JPS62219211A - 複合型磁気ヘツドの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、ＶＴＲ等の磁気記録再生装置に装備される磁
気ヘッドの製造方法に関し、特に高密度記録の為に磁気
ギャップ部を飽和磁束密度の大なる磁性膜の中央部に形
成した複合型磁気ヘッドの製造方法に関するものである
。

（従来の技術） 断種複合型磁気ヘッドとして、従来より種々の構成のも
のが提案されている（例えば特開昭５８−１７５１２２
）。

第１図は、出願人の提案に係る複合型磁気ヘッドの一例
を示している。該磁気ヘッドは、相対向する一対のフェ
ライト製チップ半体（８）（９）の接合部に、ヘッド側
面に対して斜め方向に伸びるセンダスト磁性膜（４）を
介装し、該磁性膜（４）の中央部に磁気ギャップ部（６
）を形成している。ギャップ部（６）の両端部は、夫々
ガラス部（５２）　（５３）によって規制されている。

該複合型磁気ヘッドに於いては、磁性膜（４）（４）と
チップ半体（８）（９”）との境界線（８１）（９１）
は、ギャップ部（６）に対して交叉する方向に伸びてい
るから、所謂擬似ギャップが生じることはない。

上記磁性膜（４）は、センダスト材のスパッタリング、
イオンブレーティング、真空蒸着等の物理蒸着によって
形成される。

即ち、第２図に示す如く、前記チップ半体（８）（９）
の資材となる帯板状のフェライトウェハ（１）の表面に
、複数条の溝を開設して斜面（１０）を形成した後（加
工工程）、第１４図に示す如く該ウェハ（１）に対し垂
直方向（矢印方向）からセンダスト材のスパッタリング
を施し、所定厚さの磁性膜（４）を形成する（Ｍ形成工
程）。該ウェハ（１）の表面を破線Ｊ及びＫに沿って研
磨加工し、第１５図に示す如きｖ字状溝（１１）を具え
た第１のウェハ（１）を形成する。磁性膜（４）の先端
面（４０）は、後述の如く磁気ギャップ部となる非磁性
スペーサの形成面となり、その幅Ｔはトラック幅に対応
することとなる。

更に上記同様にして、■字状溝（２１）に磁性ＷＡ（４
）を形成した第２のウェハ（２）（第５図）を作製し、
両ウェハ（１）（２”）の表面に５ｉ０２からなる非磁
性スペーサ（６０）を形成すると共に、ガラス講（１３
）、巻き線溝（１４）を開設した後、両ウェハ（１）（
２＞を図示の如く重ね合わせ、溶融ガラスによる周知の
接合工程を施すことにより、第６図に示す如きコアブロ
ック（３）を製作する０次に、該コアブロック（３）に
所定の機械加工（第６図、第７図参照）を施すことによ
り、第１図に示す複合型磁気ヘッドを完成するのである
（整形工程）。

尚、上記膜形成工程及び整形工程は、後述する本発明の
磁気ヘッド製造方法と同一であるので、ここでは詳細な
説明を省略する。

（解決しようとする問題点） ところが、上記製造方法によって製造された磁気ヘッド
に於いては、センダストの磁性膜が本来発揮すべき所期
の磁気特性が発揮されておらず、十分なヘッド性能が得
られない問題があった。

又、磁性膜（４）のウェハ（１）に対する付着強度が低
く、これによって製造歩留りが低下する問題があった。

（問題点を解決する為の手段） 本発明者は、上記問題の原因が膜形成工程にあることを
究明し、本発明の完成に至った。

即ち、第１４図に示ず膜形成工程に於いてスパッタリン
グ方向が斜面（１０）に対して角度を持っている為、第
１５図に示す如く磁性膜（４）のスパッタリング方向の
幅Ｗは、膜垂直方向の幅Ｖよりも大きくなり、それだけ
スパッタリングに時間を要する。この結果、ウェハ（１
）がスパッタリング装置の内部で長時間の加熱を受けて
内部応力が増大し、これによって生じる歪が磁性膜（４
）の付着強度を低下させるのである。又、スパッタリン
グ方向が斜面（１０）に対して角度を有する為に、セン
ダスト原子の斜面（１０）に対する付着強度が低下し、
然もスパッタリングによって形成された磁性膜（４）の
結晶構造に異方性が生じて磁気特性が低下するのである
。

本発明は、前記問題点が全てスパッタリング方向に起因
することに鑑み、膜形成工程に於ける蒸着方向を斜面（
ｌＯ）に対して垂直方向に設定した。

（作用及び効果） 蒸着方向が斜面（１０）に対して垂直方向であるから、
所定厚さの磁性膜を形成するのに必要な時間は最小限で
済み、蒸着装置内でのウェハ（１）の温度上昇は抑制さ
れる。然も、蒸着の際、原子ビームは斜面（１０）に対
して垂直に入射するから、磁性膜に異方性が生じないば
かりでなく、磁性膜のウェハに対する付着強度は十分で
ある。

従って、本発明に係る磁気ヘッドの製造方法によれば、
磁性膜の不良による製造歩留りの低下は殆ど無く、然も
製造された磁気ヘッドは所期の性能を発揮する。

（第１実施例） 第２図乃至第７図は、第１図に示す磁気ヘッドの製造に
、本発明に係る複合型磁気ヘッドの製造方法を実施した
第１の実施例を示し、ブロック半体として扁平四角形の
ウェハ（１）（２）を使用するものである。

に二１ 第２図に示す如く、帯板状のフェライトウェハ（１）の
表面に、複数条の溝を開設して斜面（１０）を形成する
。

脱１ｕ（二５２ 第３図に示す如く、上記ウェハ（１）の斜面（１０）に
対して垂直方向（矢印方向）からセンダスト材のスパッ
タリングを施し、所定厚さの磁性膜（４）を形成する。

ｌ１二ｌ 該ウェハ（１）の表面を破線Ａに沿って研磨加工し、更
に第４図に示す如く破線Ｂに沿って研削を施し、第５図
に示す如きＶ字状ｊＭ（１１）を具えた第１のウェハ（
１）を形成する。

更に上記同様にして、第５図に示す如くＶ字状溝（２１
）に磁性膜（４）を形成した第２のウェハ（２）を作製
し、両ウェハ（１）（２）の接合面にＳ　ｉ　Ｏ２から
なる非磁性スペーサ（６０）を形成すると共に、ガラス
消（１３）、巻き線溝（１４）を開設した後、両ウェハ
（１）（２）を重ね合わせる。この結果、両ウェハの磁
性膜（４）（４）は、非磁性スペーサ（６０）を挟んで
一直線上を伸びることになる。

次に、上記ウェハ（１）の各ガラス７１（１３）にガラ
ス棒（５）を挿入し、この状態で両ウェハ（１）（２）
を熱処理炉内の不活性ガス中にて加熱し、ガラス棒（５
）を溶融せしめる。該溶融ガラスは、第７図に示す如く
一対の■字ｆ１４　（１１）（２１）が形成する空間に
充填（５０）されることになる。

炉内の温度を低下せしめてガラスを固化することにより
、第６図に示す如き一体のコアブロック（３）が得られ
る。

１肢二ｌ 上記コアブロック（３）を第６図中破線りに沿って切断
すると共に破線Ｃに沿って研磨した後、第６図中破線Ｅ
に沿ってスライスし、非磁性スペーサ（６０）を含む所
定の厚さ部分（３０）を切り出す。

この結果、第１図に示す複合型磁気ヘッドが完成するの
である。

（第２実施例） 第８図乃至第１３図は、第１図の磁気ヘッドを製造する
第２の実施例を示し、ブロック半体として前記ウェハを
切断してなるブロック片（１２）を使用するものである
。

加」：【我− 先ず、第８図に示す如く、直方体状のブロック片（１２
）を形成し、該ブロック片（ＩＺ）の角部を鎖線Ｆに沿
って切断し、第９図に示す如く斜面（１０）を形成する
。

Ｉ欣艮１１ 次に第９図に示す如く、ブロック片（１２）の斜面（１
０）に対して垂直方向（矢印方向）から、センダストの
スパッタリングを施し、所定厚さの磁性Ｍ　（４）を形
成する。

第１６０は、周知のスパッタリング装置（７０）によっ
て膜形成を施している図であって、回転基板（７１）に
は、ホルダー（７３）によってブロック片（１２）が斜
面（１０）を下方に向けて固定されている。又、固定基
板（７２）には、センダストターゲット（４１）が前記
ブロック片（１２）に対向して固定されている。

センダストターゲット（４１）には高周波電源が接続さ
れ、該センダストターゲット（４１）がマイナスとなっ
た時、装置内のアルゴンガスの陽イオンがこれに衝突し
、これによってセンダストの中性原子がブロック片（１
２）に向かって飛び出すのである。

上記ブロック片（１０）を第１０図に示す如く、破線Ｇ
及びＨに沿って研磨加工すると共に、砥石ブレード（７
）によって他方の角部を加工し、非磁性スペーサ形成面
となる先端面（４０）を形成する。

更に第１１図に示す如く、上記ブロック片（１２）の先
端面（４０）に対し、長手方向に沿って複数の巻き線溝
（１４）を凹設する。

更に、第８図乃至第１０図に示す工程を経て、上記ブロ
ック片（１２）と対になるべきブロック片（第１２図（
２２））を製作し、両ブロック片（１２）　（２２）を
、第１２図に示す如く非磁性スペーサ（６０）を挟んで
突き合わせ、前記各巻き線溝（１４）にガラス棒（５）
を夫々挿入する。

上記一対のブロック片（１２）　（２２）を熱処理炉内
の不活性雰囲気中で加熱し、ガラス棒（５）を溶融せし
める。

この結果、溶融ガラスは第１３図に示す如く両ブロック
片（１２）　（２２）の対向部に形成された７字溝（１
１）（１１）に流れ込み、該漠に充填されることになる
。

上記ガラスを固化せしめることにより、両ブロック片（
１２）　（２２）は融着ガラス（５１）（５１）によっ
て互いに固定され、一体のコアブロック（３）が得られ
る。

１膀二抗 上記コアブロック（３）を鎖線■に沿って研磨して、余
分な融着ガラスを除去した後、切断、研磨等の所定の機
械加工を施すことにより、第１図に示す磁気ヘッドが完
成するのである。

上記何れの実施例に於いても、スパッタリング方向は斜
面（１０）に対して垂直であるから、磁気ヘッドの歩留
りは高く、然も完成された磁気ヘッドは所期の性能を発
揮する。

尚、本発明の各部構成は上記実施例に限らず、特許請求
の範囲に記載の技術的範囲内で種々の変形が可能である
ことは勿論である。

【図面の簡単な説明】

第１図は複合型磁気ヘッドの斜面図、第２図乃至第７図
は本発明の製造方法の第１実施例を示し、第２図は斜面
が形成されたウェハの斜面図、第３図は膜形成工程を示
すウェハの正面図、第４図はウェハに７字溝を開設する
工程を示す正面図、第５図は接合工程を示す一対のウェ
ハの斜面図、第６図は接合固定された両ウェハの側面図
、第７図はコアブロックの拡大平面図、第８図乃至第１
３図は第２実施例を示し、第８図はブロック片の斜面図
、第９図は膜形成工程を示す正面図、第１０図は加工工
程を示す図、第１１図は巻き線溝が開設されたブロック
片の側面図、第１２図は接合工程を示す一対のブロック
片の斜面図、第１３図はコアブロックの平面図、第１４
図は従来の膜形成工程を示すウェハの正面図、第１５図
は７字溝が形成されたウェハの拡大正面図、第１６図は
スパッタリング装置の概略図である。 （１）＜２）・・・ウェハ　　　（１２）　（２２）・
・・ブロック片（１０）・・・斜面　　　　　　（１１
）（２１）・・・７字溝（３）・・・コアブロック　　
（４）・・・磁性膜（６）・・・ギャップ部　　　（６
０）・・・非磁性膜（８）（９）・・・チップ半体 第１１図 第１３図 第１４図 第１５囚 ２り 第１６図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 ［１］磁気ギャップ部（６）を挟んで相対向する一対の
   チップ半体（８）（９）の接合部に、該チップ半体より
   も飽和磁束密度の高い磁性膜（４）を介装し、該磁性膜
   （４）の中央部に前記磁気ギャップ部（６）が形成され
   ている複合型磁気ヘッドの製造方法に於いて、前記チッ
   プ半体（８）（９）の資材となる一対のブロック半体に
   対し、磁性膜（４）の形成面となる斜面（１０）を夫々
   形成する加工工程と、両ブロック半体の斜面（１０）に
   対し垂直方向に磁性材の物理蒸着を施して、所定厚さの
   磁性膜（４）を形成する膜形成工程と、磁性膜（４）の
   形成された一対のブロック半体を非磁性スペーサ（６０
   ）を挟んで接合固定して、一体のコアブロック（３）を
   形成する接合工程と、該コアブロック（３）に機械加工
   を施して、前記非磁性スペーサ（６０）が形成する磁気
   ギャップ部（６）を具えたヘッドチップを形成する整形
   工程とから構成されることを特徴とする複合型磁気ヘッ
   ドの製造方法。 ［２］ブロック半体は、扁平四角形のウェハ（１）（２
   ）であって、斜面（１０）は両ウェハの接合面に開設し
   た複数条のＶ字状溝の片面に形成されている特許請求の
   範囲第１項に記載の製造方法。 ［３］ブロック半体は、ウェハを切断してなる直方体状
   のブロック片（１２）（２２）であって、斜面（１０）
   は各ブロック片（１２）（２２）の角部に長手方向に沿
   つて形成されている特許請求の範囲第１項に記載の製造
   方法。