JPS62207592A - マスキング部材のレ−ザ切断方法 - Google Patents
マスキング部材のレ−ザ切断方法Info
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- JPS62207592A JPS62207592A JP61047290A JP4729086A JPS62207592A JP S62207592 A JPS62207592 A JP S62207592A JP 61047290 A JP61047290 A JP 61047290A JP 4729086 A JP4729086 A JP 4729086A JP S62207592 A JPS62207592 A JP S62207592A
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- JP
- Japan
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- masking member
- laser beam
- cutting
- cut
- synthetic rubber
- Prior art date
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- Pending
Links
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Landscapes
- Laser Beam Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、マスキング部材のレーザ切断方法に関する。
(従来の技術)
従来、金属部材上に塗布、形成したマスキング部材の切
断は、被切断領域上にレーザ光を照射することにより行
なっている。しかし、マスキング部材のレーザ光を透過
させる効率が悪いため、マスキング部材を十分に切断で
きなかったり、あるいは、切断できても切断速度が極め
て遅いという欠点があった。
断は、被切断領域上にレーザ光を照射することにより行
なっている。しかし、マスキング部材のレーザ光を透過
させる効率が悪いため、マスキング部材を十分に切断で
きなかったり、あるいは、切断できても切断速度が極め
て遅いという欠点があった。
(発明が解決しようとする問題点)
本発明は、高速、高品質、かつ0作業性の良いマスキン
グ部材のレーザ切断方法を提供することをその目的とす
るものである。
グ部材のレーザ切断方法を提供することをその目的とす
るものである。
(問題点を解決するための手段)
本発明は、金属部材上にレーザ光の吸収率を高める黒色
油性染料を混入した合成ゴム系マスキング部材を形成し
た後、該合成ゴム系マスキング部材の被切断領域にレー
ザ光を照射し、次いで、切断後の不要な部分の前記合成
ゴム系マスキング部材を剥離することを特徴とするマス
キング部材のレーザ切断方法である。
油性染料を混入した合成ゴム系マスキング部材を形成し
た後、該合成ゴム系マスキング部材の被切断領域にレー
ザ光を照射し、次いで、切断後の不要な部分の前記合成
ゴム系マスキング部材を剥離することを特徴とするマス
キング部材のレーザ切断方法である。
(作 用)
本発明に係るマスキング部材のレーザ切断方法によれば
、マスキング部材中にレーザ光の吸収率を高める黒色油
性染料を混入しているので、レーザ光をを効率良(マス
キング部材の被切断領域に照射せしめ、^速、高品質の
切断を可能にすると共に、切断後の不要なマスキング部
材の部分を容易に剥離し、作業性を向上させることがで
きる。
、マスキング部材中にレーザ光の吸収率を高める黒色油
性染料を混入しているので、レーザ光をを効率良(マス
キング部材の被切断領域に照射せしめ、^速、高品質の
切断を可能にすると共に、切断後の不要なマスキング部
材の部分を容易に剥離し、作業性を向上させることがで
きる。
(実施例)
以下、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第1図に示す如く、アルミニウム合金2024からなる
金属部材1上に、レーザ光2の吸収率を高める油性染料
を混入した合成ゴム系マスキング部材3を形成して乾燥
した。次いで、合成ゴム系マスキング部材3の被切断領
域4に沿・)てレーザ光2としてYAGレーザを走査し
ながら照射した。
金属部材1上に、レーザ光2の吸収率を高める油性染料
を混入した合成ゴム系マスキング部材3を形成して乾燥
した。次いで、合成ゴム系マスキング部材3の被切断領
域4に沿・)てレーザ光2としてYAGレーザを走査し
ながら照射した。
レーザ光2の照射後、第2図に示す如く、切断されて不
要になった領域3aの合成ゴム系マスキンキング部材3
の剥離作業は極めて容易であった。
要になった領域3aの合成ゴム系マスキンキング部材3
の剥離作業は極めて容易であった。
なお、YAGレーザの照射には3i02系光フアイバー
を用いても良い。また、YAGレーザの代わりにCO2
レーザを用いても良い。
を用いても良い。また、YAGレーザの代わりにCO2
レーザを用いても良い。
(発明の効果)
以上説明した如く、本発明にかかるマスキング部材のレ
ーザ切断方法によれば、次の効果を有する。
ーザ切断方法によれば、次の効果を有する。
(1)切断速度の高速化
マスキング部材中にレーザ光の吸収率を高める黒色油性
染料を混入しているので、従来の方法では数#I/si
nであった切断速度を約2m/sin程度まで飛躍的に
向上させることができる。
染料を混入しているので、従来の方法では数#I/si
nであった切断速度を約2m/sin程度まで飛躍的に
向上させることができる。
(′2J 切断部の高品質化
従来の方法で発生していた未切断部が残存する現象や切
断深さが異なる現象を完全に解消することができる。
断深さが異なる現象を完全に解消することができる。
第1図は、本発明方法によりレーザ光で合成ゴム系マス
キング部材を切断している状態を示す説明図、第2図は
、切断後の不要な合成ゴム系マスキング部材の部分を剥
離した状態を示す説明図である。 1・・・金属部材、2・・・レーザ光、3・・・合成ゴ
ム系マスキング部材、4・・・被切断領域。 出願人復代理人 弁理士 鈴江武彦 第1図 第2図
キング部材を切断している状態を示す説明図、第2図は
、切断後の不要な合成ゴム系マスキング部材の部分を剥
離した状態を示す説明図である。 1・・・金属部材、2・・・レーザ光、3・・・合成ゴ
ム系マスキング部材、4・・・被切断領域。 出願人復代理人 弁理士 鈴江武彦 第1図 第2図
Claims (1)
- 金属部材上にレーザ光の吸収率を高める黒色油性染料
を混入した合成ゴム系マスキング部材を形成した後、該
合成ゴム系マスキング部材の被切断領域にレーザ光を照
射し、次いで、切断後の不要な部分の前記合成ゴム系マ
スキング部材を剥離することを特徴とするマスキング部
材のレーザ切断方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61047290A JPS62207592A (ja) | 1986-03-06 | 1986-03-06 | マスキング部材のレ−ザ切断方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61047290A JPS62207592A (ja) | 1986-03-06 | 1986-03-06 | マスキング部材のレ−ザ切断方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62207592A true JPS62207592A (ja) | 1987-09-11 |
Family
ID=12771152
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61047290A Pending JPS62207592A (ja) | 1986-03-06 | 1986-03-06 | マスキング部材のレ−ザ切断方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62207592A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2221138B1 (de) * | 2009-01-16 | 2013-12-11 | BIAS Bremer Institut für angewandte Strahltechnik GmbH | Verfahren und Vorrichtung zum Separieren eines Halbleiter-Wafers von einem Halbleiterkristall durch Erzeugung von Schwachstellen in dem Halbleiterkristall |
-
1986
- 1986-03-06 JP JP61047290A patent/JPS62207592A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2221138B1 (de) * | 2009-01-16 | 2013-12-11 | BIAS Bremer Institut für angewandte Strahltechnik GmbH | Verfahren und Vorrichtung zum Separieren eines Halbleiter-Wafers von einem Halbleiterkristall durch Erzeugung von Schwachstellen in dem Halbleiterkristall |
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