JPS62216216A - 三日月ビ−ムホモジナイザ− - Google Patents

三日月ビ−ムホモジナイザ−

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Publication number
JPS62216216A
JPS62216216A JP5804286A JP5804286A JPS62216216A JP S62216216 A JPS62216216 A JP S62216216A JP 5804286 A JP5804286 A JP 5804286A JP 5804286 A JP5804286 A JP 5804286A JP S62216216 A JPS62216216 A JP S62216216A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
crescent
homogenizer
laser beam
beam spot
energy density
Prior art date
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Pending
Application number
JP5804286A
Other languages
English (en)
Inventor
Michihiko Hasegawa
長谷川 充彦
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP5804286A priority Critical patent/JPS62216216A/ja
Publication of JPS62216216A publication Critical patent/JPS62216216A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (概要〕 三日月ビームを得るために、ガラス欅(ホモジナイザー
)の出口端を三日月形に形成したものにレーザビームを
通し、均一なエネルギー密度の三日月ビームスポットを
形成する。
〔産業上の利用分野〕
本発明は三日月ビームを作るホモジナイザーに関するも
ので、さらに詳しく言えば、レーザアニールに用いるビ
ームのためのホモジナイザーのレーザ光出口端の形状に
関するものである。
〔従来の技術〕
例えばシリコン・オン・インシユレータ(Sili−c
on On In5ulator、 SOI )技術に
用いるレーザビームのスポットは、第4図中)の平面図
に示される如き円形のものであった。なお、第4図(b
lはポリシリコンの面41上を走査するレーザビームス
ポット42を示し、同図18)はレーザビームスポット
42の温度分布を示す図で、横軸にはレーザビームスポ
ットの位置を、縦軸に温度をとる。
レーザビームスポットはその中心部で最も温度が高く、
中心から外方へ向けて温度が下がるガウス型ビームスポ
ットである。かかるビームスポットでポリシリコンを熔
融すべくポリシリコン面41上を矢印方向にレーザビー
ムスポットを走査するとき、溶けたポリシリコン(液相
部)と、冷却しく2) て固化し単結晶シリコンとなる固相部との境界である固
液界面43はレーザビームスポットの温度勾配と逆の形
状をとり、溶けたポリシリコンは両端部分から内部へ向
けて再結晶化し、その結果グレインバウンダリイ (粒
界)44が図示の如く形成される。
かくして、円形スポットのレーザビームを用いるポリシ
リコンの再結晶化において、単結晶粒は最大5×5μn
2と小さく、単結晶シリコンの大領域が形成されない問
題があった。
上記した問題を解決すべく第3図(b)に示される三日
月形のレーザビームスポット31が作られた。
かかる三日月形レーザビームスポットの温度分布は、同
図+a)に示される如くピークが両端にあり中央部で低
くなっている。
かかるビームスポットを用い第3図中)に示される如く
ポリシリコン面41を矢印方向に走査すると、固液界面
33は第3図ta+の温度分布と逆の形状をとる。その
結果、グレインバウンダリイはレーザビームスポットの
走査した部分の両端部分にのみ形成され、円形ビームス
ポットの場合よりもより大なる単結晶領域が作られる。
〔発明が解決しようとする問題点〕
第3図に示される三日月形のレーザビームスポットを作
るには従来、三日月形に穴のあいたマスクでレーザビー
ムを三日月形にしていた。しかし、この方式で得られる
レーザビームにおいては、レーザ光の一部分のみを利用
するのであるから、効率が悪く、三日月ビームスポット
の温度分布がビームスポット内で不均一である問題があ
る。
本発明はこのような点に鑑みて創作されたもので、均一
なエネルギー密度の三日月ビームスポットを形成する手
段を提供することを目的とする。
〔問題点を解決するための手段〕
第1図は本発明実施例の配置図で、図中、11は本発明
にかかるホモジナイザー、12はレーザ光、13は凹レ
ンズ、14と15は凸レンズ、16はウェハ、17は三
日月形ビームスポットである。
本発明においては、ホモジナイザー11の光出口端11
aの形状を、第2図の側面図に示される如く三日月形に
し、ホモジナイザー11は光透過性材料例えばガラス棒
で作り、その外面は全反射のコーティングを施しである
〔作用〕
上記したホモジナイザーを用いると、レーザ光はガラス
棒内で全反射を繰り返していくうちに均一なエネルギー
密度の光となり、その光が出口端11aの三日月形を通
してウェハ16上に三日月形に照射される。
〔実施例〕
以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細に説明する
再び第1図を参照すると、本発明にかかるホモジナイザ
ー11は光を透過する材料例えばガラスで作ったもので
あり、レーザ光の入口端11bから出口端11aまでは
従来のホモジナイザーと同じ構造のものである。その外
面は全反射コーティングが施され、ホモジナイザー内で
レーザ光は全反射を繰り返し、出口端11aでは均一な
エネルギー密度になる。
本発明によると、出口端11aの形状は、第2図の側面
図に見られるように三日月形になっているので、出口端
11aを出るレーザ光は三日月形をとるようになってい
る。しかも、三日月の輪郭内でレーザ光のエネルギー密
度は前記した如く均一であるから、均一なエネルギー密
度の三日月形レーザビームスポットが作られる。
使用において、光、例えばレーザ光12は凹レンズ13
で拡散され、次いで凸レンズ14で平行なビームに変え
られてガラスで作ったホモジナイザー11に入る。ホモ
ジナイザー11内でレーザ光は全反射を繰り返し、出口
端11aに達するときそれはエネルギー密度が均一なも
のとなっている。出口端11aから出るレーザ光は凸レ
ンズ15で試料(例えばウェハ)16上に焦点を合され
、三日月形レーザビームスポット17によってレーザア
ニールが行ねれる。かかる全反射の繰返しがなされるよ
うに、ホモジナイザー11はその長手方向全長にわたっ
てゆるやかにテーパしている、すなわちなめらかに形が
変形している。
第3図(b)を参照すると、本発明の一実施例において
は、ポリシリコン面41上を矢印方向に走査する三日月
形ビームスポットの図に見て左右方向幅は50μmであ
り、そのときダレインバウンダリイ44はビームが走査
した領域の両端からそれぞれ5μm程度の部分にのみ発
生し、内部に幅40I17wlの単結晶粒の領域が形成
された。さらに実験によると、幅1問〜2mmの単結晶
粒の領域が作られうろことが確認された。
〔発明の効果〕
以上述べてきたように本発明によれば、レーザアニール
に用いる均一なエネルギー密度の三日月形のレーザビー
ムスポットが得られ、それは例えばSOI技術において
大なる単結晶粒領域を形成するに有効である。なお、以
上はSOI技術に関連しく7) レーザ光を用いる場合を例に説明したが、本発明の通用
範囲はその場合に限定されるものでなく、光ビームを用
いるその他の場合にも及ぶものである。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明実施例の図、 第2図は第1図のホモジナイザーの側面図、第3図(a
)と世)は三日月形レーザビームスポットの温度分布図
と同ビームスポットの走査を示す平面図、 第4図(alと(blは従来例の円形レーザビームスポ
ットの温度分布図と同ビームスポットの走査を示す平面
図である。 第1図ないし第3図において、 11はホモジナイザー、 11aは出口端、 12はレーザ光、 13は凹レンズ、 14と15は凸レンズ、 16はウェハ、 17と31は三日月形ビームスポット、33は固液界面
、 41はポリシリコン面、 44はダレインバウンダリイである。 代理人  弁理士  久木元   彰 復代理人 弁理士  大 菅 義 之 第2図 第3図 劇 第4図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 光(12)のビームを試料(16)上に照射するに用い
    るホモジナイザー(11)において、 ホモジナイザー(11)は、光透過性材料で作られテー
    パした棒状形状の外周面が全反射コーティングを施した
    部材であり、 ホモジナイザー(11)の光出口端(11a)は三日月
    形の輪郭に形成されてなることを特徴とする三日月ビー
    ムホモジナイザー。
JP5804286A 1986-03-18 1986-03-18 三日月ビ−ムホモジナイザ− Pending JPS62216216A (ja)

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JP5804286A JPS62216216A (ja) 1986-03-18 1986-03-18 三日月ビ−ムホモジナイザ−

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JP5804286A JPS62216216A (ja) 1986-03-18 1986-03-18 三日月ビ−ムホモジナイザ−

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Publication Number Publication Date
JPS62216216A true JPS62216216A (ja) 1987-09-22

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ID=13072877

Family Applications (1)

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JP5804286A Pending JPS62216216A (ja) 1986-03-18 1986-03-18 三日月ビ−ムホモジナイザ−

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JP (1) JPS62216216A (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5109465A (en) * 1990-01-16 1992-04-28 Summit Technology, Inc. Beam homogenizer
US5395362A (en) * 1992-01-14 1995-03-07 Summit Technology Methods and apparatus for distributing laser radiation
EP0775570A3 (en) * 1995-11-21 1997-08-20 Cmet Inc Photosolidification modeling device with homogeneous intensity exposure on the exposed surface
US8198565B2 (en) * 2007-04-11 2012-06-12 Chrysler Group Llc Laser-welding apparatus and method

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EP0775570A3 (en) * 1995-11-21 1997-08-20 Cmet Inc Photosolidification modeling device with homogeneous intensity exposure on the exposed surface
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