JPS62212911A - 薄膜磁気ヘツド - Google Patents
薄膜磁気ヘツドInfo
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- JPS62212911A JPS62212911A JP5614586A JP5614586A JPS62212911A JP S62212911 A JPS62212911 A JP S62212911A JP 5614586 A JP5614586 A JP 5614586A JP 5614586 A JP5614586 A JP 5614586A JP S62212911 A JPS62212911 A JP S62212911A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
- G11B5/3906—Details related to the use of magnetic thin film layers or to their effects
- G11B5/3916—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide
- G11B5/3919—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide the guide being interposed in the flux path
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
本発明は磁気ディスク装置に用いられる磁気抵抗効果膜
を備えたヨークタイプの再生用、または記録再生用薄膜
磁気ヘッドにおいて、第１磁極層が磁極本体と、該磁極
本体の一端部上に階段上に突設した磁極先端部とからな
り、かつ該磁極本体の縁端段差部の周辺には段差補整用
の無機絶縁層が配設され、該無機絶縁層を含む磁極層上
に、それぞれ無機絶縁層を介在してバイアス印加導体及
び磁気抵抗効果膜を設け、更に磁気抵抗効果膜上に有機
絶縁層、若しくは無機絶縁層と有機絶縁層との複合絶縁
層を介して第２磁極層を配設することにより、磁気抵抗
効果膜の段差切れを解消すると共に、磁極先端部の断面
形状を高精度な矩形形状とすることを可能とし、トラン
ク密度の向上を図ったものである。
を備えたヨークタイプの再生用、または記録再生用薄膜
磁気ヘッドにおいて、第１磁極層が磁極本体と、該磁極
本体の一端部上に階段上に突設した磁極先端部とからな
り、かつ該磁極本体の縁端段差部の周辺には段差補整用
の無機絶縁層が配設され、該無機絶縁層を含む磁極層上
に、それぞれ無機絶縁層を介在してバイアス印加導体及
び磁気抵抗効果膜を設け、更に磁気抵抗効果膜上に有機
絶縁層、若しくは無機絶縁層と有機絶縁層との複合絶縁
層を介して第２磁極層を配設することにより、磁気抵抗
効果膜の段差切れを解消すると共に、磁極先端部の断面
形状を高精度な矩形形状とすることを可能とし、トラン
ク密度の向上を図ったものである。
本発明は磁気ディスク装置に用いられるｉｉ＊磁気ヘッ
ドに係り、特に再生用の磁気抵抗効果膜を備えたヨーク
タイプの再生用、或いは記録再生用の薄膜磁気ヘッドの
改良に関するものである。
ドに係り、特に再生用の磁気抵抗効果膜を備えたヨーク
タイプの再生用、或いは記録再生用の薄膜磁気ヘッドの
改良に関するものである。
磁気抵抗効果膜を備えたヨークタイプの再生用、或いは
記録再生用の薄膜磁気ヘッドは、近来、磁気記録密度の
向上に伴って益々、小型、高精度化が要求されているが
、特にトラック密度を高めるためには、高精度な矩形断
面形状の磁極先端部を有するヘッド構造が要求される。
記録再生用の薄膜磁気ヘッドは、近来、磁気記録密度の
向上に伴って益々、小型、高精度化が要求されているが
、特にトラック密度を高めるためには、高精度な矩形断
面形状の磁極先端部を有するヘッド構造が要求される。
従来の磁気抵抗効果膜を備えたヨークタイプの再生用薄
膜磁気ヘッド（以下ＹＭＲ型磁気ヘッドと略称する）は
、第４図の平面図及び第４図のＡ−Ａ゛切断線に沿う第
５図の断面図、同じ＜Ｂ−８’切断線に沿う第６図の断
面図に示すように、セラミック等からなる基板１」二に
Ｎｉ−Ｆｅ等の第１磁極層２、ＳｉＯ□、 ＡＺ２ｏ、
などからなるギャップ層３、第１無機絶縁層４、Ａ７．
Ｔｉ、Ｃｕなどからなるバイアス印加用導体膜５、第２
無機絶縁層６、Ｎｉ−Ｆｅからなる磁気抵抗効果膜（以
下ＭＲ膜と略称する）７、第３無機絶縁Ｎ８及び第２磁
極層９が順に積層形成された構成からなり、磁気記録媒
体からの信号磁界は第１磁極層２及び第２磁極層９より
磁気抵抗効果素子として機能するＭＲ膜７へ導かれて磁
界の変化を電気抵抗の変化により検出する方式により再
生を行っている。
膜磁気ヘッド（以下ＹＭＲ型磁気ヘッドと略称する）は
、第４図の平面図及び第４図のＡ−Ａ゛切断線に沿う第
５図の断面図、同じ＜Ｂ−８’切断線に沿う第６図の断
面図に示すように、セラミック等からなる基板１」二に
Ｎｉ−Ｆｅ等の第１磁極層２、ＳｉＯ□、 ＡＺ２ｏ、
などからなるギャップ層３、第１無機絶縁層４、Ａ７．
Ｔｉ、Ｃｕなどからなるバイアス印加用導体膜５、第２
無機絶縁層６、Ｎｉ−Ｆｅからなる磁気抵抗効果膜（以
下ＭＲ膜と略称する）７、第３無機絶縁Ｎ８及び第２磁
極層９が順に積層形成された構成からなり、磁気記録媒
体からの信号磁界は第１磁極層２及び第２磁極層９より
磁気抵抗効果素子として機能するＭＲ膜７へ導かれて磁
界の変化を電気抵抗の変化により検出する方式により再
生を行っている。
ところでこのような従来のＹＭＲ型磁気ヘッドの構成に
おいては、第１磁極層２の厚さが１〜３μｍと、他の膜
よりも比較的厚く、バイアス印加用導体膜５及びＭＲ膜
７を設けるのに介在させる５ｉ０２゜Ａｌ２Ｏ３などか
らなるギャップ層３や各無機絶縁層４．６１等はステッ
プカバレージ性に劣ることから、該第１磁極層２上より
両接続端がはみ出した形に配設される前記バイアス印加
用導体膜５や間膜７の配設面に段差が生し、このような
￥ｊｔ差を有する配設面にギャップ層３や各無機絶縁層
４．６を介在して配設されたバイアス印加用導体膜５や
数百人程度の膜厚のＭＲ膜７が段差切れを起こす問題が
あった。
おいては、第１磁極層２の厚さが１〜３μｍと、他の膜
よりも比較的厚く、バイアス印加用導体膜５及びＭＲ膜
７を設けるのに介在させる５ｉ０２゜Ａｌ２Ｏ３などか
らなるギャップ層３や各無機絶縁層４．６１等はステッ
プカバレージ性に劣ることから、該第１磁極層２上より
両接続端がはみ出した形に配設される前記バイアス印加
用導体膜５や間膜７の配設面に段差が生し、このような
￥ｊｔ差を有する配設面にギャップ層３や各無機絶縁層
４．６を介在して配設されたバイアス印加用導体膜５や
数百人程度の膜厚のＭＲ膜７が段差切れを起こす問題が
あった。
このため第１磁極層２での段差切れを解消する方法とし
て、該磁極層２の段差縁端部をテーパエノヂング法等に
よりテーバ状に変形加工して第５図に示すように段差を
なだらかにする構成が用いられている。
て、該磁極層２の段差縁端部をテーパエノヂング法等に
よりテーバ状に変形加工して第５図に示すように段差を
なだらかにする構成が用いられている。
しかしこの方法では第１磁極層２の最も高精度を必要と
する、所謂磁極先端部の断面形状、即ち媒体対向面とな
る磁極形状が台形形状となり高精度な磁極先端部が得ら
れないことからトランク密度の向上が困難となる欠点が
あった。
する、所謂磁極先端部の断面形状、即ち媒体対向面とな
る磁極形状が台形形状となり高精度な磁極先端部が得ら
れないことからトランク密度の向上が困難となる欠点が
あった。
本発明はこのような従来の欠点に鑑み、磁極層自身の形
状と無機絶縁層との組合せによりＭＲＩＩの配設面での
段差切れを解消すると共に、磁極先端部の断面形状が高
精度な矩形形状をなし、かつ該ＭＲ膜及びバイアス印加
用導体膜上に、均一な厚さの第二磁極層を容易に設ける
ようにした高トランク密度化を可能とする新規な薄膜磁
気ヘッドを提供することを目的とするものである。
状と無機絶縁層との組合せによりＭＲＩＩの配設面での
段差切れを解消すると共に、磁極先端部の断面形状が高
精度な矩形形状をなし、かつ該ＭＲ膜及びバイアス印加
用導体膜上に、均一な厚さの第二磁極層を容易に設ける
ようにした高トランク密度化を可能とする新規な薄膜磁
気ヘッドを提供することを目的とするものである。
本発明は上記目的を達成するため、基板−Ｆに配設され
た第１磁極層を、磁極層本体と、該磁極本体の一端部上
に階段上に突設した磁極先端部とで構成し、かつ該磁極
層本体の縁端段差部の周辺には、該磁極層本体の膜厚と
同じ膜厚の段差補整用の無機絶縁層を設ける。更にＭＲ
膜及びバイアス印加用導体膜上に配設する第二磁極層の
下地絶縁層に、有機絶縁層若しくは無機絶縁層と有機絶
縁層との複合絶縁層を用いるようにする。
た第１磁極層を、磁極層本体と、該磁極本体の一端部上
に階段上に突設した磁極先端部とで構成し、かつ該磁極
層本体の縁端段差部の周辺には、該磁極層本体の膜厚と
同じ膜厚の段差補整用の無機絶縁層を設ける。更にＭＲ
膜及びバイアス印加用導体膜上に配設する第二磁極層の
下地絶縁層に、有機絶縁層若しくは無機絶縁層と有機絶
縁層との複合絶縁層を用いるようにする。
本発明の構成の薄膜磁気ヘッドは、基板上に設けられた
第１磁極層の磁極層本体の段差縁端部周辺に、該磁極層
本体と同膜厚の段差補整用の無機絶縁層が設けられてい
るため、従来のような段差が無くなり、これら段差補整
用の無機絶縁層上を含む第１磁極層上に、それぞれ５ｉ
０２． Ａｌ１０３などからなる無機絶縁層を介して順
に積層状に設けられたＭＲ膜及びバイアス印加用導体膜
等の段差切れが解消する。
第１磁極層の磁極層本体の段差縁端部周辺に、該磁極層
本体と同膜厚の段差補整用の無機絶縁層が設けられてい
るため、従来のような段差が無くなり、これら段差補整
用の無機絶縁層上を含む第１磁極層上に、それぞれ５ｉ
０２． Ａｌ１０３などからなる無機絶縁層を介して順
に積層状に設けられたＭＲ膜及びバイアス印加用導体膜
等の段差切れが解消する。
また第１磁極層の磁極先端部は前記段差補整用の無機絶
縁層を研磨加工等により設けた後、該磁極本体の一端部
上に階段上に設けることにより、高精度な矩形断面形状
とすることができる。
縁層を研磨加工等により設けた後、該磁極本体の一端部
上に階段上に設けることにより、高精度な矩形断面形状
とすることができる。
更に前記第２磁極層を配設する下地絶縁層に有機絶縁層
、若しくは無機絶縁層と有機絶縁層との複合絶縁層を用
いることにより、第２磁極層の配設面の段差が緩和され
、該第２磁極層を比較的均一な膜厚で配設することがで
きる。
、若しくは無機絶縁層と有機絶縁層との複合絶縁層を用
いることにより、第２磁極層の配設面の段差が緩和され
、該第２磁極層を比較的均一な膜厚で配設することがで
きる。
以下図面を用いて本発明の実施例について詳細に説明す
る。
る。
第１図は本発明に係る薄膜磁気ヘッドの一実施例を示す
平面図、第２図は第１図に示すＡ−Ａ’切断線に沿う断
面図、第３図は第１図に示すＢ−Ｂ゛切断線に沿う断面
図である。
平面図、第２図は第１図に示すＡ−Ａ’切断線に沿う断
面図、第３図は第１図に示すＢ−Ｂ゛切断線に沿う断面
図である。
これらの図において、２１はセラミックなどからなる基
板、２２はＮｉ−Ｆｅ等からなる第１磁極層であり、該
第１磁極層２２は例えば磁極層本体２２ａと、該磁極本
体２２ａの一端部上に階段上に突設した磁極先端部２２
ｂとで構成されており、該磁極層本体２２ａの縁端段差
部の周辺には、該磁極層本体２２ａの膜厚と同膜厚の５
ｉ０２． ＡＪ２０ａなどからなる￥ｊｔ差補整用の無
機絶縁層２３が設けられている。
板、２２はＮｉ−Ｆｅ等からなる第１磁極層であり、該
第１磁極層２２は例えば磁極層本体２２ａと、該磁極本
体２２ａの一端部上に階段上に突設した磁極先端部２２
ｂとで構成されており、該磁極層本体２２ａの縁端段差
部の周辺には、該磁極層本体２２ａの膜厚と同膜厚の５
ｉ０２． ＡＪ２０ａなどからなる￥ｊｔ差補整用の無
機絶縁層２３が設けられている。
この際、前記段差補整用の無機絶縁層２３を設ける方法
としては、磁極層本体２２が配設された基板２１上に、
該磁極層本体２２８の膜厚よりも厚い５ｉ０２゜Ａｌ２
Ｏ３などからなる絶縁層を被着形成後、磁極層本体２２
ａ上の該絶縁層を研磨工程により取り去って該磁極層本
体２２ａの膜厚と同膜厚に平坦化仕上げを行う。
としては、磁極層本体２２が配設された基板２１上に、
該磁極層本体２２８の膜厚よりも厚い５ｉ０２゜Ａｌ２
Ｏ３などからなる絶縁層を被着形成後、磁極層本体２２
ａ上の該絶縁層を研磨工程により取り去って該磁極層本
体２２ａの膜厚と同膜厚に平坦化仕上げを行う。
またその後、該磁極本体２２ａの一端部上より平坦化さ
れた段差補整用の無機絶縁層２３上にかけて階段状に磁
極先端部２２ｂを設けるようにする。
れた段差補整用の無機絶縁層２３上にかけて階段状に磁
極先端部２２ｂを設けるようにする。
従ってこれら段差補整用の無機絶縁層２３上を含む前記
第１磁極層２２上に、５ｔｏ２． ＡＩ２０３などから
なる無Ｓ絶縁層２４．２６をそれぞれ介してＮｉ−Ｆｅ
等からなるＭＲ膜２５及びＡＩ ＋ Ｔ ＋ ＋ Ｃｕ
等からなるバイアス印加用導体膜２７を順に配設するこ
とにより、従来のような段差切れが解消される。また第
１磁極層２２の磁極先端部２１ｂを高精度な矩形断面形
状とすることができ、再生特性がよく、高トラツク密度
化が可能となる。
第１磁極層２２上に、５ｔｏ２． ＡＩ２０３などから
なる無Ｓ絶縁層２４．２６をそれぞれ介してＮｉ−Ｆｅ
等からなるＭＲ膜２５及びＡＩ ＋ Ｔ ＋ ＋ Ｃｕ
等からなるバイアス印加用導体膜２７を順に配設するこ
とにより、従来のような段差切れが解消される。また第
１磁極層２２の磁極先端部２１ｂを高精度な矩形断面形
状とすることができ、再生特性がよく、高トラツク密度
化が可能となる。
その後、前記バイアス印加用導体膜２７上にギャップ層
２８及び有機絶縁層−若しくは無機絶縁層と有機絶縁層
との複合絶縁層等からなる下地絶縁層２９を介して第２
磁極層３０を形成し、その上面に保護層３１を設けるこ
とにより、第２磁極層３０は下地絶縁層２９の段差がな
だらかになった配設面により比較的均一な膜厚で配設す
ることができる。
２８及び有機絶縁層−若しくは無機絶縁層と有機絶縁層
との複合絶縁層等からなる下地絶縁層２９を介して第２
磁極層３０を形成し、その上面に保護層３１を設けるこ
とにより、第２磁極層３０は下地絶縁層２９の段差がな
だらかになった配設面により比較的均一な膜厚で配設す
ることができる。
以上の説明から明らかなように、本発明に係る薄腰磁気
ヘッドによれば、第１磁極層上に配設する磁気抵抗効果
膜及びバイアス印加用導体膜の段差切れが解消すると共
に、磁極先端部の断面形状を高精度な矩形形状とするこ
とが可能となる。
ヘッドによれば、第１磁極層上に配設する磁気抵抗効果
膜及びバイアス印加用導体膜の段差切れが解消すると共
に、磁極先端部の断面形状を高精度な矩形形状とするこ
とが可能となる。
また第２磁極層も比較的均一な膜厚で配設することがで
きる等、再生特性及びｉ・ラック密度の向上を図ること
ができるなど優れた利点を有する。
きる等、再生特性及びｉ・ラック密度の向上を図ること
ができるなど優れた利点を有する。
第１図は本発明に係る薄膜磁気ヘッドの一実施例を示す
平面図、 第２図は第１図に示すＡ−Ａ″切断線に沿う断面図、 第３図は第１図に示すＢ−Ｂ’切断線に沿う断面図、 第４図は従来の１１膜磁気ヘツドを説明するため平面図
、 第５図は第４図に示すＡ−Ａ’切断線に沿う断面図、 第６図は第４図に示す＋３−Ｂ’切断線に沿う断面図で
ある。 第１図乃至第３図において ２１は基板、２２は第１＆ｉ極層、２２ａは磁極層本体
、２２ｂは磁極先端部、２３は段差補整層無機絶縁層、
２４．２６は無機絶縁層、２５は磁気抵抗効果膜、２７
はバイアス印加用導体膜、２８はギャップ層、２９は下
地絶縁層、３０は第２磁極層をそれぞれ示す。
平面図、 第２図は第１図に示すＡ−Ａ″切断線に沿う断面図、 第３図は第１図に示すＢ−Ｂ’切断線に沿う断面図、 第４図は従来の１１膜磁気ヘツドを説明するため平面図
、 第５図は第４図に示すＡ−Ａ’切断線に沿う断面図、 第６図は第４図に示す＋３−Ｂ’切断線に沿う断面図で
ある。 第１図乃至第３図において ２１は基板、２２は第１＆ｉ極層、２２ａは磁極層本体
、２２ｂは磁極先端部、２３は段差補整層無機絶縁層、
２４．２６は無機絶縁層、２５は磁気抵抗効果膜、２７
はバイアス印加用導体膜、２８はギャップ層、２９は下
地絶縁層、３０は第２磁極層をそれぞれ示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 第１磁極層（２２）と第２磁極層（３０）間に、それぞ
れ絶縁層（２４、２６、２９）を介して磁気抵抗効果膜
（２５）と、バイアス印加導体（２７）とをその両接続
端が該両磁極層（２２、３０）の側部よりはみ出した形
に配設し、かつその両磁極層（２２、３０）の対向先端
部に再生用または記録再生用のギャップ（２８）を有す
る磁気ヘッドの構成において、 上記第１磁極層（２２）が磁極本体（２２ａ）と該磁極
本体（２２ａ）の一端部上に階段状に設けた磁極先端部
（２２ｂ）とからなり、かつ該磁極本体（２２ａ）の縁
端段差部の周辺には段差補整用の無機絶縁層（２３）が
介在され、更に前記第２磁極層（３０）を配設する下地
絶縁層（２９）が、有機絶縁層、若しくは無機絶縁層と
有機絶縁層との複合絶縁層からなることを特徴とする薄
膜磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5614586A JPS62212911A (ja) | 1986-03-13 | 1986-03-13 | 薄膜磁気ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5614586A JPS62212911A (ja) | 1986-03-13 | 1986-03-13 | 薄膜磁気ヘツド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62212911A true JPS62212911A (ja) | 1987-09-18 |
Family
ID=13018912
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5614586A Pending JPS62212911A (ja) | 1986-03-13 | 1986-03-13 | 薄膜磁気ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62212911A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02203412A (ja) * | 1989-01-31 | 1990-08-13 | Nec Corp | 磁気抵抗効果型ヘッド及びその製造方法 |
-
1986
- 1986-03-13 JP JP5614586A patent/JPS62212911A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02203412A (ja) * | 1989-01-31 | 1990-08-13 | Nec Corp | 磁気抵抗効果型ヘッド及びその製造方法 |
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