JPS6222467A - Manufacture of lead frame - Google Patents

Manufacture of lead frame

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Publication number
JPS6222467A
JPS6222467A JP16273785A JP16273785A JPS6222467A JP S6222467 A JPS6222467 A JP S6222467A JP 16273785 A JP16273785 A JP 16273785A JP 16273785 A JP16273785 A JP 16273785A JP S6222467 A JPS6222467 A JP S6222467A
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JP
Japan
Prior art keywords
lead frame
film
metal substrate
resist film
resist
Prior art date
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Pending
Application number
JP16273785A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Toshinori Tanaka
田中 俊範
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP16273785A priority Critical patent/JPS6222467A/en
Publication of JPS6222467A publication Critical patent/JPS6222467A/en
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  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Abstract

PURPOSE:To eliminate complicated Al sectional evaporation process, to enable lead frames to be massproduced, and to reduce the cost, by forming preliminarily a metal thin film all over one side of a metal substrate, and by etching selectively the metal thin film. CONSTITUTION:After an Al evaporated film 14 with a predetermined thickness is formed on a metal substrate 11, in order to remove unrequired Al evaporated film 14 portions a resist film 12 is coated on the Al evaporated film 14, is exposed through a photo mask, and is developed. Thereafter, a mask pattern of the resist film 12 is formed, and the Al evaporated film 14 is etched with a sodium hydroxide solution to remove the resist film 12. In order to etch the metal substrate 11 in the lead frame shape, resist films are coated on both sides, are exposed through photo masks 16 for a lead frame pattern, and are developed. In this case, the photo masks 16 cover the Al evaporated film 14 including the side sections. Next, using the resist film 15 as a mask, the metal substrate 11 is etched with a ferric chloride solution into a lead frame pattern, and then the resist film 15 is removed.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はリードフレームの製造方法に係わり、特にエツ
チング法による半導体装置用のリードフレームの製造方
法に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a method for manufacturing a lead frame, and particularly to a method for manufacturing a lead frame for a semiconductor device using an etching method.

〔概要〕〔overview〕

本発明は、エツチング法による半導体装置用のリードフ
レームの製造方法において、 金属基板の片面全面に後でポンディング部を形成するに
必要な例えばA1の金属薄膜を形成し、エツチングによ
り所定のパターンを形成する工程と、次いでこのパター
ン形成金属薄膜を側面部も含めてレジストで覆い金属基
板をリードフレームのパターンにエツチングする工程と
を含むことにより、 従来必要とした複雑な部分金属蒸着工程を無くし、大量
生産を可能としたものである。
The present invention is a method for manufacturing a lead frame for a semiconductor device using an etching method, in which a metal thin film of A1, for example, necessary for later forming a bonding part is formed on the entire surface of one side of a metal substrate, and a predetermined pattern is formed by etching. By including the steps of forming the patterned metal thin film, including the side surfaces thereof, with a resist and etching the metal substrate into the pattern of the lead frame, the complex partial metal vapor deposition process required in the past is eliminated. This made mass production possible.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

従来、エツチングによりリードフレームを製造する場合
には、定尺の金属基板を用いて、第4図(a)〜(f)
に示すようなフォトエツチング法で製造されていた。す
なわち、第4図(a)の金属基板lに、第4図(blの
ようにレジスト膜2を両面に塗布し、第4図(C)のよ
うにフォトマスク3を介して露光および現像することに
より、第4図(dlのようにレジスト膜2からなるマス
クを形成する。次に化学的なエツチング操作により第4
図(elのようにリードフレームパターンが形成され、
レジスト膜2を剥離することでリードフレームを製造し
ていた。このリードフレームは、ワイヤーボンディング
に必要なAl(アルミニウム)膜がないので普通部分A
l蒸着を実施していた。
Conventionally, when manufacturing a lead frame by etching, a metal substrate of a fixed length is used, as shown in FIGS. 4(a) to (f).
It was manufactured using the photo-etching method shown in . That is, a resist film 2 is coated on both sides of the metal substrate l shown in FIG. 4(a) as shown in FIG. 4(bl), and exposed and developed through a photomask 3 as shown in FIG. 4(C). By doing this, a mask consisting of the resist film 2 is formed as shown in FIG.
A lead frame pattern is formed as shown in the figure (el),
Lead frames were manufactured by peeling off the resist film 2. This lead frame does not have the Al (aluminum) film required for wire bonding, so the normal part A
1 vapor deposition was being carried out.

〔発明が解決しようとする問題点〕[Problem that the invention seeks to solve]

上述した従来のリードフレームの製造方法は、部分AI
蒸着工程が必要であり、この部分AJ蒸着工程は、リー
ドフレームに抜かれたものを実施するために、リードフ
レームの表面浄化が必要で、部分Affi蒸着にはリー
ドフレームに合った専用の固定治具、マスクを必要とし
、また、リードフレームを整列させる必要もあった。従
って、大量に処理することは不可能で多くの工数を必要
とし、製造コストが非常に高くなる欠点があった。
The conventional lead frame manufacturing method described above is based on partial AI
An evaporation process is required, and this partial AJ evaporation process requires surface purification of the lead frame in order to carry out what has been removed from the lead frame, and partial Affi evaporation requires a special fixing jig that matches the lead frame. , required a mask and also required alignment of the lead frame. Therefore, it is impossible to process in large quantities, requires a large number of man-hours, and has the drawback of extremely high manufacturing costs.

本発明の目的は、上記の欠点を除去することにより、部
分Al蒸着工程を必要とせず、エツチング法により低コ
ストでリードフレームを製造できるリードフレームの製
造方法を提供することにある。
An object of the present invention is to provide a method for manufacturing a lead frame, which eliminates the above-mentioned drawbacks and allows lead frames to be manufactured at low cost by an etching method without requiring a partial Al vapor deposition process.

〔問題点を解決するための手段〕[Means for solving problems]

本発明は、金属基板をエツチング法によりリードフレー
ムを製造するリードフレームの製造方法において、上記
金属基板の片面全面に所定の金属薄膜を形成し、この金
属薄膜を所定のパターンに選択エツチングする第一工程
と、この第一工程によりエツチングされた金属薄膜を側
面も含めてレジスト膜で覆った状態で、上記金属基板を
所定のパターンに選択エツチングする第二工程とを含む
ことを特徴とする。
The present invention provides a lead frame manufacturing method in which a lead frame is manufactured by etching a metal substrate. and a second step of selectively etching the metal substrate into a predetermined pattern with the metal thin film etched in the first step covered with a resist film including the side surfaces.

〔作用〕[Effect]

本発明は、金属基板の片面に、金属薄膜として例えばA
l蒸着膜を形成し、リードフレームパターンエツチング
の工程の前にこのAl蒸着膜の不必要な部分のA1エツ
チングを行い、かつ、リードフレームパターンエツチン
グの際に金属基板腐食液よりAl蒸着膜を保護するよう
にレジスト膜でAfi蒸着膜の側面部も含んで覆い、A
lが腐食されるのを防止する。かくして、従来必要とし
た複雑なAi!部分蒸着工程はなくなり、リードフレー
ムの量産が可能となり低コスト化が図られる。
The present invention provides a metal thin film on one side of a metal substrate, such as A
A1 vapor deposited film is formed, and unnecessary portions of this Al vapor deposited film are A1 etched before the lead frame pattern etching process, and the Al vapor deposited film is protected from metal substrate corrosive liquid during lead frame pattern etching. Cover the side surface of the AFi vapor deposited film with a resist film so as to
Prevent l from being corroded. Thus, the complicated Ai! The partial vapor deposition process is eliminated, making it possible to mass produce lead frames and reducing costs.

〔実施例〕〔Example〕

以下、本発明の実施例について図面を参照して説明する
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

第1図Ta)〜(klは、本発明の一実施例によるリー
ドフレームの主要製造工程における部分断面図を示す。
FIGS. 1(a) to 1(kl) show partial cross-sectional views of main manufacturing steps of a lead frame according to an embodiment of the present invention.

なお、ここでリードフレームはサーディンプパッケージ
用である。まず第1図(a)のように42%Ni−Fe
合金からなる金属基板11にAl蒸着膜14を所定の厚
さに形成する。次に不必要なAl蒸着膜14を取り除く
ために第1図(blのようにAI蒸着14面にレジスト
膜12を塗布し、第1図(C)のようにフォトマスク1
3を介して露光および現像する。
Note that the lead frame here is for a sardine dip package. First, as shown in Figure 1(a), 42%Ni-Fe
An Al vapor deposition film 14 is formed to a predetermined thickness on a metal substrate 11 made of an alloy. Next, in order to remove unnecessary Al deposited film 14, a resist film 12 is applied to the surface of AI deposited film 14 as shown in FIG.
Expose and develop via 3.

その後、第1図+d)のようにレジスト膜12によるマ
スクパターンを形成し、水酸化ナトリウム溶液でA1蒸
着膜14をエツチングし、第1図(e)のようにし、さ
らに、レジスト膜12を除去して第1図(f)のように
する、今度は金属基板11をリードフレーム形状にエツ
チングするために、第1図(幻のようにレジスト膜15
を両面に塗布し、第1図(h)のようにリードフレーム
パターン用のラントマスク16ヲ介して露光および現像
する。この場合Al蒸着膜14をフォトマスク16がA
Il蒸着膜14の側面部も含み覆うようにする。従って
、フットマスク16は正確に位置合わせが必要であるた
めに、金属基板11の周囲に位置合わせ用のビンを立て
ることでずれを防止する0次に第1図(1)のようにレ
ジスト膜15をマスクとして塩化第2鉄溶液で金属基板
11をリードフレームパターンにエツチングし、第1図
(J)のようにする。その後、第1図(ト))のように
レジスト膜15を除去して第2図に示すような、Al蒸
着膜14(斜線部分)を有する16ピンサーデインプパ
ツケージ用リードフレームが形成される。
After that, a mask pattern is formed using the resist film 12 as shown in FIG. 1+d), and the A1 deposited film 14 is etched with a sodium hydroxide solution to form the pattern shown in FIG. 1(e), and then the resist film 12 is removed. In order to etch the metal substrate 11 into the shape of a lead frame, the resist film 15 is etched as shown in FIG. 1(f).
is coated on both sides, exposed and developed through a runt mask 16 for a lead frame pattern as shown in FIG. 1(h). In this case, the photomask 16 is A
The side surfaces of the Il vapor deposited film 14 are also covered. Therefore, since the foot mask 16 needs to be accurately aligned, a resist film is placed around the metal substrate 11 to prevent misalignment by setting alignment bins around the metal substrate 11. Using 15 as a mask, the metal substrate 11 is etched into a lead frame pattern using a ferric chloride solution, as shown in FIG. 1(J). Thereafter, as shown in FIG. 1(G), the resist film 15 is removed to form a lead frame for a 16-pin sardine impedance package having an Al deposited film 14 (shaded area) as shown in FIG.

第3図は本発明の他の実施例によるリードフレームの平
面図である。本発明によるとこのような4方向にリード
が出たフラットのサーディツプパッケージ用リードフレ
ームも容易に製造することが可能である。
FIG. 3 is a plan view of a lead frame according to another embodiment of the present invention. According to the present invention, it is possible to easily manufacture such a flat lead frame for a cerdip package with leads extending in four directions.

なお、上述の本実施例では、2回のレジスト除去を実施
したが、まとめて最後に1回実施しても可能なものであ
る。さらに、サーディンプパッケフジ用リードフレーム
の例をあげたが、プラスチックパフケージ用リードフレ
ームなどにも適用されることは明らかである。
Although the resist removal was performed twice in this embodiment described above, it is also possible to remove the resist once at the end. Furthermore, although the example of the lead frame for sardine puff packages has been given, it is obvious that the present invention can also be applied to lead frames for plastic puff cages.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

以上説明したように本発明は、金属基板の片面全体にあ
らかじめ金属薄膜を形成し金属薄膜膜の選択エツチング
を実施することにより、リードフレームにおける部分金
属蒸着を必要としない。また、金属基板への片面全面金
属蒸着はリードフレーム状態の部分金属蒸着のように専
用の固定治具およびマスクを必要とせず、さらに、金属
蒸着膜の選択エツチングはリードフレームパターンエツ
チングと同様の作業となり、治具類は必要としないので
、簡単に大量に実施することができ、低コストとなる。
As described above, the present invention eliminates the need for partial metal deposition on the lead frame by forming a metal thin film on the entire surface of a metal substrate in advance and selectively etching the metal thin film. In addition, single-sided, full-surface metal deposition on a metal substrate does not require special fixing jigs and masks unlike partial metal deposition on lead frames, and selective etching of the metal deposition film is similar to lead frame pattern etching. Since no jigs are required, it can be easily carried out in large quantities, resulting in low cost.

従って、本発明は低コストでリードフレームを大量に製
造できる効果がある。
Therefore, the present invention has the advantage that lead frames can be manufactured in large quantities at low cost.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図(a)〜(k)は本発明の一実施例によるリード
フレームの工程順の部分断面図。 第2図は本発明の一実施例によるリードフレームの平面
図。 第3図は本発明の他の実施例によるリードフレームの平
面図。 第4図(al〜(f)は従来例によるリードフレームの
工程順の部分断面図。 1.11・・・金属基板、2.12.15・・・レジス
ト膜、3.13.16・・・フォトマスク、14・・・
AI蒸着膜。 兜 1 実施例 蔦 2 団 実施例 ′A3  図
FIGS. 1(a) to 1(k) are partial cross-sectional views showing the steps of manufacturing a lead frame according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 is a plan view of a lead frame according to an embodiment of the present invention. FIG. 3 is a plan view of a lead frame according to another embodiment of the present invention. FIGS. 4(al) to (f) are partial cross-sectional views of the process order of a lead frame according to a conventional example. 1.11...metal substrate, 2.12.15...resist film, 3.13.16...・Photomask, 14...
AI vapor deposited film. Helmet 1 Example Tsuta 2 Group Example 'A3 Diagram

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)金属基板をエッチング法によりリードフレームを
製造するリードフレームの製造方法において、上記金属
基板の片面全面に所定の金属薄膜を形成し、この金属薄
膜を所定のパターンに選択エッチングする第一工程と、 この第一工程によりエッチングされた金属薄膜を側面も
含めてレジスト膜で覆った状態で、上記金属基板を所定
のパターンに選択エッチングする第二工程と を含むことを特徴とするリードフレームの製造方法。
(1) In a lead frame manufacturing method in which a lead frame is manufactured by etching a metal substrate, a first step of forming a predetermined metal thin film on the entire surface of one side of the metal substrate and selectively etching this metal thin film into a predetermined pattern. and a second step of selectively etching the metal substrate into a predetermined pattern while covering the metal thin film etched in the first step with a resist film including the side surfaces. Production method.
JP16273785A 1985-07-22 1985-07-22 Manufacture of lead frame Pending JPS6222467A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP16273785A JPS6222467A (en) 1985-07-22 1985-07-22 Manufacture of lead frame

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JP16273785A JPS6222467A (en) 1985-07-22 1985-07-22 Manufacture of lead frame

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS6222467A true JPS6222467A (en) 1987-01-30

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ID=15760302

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JP16273785A Pending JPS6222467A (en) 1985-07-22 1985-07-22 Manufacture of lead frame

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JP (1) JPS6222467A (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0547976A (en) * 1990-12-18 1993-02-26 Amkor Electron Inc Method and device for continuously manufacturing strip of lead frame for integrated circuit die
US5463248A (en) * 1993-05-18 1995-10-31 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor package using an aluminum nitride substrate

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0547976A (en) * 1990-12-18 1993-02-26 Amkor Electron Inc Method and device for continuously manufacturing strip of lead frame for integrated circuit die
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