JPS6222096B2 - - Google Patents

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JPS6222096B2
JPS6222096B2 JP53103026A JP10302678A JPS6222096B2 JP S6222096 B2 JPS6222096 B2 JP S6222096B2 JP 53103026 A JP53103026 A JP 53103026A JP 10302678 A JP10302678 A JP 10302678A JP S6222096 B2 JPS6222096 B2 JP S6222096B2
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JP
Japan
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resistive film
ultrafine
gas
film
ultrafine particle
Prior art date
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Expired
Application number
JP53103026A
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English (en)
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JPS5529758A (en
Inventor
Atsushi Abe
Kuni Ogawa
Masahiro Nishikawa
Satoshi Sekido
Shigeru Hayakawa
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Publication date
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Priority to US06/066,332 priority patent/US4313338A/en
Priority to CA333,788A priority patent/CA1123052A/en
Priority to DE2953771A priority patent/DE2953771C1/de
Priority to DE2933394A priority patent/DE2933394C2/de
Priority to GB7928825A priority patent/GB2029583B/en
Publication of JPS5529758A publication Critical patent/JPS5529758A/ja
Priority to US06/275,254 priority patent/US4362765A/en
Publication of JPS6222096B2 publication Critical patent/JPS6222096B2/ja
Granted legal-status Critical Current

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Description

【発明の詳細な説明】 本発明は超微粒子抵抗膜を用いた検出装置に関
するものであり、平均粒径が十数〜数百Åの範囲
の金属酸化物の集合体から構成され、同一の抵抗
膜を用いて、複数種類のガスおよび水蒸気などの
成分を高感度に検出するための超微粒子抵抗膜で
構成された感応素子を有する検出装置を提供する
ものである。
固体感応素子としてこれまで知られているもの
に蒸着膜と焼結体がある。本発明では、これらと
異質な超微粒子膜の性質を利用するものであり、
このような超微粒子膜を、支持基板上に設けられ
ている電極間に形成して抵抗膜とし、超微粒子抵
抗膜の抵抗が雰囲気ガス成分の濃度によつて変化
するのを検知して、同一の抵抗膜を用いて、複数
種類のガスおよび水蒸気などを定量的に検出する
という提案は従来にない新規なものである。蒸着
膜は、一般に10-6Torrまたはそれよりも高真空
中で形成される。これに対して、超微粒子膜はガ
ス中蒸発法(たとえば、0.1〜100Torr程度の圧力
のガス中において、目的とする材料を加熱蒸発さ
せると、ガスの蒸発した材料の原子とが衝突する
ことにより、超微粒子が形成されるという一種の
気相成長法)によつて膜が形成されるものであ
り、それぞれが単結晶である超微粒子の集合体で
ある。したがつて、蒸着膜に比べて、検知対象と
するガス、水蒸気などの成分と接触する面積は桁
違いに大きい。
多孔質セラミツクスはいつたん、たとえば数μ
〜数十μの粒径の粉末材料を成形し、焼成するこ
とにより作製されている。
本発明の製造方法により作製された超微粒子は
十数〜数百Åの粒径を有するものであり、多孔質
セラミツクの粉末材料に比べて桁違いに粒径が小
さい。また、本発明による超微粒子膜の作製方法
では、膜作製のための加熱処理を必要としないの
に対して、セラミツクスは周知のように非常に高
い温度で焼成するので、出発材料である粉末の粒
径たとえば数μ〜数十μに対してさらに粒径が大
きくなつてしまう。
このようなことから明らかなように、超微粒子
膜には、蒸着膜や多孔質セラミツクスに比べて、
表面エネルギーおよび表面活性度が桁違いに大き
いという特徴があり、そのため、ガス、水蒸気の
成分をきわめて鋭敏に検知することができる。
以下、本発明にかかる装置について詳細に説明
する。
まず、超微粒子抵抗膜で構成した感応素子の構
造について、第1図に示す一例にもとづいて説明
する。第1図Aはその平面図であり、同図Bは図
AのX―X線に沿つた断面図である。
図において、1は絶縁基板であり、ガラス、セ
ラミツクス、もしくは合成樹脂などの絶縁材料で
構成されているもの、またはSiO2膜を有するシ
リコン基板で構成されている。2,3はその表面
に設けられたたとえばCrとAuの二層構造のくし
歯形電極、4はさらにその上に形成された超微粒
子抵抗膜である。くし歯形電極2,3の電極指数
は、超微粒子抵抗膜4の抵抗値に応じて決める。
5,6はそれぞれくし歯形電極2,3の引出電極
端子である。
超微粒子抵抗膜は、SnO2、ZnO、NiOなどの金
属酸化物超微粒子により構成される。
本発明の金属酸化物超微粒子のなかには金属超
微粒子の表面に薄い酸化物被膜が形成された金属
酸化物超微粒子は含まれない。このような金属酸
化物超微粒子抵抗膜を用いて相対温度が検出でき
ることが知られているが、ガスは検知できない。
なぜならガスを検知するには抵抗膜を加熱するこ
とが必要だがこのような金属酸化物超微粒子膜は
数百℃の加熱に耐えられない。たとえば焼結現象
がおこり、安定に動作しない。超微粒子の粒径が
小さくなるほど焼結温度が低下するためである。
本発明の金属酸化物超微粒子膜は初めから酸化
物超微粒子で構成されているので数百℃に加熱さ
れても安定に動作する。
第2図を用いてその製造方法の一例を述べる。
電極2,3を有する絶縁基板1に対して、第2図
Aに示すように窓8を有するマスク7を密着ある
いは近接して設置した後、それらを真空容器の内
部に設置し、いつたん真空容器内をたとえば5×
10-6Torr程度の真空に排気する。それからたと
えば0.1〜100Torrの範囲のガスを導入し、その中
で超微粒子を作製するための材料を蒸発させて超
微粒子を形成し、それらの超微粒子を基板1上お
よび電極2,3上に付着させる。それにより、第
2図Bに示すように超微粒子抵抗膜4を形成す
る。しかるのち、マスク7を取り除くと、第1図
に示したように基板1と電極2,3に超微粒子抵
抗膜4が選択的に形成される。
SnO2といつた金属酸化物の超微粒子を作製す
るためには、O2ガス中でSn、SnO、SnO2といつ
た金属または酸化物を蒸発させればよい。O2
スが0.5Torrのときには得られる超微粒子の平均
粒径はほぼ30Åであり、10Torrのときにはほぼ
140Åである。
上述のような感応素子を使用した本発明にかか
る装置の一実施例について、第3図を用いて説明
する。
図において、11は電源としての発振器(内部
抵抗値r)、12は超微粒子抵抗膜を用いた感応
素子(抵抗値R)である。この感応素子12はそ
の近傍に配置されたヒータ17によつて加熱され
るか、あるいは絶縁基板の裏面に形成された薄膜
あるいは厚膜抵抗体(図示せず)に通電して発熱
させ、基板を介して加熱されるか、あるいは赤外
線照射等の種々の方法によつて加熱される手段を
有している。13は標準抵抗(抵抗値R0)であ
る。14は交流電圧計、15はレコーダであり、
これらのいずれか一方でもよいことは言うまでも
ないことである。破線で囲まれた領域16は測定
すべガス雰囲気を示しており、この雰囲気中に加
熱手段を有する感応素子12が設置されている。
感応素子12の抵抗値Rは、測定すべき雰囲気ガ
スの濃度が変化すれば変化するが、この構成では
電圧の分割比の変化として読み取られる。すなわ
ち、基準抵抗器13の端子間電圧v0は v0=R/r+R+Ri で与えられるから、感応素子12の抵抗値Rは R=(v/v−1)R0−r から求められる。Rに比べて発振器11の内部抵
抗rは十分小さいので R≒(v/v−1)R0 となる。また、R0に比べて交流電圧計14の内
部抵抗は十分大きいのものであることは、言うま
でもないことである。
たとえば、Sn金属酸化物の超微粒子により構
成されている、64KΩの抵抗の超微粒子抵抗膜を
300℃に加熱し、イソブタンガスを、第3図の構
成の装置で測定したところ、第4図に示すような
ガス濃度依存性を示した。この図のような検量線
をあらかじめ作成しておけば、Rの値からガス濃
度を容易に求めることができる。たとえば、Rが
14KΩのときには、イソプタンガス濃度が0.2%
であることがわかる。一方、効果的に加熱するた
めには最適の温度をあらかじめ求めておくことが
大切である。
第5図はイソプタンガスが存在しないときの感
応素子の抵抗値R′とガスが存在するときの抵抗
値Rとの差(R′−R)の温度依存性を示してい
る。これから差(R′−R)の値がもつとも大き
くなるのは300℃に加熱したときであることがわ
かる。0.07%の濃度C2H5OH中ではRは7KΩまで
低下する。先に示したように、イソブタンガスに
対しては0.2%のガス濃度において14KΩに低下
するのに対して、C2H5OHガス中ではさらに低濃
度の0.07%でも7KΩまで変化する。このデータ
からも明らかなように超微粒子抵抗膜の抵抗値の
変化量はガスの種類に応じて異つている。また相
対湿度を室温で測定すると、第6図の実線に示す
ように、湿度が上昇すると抵抗値Rは減少する。
ただ、300℃に加熱すると、抵抗値Rは破線のよ
うに変化しない。
したがつて、ガス濃度を測定するときには、感
応素子を加熱し、相対湿度を測定するときにはそ
れを室温とする。もつとも、相対温度を測定する
直前に、いつたんそれを加熱し、温度が室温まで
低下したのちに測定するようにしてもよい。
以上の例にあるような超微粒子抵抗膜がガス、
水蒸気などにきわめて鋭敏に感応するメカニズム
については、現在のところ、十分に解明されてい
ないが、超微粒子材料に特徴的なものである。
電極構造に関しては各種の変形があることはい
うまでもない。
第2図のマスク7および窓8の形状にも各種の
変形がある。図では窓を1ケ有するマスクについ
て示したが、複数個の窓と複数個の絶縁基板を設
置するようにしてもよいのはいうまでもない。
超微粒子抵抗膜の他の製造方法について述べる
と、絶縁基板の電極が設けられている面におい
て、超微粒子抵抗膜を形成すべき部分を残して、
その他の部分に接着テープをはりつけ、しかるの
ち超微粒子を付着させる。このとき、接着テープ
が絶縁性材料であるならば、超微粒子抵抗膜を作
製したのちにそれをはがす必要性はかならずしも
ない。ただし第1図において、引出電極端子5,
6の部分のみについてはそれをはがす必要があ
る。
マスク材料としては、ステンレススチール、モ
リブデンなどの金属材料はもちろんのこと、セラ
ミツクス、ガラス材料を用いてもよいし、高分子
材料を用いることもできる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の検出装置において使用される
感応素子の構造の一例を示し、図Aは平面図、図
BはそのX―X′線に沿つた断面図である。第2
図A,Bは第1図に示した感応素子の製造方法を
説明するための図である。第3図は本発明にかか
る検出装置の一実施例の構成を示す図である。第
4図はそのイソブタンガス濃度の感応素子の抵抗
値との関係を、また、第5図は感応素子の温度と
感度との関係を、第6図はその相対湿度と感応素
子の抵抗値との関係をそれぞれ示す図である。 1……絶縁基板、2,3……電極、4……超微
粒子抵抗膜、12……感応素子、13……基準抵
抗器、14……電圧計、15……レコーダ、17
……ヒータ。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 電極を有する絶縁基板上に、平均粒径が十数
    〜数百Åの範囲の金属酸化物超微粒子の集合体か
    ら構成される超微粒子抵抗膜を有し、かつ前記抵
    抗膜の電気抵抗を計測する手段と、前記抵抗膜を
    加熱する手段とを有し、室温において、前記抵抗
    膜の電気抵抗の値が水蒸気の変化に依存して変化
    する特性を利用して相対湿度を検知し、かつ、前
    記加熱手段を用いて所定の動作温度まで加熱され
    た前記抵抗膜の電気抵抗の値の、被検ガスが存在
    するときと存在しないときとの差の値の動作温度
    依存性が被検ガスの種類に依存して変化する性質
    を利用して、同一の抵抗膜を用いて複数種類のガ
    スを検知することを特徴とする超微粒子抵抗膜を
    用いた検出装置。
JP10302678A 1978-08-18 1978-08-23 Detector employing extremely-fine corpuscule resist film Granted JPS5529758A (en)

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JP10302678A JPS5529758A (en) 1978-08-23 1978-08-23 Detector employing extremely-fine corpuscule resist film
US06/066,332 US4313338A (en) 1978-08-18 1979-08-14 Gas sensing device
CA333,788A CA1123052A (en) 1978-08-18 1979-08-15 Gas sensing device and method of manufacturing same
DE2953771A DE2953771C1 (de) 1978-08-18 1979-08-17 Gasdetektor
DE2933394A DE2933394C2 (de) 1978-08-18 1979-08-17 Gasdetektor und Verfahren zu seiner Herstellung
GB7928825A GB2029583B (en) 1978-08-18 1979-08-17 Gas sensing device and method of manufacturing the same
US06/275,254 US4362765A (en) 1978-08-18 1981-06-19 Method of manufacturing a gas sensing device

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