JPS62221117A - 支持電極 - Google Patents
支持電極Info
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- JPS62221117A JPS62221117A JP6409886A JP6409886A JPS62221117A JP S62221117 A JPS62221117 A JP S62221117A JP 6409886 A JP6409886 A JP 6409886A JP 6409886 A JP6409886 A JP 6409886A JP S62221117 A JPS62221117 A JP S62221117A
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- electrodes
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- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 abstract description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 8
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- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
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Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
Ｃ産業上の利用分野〕
本発明は、プラズマ処理に際し、ウェハを装着する支持
電極に適用して有効な技術に関する。
電極に適用して有効な技術に関する。
いわゆる、プラズマ処理の一つにプラズマＣＶＤがある
。このプラズマＣＶＤ技術については、株式会社工業調
査会、昭和５８年１１月１５日発行、「電子材料Ｊ １
９８３年別冊、Ｐ６９以下に説明がある。その概要は、
反応容器内に支持電極に装着されて半導体ウェハ（以下
、単にウェハともいう）を位置させ、真空状態において
該反応容器内に反応ガスを流しながら上記電極に高周波
電力を印加し、上記ウェハの表面に反応生成物を蓄積さ
せ薄膜の形成を行う技術である。
。このプラズマＣＶＤ技術については、株式会社工業調
査会、昭和５８年１１月１５日発行、「電子材料Ｊ １
９８３年別冊、Ｐ６９以下に説明がある。その概要は、
反応容器内に支持電極に装着されて半導体ウェハ（以下
、単にウェハともいう）を位置させ、真空状態において
該反応容器内に反応ガスを流しながら上記電極に高周波
電力を印加し、上記ウェハの表面に反応生成物を蓄積さ
せ薄膜の形成を行う技術である。
上記プラズマＣＶＤにおいては、ウェハを装着する支持
電極として、はぼ垂直な平板電極が並行に並設された、
いわゆる支持電極を用いることができる。この支持電極
の平板電極にその一主面を密着させて半導体ウェハを装
着し、該支持電極を反応容器内に設置し、反応ガスを流
しながら、上記対向する平板電極に高周波電力の印加を
行う。
電極として、はぼ垂直な平板電極が並行に並設された、
いわゆる支持電極を用いることができる。この支持電極
の平板電極にその一主面を密着させて半導体ウェハを装
着し、該支持電極を反応容器内に設置し、反応ガスを流
しながら、上記対向する平板電極に高周波電力の印加を
行う。
このようにすることにより、前記ウェハの表面に窒化ケ
・イ素等からなる薄膜を被着することができるものであ
る。
・イ素等からなる薄膜を被着することができるものであ
る。
上記支持電極へ半導体ウェハを装着する方法として、該
支持電極を構成する対向する各平板電極の面に突出部を
設け、該突出部の上に上記ウェハを縦方向にｉ３１置し
、咳ウェハを支持すると同時にその裏面を電極面に接触
させ、その電気的導通を達成することが行われている。
支持電極を構成する対向する各平板電極の面に突出部を
設け、該突出部の上に上記ウェハを縦方向にｉ３１置し
、咳ウェハを支持すると同時にその裏面を電極面に接触
させ、その電気的導通を達成することが行われている。
ところが、上記支持電極では、単に突出部にウェハを載
置するだけで該ウェハとほぼ垂直なｔ橋面との電気的接
続を達成しようとするものであるため、その電気的接続
が不完全になり易い、仮に、前記突出部のウェハ載置面
に！ＩＪＩ斜が付けられている場合であっても十分でな
い。その結果、プラズマＣＶＤを行った場合に、同一バ
ッチであってもウェハ間に形成される被着腹の厚さに差
が生じ、信頼性に問題があることが本発明者により見い
出された。
置するだけで該ウェハとほぼ垂直なｔ橋面との電気的接
続を達成しようとするものであるため、その電気的接続
が不完全になり易い、仮に、前記突出部のウェハ載置面
に！ＩＪＩ斜が付けられている場合であっても十分でな
い。その結果、プラズマＣＶＤを行った場合に、同一バ
ッチであってもウェハ間に形成される被着腹の厚さに差
が生じ、信頼性に問題があることが本発明者により見い
出された。
本発明の目的は、プラズマ処理を行う際に全てのウェハ
に対し均等な処理を可能にする技術を提供することにあ
る。
に対し均等な処理を可能にする技術を提供することにあ
る。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
。
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
。
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、次の通りである。
を簡単に説明すれば、次の通りである。
すなわち、その電極面にウェハの一主面を接触させ、該
ウェハの装着を行う平板電極が並行に並設されてなる支
持電極であり、該平板電極をウェハからその電極面に荷
重がかかるように配置するものである。
ウェハの装着を行う平板電極が並行に並設されてなる支
持電極であり、該平板電極をウェハからその電極面に荷
重がかかるように配置するものである。
上記した手段によれば、重力の作用によりウェハを平板
電極の面に十分に接触されることができる。そのため、
上記ウェハと平板電極との電気的接続が確保できること
になり、同時処理される複数枚のウェハの相互間でプラ
ズマ処理の程度が不均一になることを防止できるもので
ある。
電極の面に十分に接触されることができる。そのため、
上記ウェハと平板電極との電気的接続が確保できること
になり、同時処理される複数枚のウェハの相互間でプラ
ズマ処理の程度が不均一になることを防止できるもので
ある。
〔実施例１〕
第１図ｆａｒは本発明による実施例１である支持電極の
構成の概略を示す断面図であり、第１図（ｂｌは上記支
持電極を構成する平板電極の部分正面図である。
構成の概略を示す断面図であり、第１図（ｂｌは上記支
持電極を構成する平板電極の部分正面図である。
本実施例１の支持電極は、複数のグラファイトからなる
平板電極・ｌが、その面を互いに並行にして並設されて
おり、かつその面を垂直方向から所定角度に傾斜されて
なるものである。そして、上記平板電極１は、その奇数
番目どうしが互いに、同様に偶数番目どうしが互いに電
気的に接続されている。上記奇数番目の平板電極と偶数
番目のそれとは、それぞれが高周波電源２に接続されて
おり、両者間には逆方向の電圧が印加されるものである
。
平板電極・ｌが、その面を互いに並行にして並設されて
おり、かつその面を垂直方向から所定角度に傾斜されて
なるものである。そして、上記平板電極１は、その奇数
番目どうしが互いに、同様に偶数番目どうしが互いに電
気的に接続されている。上記奇数番目の平板電極と偶数
番目のそれとは、それぞれが高周波電源２に接続されて
おり、両者間には逆方向の電圧が印加されるものである
。
また、本実施例１の支持ｆｆｉ掻を構成する平板電極ｌ
は、その表面が第１図山）に示すようにウェハ接触部１
ａを除き、絶縁膜１ｂで被覆されている。
は、その表面が第１図山）に示すようにウェハ接触部１
ａを除き、絶縁膜１ｂで被覆されている。
そして、上記ウェハ接触部１ａの下部周囲にはウェハを
支持するための２つのフック３が形成されている。
支持するための２つのフック３が形成されている。
上記ウェハ接触部１ａは、装着するウェハとほぼ同形状
からなり、該ウェハ接触部１ａには下地であるグラファ
イトが露出されている。なお、平板電極ｌにウェハ接触
部１ａを形成するためには、処理を行うウェハと同形状
のダミーウェハを装着し、予め次に説明するプラズマＣ
ＶＤを行い、所定の処理を行った後上記ダミーウェハを
取り外すだけでよい、その際、処理の時間等の条件を変
えることにより、平板電極ｌの表面に被着される窒化ケ
イ素（Ｓ ｉｚ Ｎ４ ）等の絶縁膜を所望の厚さにす
ることがきる。
からなり、該ウェハ接触部１ａには下地であるグラファ
イトが露出されている。なお、平板電極ｌにウェハ接触
部１ａを形成するためには、処理を行うウェハと同形状
のダミーウェハを装着し、予め次に説明するプラズマＣ
ＶＤを行い、所定の処理を行った後上記ダミーウェハを
取り外すだけでよい、その際、処理の時間等の条件を変
えることにより、平板電極ｌの表面に被着される窒化ケ
イ素（Ｓ ｉｚ Ｎ４ ）等の絶縁膜を所望の厚さにす
ることがきる。
以上説明した本実施例１の支持電極は、前記フ７り３に
ウェハ４の一部周端を載置し、第１図ｆａｔに示すよう
に該ウェハ４の装着を行う。ウェハ４を装着した後、そ
の支持電極をプラズマＣＶＤ装置（図示せず）の反応室
に導き、所定位置に設置することにより、該支持電極と
高周波電源２とを電気的に接続することができる。その
後、プラグ。
ウェハ４の一部周端を載置し、第１図ｆａｔに示すよう
に該ウェハ４の装着を行う。ウェハ４を装着した後、そ
の支持電極をプラズマＣＶＤ装置（図示せず）の反応室
に導き、所定位置に設置することにより、該支持電極と
高周波電源２とを電気的に接続することができる。その
後、プラグ。
マ生成条件下において、第１図＋ａｌにおいて紙面に対
し垂直方向、すなわち平板電極１の長さ方向に沿って、
たとえばアンモニア（ＮＨりとモノシラン（ＳｉＨ，）
とからなる反応ガスを供給し、隣接する各平板電橋間に
高周波電力を印加することにより、装着されているウェ
ハ４の表面に、たとえば窒化ケイ素（ｓｔｆｆＮａ）の
Ｉｔｌ！を被着することができるものである。
し垂直方向、すなわち平板電極１の長さ方向に沿って、
たとえばアンモニア（ＮＨりとモノシラン（ＳｉＨ，）
とからなる反応ガスを供給し、隣接する各平板電橋間に
高周波電力を印加することにより、装着されているウェ
ハ４の表面に、たとえば窒化ケイ素（ｓｔｆｆＮａ）の
Ｉｔｌ！を被着することができるものである。
このように、本実施例によれば以下の効果を得ることが
できる。
できる。
（１）、並行に並設された平板電極１を備えたウェハの
支持電極について、その平板電極１を傾斜させることに
より、重力の作用により装着するウェハ４の一主面を該
平板電極１の装着面に十分に接触させることができるた
め、該ウェハの電気的接続を確実に行うことができる。
支持電極について、その平板電極１を傾斜させることに
より、重力の作用により装着するウェハ４の一主面を該
平板電極１の装着面に十分に接触させることができるた
め、該ウェハの電気的接続を確実に行うことができる。
（２）、前記（１）により、同時処理を行うウェハ間で
その表面に被着される膜厚に差が生じることを防止し、
全ウェハについて均一な厚さの被膜を形成できるので半
導体装置の信鎖性向上が達成される。
その表面に被着される膜厚に差が生じることを防止し、
全ウェハについて均一な厚さの被膜を形成できるので半
導体装置の信鎖性向上が達成される。
（３）、平板型ｉｔにおいて、ウェハを装着する電極面
のみを露出させ、他の電極面を絶縁膜で被覆することに
より、導電部分と絶縁部分との面積比が常に一定のちと
に処理を行うことができるので、安定した条件の下で処
理を行うことができる。
のみを露出させ、他の電極面を絶縁膜で被覆することに
より、導電部分と絶縁部分との面積比が常に一定のちと
に処理を行うことができるので、安定した条件の下で処
理を行うことができる。
（４）、前記（１１および（３）により、プラズマＣＶ
Ｄにより形成されるウェハ上の被膜をさらに均等な厚さ
にすることができる。
Ｄにより形成されるウェハ上の被膜をさらに均等な厚さ
にすることができる。
〔実施例２〕
第２図は本発明による実施例２である支持電極の構成の
概略を示す断面図である。
概略を示す断面図である。
本実施例２の支持１ｔＳは、その面を水平にした複数の
平板電極１が互いに並行に縦方向に並設されてなるもの
である。その他は前記実施例１の場合とほぼ同一である
。
平板電極１が互いに並行に縦方向に並設されてなるもの
である。その他は前記実施例１の場合とほぼ同一である
。
このように、本実施例によれば以下の効果を得ることが
できる。
できる。
（１）、支持電極の平板電極を、その面を水平にし、互
いに並行に縦方向に並設することにより、装着されるウ
ェハの荷重全体を平板電極の電極面に及ぼすことができ
るので、該ウェハの電気的接続を確実に行うことができ
る。
いに並行に縦方向に並設することにより、装着されるウ
ェハの荷重全体を平板電極の電極面に及ぼすことができ
るので、該ウェハの電気的接続を確実に行うことができ
る。
以上本発明者によってなされた発明を実施例に蟇づき具
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。
たとえば、実施例１において平板電極の傾斜角は図示し
たものに限るものでないことはいうまでもない、また、
実施例では平板電極ｌのウェハ装着面のみに電極面が露
出されたものを示したが、これに限るものでなくプラズ
マＣＶＤが可能であれば如何なる表面形状であってもよ
い。
たものに限るものでないことはいうまでもない、また、
実施例では平板電極ｌのウェハ装着面のみに電極面が露
出されたものを示したが、これに限るものでなくプラズ
マＣＶＤが可能であれば如何なる表面形状であってもよ
い。
さらに、プラズマＣＶＤで被着する膜としては、窒化ケ
イ素に限るものでなく二酸化ケイ素等如何なるものの被
着について適用できることはいうまでもない。
イ素に限るものでなく二酸化ケイ素等如何なるものの被
着について適用できることはいうまでもない。
以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその利用分野であるプラズマＣＶＤに適用した場合に
ついて説明したが、それに限定されるものではな（、た
とえば、プラズマエツチングについても適用して有効な
技術である。
をその利用分野であるプラズマＣＶＤに適用した場合に
ついて説明したが、それに限定されるものではな（、た
とえば、プラズマエツチングについても適用して有効な
技術である。
本願において開示される発明のうち代表的なものによっ
て得られる効果を簡単に説明すれば、下記の通りである
。
て得られる効果を簡単に説明すれば、下記の通りである
。
その電極面を並行にして並設された平板電極を存する支
持電極について、装着するウェハからその電極面に荷重
がかかるように複数の平板電極を配置することにより、
該ウェハの電気的接続を確実にすることができるので、
同時処理を行うウェハ間に処理の程度が不均一になるこ
とを防止できる。
持電極について、装着するウェハからその電極面に荷重
がかかるように複数の平板電極を配置することにより、
該ウェハの電気的接続を確実にすることができるので、
同時処理を行うウェハ間に処理の程度が不均一になるこ
とを防止できる。
第１図（ａｌは本発明による実施例１である支持電極の
構成の概略を示す断面図、 第１図山）は上記支持電極を構成する平板電極の部分正
面図、 第２図は本発明による実施例２である支持電極の構成の
概略を示す断面図である。 １・・・平板電極、ｌａ・・・ウェハ接触部、１ｂ・・
・絶縁膜、２・・・高周波電源、３・・・フック、４・
・・ウェハ。 第 １ 図 （に２ ！−オ巧電場 ２−面側５σ・電源 ４−→工、＼
構成の概略を示す断面図、 第１図山）は上記支持電極を構成する平板電極の部分正
面図、 第２図は本発明による実施例２である支持電極の構成の
概略を示す断面図である。 １・・・平板電極、ｌａ・・・ウェハ接触部、１ｂ・・
・絶縁膜、２・・・高周波電源、３・・・フック、４・
・・ウェハ。 第 １ 図 （に２ ！−オ巧電場 ２−面側５σ・電源 ４−→工、＼
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、その電極面にウェハの一主面を接触させ、該ウェハ
の装着を行う平板電極が並行に並設され、該平板電極が
ウェハからその電極面に荷重がかかるように位置されて
なる支持電極。 ２、各平板電極が所定の角度に傾斜されていることを特
徴とする特許請求の範囲第１項記載の支持電極。 ３、各平板電極が水平に配置されていることを特徴とす
る特許請求の範囲第１項記載の支持電極。 ４、奇数番目の平板電極が互いに、かつ偶数番目の平板
電極が互いに、それぞれ電気的に接続されていることを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載の支持電極。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6409886A JPS62221117A (ja) | 1986-03-24 | 1986-03-24 | 支持電極 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6409886A JPS62221117A (ja) | 1986-03-24 | 1986-03-24 | 支持電極 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62221117A true JPS62221117A (ja) | 1987-09-29 |
Family
ID=13248258
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6409886A Pending JPS62221117A (ja) | 1986-03-24 | 1986-03-24 | 支持電極 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62221117A (ja) |
-
1986
- 1986-03-24 JP JP6409886A patent/JPS62221117A/ja active Pending
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