JPS62216262A - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置Info
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- JPS62216262A JPS62216262A JP61058638A JP5863886A JPS62216262A JP S62216262 A JPS62216262 A JP S62216262A JP 61058638 A JP61058638 A JP 61058638A JP 5863886 A JP5863886 A JP 5863886A JP S62216262 A JPS62216262 A JP S62216262A
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的］
（産業上の利用分野）
本発明は高密度固体撮像装置に関する。
（従来の技術）
固体撮像装置は解像度向上のために画素部の高密度化が
進められ、現在、１／２インチ・イメージサイズ４０万
画素程度の固体撮像装置が開発されている。
進められ、現在、１／２インチ・イメージサイズ４０万
画素程度の固体撮像装置が開発されている。
第４図（ａ）（ｂ）は、従来の代表的な固体撮像装置で
あるインターライン転送型ＣＣＤ撮像装置の構造を示す
平面図とそのＡ−Ａ’断面図である。第１図（ａ）の平
面図では、説明をわかり易くするため、電極等は省略し
である。図において、２１はｐ型Ｓｉ！！板であり、そ
の表面に光電変換して信号電荷の蓄積を行うフォトダイ
オードを構成するｎ型１８２２が配列形成され、このフ
ォトダイオード配列に隣接して信号電荷読出しを行う垂
直ＣＣＤチャネルとなるｎ型層２３が形成されている。
あるインターライン転送型ＣＣＤ撮像装置の構造を示す
平面図とそのＡ−Ａ’断面図である。第１図（ａ）の平
面図では、説明をわかり易くするため、電極等は省略し
である。図において、２１はｐ型Ｓｉ！！板であり、そ
の表面に光電変換して信号電荷の蓄積を行うフォトダイ
オードを構成するｎ型１８２２が配列形成され、このフ
ォトダイオード配列に隣接して信号電荷読出しを行う垂
直ＣＣＤチャネルとなるｎ型層２３が形成されている。
ｎ型層２２の周囲は、このｎ型層２２の信号電荷をＣＣ
Ｄチャネルであるｎ型層２３に転送する転送部２４を除
いて反転防止用のｐ＋型層２５および厚い素子分離絶縁
膜２７からなる素子分離領域となっている。この様な拡
散層が形成された基板上にはゲート絶縁Ｍ２６を介して
二層多結晶シリコン躾による転送電極が形成されている
。
Ｄチャネルであるｎ型層２３に転送する転送部２４を除
いて反転防止用のｐ＋型層２５および厚い素子分離絶縁
膜２７からなる素子分離領域となっている。この様な拡
散層が形成された基板上にはゲート絶縁Ｍ２６を介して
二層多結晶シリコン躾による転送電極が形成されている
。
第４図（ｂ）に見える転送電極２９は第２１ｉ！多結晶
シリコン膜であり、これはＣＣＤ転送電極と同時にｎ型
１１２２の信号電荷をＣＣＤチャネルのｎ型ｗ１２３に
転送するためのフィールド転送電極を兼ねている。更に
この基板上にはＣＶＤ酸化膜３ｏが形成され、この上に
垂直ＣＣＤ部を覆う遮光膜３１が形成され、その上に保
護１１３２が形成されている。
シリコン膜であり、これはＣＣＤ転送電極と同時にｎ型
１１２２の信号電荷をＣＣＤチャネルのｎ型ｗ１２３に
転送するためのフィールド転送電極を兼ねている。更に
この基板上にはＣＶＤ酸化膜３ｏが形成され、この上に
垂直ＣＣＤ部を覆う遮光膜３１が形成され、その上に保
護１１３２が形成されている。
この様なＣＣＤ撮像装置において、特に画素の高密度化
を図る場合、製造上いくつかの問題が挙げられるが、そ
の一つに素子分離領域の形成方法がある。画素間の素子
分離領域は第４図（ａ）に斜線を施して示したが、通常
ここには厚い素子分離絶縁膜２７が形成される。ところ
が厚い素子分離絶縁膜２７を形成すると基板表面に応力
が働くことが知られている。この応力がある限界値以上
に達すると基板内に欠陥が発生し、その結果リーク電流
が増大する。このリーク電流は撮像画面上で白点状の画
像欠陥として現れ、画質劣化の原因となる。
を図る場合、製造上いくつかの問題が挙げられるが、そ
の一つに素子分離領域の形成方法がある。画素間の素子
分離領域は第４図（ａ）に斜線を施して示したが、通常
ここには厚い素子分離絶縁膜２７が形成される。ところ
が厚い素子分離絶縁膜２７を形成すると基板表面に応力
が働くことが知られている。この応力がある限界値以上
に達すると基板内に欠陥が発生し、その結果リーク電流
が増大する。このリーク電流は撮像画面上で白点状の画
像欠陥として現れ、画質劣化の原因となる。
発明者らの実験によれば、上述の応力に起因する欠陥の
発生は場所依存性があり、フォトダイオードを構成する
ｎ型層２２の周辺部、即ち第１図（ａ）に破線で示した
領域３３に集中する。これは、ｎ型層２２のほぼ四方が
素子分離絶縁１１２７で囲まれているため、応力集中が
大きい結果と思われる。またこの欠陥は、例えば１／２
インチ・イメージサイズ２０万画素程度（一画素セルの
大きさが１０μ瓦×１７μｍ程度）のｍ像装置では殆ど
発生しないのに対し、１／２インチ・イメージサイズ４
０万画素程度（一画素セルの大きさが１０μｍｘ８．５
μｍ程度）の高密度撮像装置で多発している。つまり前
述の欠陥の発生頻度は、素子分離領域の形状および画素
の大きさに大きく依存する。固体撮像装置の一層の高密
度化を図るためには、この欠陥の発生を抑制することが
極めて重要になる。
発生は場所依存性があり、フォトダイオードを構成する
ｎ型層２２の周辺部、即ち第１図（ａ）に破線で示した
領域３３に集中する。これは、ｎ型層２２のほぼ四方が
素子分離絶縁１１２７で囲まれているため、応力集中が
大きい結果と思われる。またこの欠陥は、例えば１／２
インチ・イメージサイズ２０万画素程度（一画素セルの
大きさが１０μ瓦×１７μｍ程度）のｍ像装置では殆ど
発生しないのに対し、１／２インチ・イメージサイズ４
０万画素程度（一画素セルの大きさが１０μｍｘ８．５
μｍ程度）の高密度撮像装置で多発している。つまり前
述の欠陥の発生頻度は、素子分離領域の形状および画素
の大きさに大きく依存する。固体撮像装置の一層の高密
度化を図るためには、この欠陥の発生を抑制することが
極めて重要になる。
一方素子分離は、厚い素子分離絶縁膜を用いず高不純物
濃度層のみで構成することも可能である。
濃度層のみで構成することも可能である。
この素子分離法では前述のような欠陥は発生しない。し
かしこの素子分離法は厚い素子分離絶縁膜を設ける場合
に比べて反転電圧が低く、素子分離能力が不十分である
。例えば水平方向の画素間の素子分離、即ち、フォトダ
イオードと、その信号電荷を読み出すＣＣＤ転送部とは
反対側に接するＣＣＤ転送部との間の素子分離が不十分
であると、信号電荷のクロストークが発生し、撮像画面
上ではブルーミングとなって現れて画質低下をもたらす
。
かしこの素子分離法は厚い素子分離絶縁膜を設ける場合
に比べて反転電圧が低く、素子分離能力が不十分である
。例えば水平方向の画素間の素子分離、即ち、フォトダ
イオードと、その信号電荷を読み出すＣＣＤ転送部とは
反対側に接するＣＣＤ転送部との間の素子分離が不十分
であると、信号電荷のクロストークが発生し、撮像画面
上ではブルーミングとなって現れて画質低下をもたらす
。
（発明が解決しようとする問題点）
以上のように従来の素子分離構造では、固体搬像装置を
更に高密度化しようとすると良好な画質を得ることがで
きない、という問題があった。
更に高密度化しようとすると良好な画質を得ることがで
きない、という問題があった。
［発明の構成］
（問題点を解決するための手段）
本発明にかかる固体ｍ像装置は、信号電荷蓄積部の周囲
の素子分離領域を、反転防止用の高不純物濃度層と厚い
素子分離絶縁膜からなる部分と、反転防止用の高不純物
濃度層のみからなる部分との組合わせにより構成したこ
とを特徴とする。
の素子分離領域を、反転防止用の高不純物濃度層と厚い
素子分離絶縁膜からなる部分と、反転防止用の高不純物
濃度層のみからなる部分との組合わせにより構成したこ
とを特徴とする。
（作用）
本発明によれば、例えば十分な素子分離が必要とされる
水平方向の画素間の素子分離領域には高不純物濃度層と
厚い素子分離絶縁膜を設け、他の素子分離領域は高不純
物濃度層のみとすることによって、応力集中を効果的に
抑制することができる。これにより、固体撮像装置を高
密度化した場合にもクロストークによるブルーミングの
発生が少なくなり、しかも、応力集中による白点状の画
像欠陥の発生を抑制することができる。
水平方向の画素間の素子分離領域には高不純物濃度層と
厚い素子分離絶縁膜を設け、他の素子分離領域は高不純
物濃度層のみとすることによって、応力集中を効果的に
抑制することができる。これにより、固体撮像装置を高
密度化した場合にもクロストークによるブルーミングの
発生が少なくなり、しかも、応力集中による白点状の画
像欠陥の発生を抑制することができる。
（実施例）
以下本発明の詳細な説明する。
第１図＜ａ）（ｂ）および第２図（ａ）（ｂ）は一実施
例のインターライン転送型ＣＣＤｌ１像装置の構造を示
す。第１図（ａ）は素子分離領域と拡散層が形成された
状態の平面図、同図（ｂ）はその上に転送Ｎ極が形成さ
れた状態の平面図であり、第２図（ａ）、（ｂ）はそれ
ぞれ第１図（ｂ）のＡ−Ａ’ 、Ｂ−Ｂ’断面図である
。ｐ型３ｉ基板１に、フォトダイオードを構成するｎ型
層２が複数個配列形成され、このｎ型Ｎ２の垂直方向配
列に沿って信号電荷読出しを行う垂直ＣＣＤのチャネル
を構成するｎ型層３が形成されている。各ｎ型層２の周
囲は、信号電荷をＣＣＤチャネルに転送する転送部４を
除いて素子弁ｌＩｌｔｗＡ域となっている。この素子分
離領域には反転防止用の高不純物濃度層であるｐ＋型１
５が形成され、このｐ型１ｌ１５上の一部に厚い素子分
離絶縁！ｌＩ７が形成されている。即ち素子分離領域の
うち、第１図（ａ）に斜線を施して示した水平方向の画
素分離を行う部分を、ｐ＋型層５とこの上に形成された
厚い素子分離絶縁Ｈ７とから構成し、それ以外の部分は
ｐ１型層５のみにより構成している。こうして素子分離
領域と拡散層が形成された基板上に、ゲート絶縁膜６１
．６２を介して二層多結晶シリコン膜による転送電極８
，９が形成されている。第２層多結晶シリコン膜による
転送ｉｆ極９は、垂直ＣＣＤ転送電極と同時にフォトダ
イオードの信号電荷をＣＣＤチャネルに転送する電極を
兼ねている。そして、平面図では省略したが、この上に
ＣＶＤ酸化膜１０を介してＡｆｆｉｌｌ等を用いた遮光
膜１１が形成され、この上に保護膜１２が形成されてい
る。
例のインターライン転送型ＣＣＤｌ１像装置の構造を示
す。第１図（ａ）は素子分離領域と拡散層が形成された
状態の平面図、同図（ｂ）はその上に転送Ｎ極が形成さ
れた状態の平面図であり、第２図（ａ）、（ｂ）はそれ
ぞれ第１図（ｂ）のＡ−Ａ’ 、Ｂ−Ｂ’断面図である
。ｐ型３ｉ基板１に、フォトダイオードを構成するｎ型
層２が複数個配列形成され、このｎ型Ｎ２の垂直方向配
列に沿って信号電荷読出しを行う垂直ＣＣＤのチャネル
を構成するｎ型層３が形成されている。各ｎ型層２の周
囲は、信号電荷をＣＣＤチャネルに転送する転送部４を
除いて素子弁ｌＩｌｔｗＡ域となっている。この素子分
離領域には反転防止用の高不純物濃度層であるｐ＋型１
５が形成され、このｐ型１ｌ１５上の一部に厚い素子分
離絶縁！ｌＩ７が形成されている。即ち素子分離領域の
うち、第１図（ａ）に斜線を施して示した水平方向の画
素分離を行う部分を、ｐ＋型層５とこの上に形成された
厚い素子分離絶縁Ｈ７とから構成し、それ以外の部分は
ｐ１型層５のみにより構成している。こうして素子分離
領域と拡散層が形成された基板上に、ゲート絶縁膜６１
．６２を介して二層多結晶シリコン膜による転送電極８
，９が形成されている。第２層多結晶シリコン膜による
転送ｉｆ極９は、垂直ＣＣＤ転送電極と同時にフォトダ
イオードの信号電荷をＣＣＤチャネルに転送する電極を
兼ねている。そして、平面図では省略したが、この上に
ＣＶＤ酸化膜１０を介してＡｆｆｉｌｌ等を用いた遮光
膜１１が形成され、この上に保護膜１２が形成されてい
る。
この実施例によれば、厚い素子分離絶縁膜７はフォトダ
イオードのｎ型層２の垂直方向配列に沿ってストライブ
状に形成されているのみである。
イオードのｎ型層２の垂直方向配列に沿ってストライブ
状に形成されているのみである。
従ってｎ型ｌ１１２を小さくして画素を高密度化した場
合にも応力の集中が少なく、欠陥発生によるリーク電流
の増大が防止され、画質の向上が図られる。
合にも応力の集中が少なく、欠陥発生によるリーク電流
の増大が防止され、画質の向上が図られる。
垂直方向の画素分離、即ちｎ型層２の垂直方向の素子分
離はｎ型層５のみであり、信号電荷のクロストークが危
惧されるが、これは次のような理由により殆ど問題ない
。即ちこのＣＣＤＩＩ象装置は、フィールド転送期間に
は第１層転送電極８には負又は零の電圧が印加され、第
２層転送電橋９には正のフィールド転送パルスが印加さ
れる。またこれ以外の期間には第１層および第２層転送
電極８，９には零から負のクロックパルスが印加される
。そして、ｐ＋型層５のみによる素子分離領域は常に零
又は負の電圧が印加される第１層転送電極８により電位
制御されるため、基板表面が反転することはない。従っ
て垂直方向のｎ型層２間はｎ型１１５のみで十分に分離
され、クロストークが生じることはない。同様にｎ型層
２とその信号電荷が転送されるＣＣＤチャネルのｎ型層
３間も、フィールド転送時以外は確実に分離される。水
平方向の画素間の素子分離はｐ＋型層５と厚い素子分離
絶縁［１１７により行なわれるから、フィールド転送期
間に第２１転送電極９に正の電圧が印加されても反転が
生じないようにすることができる。
離はｎ型層５のみであり、信号電荷のクロストークが危
惧されるが、これは次のような理由により殆ど問題ない
。即ちこのＣＣＤＩＩ象装置は、フィールド転送期間に
は第１層転送電極８には負又は零の電圧が印加され、第
２層転送電橋９には正のフィールド転送パルスが印加さ
れる。またこれ以外の期間には第１層および第２層転送
電極８，９には零から負のクロックパルスが印加される
。そして、ｐ＋型層５のみによる素子分離領域は常に零
又は負の電圧が印加される第１層転送電極８により電位
制御されるため、基板表面が反転することはない。従っ
て垂直方向のｎ型層２間はｎ型１１５のみで十分に分離
され、クロストークが生じることはない。同様にｎ型層
２とその信号電荷が転送されるＣＣＤチャネルのｎ型層
３間も、フィールド転送時以外は確実に分離される。水
平方向の画素間の素子分離はｐ＋型層５と厚い素子分離
絶縁［１１７により行なわれるから、フィールド転送期
間に第２１転送電極９に正の電圧が印加されても反転が
生じないようにすることができる。
以上のようにしてこの実施例によれば、厚い素子分離絶
縁膜を用いることによる応力集中を効果的に抑制して、
欠陥の発生を防止することができ、また画素間の信号電
荷のりＯストークをも抑制することができる。従って白
点状の画像欠陥やブルーミングの少ない高密度ｃｃｏｍ
＊装置が得られる。
縁膜を用いることによる応力集中を効果的に抑制して、
欠陥の発生を防止することができ、また画素間の信号電
荷のりＯストークをも抑制することができる。従って白
点状の画像欠陥やブルーミングの少ない高密度ｃｃｏｍ
＊装置が得られる。
第３図は本発明の他の実施例のＣＣＯ＊＊装ばを、第１
図（ａ）に対応させて示す平面図である。
図（ａ）に対応させて示す平面図である。
この実施例では、斜線を施して示したようにｐ◆型層５
と素子分離絶縁膜７を用いた部分を、垂直方向に隣接す
るｎ型１１２の間にまで設けている点で先の実施例と異
なるが、素子分離領域に２種の構造を利用する点で基本
的に先の実施例と同じである。従ってこの実施例によっ
ても、先の実施例と同様の効果が得られる。
と素子分離絶縁膜７を用いた部分を、垂直方向に隣接す
るｎ型１１２の間にまで設けている点で先の実施例と異
なるが、素子分離領域に２種の構造を利用する点で基本
的に先の実施例と同じである。従ってこの実施例によっ
ても、先の実施例と同様の効果が得られる。
本発明は上記した実施例に限られるものではなく、種々
変形して実施することができる。例えば、実施例ではイ
ンターライン転送型ＣＣＤ撮像装置を説明したが、信号
電荷読出し部がＭＯＳ型である撮像装置や、光電変換部
としてフォトダイオードと別に、基板上にａ−３ｉ膜等
の光電変換膜を積層した積層型撮像装置にも同様に本発
明を適用することができる。
変形して実施することができる。例えば、実施例ではイ
ンターライン転送型ＣＣＤ撮像装置を説明したが、信号
電荷読出し部がＭＯＳ型である撮像装置や、光電変換部
としてフォトダイオードと別に、基板上にａ−３ｉ膜等
の光電変換膜を積層した積層型撮像装置にも同様に本発
明を適用することができる。
［発明の効果］
以上述べたように本発明によれば、素子分離領域を改良
することによって特に画素を高密度化した場合の応力集
中に起因する画像欠陥の発生を抑制し、ブルーミングを
抑制した高画質の固体撮像装置を実現することができる
。
することによって特に画素を高密度化した場合の応力集
中に起因する画像欠陥の発生を抑制し、ブルーミングを
抑制した高画質の固体撮像装置を実現することができる
。
第１図（ａ）、（ｂ）は本発明の一実施例のＣＣＤ撮像
装置におけるそれぞれ拡散層形成状態および転送電極形
成状態の平面図、第２図（ａ）。 （ｂ）は第１図（ｂ）のそれぞれＡ−Ａ’ 、Ｂ−Ｂ′
断面図、第３図は他の実施例のＣＣＤｌ１像装置の第１
図（ａ）に対応する平面図、第４図（ａ）、（ｂ）は従
来のＣＣＤ１ｌｉ像装置の平面図とそのＡ−Ａ’断面図
である。 １・・・ｐ型Ｓｉ基板、２・・・ｎ型［１（フォトダイ
オード）、３・ ｎ型Ｆｍ （ＣＣＤチャネル”） 、
５ ・・・ｐ＋型層（反転防止層）、６１．６２・・・
ゲート絶縁膜、７・・・素子分離絶縁膜、８・・・第１
１１１転送転送電極、９・・・第２層転送電極、１０・
・・ＣＶＤ酸化躾、１１・・・遮光膜、１２・・・保１
ｉ１膜。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 Ｎ り ｏｏａｌａ） 。。
装置におけるそれぞれ拡散層形成状態および転送電極形
成状態の平面図、第２図（ａ）。 （ｂ）は第１図（ｂ）のそれぞれＡ−Ａ’ 、Ｂ−Ｂ′
断面図、第３図は他の実施例のＣＣＤｌ１像装置の第１
図（ａ）に対応する平面図、第４図（ａ）、（ｂ）は従
来のＣＣＤ１ｌｉ像装置の平面図とそのＡ−Ａ’断面図
である。 １・・・ｐ型Ｓｉ基板、２・・・ｎ型［１（フォトダイ
オード）、３・ ｎ型Ｆｍ （ＣＣＤチャネル”） 、
５ ・・・ｐ＋型層（反転防止層）、６１．６２・・・
ゲート絶縁膜、７・・・素子分離絶縁膜、８・・・第１
１１１転送転送電極、９・・・第２層転送電極、１０・
・・ＣＶＤ酸化躾、１１・・・遮光膜、１２・・・保１
ｉ１膜。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 Ｎ り ｏｏａｌａ） 。。
Claims (4)
- （１）半導体基板に、光電変換された信号電荷を蓄積す
る複数の蓄積部と、各蓄積部の信号電荷を読出す読出し
部とが配列形成された固体撮像装置において、前記各蓄
積部の周囲の素子分離領域を、反転防止用の高不純物濃
度層とこの上に形成された厚い素子分離絶縁膜からなる
部分と、反転防止用の高不純物濃度層のみからなる部分
とから構成したことを特徴とする固体撮像装置。 - （２）前記各蓄積部とその信号電荷読出しを行う読出し
部と反対側の読出し部との間の素子分離領域を反転防止
用の高不純物濃度層と厚い素子分離絶縁膜により構成し
、各蓄積部間および蓄積部とその信号電荷読出しを行う
読出し部との間の素子分離領域を反転防止用の高不純物
濃度層のみにより構成した特許請求の範囲第１項記載の
固体撮像装置。 - （３）前記各蓄積部とその信号電荷読出しを行う読出し
部と反対側の読出し部との間、および各蓄積部間の素子
分離領域を反転防止用の高不純物濃度層と厚い素子分離
絶縁膜により構成し、各蓄積部とその信号電荷読出しを
行う読出し部との間の素子分離領域を反転防止用の高不
純物濃度層のみにより構成した特許請求の範囲第１項記
載の固体撮像装置。 - （４）前記蓄積部がフォトダイオードであり、読出し部
がＣＣＤである特許請求の範囲第１項記載の固体撮像装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61058638A JPS62216262A (ja) | 1986-03-17 | 1986-03-17 | 固体撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61058638A JPS62216262A (ja) | 1986-03-17 | 1986-03-17 | 固体撮像装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62216262A true JPS62216262A (ja) | 1987-09-22 |
Family
ID=13090122
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61058638A Pending JPS62216262A (ja) | 1986-03-17 | 1986-03-17 | 固体撮像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62216262A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1992003850A2 (en) * | 1990-08-13 | 1992-03-05 | Eastman Kodak Company | Image sensor having transfer gate between the photodiode and the ccd element |
| US5841176A (en) * | 1996-03-01 | 1998-11-24 | Foveonics, Inc. | Active pixel sensor cell that minimizes leakage current |
| JP2006049611A (ja) * | 2004-08-05 | 2006-02-16 | Iwate Toshiba Electronics Co Ltd | Ｃｍｏｓイメージセンサ |
-
1986
- 1986-03-17 JP JP61058638A patent/JPS62216262A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1992003850A2 (en) * | 1990-08-13 | 1992-03-05 | Eastman Kodak Company | Image sensor having transfer gate between the photodiode and the ccd element |
| US5841176A (en) * | 1996-03-01 | 1998-11-24 | Foveonics, Inc. | Active pixel sensor cell that minimizes leakage current |
| JP2006049611A (ja) * | 2004-08-05 | 2006-02-16 | Iwate Toshiba Electronics Co Ltd | Ｃｍｏｓイメージセンサ |
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