JPS63203292A - レ−ザ光の強度分布制御装置 - Google Patents

レ−ザ光の強度分布制御装置

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Publication number
JPS63203292A
JPS63203292A JP62033401A JP3340187A JPS63203292A JP S63203292 A JPS63203292 A JP S63203292A JP 62033401 A JP62033401 A JP 62033401A JP 3340187 A JP3340187 A JP 3340187A JP S63203292 A JPS63203292 A JP S63203292A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
reflecting
laser light
laser beam
optical axis
end side
Prior art date
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Pending
Application number
JP62033401A
Other languages
English (en)
Inventor
Akitaka Yamada
山田 明孝
Kuniaki Gotou
訓顕 後藤
Chikasuke Nishimura
慎祐 西村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP62033401A priority Critical patent/JPS63203292A/ja
Publication of JPS63203292A publication Critical patent/JPS63203292A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/06Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
    • B23K26/073Shaping the laser spot

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [発明の目的] (S集土の利用分野) この発明はレーザ光の強度分布を均一化するためのレー
ザ光の強度分布制御装置に関する。
(従来の技術) 一般に、レーザ発振器から出力されるレーザ光は、その
強度分布は中心部が強く、周辺部にゆくにしたがって弱
くなるガウス分布状をなしていることよく知られている
。しかしながら、レーザ光を半導体製造における露光用
や熱処理用など種々の加工に用いる場合、強度分布が均
一なレーザ光が要求されることが多い。
従来、レーザ光の強度分布を均一化するには第5図に示
すように行なっていた。つまり、レーザ発振器1から出
力されたレーザ光りをレンズ2で角度θに集束し、光軸
に対してほぼ平行なMlの反射鏡3と、この第1の反射
鏡3に対してθ/2程度で傾斜した第2の反射鏡4との
間に入射させる。これら反射鏡3.4はレーザ光りの入
射端側   ゛に比べて出射端側か大きく離間する状態
で配設されている。そして、一対の反PJJfi3.4
間に入射したレーザ光りは、第6図に示すように第1の
反射鏡3によって光軸を中心にして2つに折重ねられる
とともに、第2の反射鏡4の角度に応じて強度の弱い周
辺部の部分dがa点から中心側に折重ねられる。したが
って、レーザ光りの強度分布は第6図に鎖線で示すよう
にほぼ平坦化させることができる。
しかしながら、このようにしてレーザ光りの強度分布の
平坦化を計るようにすると、レーザ光しをレンズ2によ
って絞らなければならない。すると、そのレンズ2によ
ってレーザ光りに損失が生じたり、レーザ光りの絞られ
たスポットのエネルギが増大し、一対の反射鏡3.4の
とくにレーザ光りが入射する端部が熱損しやすいという
ことがあった。さらに、一対の反射113.4の入射端
側の間隙をできるだけ狭く調整しなければならないから
、その調整が非常に難しいということもあった。
(発明が解決しようとする問題点) この発明は上記事情にもとずきなされたもので、その目
的とするところは、レーザ光をレンズで絞ることなく、
しかも難しい調整を必要とすることなくレーザ光の強度
分布を均一化することができるようにした強度分布II
JwJ装置を提供することにある。
[発明の構成1 (問題点を解決するための手段及び作用)上記問題点を
解決するためにこの発明は、レーザ光の入射端側か出射
端側に比べて広幅になるよう傾斜し上記レーザ光の周辺
部を光軸を横切る方向に反射させる第1の反射部と、入
射端側が出射端側よりも狭幅な状態をなし上記第1の反
射部で反射したレーザ光を入光して上記光軸を横切る方
向に反射させかつ入射端側を上記第1の反射部の出射端
側に近接もしくは接合させて設けられ上記第1の反射部
で反射したレーザ光の周辺部を光軸方向へ反射させる第
2の反射部とを具備する。
そして、レーザ光をレンズで集束することなくそのエネ
ルギの強度分布を均一化できるようにした。
(実施例) 以下、この発明の第1の*流側を第1図と第2図を参照
して説明する。第1図に示す強度分布制御装置は第1の
反射部11と第2の反射部12とから構成されている。
上記第1の反射部11は一対の第1の反射鏡13を所定
の角度で傾斜させてなる。つまり、一対の第1の反射1
113はレーザ発振器14から出力されたレーザ光りが
入射する入射端側が出射端側に比べて間隔が大きくなる
よう所定の角度で傾斜し、かつこれらの中心を上記レー
ザ光りの光軸に一致させて配設されている。
これら一対の第1の反射1113の出射端側の間隔×は
この実施例では上記レーザ光りの幅寸法の約75%に設
定されている。したがって、第1の反射部11に入射し
たレーザ光りはその周辺部の約25%が一対の第1の反
射鏡13で反射するようになっている。
上記第1の反射部11の出射端側には上記第2の反射部
12がその入射端側を接合させて配設されている。この
第2の反射部12は一対の第2の反射鏡15を上記一対
の第1の反射113と逆方向に傾斜させて形成されてい
る。つまり、一対の第2の反射鏡15の入射端側は上記
一対の第1の反111113の出射端側と同じ間隔Xで
離間対向し、出射端側は入射端側よりも大きな角度で離
間対向している。つまり、一対の第2の反射l115は
入射端側が出射端側よりも径方向外方に位置するように
所定の角度αで傾斜している。
なお、上記一対の第1の反射113と第2の反射I[1
5とは図示しない制御機構によって傾斜角度の調節がで
きるようになっている。
このような構造の強度分布制御装置にレーザ光りが入射
すると、そのレーザ光しはまず第1の反射部11の出射
端側の幅寸法Xによってここを直進する曇が制限される
。つまり、レーザ光りの中央部分Sだけが一対の第1の
反射鏡13間を通過し、第1図にmとnで示す幅方向両
端部の部分は一対の第1の反射鏡13で反射する。一方
の第1の反射l113で反射したレーザ光りのmの部分
はレーザ光りの光軸0を横切る方向に進んで第2の反射
部12の一方の第2の反射鏡15に到達し、ここで再度
反射して光軸O方向、つまり第1の反射部11を直進し
たレーザ光りの中央部分Cに向かって進む。また、他方
の第1の反11fi13で反射したレーザ光りの周辺部
のnの部分はmの部分と交差する方向に進んで他方の第
2の反射鏡15で反射し、レーザ光りの中央部分Cの方
向へ進む。
上記レーザ光りの周辺の部分mとnとの進行方向は第2
の反射部12の一対の第2の反射1115の角度によっ
て定めることができる。
したがって、第1、第2の反射部11.12を通過した
レーザ光りは照射面Gの位置においてエネルギの低い周
辺のmとnの部分を中央部分Sの両側に重ねることがで
きるから、照射面Gを照射するレーザ光りの強度分布を
均一化することができる。
さらに詳しく説明すれば、レーザ発振器14から出力さ
れたレーザ光りのエネルギ分布は第2図(a)に示すよ
うにガウス分布状をなしている。
そのレーザ光りが第1、第2の反射部11.12を通過
して照射面Gを照射すると、第2図(a)におけるmと
nの部分が第2図(b)に示すようにSの部分の両側に
折重なる。その結果、そのSの部分の゛中央に比べてエ
ネルギが低い両端の部分が上記mとnの部分が重なるこ
とによってエネルギが増大するので、そのSの部分のエ
ネルギ分布をほぼ均一にすることができる。また、レー
ザ光しのSの部分に重なるmとnの部分は第2の反射部
12の一対の第2の反射鏡15の角度を変えることによ
って上記Sに対する重なり度合を変えることができる。
つまり、mとnの部分を第2図(b)で示すようにSの
部分の幅方向両端部の部分に重ねれば、エネルギ分布の
均一化を計ることができるが、その重なり状態を変えれ
ば、エネルギの分布状態も変えることができる。したが
って、上記第2の反射鏡15の角度によってエネルギの
分布状態を自由に設定することもできる。
第3図はこの発明の第2の実施例を示し、これは第1の
反射面21と第2の反射面22とを有する断面三角形状
の一対の反射体23を各第1、第2の反射面21.22
をそれぞれ所定の角度で対向させて配置した。このよう
な構造においても上記第1の実施例と同様レーザ光りの
エネルギ分布を均一化することができ、また一対の反射
体23の同図に矢印で示す角度を変えれば、エネルギの
分布状態も変えることができる。
第4図はこの発明の第3の実施例で、これは円筒体31
の内周面に円錐状の第1の反射面32と第2の反射面3
3とを形成するようにした。このような構造によれば、
レーザ光りのエネルギ分布の均一化を周方向全周、つま
り三次元的に行なうことができる。
なお、上記各実施例において、第1の反射部と第2の反
射部とは一体あるいは別体のいずれであつでもよく、別
体の場合には第1の反射部の出射端側に第2の反射部の
入射端側か接合もしくは近接されていればよい。
[発明の効果] 以上述べたようにこの発明は、レーザ光の入射端側が出
射端側に比べて広幅に傾斜した第1の反射部によってレ
ーザ光のエネルギの低い周辺部を反射させ、中央部分だ
けを直進させるとともに、上記レーザ光の周辺部を、上
記第1の反射部と入射端側が出射端側よりも狭幅な第2
の反射部で再度反射させることにより、上記レーザ光の
中央部分側に折重ねるようにした。したがって、上記第
1、第2の反射部によってレーザ光のエネルギの分布状
態をほぼ均一にすることができる。そして、その際にレ
ーザ光をレンズによって集束させることなく行なえるか
ら、従来のようにレンズを透過することによるエネルギ
損失が生じたり、エネルギ密度が極端に高くなって反射
鏡の端部を焦損させたり、さらにはレーザ光の入射端側
をできるだけ狭幅に調整しなければならないという手間
の掛かる作業も必要ない。さらに、この発明は、第2の
反射部の反射角度を変えることによって第1の反射部で
反射するレーザ光の周辺部の位置決めを制御できるから
、それによってレーザ光のエネルギの分布状態も制御す
ることができる。
【図面の簡単な説明】
第1因はこの発明の第1の実施例を示す側面図、第2図
(a)、(b)は同じくレーザ光のエネルギの分布状態
の説明図、第3図はこの発明の第2の実施例を示す側面
図、第4図はこの発明の第3の実施例を示す側面図、第
5図は従来の構造の説明図、第6図は同じくそのときの
エネルギ分布の説明図である。 11・・・第1の反射部、12・・・第2の反射部、1
3・・・第1の反IJ4鏡、15・・・第2の反射鏡、
21.22・・・第1、第2の反射面、23・・・反射
体、31・・・円筒体、32.33・・・第1、第2の
反射面。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第1図 (a)     (b) 第2図 第4凶

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1.  レーザ光の入射端側が出射端側に比べて広幅に傾斜し
    上記レーザ光の周辺部だけを光軸を横切る方向に反射さ
    せる第1の反射部と、入射端側が出射端側よりも狭幅な
    状態をなし上記第1の反射部で反射したレーザ光を入光
    して上記光軸を横切る方向に反射させかつ入射端側を上
    記第1の反射部の出射端側に近接もしくは接合させて設
    けられ上記第1の反射部で反射したレーザ光の周辺部を
    光軸方向へ反射させる第2の反射部とを具備したことを
    特徴とするレーザ光の強度分布制御装置。
JP62033401A 1987-02-18 1987-02-18 レ−ザ光の強度分布制御装置 Pending JPS63203292A (ja)

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JP62033401A JPS63203292A (ja) 1987-02-18 1987-02-18 レ−ザ光の強度分布制御装置

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JP62033401A JPS63203292A (ja) 1987-02-18 1987-02-18 レ−ザ光の強度分布制御装置

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JPS63203292A true JPS63203292A (ja) 1988-08-23

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ID=12385573

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Application Number Title Priority Date Filing Date
JP62033401A Pending JPS63203292A (ja) 1987-02-18 1987-02-18 レ−ザ光の強度分布制御装置

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JP (1) JPS63203292A (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02175090A (ja) * 1988-12-27 1990-07-06 Isamu Miyamoto レーザビーム成形装置
US7387922B2 (en) 2003-01-21 2008-06-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Laser irradiation method, method for manufacturing semiconductor device, and laser irradiation system
JP2008248310A (ja) * 2007-03-30 2008-10-16 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 管体の残留応力改善装置
US7927983B2 (en) 2001-08-31 2011-04-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Laser irradiation method, laser irradiation apparatus, and method of manufacturing a semiconductor device

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US7387922B2 (en) 2003-01-21 2008-06-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Laser irradiation method, method for manufacturing semiconductor device, and laser irradiation system
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