実施例が示さ
れ、１はＧaＡs1-xＰx結晶からなるLED半導体チ
ツプ、６はpn接合、５はステムで半導体チツプ
の接合露出面側が取付けられリード７，８がアノ
ード及びカソードとなつてチツプの両電極に接続
される。９はアモルフアスシリコーン（非晶質
Si）被膜で、素子の発光面にスパツタ又はグロー
等の手段により被着される。１０はカルコゲナイ
トガラスでポツテイン（滴下）等の方法で上記ス
テム上に発光半導体チツプを被冠する状態で半球
状にコーテイングされる。
このカルコゲナイドガラスはその屈折率が2.4
でエポキシ樹脂のそれよりも大きく発光ダイオー
ドの光取出し率向上にすぐれており、又200〜400
℃で溶融し、エポキシ樹脂と同様にポツテイング
等の方法で半球状のコーテイングが可能である
が、これをLED半導体結晶面に直接コーテイン
グすると相互に反応し合つて平坦な結晶面が粗面
となつて光が吸収されることで従来使用されなか
つた。しかし本発明においては半導体チツプ表面
をカルコゲナイドガラスと反応しない材料でしか
も発光ダイオードの結晶の屈折率より屈折率の高
いアモルフアスシリコン膜で被覆してあるため前
記問題は解決できた。
すなわち本発明によればエポキシ樹脂と同様に
半球状の形成が容易であり、かつLEDを直接に
半球状に研摩した場合と同等の光取出し率をもつ
発光ダイオード装置を提供できるものである。
本発明は前記実施例に限定されず、一般の発光
素子にも同様に適用できる。
【図面の簡単な説明】
第１図及び第２図は従来の発光半導体装置の例
を示す断面図、、第３図は本発明による発光半導
体装置の一実施例を示す断面図である。 １……半導体チツプ、２……エポキシ樹脂、３
……半球状チツプ、４……サブマウント、５……
ステム、６……pn接合、７，８……リード、９
……アモルフアスシリコーン被膜、１０……カル
コゲナイトガラス。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １ 発光半導体素子の発光面にアモルフアスシリ
    コーン膜を介してカルコゲナイドガラスを半球状
    に形成してあることを特徴とする発光半導体装
    置。
JP10400279A 1979-08-17 1979-08-17 Light emitting semiconductor device Granted JPS5627981A (en)

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Application Number Priority Date Filing Date Title
JP10400279A JPS5627981A (en) 1979-08-17 1979-08-17 Light emitting semiconductor device

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JP10400279A JPS5627981A (en) 1979-08-17 1979-08-17 Light emitting semiconductor device

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Publication Number Publication Date
JPS5627981A JPS5627981A (en) 1981-03-18
JPS6222479B2 true JPS6222479B2 (ja) 1987-05-18

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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5468683A (en) * 1992-09-25 1995-11-21 U.S. Philips Corporation Method of manufacturing an optoelectronic semiconductor device having a single wire between non-parallel surfaces
JPH0679163U (ja) * 1993-04-21 1994-11-04 有限会社シマテック Ｌｅｄランプ・安定照明器
JP2001102639A (ja) * 1999-09-30 2001-04-13 Sumitomo 3M Ltd フッ素系ポリマーを用いて封止した発光ダイオードおよびレーザーダイオード装置

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JPS5627981A (en) 1981-03-18

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