JPH0114194B2 - - Google Patents
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- JPH0114194B2 JPH0114194B2 JP54162870A JP16287079A JPH0114194B2 JP H0114194 B2 JPH0114194 B2 JP H0114194B2 JP 54162870 A JP54162870 A JP 54162870A JP 16287079 A JP16287079 A JP 16287079A JP H0114194 B2 JPH0114194 B2 JP H0114194B2
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- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 74
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 49
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 39
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 39
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 33
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims description 21
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 16
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 14
- 239000000155 melt Substances 0.000 claims description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 12
- 238000000462 isostatic pressing Methods 0.000 claims description 11
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 9
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 5
- 239000011148 porous material Substances 0.000 claims description 4
- 238000004382 potting Methods 0.000 claims description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 18
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000002775 capsule Substances 0.000 description 8
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 6
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 6
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 5
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 5
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000010494 dissociation reaction Methods 0.000 description 4
- 230000005593 dissociations Effects 0.000 description 4
- 239000000156 glass melt Substances 0.000 description 4
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 4
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 4
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 4
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 4
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 4
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 4
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 3
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 3
- 238000005422 blasting Methods 0.000 description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 3
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 3
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KKCBUQHMOMHUOY-UHFFFAOYSA-N Na2O Inorganic materials [O-2].[Na+].[Na+] KKCBUQHMOMHUOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- TZHYBRCGYCPGBQ-UHFFFAOYSA-N [B].[N] Chemical compound [B].[N] TZHYBRCGYCPGBQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000287 alkaline earth metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005056 compaction Methods 0.000 description 2
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 2
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 2
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007872 degassing Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000007496 glass forming Methods 0.000 description 2
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 2
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 2
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 229910017464 nitrogen compound Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 2
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 239000000047 product Substances 0.000 description 2
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N Acetaminophen Chemical compound CC(=O)NC1=CC=C(O)C=C1 RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000020 Nitrocellulose Substances 0.000 description 1
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920012485 Plasticized Polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 1
- FJWGYAHXMCUOOM-QHOUIDNNSA-N [(2s,3r,4s,5r,6r)-2-[(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5-dinitrooxy-2-(nitrooxymethyl)-6-[(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5,6-trinitrooxy-2-(nitrooxymethyl)oxan-3-yl]oxyoxan-3-yl]oxy-3,5-dinitrooxy-6-(nitrooxymethyl)oxan-4-yl] nitrate Chemical compound O([C@@H]1O[C@@H]([C@H]([C@H](O[N+]([O-])=O)[C@H]1O[N+]([O-])=O)O[C@H]1[C@@H]([C@@H](O[N+]([O-])=O)[C@H](O[N+]([O-])=O)[C@@H](CO[N+]([O-])=O)O1)O[N+]([O-])=O)CO[N+](=O)[O-])[C@@H]1[C@@H](CO[N+]([O-])=O)O[C@@H](O[N+]([O-])=O)[C@H](O[N+]([O-])=O)[C@H]1O[N+]([O-])=O FJWGYAHXMCUOOM-QHOUIDNNSA-N 0.000 description 1
- YKTSYUJCYHOUJP-UHFFFAOYSA-N [O--].[Al+3].[Al+3].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] Chemical compound [O--].[Al+3].[Al+3].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] YKTSYUJCYHOUJP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- CSDREXVUYHZDNP-UHFFFAOYSA-N alumanylidynesilicon Chemical compound [Al].[Si] CSDREXVUYHZDNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002585 base Substances 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012611 container material Substances 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000000280 densification Methods 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 238000007710 freezing Methods 0.000 description 1
- 230000008014 freezing Effects 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229920000609 methyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 239000001923 methylcellulose Substances 0.000 description 1
- 239000006060 molten glass Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 229920001220 nitrocellulos Polymers 0.000 description 1
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 1
- 239000012254 powdered material Substances 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 239000005297 pyrex Substances 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- 239000005368 silicate glass Substances 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/515—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics
- C04B35/58—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides
- C04B35/584—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides based on silicon nitride
- C04B35/593—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides based on silicon nitride obtained by pressure sintering
- C04B35/5935—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides based on silicon nitride obtained by pressure sintering obtained by gas pressure sintering
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Description
【発明の詳細な説明】
金属またはセラミツク物質の粉末を等静圧プレ
スを使用しながら焼結することにより上記物質の
物品を製造するに際して、粉末は取り扱い易い粉
末成形体に成形するのが適当である。これは、ゆ
るい焼結により、すなわち、成形キヤビテイに充
填された粉末を真空中または保護ガス中で凝集体
が成形されるがしかし顕著な緻密化が起きないよ
うに焼結することにより行うことが出来る。それ
はまた、粉末をたとえば可撓性物質のシールされ
たカプセルたとえばプラスチツクカプセルに配置
して等静圧圧縮にかけることにより行うことが出
来る。圧縮は、室温または焼結に伴う圧縮中の温
度よりかなり低い他の温度で結合剤を使用するこ
となく有利に行うことが出来る。その後、生成物
は、機械加工により所望の形状にすることが出来
る。予備成形では、とりわけ、通常のセラミツク
物品製造技術を使用することも出来る。したがつ
て、普通、粉末は成形前に、一時的結合剤たとえ
ばメチルセルロース、硝酸セルロース、アクリレ
ート結合剤、蝋または蝋混合物と混合される。予
備成形前に、結合剤は加熱により追い払われ、予
備成形粉末体は本質的に結合剤を含まなくなる。
スを使用しながら焼結することにより上記物質の
物品を製造するに際して、粉末は取り扱い易い粉
末成形体に成形するのが適当である。これは、ゆ
るい焼結により、すなわち、成形キヤビテイに充
填された粉末を真空中または保護ガス中で凝集体
が成形されるがしかし顕著な緻密化が起きないよ
うに焼結することにより行うことが出来る。それ
はまた、粉末をたとえば可撓性物質のシールされ
たカプセルたとえばプラスチツクカプセルに配置
して等静圧圧縮にかけることにより行うことが出
来る。圧縮は、室温または焼結に伴う圧縮中の温
度よりかなり低い他の温度で結合剤を使用するこ
となく有利に行うことが出来る。その後、生成物
は、機械加工により所望の形状にすることが出来
る。予備成形では、とりわけ、通常のセラミツク
物品製造技術を使用することも出来る。したがつ
て、普通、粉末は成形前に、一時的結合剤たとえ
ばメチルセルロース、硝酸セルロース、アクリレ
ート結合剤、蝋または蝋混合物と混合される。予
備成形前に、結合剤は加熱により追い払われ、予
備成形粉末体は本質的に結合剤を含まなくなる。
予備成形粉末体を焼結温度で等静圧プレスにか
ける場合、所望の密度の焼結物品を得るために
は、上記粉末体はプレス中使用される圧力媒体普
通ガスが粉末体に浸透され得ないケーシング中に
収容しなければならない。ケーシングは中味と同
様に、シール前の処理工程中望ましくないガスか
ら遊離される。種々のケーシング形成方法が知ら
れている。1つの公知方法によれば、ガラスの予
備成形カプセルがケーシングとして使用される。
他の公知方法によれば、ケーシングは、予備成形
粉末体をガラス粒子の懸濁液中に浸漬するかまた
は上記粉末体の周囲にガラス粒子層をある他の方
法で施し、次いで真空下で粒子が粉末体のまわり
に緊密なケーシングを形成するような温度で加熱
することにより現場でつくられる。窒化珪素に関
する限り、高融点型ガラスの多孔質層の外側に低
融点型ガラスの多孔質層を使用することも知られ
ている。公知の場合、外側の多孔質層は粉末体を
脱ガスしている間加圧媒体を通さない層に変換さ
れる。緊密な層が形成されたら、収容粉末体に、
温度が連続的に上昇される際窒化珪素の解離を阻
止するためにアルゴンまたはヘリウムで圧力を加
える。連続温度増加中、外層のガラスは内側の多
孔質層中の物質と反応し、その間融点がますます
高いガラスが形成されかつ圧力媒体を通さない層
が維持され、最後に、外層のガラスが流れ去る前
に内部多孔質層の最も深い部分から圧力媒体を通
さないガラス層が形成される。この最後に形成さ
れたガラス層は、等静圧プレスが焼結温度で行わ
れる際に粉末体のまわりにケーシングを形成す
る。
ける場合、所望の密度の焼結物品を得るために
は、上記粉末体はプレス中使用される圧力媒体普
通ガスが粉末体に浸透され得ないケーシング中に
収容しなければならない。ケーシングは中味と同
様に、シール前の処理工程中望ましくないガスか
ら遊離される。種々のケーシング形成方法が知ら
れている。1つの公知方法によれば、ガラスの予
備成形カプセルがケーシングとして使用される。
他の公知方法によれば、ケーシングは、予備成形
粉末体をガラス粒子の懸濁液中に浸漬するかまた
は上記粉末体の周囲にガラス粒子層をある他の方
法で施し、次いで真空下で粒子が粉末体のまわり
に緊密なケーシングを形成するような温度で加熱
することにより現場でつくられる。窒化珪素に関
する限り、高融点型ガラスの多孔質層の外側に低
融点型ガラスの多孔質層を使用することも知られ
ている。公知の場合、外側の多孔質層は粉末体を
脱ガスしている間加圧媒体を通さない層に変換さ
れる。緊密な層が形成されたら、収容粉末体に、
温度が連続的に上昇される際窒化珪素の解離を阻
止するためにアルゴンまたはヘリウムで圧力を加
える。連続温度増加中、外層のガラスは内側の多
孔質層中の物質と反応し、その間融点がますます
高いガラスが形成されかつ圧力媒体を通さない層
が維持され、最後に、外層のガラスが流れ去る前
に内部多孔質層の最も深い部分から圧力媒体を通
さないガラス層が形成される。この最後に形成さ
れたガラス層は、等静圧プレスが焼結温度で行わ
れる際に粉末体のまわりにケーシングを形成す
る。
ある場合に、特に複雑な形状の物品たとえば鋭
い角または端縁を有する物品または肉薄部分を有
する物品たとえばブレードを有するタービンデイ
スクを対象とする場合、前記公知方法を使用しな
がら粉末物質の物品を製造中望ましいほど大きな
再現性を達成する点で問題がある。ガラスの予備
成形カプセルを使用する場合、ガラスは軟化する
とポケツトに蓄積し、また比較的高粘度のため
に、予備成形粉末体の肉薄部分に粉末体の等静圧
プレスのために適用される高圧と関連して損傷が
起る危険がある。粉末体の周囲にガラス粒子層を
設けることにより現場でケーシングをつくる場
合、ある場所、特に鋭い角または端縁の粉末体
が、プレスを行おうとする場合ケーシング物質に
よりおゝわれないという危険が存在する。何とな
れば、ガラスはそこに保持されないからである。
この危険は、ガラスの予備成形体を使用する場合
にも存在する。
い角または端縁を有する物品または肉薄部分を有
する物品たとえばブレードを有するタービンデイ
スクを対象とする場合、前記公知方法を使用しな
がら粉末物質の物品を製造中望ましいほど大きな
再現性を達成する点で問題がある。ガラスの予備
成形カプセルを使用する場合、ガラスは軟化する
とポケツトに蓄積し、また比較的高粘度のため
に、予備成形粉末体の肉薄部分に粉末体の等静圧
プレスのために適用される高圧と関連して損傷が
起る危険がある。粉末体の周囲にガラス粒子層を
設けることにより現場でケーシングをつくる場
合、ある場所、特に鋭い角または端縁の粉末体
が、プレスを行おうとする場合ケーシング物質に
よりおゝわれないという危険が存在する。何とな
れば、ガラスはそこに保持されないからである。
この危険は、ガラスの予備成形体を使用する場合
にも存在する。
本発明によれば、高密度の粉末物質の物品を前
述した方法より大きな再現性を以つて製造出来る
ことが判明した。
述した方法より大きな再現性を以つて製造出来る
ことが判明した。
本発明は、窒化珪素または主成分として窒化珪
素で形成される物質の粉末から予備成形物品を形
成し、上記物品をガラスまたは加熱によりガラス
を形成する物質からなる埋め込み物質中に埋め込
み、上記埋め込み物質を上記予備成形物品と共に
加熱することにより、ガスを透過しないケーシン
グに変換し、その後、上記予備成形物品を焼結し
ながら等静圧プレスを行なうことにより、窒化珪
素または主成分として窒化珪素で形成される物質
の物品を製造する方法において、予備成形物品1
0および埋め込み物質16を予備成形物品の焼結
を行なう温度に耐える開放容器15に入れ、容器
の壁により限定される実質的に水平な表面を有す
る溶融物を形成し、予備成形物品を上記溶融物の
表面下に位置させながら、埋め込み物質をその容
器中でガス不透過性ケーシングに変換させ、その
際、埋め込み物質を少なくとも大部分が窒素より
成る加圧ガスと接触させ、予備成形物品の細孔に
存在するガスの圧力と少なくとも同じ大きさの圧
力であつて、等静圧プレス中のガス状圧力媒体の
圧力よりも相当に低い圧力を維持することを特徴
とする、上記方法に関する。
素で形成される物質の粉末から予備成形物品を形
成し、上記物品をガラスまたは加熱によりガラス
を形成する物質からなる埋め込み物質中に埋め込
み、上記埋め込み物質を上記予備成形物品と共に
加熱することにより、ガスを透過しないケーシン
グに変換し、その後、上記予備成形物品を焼結し
ながら等静圧プレスを行なうことにより、窒化珪
素または主成分として窒化珪素で形成される物質
の物品を製造する方法において、予備成形物品1
0および埋め込み物質16を予備成形物品の焼結
を行なう温度に耐える開放容器15に入れ、容器
の壁により限定される実質的に水平な表面を有す
る溶融物を形成し、予備成形物品を上記溶融物の
表面下に位置させながら、埋め込み物質をその容
器中でガス不透過性ケーシングに変換させ、その
際、埋め込み物質を少なくとも大部分が窒素より
成る加圧ガスと接触させ、予備成形物品の細孔に
存在するガスの圧力と少なくとも同じ大きさの圧
力であつて、等静圧プレス中のガス状圧力媒体の
圧力よりも相当に低い圧力を維持することを特徴
とする、上記方法に関する。
溶融物とは、少なくとも部分的および好ましく
は少なくとも大部分が溶融相からなるガス不透過
性塊を云う。したがつて、溶融物の概念に包含さ
れる機能的ガス不透過性塊が形成されるには、埋
め込み物質のすべての成分が、完全に溶融する必
要はない。溶融物は少なくとも実質的に水平な表
面を有する。
は少なくとも大部分が溶融相からなるガス不透過
性塊を云う。したがつて、溶融物の概念に包含さ
れる機能的ガス不透過性塊が形成されるには、埋
め込み物質のすべての成分が、完全に溶融する必
要はない。溶融物は少なくとも実質的に水平な表
面を有する。
溶融物は、金型キヤビテイの壁と接触しながら
溶融物が収容される金型キヤビテイ中でピストン
によつて加圧されるのではなく、加熱可能な高圧
室で行なわれるガス状圧力媒体による加圧にかけ
るのが必須である。ピストンによる場合は、ガラ
ス溶融物はピストンと金型キヤビテイの間に浸透
しやすいので、ガラス溶融物の十分低い粘度を維
持することは不可能であるから、粉末体の弱い部
分の損傷を避けることは不可能であり、あるい
は、いずれにしても著しく大きな困難がある。
溶融物が収容される金型キヤビテイ中でピストン
によつて加圧されるのではなく、加熱可能な高圧
室で行なわれるガス状圧力媒体による加圧にかけ
るのが必須である。ピストンによる場合は、ガラ
ス溶融物はピストンと金型キヤビテイの間に浸透
しやすいので、ガラス溶融物の十分低い粘度を維
持することは不可能であるから、粉末体の弱い部
分の損傷を避けることは不可能であり、あるい
は、いずれにしても著しく大きな困難がある。
本発明を実施するための圧力媒体として、不活
性ガスたとえばアルゴンおよびヘリウムならびに
窒素ガスが好ましい。予備成形窒化珪素物品の焼
結中の圧力は、焼結促進添加剤たとえば酸化マグ
ネシウムまたは酸化イツトリウムが窒化珪素に添
加されているかいないかにより異なる。そのよう
な添加剤を使用しない場合、圧力は少なくとも
100MPa、好ましくは200―300MPaであることが
必要である。焼結促進添加剤を使用する場合、よ
り低い圧力を使用することが出来るが、しかし少
なくとも20MPaが適当である。予備成形物品の
焼結は、1600―1900℃、好ましくは1700―1800℃
で行うのが適当である。
性ガスたとえばアルゴンおよびヘリウムならびに
窒素ガスが好ましい。予備成形窒化珪素物品の焼
結中の圧力は、焼結促進添加剤たとえば酸化マグ
ネシウムまたは酸化イツトリウムが窒化珪素に添
加されているかいないかにより異なる。そのよう
な添加剤を使用しない場合、圧力は少なくとも
100MPa、好ましくは200―300MPaであることが
必要である。焼結促進添加剤を使用する場合、よ
り低い圧力を使用することが出来るが、しかし少
なくとも20MPaが適当である。予備成形物品の
焼結は、1600―1900℃、好ましくは1700―1800℃
で行うのが適当である。
焼結温度に抵抗性のある容器の物質として、黒
鉛が好ましいが、しかし、窒化物またはモリブデ
ンのような他の物質を使用することも出来る。
鉛が好ましいが、しかし、窒化物またはモリブデ
ンのような他の物質を使用することも出来る。
埋め込み物質は、ガラス粒子または加熱すると
ガラスを形成する物質からなるのが特に有利であ
る。予備成形窒化珪素体は、抵抗性容器の粒子中
に埋め込まれ、粒子は容器中で溶融物に変換さ
れ、すなわち、埋め込み物質は容器中でガス不透
過性とされる。ガラスまたはガラス形成物質のよ
り大きな片たとえば少なくとも実質的に予備成形
体の形状を追う予備成形片を使用することも出来
る。たとえば、予備成形体の下側に予備成形片を
そして成形体の上側に他の予備成形片を使用し、
次いで、それらの片の端部を互いに適当に接触さ
せることが出来る。物品の形状に応じて、原則と
して、一体的に形成されかつ予備成形体を挿入す
ることが出来る開口を有するガラスカプセルを使
用することも出来る。埋め込み物質が1種のまた
は数種のガラス片からつくられる場合、そのガラ
ス片を容器に入れる前または後でそれをガス不透
過性にすることが出来る。最初の場合、これはこ
の目的に適した炉で別の方法で有利に行うことが
出来、また後者の場合、それは、等静圧プレスが
行われる高圧炉で溶融物に変換される埋め込み物
質と関連して有利になすことが出来る。
ガラスを形成する物質からなるのが特に有利であ
る。予備成形窒化珪素体は、抵抗性容器の粒子中
に埋め込まれ、粒子は容器中で溶融物に変換さ
れ、すなわち、埋め込み物質は容器中でガス不透
過性とされる。ガラスまたはガラス形成物質のよ
り大きな片たとえば少なくとも実質的に予備成形
体の形状を追う予備成形片を使用することも出来
る。たとえば、予備成形体の下側に予備成形片を
そして成形体の上側に他の予備成形片を使用し、
次いで、それらの片の端部を互いに適当に接触さ
せることが出来る。物品の形状に応じて、原則と
して、一体的に形成されかつ予備成形体を挿入す
ることが出来る開口を有するガラスカプセルを使
用することも出来る。埋め込み物質が1種のまた
は数種のガラス片からつくられる場合、そのガラ
ス片を容器に入れる前または後でそれをガス不透
過性にすることが出来る。最初の場合、これはこ
の目的に適した炉で別の方法で有利に行うことが
出来、また後者の場合、それは、等静圧プレスが
行われる高圧炉で溶融物に変換される埋め込み物
質と関連して有利になすことが出来る。
ガラスの埋め込み物質を、少なくとも大部分が
窒素ガスからなるガスと接触させながら、容器中
でガス不透過性ケーシングに変換することによ
り、ガス不透過性ケーシングの形成中に、予備成
形物品中に存在し、または、その中に生成するガ
スの予備成形物品からの離脱を防ぐことが可能で
ある。このようなガスの離脱は、気泡の生成のも
ととなることがあり、あとでケーシングを傷つ
け、ひびが入り、その結果、ケーシングおよびそ
の中で加圧される物品がそこなわれ、したがつ
て、物品の製造の再現性が低下する。
窒素ガスからなるガスと接触させながら、容器中
でガス不透過性ケーシングに変換することによ
り、ガス不透過性ケーシングの形成中に、予備成
形物品中に存在し、または、その中に生成するガ
スの予備成形物品からの離脱を防ぐことが可能で
ある。このようなガスの離脱は、気泡の生成のも
ととなることがあり、あとでケーシングを傷つ
け、ひびが入り、その結果、ケーシングおよびそ
の中で加圧される物品がそこなわれ、したがつ
て、物品の製造の再現性が低下する。
本発明に従つて、加圧ガスを用いることによ
り、埋め込み物質をガス不透過性に変換するとき
に、十分に高い温度を用いることも、また、可能
であり、その結果、生成したガラス溶融物は、低
粘度であり、予備成形物品の弱い部分、例えば、
鋭角および薄い壁を傷つけず、同時に、窒化珪素
の解離、したがつて、その組成の変化を防ぎ、ま
たは逆らう。本発明は、また、粘度が十分に低
く、かつ、窒化珪素を化学的に攻撃しない温度に
加熱されうる埋め込み物質のためのガラスの種類
の選択の可能性を増す。等静圧プレスのために必
要とされる圧力が溶融物に適用されるときは、低
い粘度、適当には最大106ポイズの粘度を有する
溶融物を与えるガラスを用いることができる。溶
融物が低粘度となつたときは、等静圧プレスに必
要な高圧が適用され、それは、ガラスの種類に応
じて約1150〜約1700℃で行うことができる。
り、埋め込み物質をガス不透過性に変換するとき
に、十分に高い温度を用いることも、また、可能
であり、その結果、生成したガラス溶融物は、低
粘度であり、予備成形物品の弱い部分、例えば、
鋭角および薄い壁を傷つけず、同時に、窒化珪素
の解離、したがつて、その組成の変化を防ぎ、ま
たは逆らう。本発明は、また、粘度が十分に低
く、かつ、窒化珪素を化学的に攻撃しない温度に
加熱されうる埋め込み物質のためのガラスの種類
の選択の可能性を増す。等静圧プレスのために必
要とされる圧力が溶融物に適用されるときは、低
い粘度、適当には最大106ポイズの粘度を有する
溶融物を与えるガラスを用いることができる。溶
融物が低粘度となつたときは、等静圧プレスに必
要な高圧が適用され、それは、ガラスの種類に応
じて約1150〜約1700℃で行うことができる。
窒化珪素に対して使用されるガラスの密度は、
粉末体がそのある部分が溶融ガラスによりおゝわ
れなくなる程度まで上昇する危険を避けるために
最大2.4g/cm3であることが必要である。
粉末体がそのある部分が溶融ガラスによりおゝわ
れなくなる程度まで上昇する危険を避けるために
最大2.4g/cm3であることが必要である。
ガラスの粉末体の細孔への制限された表面的浸
透が許される場合、等静圧プレスに必要な高圧が
適用される場合に窒化珪素の予備成形体が損傷さ
れないような低い粘度を有する溶融物を与える複
数の異なつた種類のガラスを使用することが出来
る。とりわけ、異なる種類の珪酸鉛ガラスおよび
珪酸アルミニウムガラスならびに石英および異な
るガラス形成酸化物の混合物を使用することが出
来る。ある場合には、プレスされた窒化珪素物品
上の表面層をたとえばブラステイングにより除去
することが必要であり得る。
透が許される場合、等静圧プレスに必要な高圧が
適用される場合に窒化珪素の予備成形体が損傷さ
れないような低い粘度を有する溶融物を与える複
数の異なつた種類のガラスを使用することが出来
る。とりわけ、異なる種類の珪酸鉛ガラスおよび
珪酸アルミニウムガラスならびに石英および異な
るガラス形成酸化物の混合物を使用することが出
来る。ある場合には、プレスされた窒化珪素物品
上の表面層をたとえばブラステイングにより除去
することが必要であり得る。
しかしながら、本発明によれば、窒化珪素のま
わりにB2O3含有ガラスおよび窒化珪素の十分小
さい粒度、好ましくは5ミクロン未満の粒度を用
いることにより、ガラス溶融物が予備成形窒化珪
素物品に浸透するのを避けることが出来ることが
見い出された。硼素含有ガラスが窒化珪素物品へ
浸透しないことに対するもつともらしい説明は、
ガラスが低粘度溶融物になる前にガラスと窒化珪
素間の境界面に硼素―窒素化合物、恐らくは窒化
硼素が形成され、この硼素―窒素化合物がガラス
の粉末体の細孔への浸透を妨げるということであ
る。ガラス中のB2O3含量は、2〜70重量%であ
るのが有利である。適用出来る硼素含有ガラスの
例として、80.3重量%SiO2、12.2重量%B2O3、
2.8重量%Al2O3、4.0重量%Na2O、0.4重量%K2O
および0.3重量%CaOを含有するガラス(パイレ
ツクス )、58重量%SiO2、9重量%B2O3、20重
量%Al2O3、5重量%CaOおよび8重量%MgOを
含有するガラス、96.7重量%SiO2、2.9重量%
B2O3および0.4重量%Al2O3を含有するガラス
(バイコール および38重量%SiO2、60重量%
B2O3、および2重量%Al2O3を含有するガラスを
挙げることが出来る。加熱した場合ガラスを形成
する物質粒子の混合物たとえばSiO2、Al2O3、
B2O3ならびにアルカリおよびアルカリ土類酸化
物の混合物を使用することも出来る。
わりにB2O3含有ガラスおよび窒化珪素の十分小
さい粒度、好ましくは5ミクロン未満の粒度を用
いることにより、ガラス溶融物が予備成形窒化珪
素物品に浸透するのを避けることが出来ることが
見い出された。硼素含有ガラスが窒化珪素物品へ
浸透しないことに対するもつともらしい説明は、
ガラスが低粘度溶融物になる前にガラスと窒化珪
素間の境界面に硼素―窒素化合物、恐らくは窒化
硼素が形成され、この硼素―窒素化合物がガラス
の粉末体の細孔への浸透を妨げるということであ
る。ガラス中のB2O3含量は、2〜70重量%であ
るのが有利である。適用出来る硼素含有ガラスの
例として、80.3重量%SiO2、12.2重量%B2O3、
2.8重量%Al2O3、4.0重量%Na2O、0.4重量%K2O
および0.3重量%CaOを含有するガラス(パイレ
ツクス )、58重量%SiO2、9重量%B2O3、20重
量%Al2O3、5重量%CaOおよび8重量%MgOを
含有するガラス、96.7重量%SiO2、2.9重量%
B2O3および0.4重量%Al2O3を含有するガラス
(バイコール および38重量%SiO2、60重量%
B2O3、および2重量%Al2O3を含有するガラスを
挙げることが出来る。加熱した場合ガラスを形成
する物質粒子の混合物たとえばSiO2、Al2O3、
B2O3ならびにアルカリおよびアルカリ土類酸化
物の混合物を使用することも出来る。
プレスおよび焼結後、窒化珪素の最終物品がガ
ラスに埋め込まれる。本発明の有利な実施態様に
よれば、ガラスの凝固温度と室温間の領域のかな
りの部分内で窒化珪素とほゞ同じ熱膨張係数、好
ましくは500―20℃の温度範囲で3.0―3.8×10-6/
℃の熱膨張係数を有するガラスが使用される。こ
れにより、冷却中亀裂または破壊により引き起さ
れる物品の損傷が防止される。適当なガラスは、
80.3重量%SiO2、12.2重量%B2O3、2.8重量%
Al2O3、4.0重量%Na2O、0.4重量%K2Oおよび0.3
重量%CaOを含有しかつ500―20℃で3.2×10-6/
℃の熱膨張係数を有する前述のガラスである。窒
化珪素の対応する値は、3.2×10-6/℃である。
物品の製造をかなり複雑にするけれども、熱膨張
係数が窒化珪素のそれとかなり異なるガラスを用
いる場合、最終物品の露出を管理することが出来
る。そのようなガラスの例は、96.7重量%SiO2、
2.9重量%B2O3および0.4重量%Al2O3を含有する
前記ガラスである。そのようなガラスは、たとえ
ば、1600℃で外圧を窒化珪素の解離圧以下に低減
し、ガラスを窒化珪素物品の上にあげ、ガラスに
よる損傷なく物品を冷却させることにより上記物
品から実質的に完全に除去することが出来る。あ
る場合には、焼結中使用される温度以上に温度を
上げてガラスが上記物品を損傷することが出来ず
かつ必要ならブラステイングにより除去すること
が出来る十分に薄い皮膜のみを残すのに十分低い
粘度になるようにすることによりガラスを除去す
ることが適当であり得る。
ラスに埋め込まれる。本発明の有利な実施態様に
よれば、ガラスの凝固温度と室温間の領域のかな
りの部分内で窒化珪素とほゞ同じ熱膨張係数、好
ましくは500―20℃の温度範囲で3.0―3.8×10-6/
℃の熱膨張係数を有するガラスが使用される。こ
れにより、冷却中亀裂または破壊により引き起さ
れる物品の損傷が防止される。適当なガラスは、
80.3重量%SiO2、12.2重量%B2O3、2.8重量%
Al2O3、4.0重量%Na2O、0.4重量%K2Oおよび0.3
重量%CaOを含有しかつ500―20℃で3.2×10-6/
℃の熱膨張係数を有する前述のガラスである。窒
化珪素の対応する値は、3.2×10-6/℃である。
物品の製造をかなり複雑にするけれども、熱膨張
係数が窒化珪素のそれとかなり異なるガラスを用
いる場合、最終物品の露出を管理することが出来
る。そのようなガラスの例は、96.7重量%SiO2、
2.9重量%B2O3および0.4重量%Al2O3を含有する
前記ガラスである。そのようなガラスは、たとえ
ば、1600℃で外圧を窒化珪素の解離圧以下に低減
し、ガラスを窒化珪素物品の上にあげ、ガラスに
よる損傷なく物品を冷却させることにより上記物
品から実質的に完全に除去することが出来る。あ
る場合には、焼結中使用される温度以上に温度を
上げてガラスが上記物品を損傷することが出来ず
かつ必要ならブラステイングにより除去すること
が出来る十分に薄い皮膜のみを残すのに十分低い
粘度になるようにすることによりガラスを除去す
ることが適当であり得る。
窒化珪素について述べたと同じ方法で、本発明
は、主成分として窒化珪素でつくられた物質たと
えば珪素アルミニウムオキシナイトライドおよび
アルミニウムが少なくとも一部イツトリウムで置
換された上記オキシナイトライドならびに他の珪
素金属オキシナイトライドおよび窒化珪素と珪素
金属オキシナイトライドの混合物の物品の製造に
使用することが出来る。
は、主成分として窒化珪素でつくられた物質たと
えば珪素アルミニウムオキシナイトライドおよび
アルミニウムが少なくとも一部イツトリウムで置
換された上記オキシナイトライドならびに他の珪
素金属オキシナイトライドおよび窒化珪素と珪素
金属オキシナイトライドの混合物の物品の製造に
使用することが出来る。
粉末体の細孔にガラスが浸透しないようにする
ためには、粉末体の周囲をブロツキング層たとえ
ば微粉窒化硼素または埋め込み物質中のガラスよ
り高い融点を有する微粉ガラスの層で取り囲むの
が適当である。
ためには、粉末体の周囲をブロツキング層たとえ
ば微粉窒化硼素または埋め込み物質中のガラスよ
り高い融点を有する微粉ガラスの層で取り囲むの
が適当である。
本発明を添付図面を参照とする下記の実施例に
より説明する。
より説明する。
実施例
5ミクロン未満の粉末粒度を有しかつ約0.5重
量%の遊離珪素および約0.1重量%の酸化マグネ
シウムを含有する窒化珪素粉末を製造すべき予備
成形粉末体とほゞ同じ形状のプラスチツク、たと
えば可塑化ポリ塩化ビニルまたはゴムのカプセル
に入れ、その後、カプセルをシールし、プレス装
置、たとえば英国特許第1522705号明細書の第1
図および第2図に示す装置に入れる。粉末を
600MPaで5分間圧縮する。圧縮が完了した後、
カプセルを除去し、製造された予備成形粉末体を
所望の形状に機械加工する。粉末体は理論密度の
60%の密度を有する。
量%の遊離珪素および約0.1重量%の酸化マグネ
シウムを含有する窒化珪素粉末を製造すべき予備
成形粉末体とほゞ同じ形状のプラスチツク、たと
えば可塑化ポリ塩化ビニルまたはゴムのカプセル
に入れ、その後、カプセルをシールし、プレス装
置、たとえば英国特許第1522705号明細書の第1
図および第2図に示す装置に入れる。粉末を
600MPaで5分間圧縮する。圧縮が完了した後、
カプセルを除去し、製造された予備成形粉末体を
所望の形状に機械加工する。粉末体は理論密度の
60%の密度を有する。
第1図および第2図に示される予備成形粉末体
10は、ボス11,ウエブ12、エツジ13およ
びブレード14を有するタービン羽根車からな
る。
10は、ボス11,ウエブ12、エツジ13およ
びブレード14を有するタービン羽根車からな
る。
第3図から明らかなように、粉末体10を頂部
が開放している容器15に入れ、粉末体をガラス
粉末16中に埋め込む。上記容器は使用する焼結
温度に抵抗性を有する。例示の容器は黒鉛からな
り、内部に窒化硼素の剥離層17が設けられる。
が開放している容器15に入れ、粉末体をガラス
粉末16中に埋め込む。上記容器は使用する焼結
温度に抵抗性を有する。例示の容器は黒鉛からな
り、内部に窒化硼素の剥離層17が設けられる。
ガラス粉末は、96.7重量%SiO2、2.9重量%
B2O3および0.4重量%Al2O3を含有するガラスの
粒子からなる。したがつて、この場合、埋め込み
物質はガラスの粒子からなる。
B2O3および0.4重量%Al2O3を含有するガラスの
粒子からなる。したがつて、この場合、埋め込み
物質はガラスの粒子からなる。
次に、1つまたはそれ以上の容器15が第4図
による高圧炉に入れられる。明瞭にするため、こ
の図には1つだけの容器を示す。第4図におい
て、22は車23により支持されかつ図に示す位
置とプレススタンドが高圧室42を取り巻く位置
の間で床25上のレール24上を変位可能なプレ
ススタンドを示す。プレススタンドは、プレスト
レストストリツプシース29により保持された上
部わく26、下部わく27および一対のスペーサ
ー28からなる種類のものである。高圧室42は
カラム49により支持され、内管50、周囲のプ
レストレストストリツプシース51およびストリ
ツプシースを軸方向に固定しかつ高圧室をカラム
49に取り付ける懸吊装置を構成する端部リング
から形成される高圧シリンダーを有する。室42
は高圧シリンダーの管50に突入する下端蓋53
を有する。下端蓋には、シールリング54が挿入
される溝、プレスすべき生成物を脱ガスしかつ圧
力媒体適当にはアルゴン、ヘリウムまたは窒素ガ
スを供給するための通路55および炉の加熱のた
め加熱要素57を供給するためのケーブル用通路
56が設けられる。要素57は、絶縁底板59上
に載置されるシリンダー58により支持され、絶
縁底板59は絶縁マントル60中に突出する。上
端蓋は、管50に対してシールをするシールリン
グ62を有する環状部分61を有する。マントル
60は、部分61からつるされ、そこへ気密に連
結される。また、上端蓋は部分61の開口をシー
ルするための蓋63を有する。この蓋63は高圧
シリンダーで普通永久的に適用される。蓋には、
部分61の内面に対してシールするためのシール
リング64および高圧室を閉じる場合、シリンダ
ー60中に突出し炉空間本体66を取り巻く絶縁
シールの部分を構成する絶縁蓋65が設けられ
る。蓋63は、上下動および回転操作可能なロツ
ド68により支持されるブラケツト67に取り付
けられる。わく26および27は、圧力が炉空間
に適用される場合に、端部蓋53および蓋63に
作用する圧縮力を吸収する。
による高圧炉に入れられる。明瞭にするため、こ
の図には1つだけの容器を示す。第4図におい
て、22は車23により支持されかつ図に示す位
置とプレススタンドが高圧室42を取り巻く位置
の間で床25上のレール24上を変位可能なプレ
ススタンドを示す。プレススタンドは、プレスト
レストストリツプシース29により保持された上
部わく26、下部わく27および一対のスペーサ
ー28からなる種類のものである。高圧室42は
カラム49により支持され、内管50、周囲のプ
レストレストストリツプシース51およびストリ
ツプシースを軸方向に固定しかつ高圧室をカラム
49に取り付ける懸吊装置を構成する端部リング
から形成される高圧シリンダーを有する。室42
は高圧シリンダーの管50に突入する下端蓋53
を有する。下端蓋には、シールリング54が挿入
される溝、プレスすべき生成物を脱ガスしかつ圧
力媒体適当にはアルゴン、ヘリウムまたは窒素ガ
スを供給するための通路55および炉の加熱のた
め加熱要素57を供給するためのケーブル用通路
56が設けられる。要素57は、絶縁底板59上
に載置されるシリンダー58により支持され、絶
縁底板59は絶縁マントル60中に突出する。上
端蓋は、管50に対してシールをするシールリン
グ62を有する環状部分61を有する。マントル
60は、部分61からつるされ、そこへ気密に連
結される。また、上端蓋は部分61の開口をシー
ルするための蓋63を有する。この蓋63は高圧
シリンダーで普通永久的に適用される。蓋には、
部分61の内面に対してシールするためのシール
リング64および高圧室を閉じる場合、シリンダ
ー60中に突出し炉空間本体66を取り巻く絶縁
シールの部分を構成する絶縁蓋65が設けられ
る。蓋63は、上下動および回転操作可能なロツ
ド68により支持されるブラケツト67に取り付
けられる。わく26および27は、圧力が炉空間
に適用される場合に、端部蓋53および蓋63に
作用する圧縮力を吸収する。
粉末体10および周囲のガラス粉末を有する容
器15を炉空間66で室温で約2時間脱ガスした
とき、窒化珪素の解離を阻止するために、炉空間
に大気圧の窒素ガスを充填し、窒素ガスを連続的
に供給して圧力を0.1MPaとしながら炉の温度を
1600℃に上げる。温度が1600℃に達したとき、ガ
ラス粉末は、粉末体10を完全に取り巻く低粘度
溶融物を形成する。その後、アルゴンまたはヘリ
ウムを同じ温度で最終焼結温度中200―300MPa
の圧力を与える圧力水準まで供給する。次に、温
度を1700―1800℃、すなわち窒化珪素に対して適
当な焼結温度に1時間上げる。同時に、圧力が上
昇する。前記条件下で適当な焼結時間は少なくと
も2時間である。最終サイクル後、炉を適当な放
出温度に冷却させる。ガラスは窒化珪素とかなり
異なる熱膨張係数を有するので、中味を有する容
器15を取り出す前に、炉は制限された冷却しか
出来ない。プレス成形物品を約1800℃に加熱し、
ガラスを物品から流し去り、物品上に薄い皮膜の
みを残す。室温に冷却後、皮膜はブラステイング
により適当に除去する。仕上げられた物品の密度
は理論密度の99.5%を越える。
器15を炉空間66で室温で約2時間脱ガスした
とき、窒化珪素の解離を阻止するために、炉空間
に大気圧の窒素ガスを充填し、窒素ガスを連続的
に供給して圧力を0.1MPaとしながら炉の温度を
1600℃に上げる。温度が1600℃に達したとき、ガ
ラス粉末は、粉末体10を完全に取り巻く低粘度
溶融物を形成する。その後、アルゴンまたはヘリ
ウムを同じ温度で最終焼結温度中200―300MPa
の圧力を与える圧力水準まで供給する。次に、温
度を1700―1800℃、すなわち窒化珪素に対して適
当な焼結温度に1時間上げる。同時に、圧力が上
昇する。前記条件下で適当な焼結時間は少なくと
も2時間である。最終サイクル後、炉を適当な放
出温度に冷却させる。ガラスは窒化珪素とかなり
異なる熱膨張係数を有するので、中味を有する容
器15を取り出す前に、炉は制限された冷却しか
出来ない。プレス成形物品を約1800℃に加熱し、
ガラスを物品から流し去り、物品上に薄い皮膜の
みを残す。室温に冷却後、皮膜はブラステイング
により適当に除去する。仕上げられた物品の密度
は理論密度の99.5%を越える。
第1図は、ガスタービンモータ用のタービン羽
根車状の窒化珪素粉末から予備成形した物品を示
す図、第2図は、上記物品の軸方向断面図、第3
図は温度抵抗性容器に入れられかつガラス粒子塊
中に埋め込まれた上記物品を示す図、第4図は、
予備成形粉末体の等静圧プレスおよび焼結を行う
高圧炉を示す図である。 10…予備成形物品、11…ボス、12…ウエ
ブ、13…端縁、14…ブレード、15…容器、
16…ガラス粉末、17…剥離層。
根車状の窒化珪素粉末から予備成形した物品を示
す図、第2図は、上記物品の軸方向断面図、第3
図は温度抵抗性容器に入れられかつガラス粒子塊
中に埋め込まれた上記物品を示す図、第4図は、
予備成形粉末体の等静圧プレスおよび焼結を行う
高圧炉を示す図である。 10…予備成形物品、11…ボス、12…ウエ
ブ、13…端縁、14…ブレード、15…容器、
16…ガラス粉末、17…剥離層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 窒化珪素または主成分として窒化珪素で形成
される物質の粉末から予備成形物品を形成し、上
記物品を、ガラスまたは加熱によりガラスを形成
する物質からなる埋め込み物質中に埋め込み、上
記埋め込み物質を上記予備形成物品と共に加熱す
ることにより、ガスを透過しないケーシングに変
換し、その後、上記予備成形物品を焼結しながら
等静圧プレスを行なうことにより、窒化珪素また
は主成分として窒化珪素で形成される物質の物品
を製造する方法において、予備成形物品10およ
び埋め込み物質16を予備成形物品の焼結を行な
う温度に耐える開放容器15に入れ、容器の壁に
より限定される実質的に水平な表面を有する溶融
物が形成される間に、予備成形物品を上記溶融物
の表面下に位置させて、埋め込み物質をその容器
中でガス不透過性ケーシングに変換させ、その
際、ガス不透過性ケーシングが形成される間、埋
め込み物質を少なくとも大部分が窒素より成る加
圧ガスと直接接触させ、予備成形物品の細孔に存
在するガスの圧力と少なくとも同じ大きさの圧力
であつて、等静圧プレス中のガス状圧力媒体の圧
力よりも相当に低い圧力を維持することを特徴と
する、上記方法。 2 埋め込み物質16が、ガラスまたは加熱する
とガラスを形成する物質の粒子または片からな
る、特許請求の範囲第1項に記載の方法。 3 溶融物が、等静圧プレスに必要な圧力が溶融
物に適用される場合に最大106ポイズの粘度を有
する、特許請求の範囲第1項または第2項に記載
の方法。 4 ガラスがB2O3を含有する、特許請求の範囲
第3項に記載の方法。 5 ガラス中のB2O3含量が2〜70重量%である、
特許請求の範囲第4項に記載の方法。 6 ガラスが、20〜500℃で3.8〜3.8×10-6/℃の
熱膨張係数を有する、特許請求の範囲第4項また
は第5項に記載の方法。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SE7813018A SE414921B (sv) | 1978-12-19 | 1978-12-19 | Sett att framstella ett foremal av kiselnitrid eller av ett med kiselnitrid som huvudbestandsdel uppbyggt material |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5589405A JPS5589405A (en) | 1980-07-07 |
JPH0114194B2 true JPH0114194B2 (ja) | 1989-03-09 |
Family
ID=20336639
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP16287079A Granted JPS5589405A (en) | 1978-12-19 | 1979-12-17 | Production of metal or ceramic article |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5589405A (ja) |
SE (1) | SE414921B (ja) |
SU (1) | SU1037832A3 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5839708A (ja) * | 1981-09-01 | 1983-03-08 | Kobe Steel Ltd | 熱間静水圧プレス処理法 |
JPS5888177A (ja) * | 1981-11-17 | 1983-05-26 | 株式会社神戸製鋼所 | 熱間静水圧プレスにおける付着ガラス除去方法 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5258714A (en) * | 1975-11-08 | 1977-05-14 | Sumitomo Electric Industries | Thermal static hydraulic pressure molding method |
-
1978
- 1978-12-19 SE SE7813018A patent/SE414921B/sv not_active IP Right Cessation
-
1979
- 1979-12-17 JP JP16287079A patent/JPS5589405A/ja active Granted
- 1979-12-18 SU SU792860201A patent/SU1037832A3/ru active
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5258714A (en) * | 1975-11-08 | 1977-05-14 | Sumitomo Electric Industries | Thermal static hydraulic pressure molding method |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
SE414921B (sv) | 1980-08-25 |
JPS5589405A (en) | 1980-07-07 |
SE7813018L (sv) | 1980-06-20 |
SU1037832A3 (ru) | 1983-08-23 |
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