JPS62208042A - 新規な光重合性積層体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、光重合性積層体、更に詳しくは印刷回路板の
作成に適したアルカリ現像可能な光重合性積層体に関す
る。

［従来の技術］ 近年、印刷回路板作製用レジストとして、支持層と光重
合性層とからなる、いわゆるドライフィルムレジスト（
以下、　ＤＦＲと称する）が広く用いられている。　Ｄ
ＦＲは一般に支持フィルム上に光重合性組成物を積層し
、多くの場合、さらに該組成物上に保護用のフィルムを
積層した構成体が用いられる。光重合性組成物としては
、未硬化部がアルカリ性水溶液で除かれるアルカリ現像
型と有機溶剤によって除かれる溶剤現像型が知られてい
る。

アルカリ現像型ＤＦＲを用いて印刷回路板を作製する方
法は以下の通りである。先ず保護用フィルムを剥離後、
印刷回路板用基板に光硬化性層が接するようにして積層
する。次いでマスクフィルム等を通して露光を行なった
後、必要に応じて支持フィルムを剥離又は除去し、炭酸
ナトリウム水溶液などのアルカリ性水溶液により未硬化
部を除去現像し、基板上に硬化レジスト画像を形成せし
める。このように形成された画像をレジストパターンと
して、基板上の銅箔膜面にエツチング又はメッキ処理を
行ない、次いで硬化レジスト画像を水酸化ナトリウム水
溶液などの現像液よりも強いアルカリ性水溶液によって
剥離することにより印刷回路板が製造される。

［発明が解決しようとする問題点］ 上記の工程において、印刷回路基板の銅面に対し未露光
の光重合性層が充分な！、ｉＹ性を有し、積層後光重合
性層が銅面からはがれたりしないことが必要である。又
露光後、硬化した光重合性層がレジストパターンとして
エツチング又はメッキ工程においても充分な密着力を保
持し、レジストパターンが銅面から浮き上がりエツチン
グ液のしみ込みによる銅線パターンの流れや、メッキ液
のしみ込みによるメッキのもぐり等が生じないことが必
要である。

特公昭５０−９１７７号公報では光重合性層のメッキ工
程での耐性を向上させる有用な化合物としてベンズイミ
ダゾール、ベンゾトリアゾール、２−アミノベンゾチア
ゾール等が示されている。しかしこれらはアルカリ現像
型ＤＦＨに用いた場合、充分な密着性が得られなかった
。

又特公昭５４−５２９２号公報では光重合性層のメッキ
工程での耐性を向上させる有用な化合物としてメルカプ
ト基を有する化合物又はテトラメチルチウラムジスルフ
ィドが示されている。しかしこれらもアルカリ現像型Ｄ
ＦＨに用いても密着性に効果は見られなかった。このよ
うに溶媒現像型ＤＦＲの組成物に有効な密着性向丘剤が
、カルボン酸を重合体中に多く含むアルカリ現像型ＤＦ
Ｈには効果がない。

［問題点を解決するための手段］ アルカリ現像型ＤＦＲに用いる為の光重合性層を有する
８！層体において、光重合性層の銅面への優れた密着性
を有する組成を種々検討した結果、印刷回路板の製造工
程においてはるかにすぐれた密着性を有する組成物を見
い出した。

つまり本発明は、光重合性層と支持層を含む光重合性積
層体において、該光重合性層が（１）カルボキシル基含
有量が酸当量で１００〜ｅｏｏ　、　ｇＬ量平均分子量
が５万〜６０万の線状重合体５〜６０重量％ （２）光重合可能なエチレン性不飽和化合物５〜９０重
量％ （３）光重合開始剤０．０１−１０重量％（４）下記の
一般式（Ｉ）で示される化合物を０．０１〜１０重量％ （ここでＲ１は０６〜１５の芳香族炭化水素基又は飽和
あるいは不飽和炭化水素基で置換された芳香族炭化水素
基である。又、Ａはベンゼン環又はナフタレン環であり
、Ｃ１〜１０の飽和あるいは不飽和炭化、水素基で置換
されていてもよい、） を含むことを特徴とする光重合性Ｍｉ層体に関する。こ
こで必要に応じて該光重合性層の支持層と接する反対の
表面に保護層が存在していても良い。

本発明の提案する光重合性積層体の光重合性層には（Ｉ
）式で示される化合物の少なくとも１種を必須成分とし
て含有する。ここでＲ１はフェニル基又はａｔ〜４のア
ルキル基で置換されたフェニル基がより好ましい、又、
Ａはベンゼン環又はＣＩ〜４のアルキル基で置換された
ベンゼン環が好ましい。

好ましい化合物の例としては、２−フェニルベンズイミ
ダソール、２−（４−メチルフェニル）ベンズイミダゾ
ール、２−（２−メチルフェニル）ベンズイミダゾール
、２−（４−エチルフェニル）ベンズイミダゾール、２
−（４−ターシャリ−ブチル）ベンズイミダゾール、２
−　（３，４−ジメチルフェニル）ベンズイミダゾール
、２−（ｌ−ナフチル）ベンズイミダゾール、２−（２
−ナフチル）ベンズイミダゾール、２−ビフェニルベン
ズイミダゾール、及び下記に示す化合物Ｎｏ１〜８など
があげられる。

これらは２種以上用いてもよい、この化合物の添加の効
果は光重合性組成物中０．０１重量％以上から得られ、
光重合性等の特性を維持する為には５重量％以下が望ま
しい。

本発明の提案する光重合性層にはカルボキシル基含有量
が酸当量で１００〜６００であり、重量平均分子量が５
万〜６０万の線状重合体を必須成分として含有する。こ
こで酸当量とは、その中に１当量のカルボキシル基を有
するポリマーの重量を言う。重合体中のカルボキシル基
はアルカリ水溶液に対し現像性や剥離性を有する為に必
要であり、含有量が多すぎるとレジストとしての特性を
低下させ、少なすぎると現像性又は剥離性を低下させる
。又分子量が大きすぎると現像性が低下し、小さすぎる
と光重合性層全体の流動性が増大し、室温での光重合性
層の厚みを均一に維持することが困難になる。

線状重合体は各種の方法により得ることができる。たと
えば、ポリメタクリル酸メチル等のアクリル酸エステル
又はメタクリル酸エステル〔これらを（メタ）アクリル
酸エステルと略記する。〕等の重合体を加水分解するこ
とにより得ることができる。又、線状重合体は２種また
はそれ以上の単量体を共重合させることにより得られる
。単量体は２種に区分される。第１の単量体は分子中に
重合性不飽和基を１個有するカルボン酸又は酸無水物で
ある０例えば（メタ）アクリル酸、フマル酸、ケイ皮酸
、クロトン酸、プロピオン酸、イタコン酸、マレイン酸
無水物、マレイン酸半エステル等である。第２の単量体
は光重合性層の現像性、エツチング及びメッキ工程での
耐性、硬化膜の可とう性等の種々の特性を保持するよう
に選ばれる０例えば、メチル（メタ）アクリレート、ブ
チル（メタ）アクリレート、２−エチルヘキシル（メタ
）アクリレート等のアクリル（メタ）アクリレート類が
ある。又酢酸ビニル等のビニルアルコールのエステル類
や、スチレン又は重合可能なスチレン誘導体等がある。

又上記の重合性不飽和基を分子中に１個有するカルボン
酸又は酸無水物のみの重合によっても得ることができる
。

光重合性層に含有される線状重合体の量は、５〜９０重
量％の範囲内でなければならず、好ましくは３０〜７０
重量％である。線状重合体の量が多すぎると光重合性が
低下し、少なすぎると光重合性層の流動性が増大し、光
重合性層の厚みを一定に維持することが困難になる。

本発明の提案する光重合性層には光重合可能なエチレン
性不飽和化合物を必須成分として含有している。その例
として１価又は２価以上の多価アルコールにα、β−不
飽和カルポン酸を付加して得られるものがあり、例えば
、ポリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート（エ
チレン基の数が２〜１４のもの）、ポリプロピレングリ
コールジ（メタ）アクリレート（プロピレン基の数が２
〜１４のもの）、トリメチロールプロパンジ（メタ）ア
クリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アク
リレート、テトラメチロールメタントリ（メタ）アクリ
レート、テトラメチロールメタンテトラ（メタ）アクリ
レート、テトラエチレングリコールフェニルエーテル（
メタ）アクリレート、ジエチレングリコールエチルエー
テル（メタ）アクリレート、さらに下記のＮＯ９〜１３
の構造式の化合物等がある。

ｏ９ ｏＩＯ ＯＩＩ ｏ１２ ｏ１３ 又グリシジル基含有化合物にα、β−不飽和カルポン酸
を付加して得られるもの、例えばビスフェノールＡジグ
リシジルエーテルジ（メタ）アクリレート、フェニルグ
リシジルエーテル（メタ）アクリレート等がある。又多
価カルボン酸、例えば無水コハク酸と水酸基及びエチレ
ン性不飽和基を有する化合物、例えばβ−ヒドロキシエ
チル（メタ）アクリレートとのエステル化物がある。

光重合性層に含有される光重合可能なエチレン性不飽和
化合物の量は５〜６０重量％でなければならず、好まし
くは２５〜８５重量％である。光重合可能なエチレン性
不飽和化合物の量が多すぎると光重合性層の流動性が増
大し、光重合性層の厚みを一定に維持することが困難に
なる。又少なすぎると光重合性が低下する。

本発明の提案する光重合性層には光重合開始剤を必須成
分として含んでいる。ここでの光重合開始剤は各種の活
性光線１例えば紫外線などにより活性化され重合を開始
する化合物である０例えば２−エチルアントラキノン、
２−ｔｅｒｔ−ブチルアントラキノン、オクタメチルア
ントラキノン、■、２−ベンズアントラキノン、２，３
−ベンズアントラキノｙ、２−−ｙエニルアントラキノ
ン、２，３−ジフェニルアントラキノン、ｌ−クロロア
ントラキノン、２−クロロアントラキノン、２−メチル
アントラキノン、１．４−ナフトキノン、　９．１０−
フエナントラキノン、２−メチル１．４−ナフトキノン
、２，３−ジメチルアントラキノン、３−クロロ−２−
メチルアントラキノンなどのキノン類がある。又例えば
、ベンゾフェノン、ミヒラーズケトン（４，４’−ビス
（ジエチルアミノ）ベンゾフェノン）　、　４．４’−
ビス（ジメチルアミノ）ベンゾフェノンなどの芳香族ケ
トン類がある。又例えばベンゾイン、ベンゾインメチル
エーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインフェ
ニルエーテル、メチルベンゾイン、エチルベンゾインな
どのベンゾインエーテル類がある。

又例えばジメチルチオキサントンとジメチルアミノ安息
香酸の組み合わせのようにチオキサントン系化合物と三
級アミン化合物との組み合わせもある。

この光重合開始剤は光重合性層に含有される量は０．０
１〜１０重量％であり、好ましくは０．１〜５重量％で
ある。ここで光重合開始剤が多すぎると光重合層の活性
線吸収率が高くなり、光重合層の底の部分の重合による
硬化が不充分になる。スルなすぎると充分な感度が出な
くなる。

光重合性層の熱安定性、保存安定性を向上させるため、
光重合性層にラジカル重合禁止剤を含有させることは好
ましいことである８例えば、Ｐ−メトキシフェノール、
ハイドロキノン、ピロガロール、ナフチルアミン、　ｔ
ｅｒｔ−ブチルカテコール、塩化第１銅、２，６−シー
ｔａｒｔ−ブチルｐ−クレゾール。

２．２′−メチレンビス（４−エチル−５−ｔ−ブチル
フェノール、２，２−メチレンビス（２−メチル−５−
ｔ−ブチルフェノール等がある。

本発明の提案する光重合性層には、染料、顔料等の着色
物質を含有してもよい。例えばツクシン、オーラミン塩
基、カルコキシドグリーンＳ、パラマジエンタ、クリス
タルバイオレット、メチルオレンジ、ナイルブル−２Ｂ
、ビクトリアブル−、マラカイトグリーン、ペイシック
ブルー２０等がある。

又前記光重合性層には、必要に応じ可塑剤等の添加剤を
含有していてもよい。

光重合性層の支持層としては活性光を透過する透明なも
のが望ましい。

活性光を透過する支持体としてはポリエチレンテレフタ
レートフィルム、ポリビニルアルコールフィルム、ポリ
塩化ビニルフィルム、塩化ビニル共重合体フィルム、ポ
リ塩化ビニリデンフィルム、塩化ビニリデン共重合体フ
ィルム、ポリメタクリル酸メチルフィルム、ポリメタク
リル酸メチル共重合体フィルム、ポリスチレンフィルム
、ポリアクリロニトリルフィルム、スチレン共重合体フ
ィルム、ポリアミドフィルム、セルロース誘導体フィル
ムなどが挙げられる。

支持層と積層した光重合層の他表面に必要に応じて保護
層をｖＩ層する。この保護層の重要な特性は光重合性層
との密着力について、支持層よりも保護層の方が充分小
さく容易に剥離できることである。例えばポリエチレン
フィルム、ポリプロピレンフィルムがある。又特開昭５
９−２０２４５７号に示された剥離性の優れたフィルム
を用いることもできる。

光重合性層の厚みは用途において異なるが、印刷回路板
作製用には５〜１００　ｇ、好ましくは５〜７０μであ
り、薄いほど解像度は向上する。

次に本発明で開示されたアルカリ現像型ＤＦＲを用いた
印刷回路板の作成工程は従来技術に準するものであるが
、簡単に述べる。先づ必要に応じ保護層を剥離した後、
光重合性層を印刷回路板用基板の金属表面に加熱圧着し
積層する。この時の加熱温度は一般的に６０〜１５０℃
である。次に必要ならば支持層を剥離し、マスクフィル
ムを通して活性光により画像露光する０次に光重合性層
上に支持フィルムがある場合にはこれを除き、つづいて
、アルカリ水溶液を用いて未露光部を除去現像する。ア
ルカリ水溶液としては、水酸化ナトリウム、水酸化カリ
ウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム等の水溶液を用い
るが、特に制限は無く光重合性層の特性に合わせて選択
できるが炭酸ナトリウム水溶液が一般的である。次に現
像された硬化レジスト画像をマスクとして、露出した金
属面をエツチング又はメッキによる既知の方法を用い金
属の画像パターンを形成する。その後硬化レジスト画像
は一般的に現像で用いたアルカリ水溶液よりも更に強い
アルカリ性の水溶液により剥離される。剥離用のアルカ
リ水溶液についても特に制限は無いが、水酸化ナトリウ
ム、水酸化カリウムの水溶液が一般的に用いられる。さ
らに現像液や剥離液に少量の水溶性有機溶媒を加えるこ
とは可能である。

［発明の効果］ 本発明で開示したアルカリ現像型ＤＦＨに用いる光重合
性ａ屠体の光重合性層は、銅面への優れた密着力を有し
、その結果印刷回路板の作製工程において、不良品の発
生を著しく低減することができる。つまり、光重合性層
の印刷回路板用の基板への積層工程においてはがれず、
さらに現像工程で除去されるまで未露光部が銅面からは
がれたり浮いたすせず、さらにメンキ工程において硬化
レジスト画像がはがれたり浮いたりすることによるメッ
キのもぐりが生じないという優れた効果を示す。

［実施例］ 次に実施例を挙げて本発明をさらに詳しく説明する。

なお、以下の記載において％は重量％を表わす。

実施例１ 下記の組成に従い、ドープｌを調製し２５Ｂｍ厚さのポ
リエチレンテレフタレートフィルム上に均一に塗布し、
７５℃の熱風で５分間乾燥した。光重合性層の乾炸後の
厚さは約５０１Ｌ１１であった。光重合性層のポリエチ
レンテレフタレートフィルムを積層していない表面上に
、４０ｇｍ厚さのポリエチレンフィルムを張り合わせた
。次にポリエチレンフィルムを剥離しながら、銅張り積
層基板に１０５℃の加圧ロールで圧着した。この時ｍ層
した光重合性層の銅面からのはがれは全く見られなかっ
た。

この光重合性層の銅面密着力を操作Ａにより測定した結
果、４００ｇ／ｃｍであった。

又この光重合性層の耐メツキ液性を次のように評価した
。先づ積層された光重合性層にマスクフィルムを通して
超高圧水銀ランプにより１　ｃｍ２当り１００ｍＪの照
射量で露光を行なった。次いでポリエチレンテレフタレ
ートフィルムヲ剥離後、１重量％濃度の炭酸ナトリウム
水溶液を３０℃に保ちながらスプレーし、未露光部を除
去（現像）し、銅面上にレジスト画像を形成した。この
基板を操作Ｂにより前処理し銅面を清浄にした後、操作
Ｃにより銅メッキした。これをさらに操作りによりハン
ダメッキを行なった。その結果メッキのもぐりは全く見
いだされなかった。

ドープ１ 共重合体（酸当量３１９９重量平均分子量１９万）ノナ
エチレングリコールジアクリレート　１５ｇベンゾフェ
ノン　　　　　　　　　　　　　３ｇマラカイト・グリ
ーン　　　　　　　　　０．１ｇ２−フェニルベンズイ
ミダゾール　　　　　０．５ｇメチルエチルケトン　　
　　　　　　　　１５０ｇ実施例２ ドープ２を用い実施例１で示した手順と同様にして光重
合性積層体を作製し、銅張り積層基板に積層した。この
時積層した光重合性層の銅面からのはがれは見られなか
った。

銅面密着力は６００ｇ／ｃｍであった。

又実施例１と同様にして耐メッキ液性を評価した結果、
メッキのもぐりは全く見い出されなかった。

ドープ２ ベンゾフェノン　　　　　　　　　　　　　３ｇマラカ
イト・グリーン　　　　　　　　　ｏ、　１ｇ２−フェ
ニル・ベンズイミダゾール　　　０．５ｇメチルエチル
ケトン　　　　　　　　　　１５０ｇ実施例３ ドープ３を用い実施例１で示した手順と同様にして光重
合性＠１層体を作製し、銅張り積層基板に積層した。こ
の時積層した光重合性層の銅面からのはがれは見られな
かった。

銅面密着力は５６０ｇ／ｃｍであった。

又実施例１と同様にして耐メツキ液性を評価した結果、
メッキのもぐりは全く見い出されなかつベンゾフェノン
　　　　　　　　　　　　　３ｇマラカイト・グリーン
　　　　　　　　　０．１ｇ２−オルントリルベンズイ
ミダゾール　　　０．５ｇメチルエチルケトン　　　　
　　　　　　１５０ｇ実施例４ ドープ４を用い実施例１で示した手順と同様にして光重
合性ｖｔ層体を作製し、銅張り積層基板に積層した。こ
の時積層した光重合性層の銅面からのはがれは見られな
かった。

銅面密着力は５５０ｇ／ｃｍであった。

又実施例１と同様にして耐メツキ液性を評価した結果、
メッキのもぐりは全く見い出されなかった。

ドープ４ ベンゾフェノン　　　　　　　　　　　　　３ｇマラカ
イト・グリーン　　　　　　　　　０．１ｇ２−１ナフ
チル・ベンズイミダゾール　　０．５ｇメチルエチルケ
トン　　−１５０ｇ 実施例５ ドープ５を用い実施例１で示した手順と同様にして光重
合性積層体を作製し、銅張り積層基板に積層した。この
時積層した光重合性層の銅面からのはがれは見られなか
った。

銅面密着力は５７０ｇ／ｃｍであった。

又実施例１と同様にして耐メツキ液性を評価した結果、
メッキのもぐりは全く見い出されなかっベンゾフェノン
　　　　　　　　　　　　　３ｇマラカイト・グリーン
　　　　　　　　　０．１ｇメチルエチルケトン　　　
　　　　　　　１５０ｇ比較例１ 実施例１のドープ１組成から２−フェニルベンズイミダ
ゾール０．５ｇを除いた組成のドープを作製し、実施例
１と同様の手順で銅張り積層基板に積層した。このとき
基板の端から光重合性層の銅面からのはがれが見い出さ
れた。

銅面密着力は１５ｇ／ｃｍであった。

又実施例１と同様にして耐メツキ液性を評価した結果、
メッキのもぐりが見い出され、はとんど耐メツキ液性を
示さなかった。

比較例２ 実施例１のドープ１組成の２−フェニルへンズイミダゾ
ール０．５ｇをベンズイミダゾール０．５ｇで置きかえ
た組成のドープを作製し、実施例１と同様の手順で銅張
り積層基板に積層した。このとき基板の端から光重合性
層の銅面からのはがれ牟見い出された。

銅面密着力は１４ｇ／ｃ＋ａであった。

又実施例１と同様にして耐メツキ液性を評価した結果、
メッキのもぐりが見い出され、はとんど耐メツキ液性を
示さなかった。

比較例３ 実施例１のドープ１組成の２−フェニルへンズイミダゾ
ール０．５ｇを２−メチルベンズイミダゾール０．５ｇ
で鐙きかえた組成のドープを作製し、実施例１と同様の
手順で銅張り積層基板に積層した。

このとき基板の端から光重合性層の銅面からのはがれが
見い出された。

銅面密着力は１５ｇ／ｃｍであった。

又実施例１と同様にして耐メツキ液性を評価した結果、
メッキのもぐりが見い出され、はとんど耐メツキ液性を
示さなかった。

比較例４ 実施例１のドープ１組成の２−フェニルへンズイミダゾ
ール０．５ｇを２−メルカプトベンゾオキゾール０．５
ｇで置きかえた組成のドープを作製し、実施例１と同様
の手順で銅張り積層基板に積層した。

このとき基板の端から光重合性層の銅面からのはがれが
見い出された。

銅面密着力はＩＥ１ｇ／ｃｍであった。

又実施例１と同様にして耐メツキ液性を評価した結果、
メッキのもぐりが見い出され、はとんど耐メツキ液性を
示さなかった。

比較例５ ドープ６を用い、実施例１と同様の手順で銅張り積層基
板に積層した。

銅面密着力は３０ｇ／ｃｍであった。

又、この光重合性層の耐メツキ液性を次のように評価し
た。先づ積層された光重合性層にマスクフィルムを通し
て超高圧水銀ランプによりｌ　ｃｍ２当り１０１００Ｏ
の照射量で露光を行なった。次いでポリエチレンテレフ
タレートフィルムをｌ離後、トリクロルエチレンをスプ
レーし、未露光部を除去（現像）し、銅面上にレジスト
画像を形成した。

この基板をＢ法により前処理し銅面を清浄にした後、Ｃ
法により銅メッキした。これをさらにＤ法によりハンダ
メッキを行なった。その結果メッキのもぐりが見い出さ
れた。

ドープ６ トリメチロールプロパン トリアクリレート　　　　　３０ｇ テトラエチレングリコール ジアクリレート　　　　　　　１２ｇ ベンゾフェノン　　　　　　　　　　　　　２ｇ４．４
′−ビス（ジエチルアミノ） ベンシフ、ノン　　　　０′１ｇ マラカイト・グリーン　　　　　　　　　０．１ｇ２−
フェニルベンズイミダゾール　　　　０．５ｇメチルエ
チルケトン　　　　　　　　　　１５０ｇ比較例６ ドープ６の組成の２−フェニルベンズイミダゾール０．
５ｇを含まないドープ組成を比較例５と同様の手順で銅
張り積層基板に積層した。

比較例５と同様にしてレジスト画像の耐メツキ液性を評
価した結果メッキもぐりが見い出され、比較例５との有
意差は見られなかった。

実施例１を比較例１〜４と比較すると、本発明で開示し
た組成物がアルカリ現像型ＤＦＨにおいて、従来の技術
に比べはるかに優れた密着性を有することがわかる。実
施例２〜５において、本発明で開示した範囲の各種組成
物が同様の優れた特性を有することを示している。又比
較例５〜６において同様の密着改良剤が溶媒現像型ＤＦ
Ｈには効果がないことを示している。

備考 実施例、比較例中の操作法は次のとおりである。

操作Ａ ３ｃｍ幅の銅張り積層基板にレジストを積層し、基板と
同じ幅に切りそろえた後、引っ張り試験機によりレジス
トを基板からはがす時の応力を測定する。

操作Ｂ エンプレー）　ＰＣ−４５５（ジャパンメタルフィニッ
シング社製）の２５％水溶液を５０℃に保ち、３分間基
板を浸漬する。水洗後、過硫酸アンモニウムの１５％水
溶液を２５℃に保ち、基板を１分間浸漬する。水洗後さ
らに２％の硫酸水溶液を２５℃に保ち基板を１分間浸漬
した後水洗する。

操作Ｃ 「硫醜銅コンク」を１９％硫酸で３．８倍に希釈したメ
ッキ液中で２．５Ａ／ｄｍ２の電流密度で室温下で３０
分メッキを行なう。・ 操作Ｄ マクダット社製のハンダメッキ液を用い２　Ａ／ｄｍ２
　で１０分間メッキを行なう。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 　光重合性層と支持層を含む光重合性積層体において、
   該光重合性層が （１）カルボキシル基含有量が酸当量で１００〜６００
   、重量平均分子量が５万〜６０万の線状重合体５〜９０
   重量％ （２）光重合可能なエチレン性不飽和化合物５〜９０重
   量％ （３）光重合開始剤０．０１〜１０重量％ （４）下記の一般式（ I ）で示される化合物を０．０
   １〜１０重量％ ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） （ここでＲ＿１はＣ＿６＿〜＿１＿５の芳香族炭化水素
   基又は飽和あるいは不飽和炭化水素基で置換された芳香
   族炭化水素基である、又、Ａはベンゼン環又はナフタレ
   ン環であり、Ｃ＿１＿〜＿１＿０の飽和あるいは不飽和
   炭化水素基で置換されていてもよい。） を含むことを特徴とする光重合性積層体。