JPS62216365A - Transistor - Google Patents
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- JPS62216365A JPS62216365A JP6001886A JP6001886A JPS62216365A JP S62216365 A JPS62216365 A JP S62216365A JP 6001886 A JP6001886 A JP 6001886A JP 6001886 A JP6001886 A JP 6001886A JP S62216365 A JPS62216365 A JP S62216365A
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
（イ）産業上の利用分野
本発明はトランジスタ、特に高電流容量化を図った分割
エミッタ領域を有するトランジスタに関するものである
。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION (a) Field of Industrial Application The present invention relates to a transistor, and in particular to a transistor having a divided emitter region with a high current capacity.
（ロ）従来の技術
従来よりトランジスタの電流容量の増大を図る構造とし
てはエミッタのイＩ効面積を増大すｔ！ることが知られ
ている。この構造として著名なものにマルチエミッタ構
造があり、実開昭５９−１３５６５１号公報等がある。(b) Conventional technology A conventional structure for increasing the current capacity of a transistor is to increase the effective area of the emitter. It is known that A well-known example of this structure is a multi-emitter structure, as disclosed in Japanese Utility Model Application Laid-Open No. 59-135651.
前記公報によるｌ・ランジスタは第２図（イ）・第２図
（ロ）（実線）で示す如＜、Ｎ型のシリコン半導体基板
より成るコレクタ領域（２）と、Ｐ型のベース領域（３
）と、多数の島状のＮ型のマルチエミッタ領域（４）・
・・（４）とを備え、マルチエミッタ領域（４〉・・・
（４）はポンディングパッドを形成するバッド予定領域
を除くベース領域〈３）のほぼ全表面に均一・に配置さ
れている。The transistor according to the above publication has a collector region (2) made of an N-type silicon semiconductor substrate and a P-type base region (3), as shown in FIGS. 2(a) and 2(b) (solid lines).
) and a large number of island-shaped N-type multi-emitter regions (4).
...(4), and a multi-emitter region (4>...
(4) is uniformly arranged on almost the entire surface of the base region (3) except for the area where the pad is to be formed and forms the bonding pad.
そして一点鎖線で示す如く基板表面のシリコン酸化膜（
７）上に蒸着アルミニウムより成るベース電極（８）お
よびエミッタ電極（５〉を形成４゛る。ベース電極（８
）は前記ベース領域（３）とオーミックコンタクトし且
つポンディングパッド予定領域まで延在されており、エ
ミッタ電極（５）はマルチエミッタ領域（４）・・・（
４）にオーミックコンタクトしボンディングパッド予定
領域まで延在されている。また両電極（５）（８）は周
知の櫛歯形状をとり、ポンディングパッド予定領域上の
拡張部分に金属細線がボンディングされて構成されてい
る。As shown by the dashed line, the silicon oxide film on the substrate surface (
7) A base electrode (8) and an emitter electrode (5) made of vapor-deposited aluminum are formed on the base electrode (8).
) is in ohmic contact with the base region (3) and extends to the expected bonding pad region, and the emitter electrode (5) is connected to the multi-emitter region (4)...(
4) and extends to the intended bonding pad area. Further, both electrodes (5) and (8) have a well-known comb-teeth shape, and are constructed by bonding a thin metal wire to an extended portion on the area where the bonding pad is to be formed.
（ハ）発明が解決しようとする問題点
前述の如き従来の構成に於いて、多数の島状のＮ型のマ
ルチエミッタ領域（４）・・・（４）が形成されている
が、更にスイッチングスピードを高速にする際には、こ
の夫々のエミッタ領域（４〉の寸法が大きいために、エ
ミッタ直下のベース領域における少数キャリアの走行距
離が長くなりスイッチングスピードが遅くなる問題点を
有していた。(c) Problems to be Solved by the Invention In the conventional configuration as described above, a large number of island-shaped N-type multi-emitter regions (4)...(4) are formed. When increasing the speed, the large dimensions of each emitter region (4) caused the problem that the traveling distance of the minority carriers in the base region directly under the emitter became longer and the switching speed became slower. .
また前述の問題点を解決すべく前記エミッタ領域（４）
の寸法を小さく形成すると、少数キャリアの走行距離は
短くなるが、前記櫛型のエミッタ電極（５）の電極幅を
細くする必要が生じる。そのために前記電極幅を細くす
ると電圧低下を生じ、結局スイッチングスピードの低下
、破壊耐量の低下等の問題点を生じてしまう。In addition, in order to solve the above-mentioned problem, the emitter region (4)
If the dimensions of the emitter electrode (5) are made small, the traveling distance of minority carriers becomes short, but it becomes necessary to make the electrode width of the comb-shaped emitter electrode (5) thin. For this reason, when the electrode width is made thinner, a voltage drop occurs, resulting in problems such as a reduction in switching speed and a reduction in breakdown resistance.
（ニ）問題点を解決するための手段
本発明は上述の如き問題点に鑑みてかされ、少なくとも
コレクタ領域となる半導体基板（２）内に形成されるベ
ース領域（３）と該ベース領域（３）に形成される分割
エミッタ領域（４）・・・（４）と前記ベース領域（３
）およびエミッタ領域（４〉・・・（４）とオーミック
コンタクトする櫛型のベース電極（８）および櫛型のエ
ミッタ電極（５）とを備えたトランジスタに於いて、前
記分割エミッタ領域（４）・・・（４）は前記エミッタ
電極（５）とコンタクトするコンタクト領域（６）から
放射状に形成され、前記櫛型のエミッタ電極（５）は前
記放射状に形成されたエミッタ領域（４）をほぼ全面に
覆うように太く形成することで解決するものである。(d) Means for Solving the Problems The present invention has been developed in view of the above-mentioned problems, and includes at least a base region (3) formed in a semiconductor substrate (2) serving as a collector region. The divided emitter regions (4)...(4) formed in the base region (3) and the base region (3)
) and an emitter region (4>...(4) in a transistor comprising a comb-shaped base electrode (8) and a comb-shaped emitter electrode (5) in ohmic contact with the divided emitter region (4). ... (4) are formed radially from a contact region (6) that contacts the emitter electrode (5), and the comb-shaped emitter electrode (5) approximately contacts the radially formed emitter region (4). This can be solved by forming it thickly so as to cover the entire surface.
（＊）作用
前記分割エミッタ領域（４）・・・（４）は前記エミッ
タ電極（５）とコンタクトするコンタクト領域（δ）・
・・（６）から放射状に形成されている。ここでは前記
放射状の分割エミッタ領域（４）・・・（４）の寸法を
極めて細く形成する。そして放射状に形成きれるフィン
ガ一部の長さは、後でオーミックコンタクトきれる櫛型
のエミッタ電極〈５）の電極幅を決定する要因となるた
め、前記櫛型のエミッタ電極（５）における電圧低下を
防止できる幅と対応するようにフィンガ一部の長きを決
める。(*) Function The divided emitter region (4)...(4) is the contact region (δ) that contacts the emitter electrode (5).
...It is formed radially from (6). Here, the dimensions of the radially divided emitter regions (4)...(4) are formed to be extremely thin. The length of the part of the radially formed fingers is a factor that determines the electrode width of the comb-shaped emitter electrode (5) with which ohmic contact can be made later, so the voltage drop at the comb-shaped emitter electrode (5) is The length of the finger part is determined to correspond to the width that can be prevented.
従って電圧低下の発生、スイッチングスピードの低下お
よび破壊耐量の低下等を防止でき、更には前記特性を向
上させることができる。Therefore, it is possible to prevent the occurrence of voltage drop, decrease in switching speed, decrease in breakdown resistance, etc., and furthermore, it is possible to improve the above-mentioned characteristics.
（へ）実施例
以下に本発明の一実施例を第１図（イ）・第１図（ロ）
を参照しながら説明する。(F) Example An example of the present invention is shown below in Figure 1 (A) and Figure 1 (B).
This will be explained with reference to.
先ずＮ型のシリコン半導体基板より成るコレクタ領域（
２）と、該コレクタ領域（２）内に形成きれるベース領
域（３）と、該ベース領域（３）内に形成きれる多数の
島状のＮ型の分割エミッタ領域（４）・・・（４）とが
ある。First, a collector region (
2), a base region (3) that can be completely formed within the collector region (2), and a large number of island-shaped N-type divided emitter regions (4) that can be completely formed within the base region (3). ).
本構成は本発明の第１の特徴とするところであり、前記
多数の島状のＮ型の分割エミッタ領域（４）・・・（４
）にある。つまり一点鎖線で示す櫛型のエミッタ電極（
５）とコンタクトするコンタクト領域〈６〉から放射状
に形成される分割エミッタ（４）にある。例えば第１図
（イ）に示す如く、：コンタクト領域（６）よりフィン
ガーが４本均等に伸びｄ！型に拡散されており、図では
縦横に数個しか形成されていないが実際はベース領域（
３）のほぼ全面に均一に５０〜１５００個はど形成きれ
る。また拡散幅も狭く形成され、例えば４０μｍとする
。ここでコンタクト領域（６）は分割エミッタ領域（４
）・・・（４）とエミッタ電極（５）との接合部を示す
。This configuration is the first feature of the present invention, and includes the plurality of island-shaped N-type divided emitter regions (4)...(4)
)It is in. In other words, the comb-shaped emitter electrode (
5) in a split emitter (4) formed radially from the contact region <6>. For example, as shown in FIG. 1(A): Four fingers extend evenly from the contact area (6) d! They are diffused into the mold, and although only a few are formed vertically and horizontally in the figure, they are actually in the base area (
3) 50 to 1,500 grooves can be formed uniformly on almost the entire surface. Further, the diffusion width is also formed to be narrow, for example, 40 μm. Here, the contact region (6) is the divided emitter region (4
)... shows the junction between (4) and the emitter electrode (5).
従って前記分割エミッタ領域（４）の寸法が極めて小さ
くなるために、少数キャリアの走行距離が短くなり、ス
イッチングスピードを速くすることが可能となる。Therefore, since the dimensions of the divided emitter regions (4) are extremely small, the traveling distance of minority carriers is shortened, making it possible to increase the switching speed.
次に前記ベース領域（３）および分割エミッタ領域（４
）・・・（４）を被覆するように、前記半導体基板表面
に形成されるシリコン酸化膜（７）と、該シリコン酸化
膜（７）上に蒸着アルミニウムよりなる一点鎖線で示し
た櫛型のベース電極（８）と櫛型のエミッタ電極（５）
と、該ベース電極（８）およびエミッタ電極（５）上に
形成きれるポンディングパッド部に夫々接続される金属
細線（図面上では省略する、）とにより構成される。Next, the base region (3) and the divided emitter region (4)
)...A silicon oxide film (7) formed on the surface of the semiconductor substrate so as to cover (4), and a comb-shaped film made of vapor-deposited aluminum shown by a dashed line on the silicon oxide film (7). Base electrode (8) and comb-shaped emitter electrode (5)
and thin metal wires (not shown in the drawing) connected to bonding pad portions formed on the base electrode (8) and the emitter electrode (5), respectively.
本構成は本発明の第２の特徴とするところであり、前記
櫛型のエミッタ電極（５）にある。該エミッタ電極〈５
）はｔ型に形成されたエミッタ領域（４）のほぼ全面を
覆うように太く形成される。従って従来ではエミッタ電
極が細いため電圧低下を生じるが、電圧低下を防止する
ために前記ｉ！型のエミッタ領域（４）のフィンガ一部
を長く形成すると、エミッタ電極（５）は前記エミッタ
領域（４）をほぼ全面に覆うので太く形成できる。This configuration is the second feature of the present invention, and resides in the comb-shaped emitter electrode (5). The emitter electrode〈5
) is formed thickly so as to cover almost the entire surface of the T-shaped emitter region (4). Therefore, in the past, a voltage drop occurs because the emitter electrode is thin, but in order to prevent a voltage drop, the i! By forming part of the fingers of the emitter region (4) of the mold to be long, the emitter electrode (5) can be formed thickly since it covers almost the entire surface of the emitter region (4).
従って前記櫛型のエミッタ電極（５）は太く形成される
ために、エミッタ電極（５）による電圧低下を防止でき
るため、トランジスタの重要特性であるスイッチングス
ピードや破壊耐量を大幅に向上できる。Therefore, since the comb-shaped emitter electrode (5) is formed to be thick, it is possible to prevent a voltage drop due to the emitter electrode (5), so that the switching speed and breakdown resistance, which are important characteristics of a transistor, can be greatly improved.
（ト）発明の効果
以上の説明からも明らかな如く、高電流容量化を図った
分割エミッタ領域（４〉を有するトランジスタ（１）に
おいて、放射状に形成された分割エミッタ領域（４）、
およびこの分割エミッタ領域（４）のほぼ全面とオーミ
ックコンタクト４−る太く形成された櫛型のエミッタ電
極（５〉とによりｌ・ランジスタの重要特性であるスイ
ッチングスピードや破壊耐量を大幅に向上できる。(g) Effects of the invention As is clear from the above explanation, in the transistor (1) having a divided emitter region (4) with a high current capacity, the divided emitter region (4) formed radially,
The switching speed and breakdown resistance, which are important characteristics of the l transistor, can be greatly improved by the thick comb-shaped emitter electrode (5) formed on almost the entire surface of the divided emitter region (4) and the ohmic contact (4).
第１図（イ）は本発明の一実施例でありトランジスタの
平面図、第１図（ロ）は第１図（イ）におけるｘ−ｘ’
線断面図、第２図（イ）は従来のトランジスタの平面図
、第２図（ロ）は第２図（イ）におけるＸ −Ｘ′線断
面図である。
（１）はトランジスタ、（２）はコレクタ領域、（３）
はベース領域、 （４）はエミッタ領域、 （５）はエ
ミッタ電極、 （６）はコンタクト領域、 （７）はシ
リコン酸化膜、 〈８）はベース電極である。FIG. 1(A) is an embodiment of the present invention, and is a plan view of a transistor, and FIG. 1(B) is xx' in FIG. 1(A).
2(a) is a plan view of a conventional transistor, and FIG. 2(b) is a sectional view taken along line X-X' in FIG. 2(a). (1) is a transistor, (2) is a collector region, (3)
is a base region, (4) is an emitter region, (5) is an emitter electrode, (6) is a contact region, (7) is a silicon oxide film, and (8) is a base electrode.
Claims (1)
成されるベース領域と該ベース領域に形成される分割エ
ミッタ領域と前記ベース領域およびエミッタ領域とオー
ミックコンタクトする櫛型のベース電極および櫛型のエ
ミッタ電極とを備えたトランジスタに於いて、前記分割
エミッタ領域は前記エミッタ電極とコンタクトするコン
タクト領域から放射状に形成され、前記櫛型のエミッタ
電極は前記放射状に形成されたエミッタ領域をほぼ全面
に覆うように太く形成されることを特徴としたトランジ
スタ。(1) A base region formed in a semiconductor substrate serving as at least a collector region, a divided emitter region formed in the base region, a comb-shaped base electrode and a comb-shaped emitter electrode in ohmic contact with the base region and the emitter region. In the transistor, the divided emitter regions are formed radially from a contact region in contact with the emitter electrode, and the comb-shaped emitter electrode substantially entirely covers the radially formed emitter region. A transistor characterized by its thick structure.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6001886A JPS62216365A (en) | 1986-03-18 | 1986-03-18 | Transistor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6001886A JPS62216365A (en) | 1986-03-18 | 1986-03-18 | Transistor |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62216365A true JPS62216365A (en) | 1987-09-22 |
Family
ID=13129900
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6001886A Pending JPS62216365A (en) | 1986-03-18 | 1986-03-18 | Transistor |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62216365A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5962913A (en) * | 1996-01-19 | 1999-10-05 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Bipolar transistor having a particular contact structure |
-
1986
- 1986-03-18 JP JP6001886A patent/JPS62216365A/en active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5962913A (en) * | 1996-01-19 | 1999-10-05 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Bipolar transistor having a particular contact structure |
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