JPS6222466B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS6222466B2 JPS6222466B2 JP53104776A JP10477678A JPS6222466B2 JP S6222466 B2 JPS6222466 B2 JP S6222466B2 JP 53104776 A JP53104776 A JP 53104776A JP 10477678 A JP10477678 A JP 10477678A JP S6222466 B2 JPS6222466 B2 JP S6222466B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- diaphragm
- thin film
- film
- pressure transducer
- semiconductor pressure
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 32
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 32
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 25
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 22
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 22
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 5
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 4
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 9
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 8
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 8
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 6
- 239000002585 base Substances 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 229920002545 silicone oil Polymers 0.000 description 2
- 229920002379 silicone rubber Polymers 0.000 description 2
- 239000004945 silicone rubber Substances 0.000 description 2
- 230000002463 transducing effect Effects 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体圧力変換素子に関するものであ
る。
る。
通常シリコンやゲルマニウム等の半導体圧力変
換素子においては機械的応力を加える事によつて
ピエゾ抵抗効果によりその抵抗値が変化する。こ
のような物理現象を利用して単結晶シリコン板よ
りなる半導体圧力変換素子では半導体ダイアフラ
ム上に歪ゲージを拡散層等で形成して、ダイアフ
ラムに加わる圧力により歪ゲージを変形させ、ピ
エゾ抵抗効果による抵抗値の変化を検出して圧力
を測定している。
換素子においては機械的応力を加える事によつて
ピエゾ抵抗効果によりその抵抗値が変化する。こ
のような物理現象を利用して単結晶シリコン板よ
りなる半導体圧力変換素子では半導体ダイアフラ
ム上に歪ゲージを拡散層等で形成して、ダイアフ
ラムに加わる圧力により歪ゲージを変形させ、ピ
エゾ抵抗効果による抵抗値の変化を検出して圧力
を測定している。
このような半導体圧力変換素子の一例を第１図
に示す。図において１０は半導体圧力変換素子で
あり、これはシリコン結晶薄板からなるダイアフ
ラム部１１と同じくシリコン結晶からなる支持部
１２とから構成されている。ダイアフラム部面上
には歪ゲージ１３及びこれを支持部１２上まで電
気的に導く導電層１４が拡散層で形成されてい
る。１５は絶縁膜、例えばSiO2膜でダイアフラ
ム部１１面上及び支持部１２面上を被覆してい
る。支持部１２上のSiO2膜の一部には穴が開け
られ、ここに導電層１４の一部と接触する電極１
６が形成されている。電極１６にはリード線２４
が接続されている。２１は半導体圧力変換素子１
０の取り付け台であり、支持部１２の下面が接着
剤２２によつて固着されている。２３は取り付け
台２１に開けられた孔である。
に示す。図において１０は半導体圧力変換素子で
あり、これはシリコン結晶薄板からなるダイアフ
ラム部１１と同じくシリコン結晶からなる支持部
１２とから構成されている。ダイアフラム部面上
には歪ゲージ１３及びこれを支持部１２上まで電
気的に導く導電層１４が拡散層で形成されてい
る。１５は絶縁膜、例えばSiO2膜でダイアフラ
ム部１１面上及び支持部１２面上を被覆してい
る。支持部１２上のSiO2膜の一部には穴が開け
られ、ここに導電層１４の一部と接触する電極１
６が形成されている。電極１６にはリード線２４
が接続されている。２１は半導体圧力変換素子１
０の取り付け台であり、支持部１２の下面が接着
剤２２によつて固着されている。２３は取り付け
台２１に開けられた孔である。
ダイアフラム部１１は非常に薄いシリコン結晶
薄板で可撓性があり、ダイアフラム部１１の上面
に加わる圧力（Ｐ、被測定圧）と下面に加わる圧
力（Ｐp，基準圧）とが異なれば変形する。この
時ダイアフラム部１１上に形成された歪ゲージ１
３も変形して抵抗値が変化する。支持部１２は可
撓性のダイアフラム部１１の周辺部を固定すると
伴に、取り付け台２１からダイアフラム部１１へ
直接伝わつてくる好ましくない力を緩和する役割
を果たしている。取り付け台２１に開けられた孔
２３はダイアフラム部１１の下面に基準圧（Ｐ
p）を与えるためのものである。絶対圧検出用の
半導体圧力変換素子ではこの孔２３を塞ぎダイア
フラム部１１と支持部１２と取り付け台２１とで
形成される空間１７を真空にする。
薄板で可撓性があり、ダイアフラム部１１の上面
に加わる圧力（Ｐ、被測定圧）と下面に加わる圧
力（Ｐp，基準圧）とが異なれば変形する。この
時ダイアフラム部１１上に形成された歪ゲージ１
３も変形して抵抗値が変化する。支持部１２は可
撓性のダイアフラム部１１の周辺部を固定すると
伴に、取り付け台２１からダイアフラム部１１へ
直接伝わつてくる好ましくない力を緩和する役割
を果たしている。取り付け台２１に開けられた孔
２３はダイアフラム部１１の下面に基準圧（Ｐ
p）を与えるためのものである。絶対圧検出用の
半導体圧力変換素子ではこの孔２３を塞ぎダイア
フラム部１１と支持部１２と取り付け台２１とで
形成される空間１７を真空にする。
ところで、このような半導体圧力変換素子で圧
力を検出するにはダイアフラム部１１を被測定ガ
ス（または被測定液体）に晒さなければならな
い。しかし被測定ガス（被測定液体）は必ずしも
清浄なものではなく逆に半導体素子に重大な影響
を与える、すなわち特性の劣化や故障を引き起す
場合の方が多い。ダイアフラム部面上は一応
SiO2等の絶縁膜で保護はされてはいるが、素子
自体を周囲雰囲気に直接晒さなければならない圧
力変換素子ではSiO2膜のような通常の半導体素
子表面に形成される保護膜では耐湿性、耐酸性、
耐アルカリ性等に弱く、耐久力に優れた高信頼性
を有する圧力変換素子を得る事は出来ない。
力を検出するにはダイアフラム部１１を被測定ガ
ス（または被測定液体）に晒さなければならな
い。しかし被測定ガス（被測定液体）は必ずしも
清浄なものではなく逆に半導体素子に重大な影響
を与える、すなわち特性の劣化や故障を引き起す
場合の方が多い。ダイアフラム部面上は一応
SiO2等の絶縁膜で保護はされてはいるが、素子
自体を周囲雰囲気に直接晒さなければならない圧
力変換素子ではSiO2膜のような通常の半導体素
子表面に形成される保護膜では耐湿性、耐酸性、
耐アルカリ性等に弱く、耐久力に優れた高信頼性
を有する圧力変換素子を得る事は出来ない。
そこでダイアフラム部面上をシリコンオイルで
被いこのシリコンオイルを介してダイアフラム部
に被測定圧を加える方法等が考案されている。し
かし圧力変化への追随が悪いとか、構造が複雑で
ありこの方法を適用すること自体面倒であり、コ
ストが嵩むという問題があつた。
被いこのシリコンオイルを介してダイアフラム部
に被測定圧を加える方法等が考案されている。し
かし圧力変化への追随が悪いとか、構造が複雑で
ありこの方法を適用すること自体面倒であり、コ
ストが嵩むという問題があつた。
本発明はこのような従来の半導体圧力変換素子
の欠点を除去するためなされたもので、耐湿性、
耐酸性、耐アルカリ性等に優れ、信頼性が高く、
また被測定圧力の変動への追随が良い半導体圧力
変換素子を提供することにある。
の欠点を除去するためなされたもので、耐湿性、
耐酸性、耐アルカリ性等に優れ、信頼性が高く、
また被測定圧力の変動への追随が良い半導体圧力
変換素子を提供することにある。
以下実施例を挙げて本発明による半導体圧力変
換素子について詳細に説明するが、これはあくま
でも実施例に過ぎず、本発明の主旨の枠を越える
事なく色々な変形や改良があり得る事は勿論であ
る。
換素子について詳細に説明するが、これはあくま
でも実施例に過ぎず、本発明の主旨の枠を越える
事なく色々な変形や改良があり得る事は勿論であ
る。
第２図は本発明による半導体圧力変換素子の１
実施例を示したものである。図において第１図と
同一符号は同一または相当部分を示し、１８はダ
イアフラム部１１及び支持部１２上のSiO2膜等
の絶縁膜１５上に形成された金属薄膜である。こ
の金属薄膜１８は例えば耐湿性、耐酸性、耐アル
カリ性に強いAu（金）の薄膜である。そしてこ
のAu薄膜１８は図に示すようにダイアフラム部
１１の面上を全面被いさらに支持部１２上にまで
延びている。１９は絶縁物質、例えばシリコンゴ
ムである。この絶縁物質１９は支持部１２上に存
在するが、ダイアフラム部１１上にまで延びるこ
とはない。絶縁物質１９は導電層１４が支持部１
２との間に形成するＰ−ｎ接合のうち支持部１２
上面に露出しかつ絶縁膜１５でしか表面保護され
ていない（金属薄膜１８で保護されていない）部
分を保護するためのものである。従つてこの部分
を被うように形成されていればよいのでダイアフ
ラム部１１上にまで延ばす必要はない。
実施例を示したものである。図において第１図と
同一符号は同一または相当部分を示し、１８はダ
イアフラム部１１及び支持部１２上のSiO2膜等
の絶縁膜１５上に形成された金属薄膜である。こ
の金属薄膜１８は例えば耐湿性、耐酸性、耐アル
カリ性に強いAu（金）の薄膜である。そしてこ
のAu薄膜１８は図に示すようにダイアフラム部
１１の面上を全面被いさらに支持部１２上にまで
延びている。１９は絶縁物質、例えばシリコンゴ
ムである。この絶縁物質１９は支持部１２上に存
在するが、ダイアフラム部１１上にまで延びるこ
とはない。絶縁物質１９は導電層１４が支持部１
２との間に形成するＰ−ｎ接合のうち支持部１２
上面に露出しかつ絶縁膜１５でしか表面保護され
ていない（金属薄膜１８で保護されていない）部
分を保護するためのものである。従つてこの部分
を被うように形成されていればよいのでダイアフ
ラム部１１上にまで延ばす必要はない。
さて絶縁物質１９は支持部１２上にのみ存在す
るのでこれがダイアフラム部１１本来の機能に影
響を及ぼすことはない。しかし金属薄膜１８はダ
イアフラム部１１上に存在するのでこれにより半
導体圧力変換素子の特性がどう変るか、ダイアフ
ラム部１１の機械的な特性にどう作用するか調べ
ておかなければならない。我々が実際に検討して
みたところ実用的な厚さの例えば25μｍの厚さの
ダイアフラム部１１の上面を厚さ１μｍのAu薄
膜で被つても半導体圧力変換素子に与える影響は
ほとんど測定されなかつた。すなわち、金属薄膜
１８はダイアフラム部１１の本来の機能を損なわ
ない程度に十分薄くできるので、高速で変化する
被測定圧に対してもダイアフラム部は十分にこれ
に追随して変化しうることとなる。しかもこの１
μｍのAu薄膜は耐湿性、耐酸性、耐アルカリ性
に対して十分な保護膜としての役割を果した。
るのでこれがダイアフラム部１１本来の機能に影
響を及ぼすことはない。しかし金属薄膜１８はダ
イアフラム部１１上に存在するのでこれにより半
導体圧力変換素子の特性がどう変るか、ダイアフ
ラム部１１の機械的な特性にどう作用するか調べ
ておかなければならない。我々が実際に検討して
みたところ実用的な厚さの例えば25μｍの厚さの
ダイアフラム部１１の上面を厚さ１μｍのAu薄
膜で被つても半導体圧力変換素子に与える影響は
ほとんど測定されなかつた。すなわち、金属薄膜
１８はダイアフラム部１１の本来の機能を損なわ
ない程度に十分薄くできるので、高速で変化する
被測定圧に対してもダイアフラム部は十分にこれ
に追随して変化しうることとなる。しかもこの１
μｍのAu薄膜は耐湿性、耐酸性、耐アルカリ性
に対して十分な保護膜としての役割を果した。
上述の説明から明らかなように本発明による半
導体圧力変換装置ではダイアフラム部１１の面上
の絶縁膜１５上にさらに耐湿性、耐酸性、耐アル
カリ性の優れた金属薄膜１８が保護膜として形成
されており、この金属薄膜１８は支持部１２まで
延びている。一方支持部１２上の絶縁膜１５でし
か被われていない部分は更に他の絶縁物質１９で
表面保護されている。従つて被測定ガスや被測定
液体からの影響を受けずに済み信頼性の優れた半
導体圧力変換素子が得られる。しかも金属薄膜１
８はダイアフラム部１１の本来の機能を損なわな
い程度に十分薄く出来るので、高速で変化する被
測定圧の変化への追随も良い。
導体圧力変換装置ではダイアフラム部１１の面上
の絶縁膜１５上にさらに耐湿性、耐酸性、耐アル
カリ性の優れた金属薄膜１８が保護膜として形成
されており、この金属薄膜１８は支持部１２まで
延びている。一方支持部１２上の絶縁膜１５でし
か被われていない部分は更に他の絶縁物質１９で
表面保護されている。従つて被測定ガスや被測定
液体からの影響を受けずに済み信頼性の優れた半
導体圧力変換素子が得られる。しかも金属薄膜１
８はダイアフラム部１１の本来の機能を損なわな
い程度に十分薄く出来るので、高速で変化する被
測定圧の変化への追随も良い。
尚電極１６が耐湿性、耐酸性、耐アルカリ性等
に対して弱い場合であつても、第２図に示すよう
に本実施例では電極１６を絶縁物質１９で被つて
保護しているので問題はない。
に対して弱い場合であつても、第２図に示すよう
に本実施例では電極１６を絶縁物質１９で被つて
保護しているので問題はない。
第３図は本発明による半導体圧力変換装置の他
の実施例を示したものである。図中で第２図と同
一符号は同一または相当部分を示す。第３図にお
いて１０′は半導体圧力変換素子であり、この半
導体圧力変換素子１０′は取り付け台２１に直接
固着されている。そして接着剤２２により固定さ
れた支持部１２′と固定されずに起歪板として動
作するダイアフラム部１１′はそれぞれ第２図に
おける支持部１２とダイアフラム部１１にそれぞ
れ対応する。ダイアフラム部１１′及び支持部１
２′上に絶縁膜１５が被覆され、絶縁膜１５上に
はさらに金属薄膜１８が被覆されている。金属薄
膜１８はダイアフラム部１１′上を全面被いさら
に支持部１２′上にまで延びている。１９は絶縁
物質であり導電層１４が支持部１２′との間に形
成するＰ−ｎ接合のうち絶縁膜１５でしか被われ
ていない（金属薄膜１８で被われていない）部分
をさらに被い、表面保護を行なつている。即ちダ
イアフラム部上の絶縁膜１５上にさらに耐湿性、
耐酸性、耐アルカリ性の優れた金属薄膜１８が保
護膜として形成されており、この金属薄膜１８は
支持部まで延びている。一方固定部上の絶縁膜１
５でしか被われていない部分は更に他の絶縁物質
１９で表面保護されている。従つて被測定ガスや
被測定液体から影響を受けずに済み信頼性の優れ
た半導体圧力変換装置が得られる。しかも金属薄
膜１８はダイアフラム部の本来の機能を損なわな
い程度に十分薄く出来るので、被測定圧の変化へ
の追随もよい。
の実施例を示したものである。図中で第２図と同
一符号は同一または相当部分を示す。第３図にお
いて１０′は半導体圧力変換素子であり、この半
導体圧力変換素子１０′は取り付け台２１に直接
固着されている。そして接着剤２２により固定さ
れた支持部１２′と固定されずに起歪板として動
作するダイアフラム部１１′はそれぞれ第２図に
おける支持部１２とダイアフラム部１１にそれぞ
れ対応する。ダイアフラム部１１′及び支持部１
２′上に絶縁膜１５が被覆され、絶縁膜１５上に
はさらに金属薄膜１８が被覆されている。金属薄
膜１８はダイアフラム部１１′上を全面被いさら
に支持部１２′上にまで延びている。１９は絶縁
物質であり導電層１４が支持部１２′との間に形
成するＰ−ｎ接合のうち絶縁膜１５でしか被われ
ていない（金属薄膜１８で被われていない）部分
をさらに被い、表面保護を行なつている。即ちダ
イアフラム部上の絶縁膜１５上にさらに耐湿性、
耐酸性、耐アルカリ性の優れた金属薄膜１８が保
護膜として形成されており、この金属薄膜１８は
支持部まで延びている。一方固定部上の絶縁膜１
５でしか被われていない部分は更に他の絶縁物質
１９で表面保護されている。従つて被測定ガスや
被測定液体から影響を受けずに済み信頼性の優れ
た半導体圧力変換装置が得られる。しかも金属薄
膜１８はダイアフラム部の本来の機能を損なわな
い程度に十分薄く出来るので、被測定圧の変化へ
の追随もよい。
第２図や第３図において金属薄膜１８は通常の
真空蒸着技術等で簡単に形成する事が出来る。ま
た金属薄膜１８と電極１６とを同じ金属物質で形
成する場合には両者を同時に形成する事が可能で
コストも安くなる。
真空蒸着技術等で簡単に形成する事が出来る。ま
た金属薄膜１８と電極１６とを同じ金属物質で形
成する場合には両者を同時に形成する事が可能で
コストも安くなる。
尚金属薄膜１８はAuのように耐湿性、耐酸
性、耐アルカリ性を必ずしも同時にすべて満足す
る必要はなく、各半導体圧力変換素子の使用に際
して予想される周囲雰囲気に対して耐久性の優れ
た金属物質で形成された耐周囲雰囲気性金属薄膜
であれば十分な効果が得られる。
性、耐アルカリ性を必ずしも同時にすべて満足す
る必要はなく、各半導体圧力変換素子の使用に際
して予想される周囲雰囲気に対して耐久性の優れ
た金属物質で形成された耐周囲雰囲気性金属薄膜
であれば十分な効果が得られる。
またダイアフラム部１１，１１′を直接被覆す
る絶縁膜１５はSiO2膜に限らず、Si3N4膜、
Al2O3膜、リンガラス膜（PGS）や他の一般の半
導体素子表面保護膜であつてもかまわない。
る絶縁膜１５はSiO2膜に限らず、Si3N4膜、
Al2O3膜、リンガラス膜（PGS）や他の一般の半
導体素子表面保護膜であつてもかまわない。
さらに支持部１２，１２′上を保護する絶縁物
質１９はシリコンゴムに限らず、エポキシ樹脂や
ガラス、他の有機高分子物質を使用してもよい。
質１９はシリコンゴムに限らず、エポキシ樹脂や
ガラス、他の有機高分子物質を使用してもよい。
以上のように、この発明によれば、少なくとも
ダイアフラム部上の絶縁膜を覆つて金属薄膜を形
成したので、被測定圧力の変動への追随が良好
で、かつ耐周囲雰囲気性を持つた半導体圧力変換
素子を容易に、しかも安価に得ることができる効
果がある。
ダイアフラム部上の絶縁膜を覆つて金属薄膜を形
成したので、被測定圧力の変動への追随が良好
で、かつ耐周囲雰囲気性を持つた半導体圧力変換
素子を容易に、しかも安価に得ることができる効
果がある。
第１図は従来の半導体圧力変換素子を示す断面
図、第２図は本発明による半導体圧力変換装置の
一実施例を示す断面図、第３図は本発明による半
導体圧力変換装置の他の実施例を示す断面図であ
る。 図において、１０，１０′は半導体圧力変換素
子、１１，１１′はダイアフラム部、１２，１
２′は支持部、１３は歪ゲージ、１４は導電層、
１５は絶縁膜、１６は電極、１８は金属薄膜であ
る。
図、第２図は本発明による半導体圧力変換装置の
一実施例を示す断面図、第３図は本発明による半
導体圧力変換装置の他の実施例を示す断面図であ
る。 図において、１０，１０′は半導体圧力変換素
子、１１，１１′はダイアフラム部、１２，１
２′は支持部、１３は歪ゲージ、１４は導電層、
１５は絶縁膜、１６は電極、１８は金属薄膜であ
る。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ シリコン結晶からなり、その表面側に歪ゲー
ジを有するダイアフラム部及び該ダイアフラム部
を支持する支持部と、 上記ダイアフラム部及び支持部の表面上を覆う
絶縁膜と、 少なくとも上記ダイアフラム部上の絶縁膜を覆
つて形成された耐周囲雰囲気性の金属薄膜とを備
えていることを特徴とする半導体圧力変換素子。 ２ 上記金属薄膜はAu薄膜であることを特徴と
する特許請求の範囲第１項記載の半導体圧力変換
素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10477678A JPS5533024A (en) | 1978-08-28 | 1978-08-28 | Semiconductor device for converting pressure |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10477678A JPS5533024A (en) | 1978-08-28 | 1978-08-28 | Semiconductor device for converting pressure |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5533024A JPS5533024A (en) | 1980-03-08 |
| JPS6222466B2 true JPS6222466B2 (ja) | 1987-05-18 |
Family
ID=14389873
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10477678A Granted JPS5533024A (en) | 1978-08-28 | 1978-08-28 | Semiconductor device for converting pressure |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5533024A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02296373A (ja) * | 1989-05-10 | 1990-12-06 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
| JP2650455B2 (ja) * | 1990-02-02 | 1997-09-03 | 株式会社デンソー | 半導体圧力センサ |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS506281A (ja) * | 1973-05-18 | 1975-01-22 | ||
| JPS5186986A (ja) * | 1975-01-29 | 1976-07-30 | Tokyo Shibaura Electric Co | Handotaiatsuryokuhenkansochi |
| JPS51140582A (en) * | 1975-05-30 | 1976-12-03 | Nec Corp | Semiconductor resistance element |
-
1978
- 1978-08-28 JP JP10477678A patent/JPS5533024A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS506281A (ja) * | 1973-05-18 | 1975-01-22 | ||
| JPS5186986A (ja) * | 1975-01-29 | 1976-07-30 | Tokyo Shibaura Electric Co | Handotaiatsuryokuhenkansochi |
| JPS51140582A (en) * | 1975-05-30 | 1976-12-03 | Nec Corp | Semiconductor resistance element |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5533024A (en) | 1980-03-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4481497A (en) | Transducer structures employing ceramic substrates and diaphragms | |
| US7436037B2 (en) | Moisture resistant pressure sensors | |
| US5604363A (en) | Semiconductor pressure sensor with package | |
| US3968466A (en) | Pressure transducer | |
| US6612178B1 (en) | Leadless metal media protected pressure sensor | |
| JPH05231971A (ja) | 圧力センサおよびその製造方法 | |
| US6201285B1 (en) | Sensor with diaphragm sensor chip | |
| US5932809A (en) | Sensor with silicon strain gage | |
| US8631709B2 (en) | Pressure transducer structures having a plurality of conductive traces for curved surfaces | |
| JP2962738B2 (ja) | 湿度検出装置 | |
| JPS6222466B2 (ja) | ||
| GB2034970A (en) | Semiconductor pressure transducer | |
| JP6714439B2 (ja) | 歪検出器及びその製造方法 | |
| JPH07101747B2 (ja) | 半導体圧力センサ | |
| JPS59154332A (ja) | 半導体圧力センサ | |
| GB2029094A (en) | Pressure transducers having piezoresistive strain gauges and methods of manufacturing such transducers | |
| JPH05283713A (ja) | 半導体センサ | |
| JPH05223670A (ja) | 半導体圧力センサ | |
| JPS59102131A (ja) | 半導体圧力センサ | |
| JPS6329202Y2 (ja) | ||
| JP2002267684A (ja) | 半導体式力学量センサ | |
| JPH0419495B2 (ja) | ||
| JPS6155263B2 (ja) | ||
| JPH098326A (ja) | 半導体圧力センサ | |
| JPH08193899A (ja) | 半導体圧力センサ |