JPS62207768A - 高密度窒化ケイ素材料の製造方法 - Google Patents

高密度窒化ケイ素材料の製造方法

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JPS62207768A
JPS62207768A JP61047194A JP4719486A JPS62207768A JP S62207768 A JPS62207768 A JP S62207768A JP 61047194 A JP61047194 A JP 61047194A JP 4719486 A JP4719486 A JP 4719486A JP S62207768 A JPS62207768 A JP S62207768A
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glass
silicon nitride
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molded body
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隆男 藤川
宮永 順一
康彦 井上
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は高密度、高強度の窒化ケイ素焼結体の製造方法
に関し、詳しくはガラス系の材料で窒化ケイ素成形体の
表面を被覆して熱間静水圧プレス法を利用し等圧圧縮処
理することにより高密度。
高強度の窒化ケイ素焼結部材を製造する方法に関する。
(従来の技術) 石油危機以後、省エネルギーの観点から、ガスタービン
エンジンやディーゼルエンジンなどの熱機関の熱効率向
上を意図して、ガスタービン入口温度の高温化やディー
ゼルエンジンの断熱化などが検討されている。ガスター
ビン人口温度については、従来の耐熱合金ではその使用
限界に達していることから、更に耐熱性の優れた窒化ケ
イ素などのセラミックス材料が有望視されている。しか
し、セラミックス材料は、粉末原料を成形し、さらに焼
結するという通常の製造方法では、この製造工程上、不
可避的に存在する残留空孔が原因となって機械部品とし
て充分な信頼性をもたせることが困難であった。特に窒
化ケイ素系セラミックスは難焼結性であり、かつ、大気
圧下で焼結しようとすると、1700℃付近から、一部
分解をはじめ、1900℃でほぼ完全に分解する性質を
有するため、高強度で、かつ信頼性の高い焼結体を得る
ことは非常に困難であった。
近年になって、この窒化ケイ素の焼結に高温下で不活性
ガス等のガス体の圧力を作用させて圧縮焼結する熱間静
水圧プレス法(以下HIP法と省略する。)が有望な焼
結技術として注目を浴びている。
HIP法では、数百乃至数千kg/cdの圧力を作用さ
せ得ることから、難焼結性のセラミックス材料でも、殆
ど残留空孔を含まない焼結体を得ることができる。この
場合、通常の焼結法により表面に連通した気孔のない状
態になるまで焼結した後、残留した開気孔をHIPIP
処理残留空孔を圧潰して高密度化する方法(カプセルフ
リー法)と、多孔性の成形体の表面をガス透過性のない
材料で被覆して、ガスをシールしつつ圧力のみを作用さ
せて圧縮する方法の2つに大別される。特に後者は、焼
結助剤の量をかなり減らすことが出来ることから、焼結
助剤添加による高温強度の低下を低減することが可能と
され、欧米を中心に積極的な研究開発がなされている。
この方法では、ガス透過性のない材料で成形体表面を被
覆する際の、この材箕とその付与方法が重要な要素であ
り、窒化ケイ素などの耐熱セラミックスを対象とする場
合にはHIP処理温度が1600℃以上の高温になるこ
とから綱などの安価な金属材料が使用できずもっばらガ
ラス系の材料が使用されている。
ところで、ガラス系材料をかかる)(IP処理における
成形体表面のシール材に用いる方法としては特公昭48
−25605号、特開昭50−’、2107号、特開昭
52−58714号などが知られている。
そして、この技術を窒化ケイ素成形体に適用する方法と
しては特開昭51−70208号、特開昭54−144
412号などが公知である。
しかし、本発明者らは、これら公知の方法を窒化ケイ素
焼結体の製造に適用した結果、多くの問題点のあること
を認識した。特に高温下での強度が大きく、かつその強
度値のバラツキの少ない焼結体部品を製造しようとする
場合にはシールに使用するガラス質により大きな差異の
生じることを実験によりN認した。
以下に市販の石英ガラス、バイコールガラス。
パイレックスガラスを窒化ケイ素成形体の表面シールに
使用しHIPIP処理結果、得られた知見を示す。
(A)石英 (1)  Si+Naと接触すると界面に5izNzO
を生成する。
(2)  S i 3 N 4と接触しなければ成形体
周囲の雰囲気は良好である。
(3)  シール材としての使用量が多くなると結晶化
を生じ易く、この結果、シールの確実性が成形体寸法が
大きくなるにつれて顕著に低下する。
(4)軟化点が高い(・〜1600℃)ため、シーール
の作業性が悪い。
(B)バイコール (11(2)は前記石英と同じ、 (3)  石英はど結晶化し易くないので石英の場合よ
りも大形の成形体にも通用が可能である。
(4)  軟化点が高い(〜1500℃)ためシールの
作業性は余りよくない。
(5)複雑な工程により製造されるので高価である。
(C)パイレックス (1)は石英と同じ。
(2)  アルカリ成分を含み、このアルカリ成分が揮
発して成形を汚染する場合がある。
(3)結晶化しにくいので結晶化に起因するシール破損
を生じない。
(4)軟化点が低い(〜820℃)のでシールの作業性
がよい。
(5)SiJaをHIPIP処理1700〜2000℃
の高温下では粘度が低いため細孔を浸透して成形体と反
応を生じる場合がある。
軟土のように前記公知の方法に示されている市販のガラ
ス材はシールの作業性や窒化ケイ素へのコンタミネーシ
ョンなどの観点から必ずしも好ましくないことが知見さ
れる。
又、本発明者らは、これら市販ガラスを中心にガラス材
のHIP圧媒ガスに対するシール性を検討するための実
験を行った。まず、第一に圧媒ガスが軟化溶融したガラ
スに溶解し、これが成形体気孔中に揮発して浸入する可
能性をチェックするため、ガラス材をアルゴンガス15
00 kg/ciの圧力下、1700〜2000℃に2
hr曝し、降温。
減圧して取り出したガラス材中のアルゴンガスの溶解量
を、溶解ガスクロ法により測定した。
その結果は第1図に示す如くであった。
次にまたパイレックスガラスと石英ガラスについては、
実際に窒化ケイ素成形体のシールに使用して圧媒ガスに
アルゴンガスを用いてHIP処理し、得られた焼結体中
のアルゴン量を放射化分析により測定した。その結果は
下記第1表の通りであった。
なお、HIP処理条件は2000℃、150MPa。
2hrでサンプルとしてLC−12を用いた。
第    1    表 上記第1図及び第1表に示す各結果から結局、パイレッ
クスには他のガラスと比較して1700〜2000℃で
は2〜5倍のアルゴンが溶解すること、及びパイレック
スガラスの場合には窒化焼結体中へも他のガラスと比較
して1桁多いアルゴンガスの混入を生じることが明らか
となった。
また、更に石英ガラス、バイコールガラス、パイレック
スガラスをシール用ガラス材に使用し、Yz03A I
I to+添加添加室化ケイ素焼結体を作製し、その室
温及び1200℃での強度とそのバラツキを測定した。
その結果は下記第2表に示す如(であった。
(以下 余白) 上記第2表の結果に徴し、これら3種類のガラス材によ
り室温強度には大きな差異はないものの、1200℃で
の強度については一番軟化点の低い(〜820℃)パイ
レックスガラスで平均強度が大きく、一番軟化点の高い
(〜1600℃)石英ガラスで一番小さく、そのバラツ
キについては逆の傾向にあることが理解される。そして
、この原因としては平均強度については軟化点の差異に
よるシールの操作性が影響を与えており、バラツキにつ
いてはガラス中の石英以外の成分やアルゴンガスなどに
よるコンタミネーションが考えられる。
(発明が解決しようとする問題点) 本発明は畝上の如き実験結果に立脚し、更に高温強度に
すぐれ、バラツキの少ない窒化ケイ素焼結体を製造すべ
く鋭意研究開発の結果、到達したもので、特ガラス系の
材料で窒化ケイ素成形体の表面を被覆してHIP処理す
るに際し、そのガラス材料の組成に着目し高密度、高強
度の窒化ケイ素焼結体部材を製造せんとするものである
(問題点を解決するための手段) 即ち、上記問題点解決に適合する本発明の特徴とすると
ころは、多孔質の窒化ケイ素成形体の表面をガス透過性
の少ないガラス材料で被覆し、気密にシールした後、H
IP処理して高密度の窒化ケイ素焼結体を製造するに際
し、前記ガラス材料としてAI!20,1〜20%、 
82035〜30%、残部不可避不純分および石英から
なるガラスもしくはこれらの混合物を使用する点にある
以下、更にその詳細を説明する。
先ず、高温強度のバラツキの少ない焼結体を製造するた
めに使用するシール用ガラス材としては前述の如くアル
カリ及びアルカリ土類系の成分を含まないことと圧媒ガ
スの溶解度の小さい材料が好ましい。
又、強度値の向上には比較的低温度、例えば、1200
〜1600℃でシールできるシール操作性のよいガラス
材が好ましい。
そこで、これらのことから石英に適当な第2成分、第3
成分を添加することを考慮し、その成分について検討し
、その結果、A l1203が1700℃以上の高温下
でガラスの粘度を上げ、結果として圧媒ガスの溶解量を
低減する効果の期待できることを見出した。
また、シールの操作性を向上するため、即ち、シール時
のガラスの結晶化を生じさせず、シールを容易にするた
めにはF3t(hを添加することが好ましいことが分か
った。
従って、Aj!z(h 、 Bz03の添加が本発明に
おいては頗る重要である。
しかし、特に本発明におけるガラス材料使用の方法では
HIP時の圧媒ガスによる増圧開始に留意しなければな
らず、もし増圧開始をガラス材が軟化してから行わない
と、ガラス材が割れてシール機能が損なわれたり、軟化
点近傍の温度に長時間保持してガラスの軟化を待ってい
ると、結晶化を住じて割れてしまうことから、上記3成
分の共晶温度以上で確実に軟化させてから増圧を開始す
るようにする。
ここで、上記3成分系の状態図は第2図に示す如くであ
り、(図中、Aは八1202.BはB2O3゜Sは5i
Ozを示す)、前記要求に適合する上から共晶温度近傍
で多量の結晶相の出ない領域、即ち、共晶線の近傍で共
晶温度が上述の1200〜1600℃であるような組成
域とすることが好ましい。
そこで、これを図中に示しているが、A l zosl
〜20%、 B2(h5〜30%、残部石英及び不可避
不純物よりなる組成である。
なお、この組成は、使用に際しては、この組成域の混合
物を用いても、又この組成に混合溶融したものを用いて
もよく、更にその形態についても各種シールの方法によ
り適宜使用し易いものを用いればよい。
又、窒化ケイ素は石英系のガラスと接触すると界面に酸
窒化ケイ素(SiJzO)が反応層として生成し、除去
が困難なため、これを防止すべく両者の間に反応防止材
、離形材として窒化ホウ素、または炭素の層を介在させ
ることが好ましい。
第3図〜第6図は上記組成になるガラス材料を用いてシ
ールするときのシール方法の各種を示す。
先ず、第3図はカプセルシール法と呼ばれるシ−ル法で
成形した成形体(M)を中子(2)を含めてガラス容器
からなるカプセル(1)内に収容し、ルツボ(3)内に
収納しており、第4図はプレスシール法と呼ばれるシー
ル法で黒鉛型(4)内に成形体(M)をガラス材(5)
を介して収容し、−軸加工を行い、その成形体外周にシ
ールガラス(6)を形成する方法である。
又、第5図はガラス浴法であり、黒鉛ホイル(7)を内
張すしたグラファイトルツボ(8)内にガラス材(5)
を充填し、その内部に成形体(M)を埋設する方法、第
6図(イ)(ff)は特開昭54−144412号で開
示された焼結ガラス法で、予備成形した成形体(M)外
周を高融点ガラス多孔質層(9)又は、更にその外周を
低融点ガラス多孔質層aωで気密シールする方法である
そして、本発明においては、上記種々のシール方法が使
用可能であるが、これらの方法には一長一短があるので
、使用目的に応じ適宜使い分けるとこが好適である。
以下、更に本発明の具体的な実施例を掲げる。
(実施例) Yz(h 5%、  AI!20.2%を添加した窒化
ケイ素粉末を500kg/cn!の圧力で金型成形し、
更に、この成形体をゴム型に封入し、2000 kg/
co!の圧力でCIP処理して密度を均質化した。得ら
れた成形体をNz中、1600℃で仮焼した後、表面に
BN層をCIP法により付与した。この処理体を第5図
に示すようにルツボ(8)中に、A / 20゜10%
、+3zo:12B%、残部石英の混合粉末中に埋めた
状態で配置し、HIP装置中にセントした。
HIP装置内を真空引きし、窒素ガスで置換した後、史
に真空引きし、1500℃まで昇温した。
1500℃で30分保持後、Arを注入し、1500k
g/CrAまで増圧すると同時に、1700℃まで昇温
した。1700℃、1500kg/cnfで、2時間保
持した後、降温、減圧した。HIP装置からガラスに覆
われた処理体を取り出し、ガラスとBNをサンドブラス
ティングにより除去した後、密度及び1200℃での曲
げ強度を測定した。
密度は3.25g/cdで充分高密度化していた。
又、1200℃での曲げ強度の平均値は611g/mm
”でワイプル係数18(n=10であり、高強度でバラ
ツキの少ない焼結体が得られた。
(発明の効果) 本発明は以上のように多孔質の窒化ケイ素成形体の表面
をガラス材料で被覆、気密シールした後、HIP処理し
て高密度の窒化ケイ素焼結体を製造するに際し、そのガ
ラス材料として特定の成分を添加し、Al、Oil〜2
0%、 thoi5〜30%。
残部石英および不可避不純物となしたものであり、A 
it tozの添加により高温下でガラスの粘度を高め
圧媒ガスの溶解量を低減せしめて高温強度にすぐれ、か
つ、バラツキの少ない焼結体を得ることができると共に
、B2O3成分の添加によりシールの操作性を向上せし
め、両者相俟って高密度で高温時における強度の急激な
低下のない5iJ4焼結体の製造方法として頗る実効性
が期待される方法である。
【図面の簡単な説明】
第1図は市販の各種ガラス材へのArの溶解量を示す図
表、第2図はSiO□−A l zOx  Bt(h 
3成分系状態図、第3図ないし第5図及び第6図(イ)
 (It)はガラス材シールの各方法例である。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、多孔質の窒化ケイ素成形体の表面をガス透過性の少
    ないガラス材料で被覆し、気密にシールした後、熱間静
    水圧プレス処理して高密度の窒化ケイ素焼結体を製造す
    るに際し、前記ガラス材料としてAl_2O_31〜2
    0%、B_2O_35〜30%、残部不可避不純物及び
    石英からなるガラスもしくはこれらの混合物を用いるこ
    とを特徴とする高密度窒化ケイ素材料の製造方法。 2、窒化ケイ素成形体の表面をガラス材料で被覆するに
    際し、両者の間に窒化ホウ素または炭素の層を介在させ
    る特許請求の範囲第1項記載の高密度窒化ケイ素材料の
    製造方法。 3、シール処理後の増圧開始温度がガラス材料が結晶層
    となった場合の共晶温度以上である特許請求の範囲第1
    項又は第2項記載の高密度窒化ケイ素材料の製造方法。
JP61047194A 1986-03-06 1986-03-06 高密度窒化ケイ素材料の製造方法 Granted JPS62207768A (ja)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPH02153867A (ja) * 1988-12-03 1990-06-13 Ngk Insulators Ltd 均質焼結体の製造方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02153867A (ja) * 1988-12-03 1990-06-13 Ngk Insulators Ltd 均質焼結体の製造方法
JPH0543661B2 (ja) * 1988-12-03 1993-07-02 Ngk Insulators Ltd

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