JPS62206521A - 導波型光信号処理デバイス - Google Patents
導波型光信号処理デバイスInfo
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- JPS62206521A JPS62206521A JP4962286A JP4962286A JPS62206521A JP S62206521 A JPS62206521 A JP S62206521A JP 4962286 A JP4962286 A JP 4962286A JP 4962286 A JP4962286 A JP 4962286A JP S62206521 A JPS62206521 A JP S62206521A
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 12
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- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 abstract description 36
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Landscapes
- Optical Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は導波型光信号処理デバイスに関するものである
。
。
平面光回路を利用した導波型光信号処理デバイスには例
えば、音響光学(以後AOと称す)効果を用いた、導波
型AOスペクトラムアナライザ。
えば、音響光学(以後AOと称す)効果を用いた、導波
型AOスペクトラムアナライザ。
導波型AOコリレータなどがある。その他に磁気光学効
果、電気光学効果、熱光学効果を用いたものなどがある
。
果、電気光学効果、熱光学効果を用いたものなどがある
。
AO効果を用いた導波型光信号処理デバイスは、光の弾
性表面波による回折を用いたもので、弾性表面波を平面
°光導波路を伝搬する光ビームの制御に用いる。この弾
性表面波を励振する信号は平面光導波路に形成された弾
性表面波発生用電極に外部より印加され、弾性表面波に
変換される。
性表面波による回折を用いたもので、弾性表面波を平面
°光導波路を伝搬する光ビームの制御に用いる。この弾
性表面波を励振する信号は平面光導波路に形成された弾
性表面波発生用電極に外部より印加され、弾性表面波に
変換される。
AO効果を用いた導波型光信号処理デバイスの1例とし
て第3図に導波型AOスペクトラムアナライザを示す。
て第3図に導波型AOスペクトラムアナライザを示す。
これは、推認「ソサエティ オン ホオトーオプティカ
ル インストウルメントエンジニアース(5ociet
y of Photo−Optical In5
trua+ent Engineers)、 321
巻1982年134〜140ページの文献、及び、「フ
ォース インターナショナルコンファレンス オン イ
ンチブレラティ・ソドオプティカル アンド オプティ
カル ファイバ コミュニケーション テクニカルダイ
ジェス)(For七k Internationa
l Conference on Io
tegrated 0ptics and 0p
tical Fiber Communicati
onTechnical Digest >、 198
3年258〜259ページの文献等に掲載されている。
ル インストウルメントエンジニアース(5ociet
y of Photo−Optical In5
trua+ent Engineers)、 321
巻1982年134〜140ページの文献、及び、「フ
ォース インターナショナルコンファレンス オン イ
ンチブレラティ・ソドオプティカル アンド オプティ
カル ファイバ コミュニケーション テクニカルダイ
ジェス)(For七k Internationa
l Conference on Io
tegrated 0ptics and 0p
tical Fiber Communicati
onTechnical Digest >、 198
3年258〜259ページの文献等に掲載されている。
この導波型AOスペクトラムアナライザの、弾性表面波
19を発生する弾性表面波発生用電極18は誘電体表面
全面に形成された平面光導波路11上に形成されている
。光源12は、例えば半導体レーザからなり平面レンズ
13は拡がり角を有する光24をコリメート光17に変
換するものであり、平面レンズ14は集光用で平面レン
ズ13.14はフレネルレンズ、ジオデシックレンズ等
からなる。また、信号検出にはアレー状検出器22を用
いる。平面光導波路11は誘電体基板がLiNbO3及
びLiTaO3の場合には、例えばTiを基板表面に熱
拡散して形成する0弾性表面波発生用電極18は、平面
光導波路11に例えばAt?や^Uの金属膜を堆積し光
学リングラフィ法などと、ケミカルエツチング及びドラ
イエツチングなどの金属膜エツチングを用いて電極パタ
ーンとして形成される。
19を発生する弾性表面波発生用電極18は誘電体表面
全面に形成された平面光導波路11上に形成されている
。光源12は、例えば半導体レーザからなり平面レンズ
13は拡がり角を有する光24をコリメート光17に変
換するものであり、平面レンズ14は集光用で平面レン
ズ13.14はフレネルレンズ、ジオデシックレンズ等
からなる。また、信号検出にはアレー状検出器22を用
いる。平面光導波路11は誘電体基板がLiNbO3及
びLiTaO3の場合には、例えばTiを基板表面に熱
拡散して形成する0弾性表面波発生用電極18は、平面
光導波路11に例えばAt?や^Uの金属膜を堆積し光
学リングラフィ法などと、ケミカルエツチング及びドラ
イエツチングなどの金属膜エツチングを用いて電極パタ
ーンとして形成される。
第4図は従来の導波型光信号処理デバイスの平面光回路
上の弾性表面波発生用電極の構成を示す断面図である。
上の弾性表面波発生用電極の構成を示す断面図である。
弾性表面波発生用電極18は光学研磨を施された誘電体
基板32の表面に形成された平面光導波路11の上に形
成されている。この平面光導波路11は、誘電体基板3
2表面に熱拡散法、堆積法などを用いて形成するが、拡
散法においては、拡散時間、拡散温度、拡散物量などの
設定の差異により、また、堆積法においては、成膜の均
一性などの差異により平面光導波路11は第4図に示す
如く、凹凸が生じる場合がある。
基板32の表面に形成された平面光導波路11の上に形
成されている。この平面光導波路11は、誘電体基板3
2表面に熱拡散法、堆積法などを用いて形成するが、拡
散法においては、拡散時間、拡散温度、拡散物量などの
設定の差異により、また、堆積法においては、成膜の均
一性などの差異により平面光導波路11は第4図に示す
如く、凹凸が生じる場合がある。
この様に、平面光導波路11に凹凸が存在すと、弾性表
面波発生用電極31の平面光導波路11に対する付着力
が弱まり、弾性表面波発生用型8i18の耐久性に例え
ば、印加電力に対する耐久性などが弱まり、劣化が早ま
るとともに導波型光信号拠理デバイスの動作の信頼性に
影響を及ぼす。また、弾性表面波発生用電極18のパタ
ーンがサブミクロンの微細パターンであると、弾性表面
波発生用電極18のパターン形成が困難となり、生産の
歩留りがよくないという欠点がある。
面波発生用電極31の平面光導波路11に対する付着力
が弱まり、弾性表面波発生用型8i18の耐久性に例え
ば、印加電力に対する耐久性などが弱まり、劣化が早ま
るとともに導波型光信号拠理デバイスの動作の信頼性に
影響を及ぼす。また、弾性表面波発生用電極18のパタ
ーンがサブミクロンの微細パターンであると、弾性表面
波発生用電極18のパターン形成が困難となり、生産の
歩留りがよくないという欠点がある。
本発明の目的は、このような問題点を解決し、導波型光
信号処理デバイスなどに用いる平面光回路上の電極形成
部が平坦な面を維持し、電極の耐久性、信頼性及び歩留
りの向上が得られ、かつ、高い信頼性を有する導波型光
信号処理デバイスを提供することにある。
信号処理デバイスなどに用いる平面光回路上の電極形成
部が平坦な面を維持し、電極の耐久性、信頼性及び歩留
りの向上が得られ、かつ、高い信頼性を有する導波型光
信号処理デバイスを提供することにある。
本発明の構成は、誘電体基板表面に形成された平面光導
波路を伝搬する光ビームを外部信号で制御し信号処理を
行なう平面光回路を有する導波型光信号処理デバイスに
おいて、前記平面光回路上に形成された外部信号印加電
極領域に前記平面光導波路を形成しないようにした事を
特徴とする。
波路を伝搬する光ビームを外部信号で制御し信号処理を
行なう平面光回路を有する導波型光信号処理デバイスに
おいて、前記平面光回路上に形成された外部信号印加電
極領域に前記平面光導波路を形成しないようにした事を
特徴とする。
次に、図面を参照して本発明の実施例について説明する
。
。
第1図は本発明の第1の実施例の導波型AOスペクトラ
ムアナライザの平面図、第2図は第1図の弾性表面波発
生用電極18の構成を中心に示す断面図である。
ムアナライザの平面図、第2図は第1図の弾性表面波発
生用電極18の構成を中心に示す断面図である。
この図で、誘電体基板32の表面に設けられた平面光導
波路11に弾性表面波発生用電極18が形成されており
、弾性表面波発生用電極18より発生する弾性表面波1
9により光源12がら放射され平面光導波路11に導波
された拡がり角を有する光24が平面レンズ13によっ
てコリメートされたコリメート光17が偏向され、偏向
光20と非偏向光21に分けられ、偏向光が平面レンズ
14で集光され、アレイ状検出器22で集光される。
波路11に弾性表面波発生用電極18が形成されており
、弾性表面波発生用電極18より発生する弾性表面波1
9により光源12がら放射され平面光導波路11に導波
された拡がり角を有する光24が平面レンズ13によっ
てコリメートされたコリメート光17が偏向され、偏向
光20と非偏向光21に分けられ、偏向光が平面レンズ
14で集光され、アレイ状検出器22で集光される。
この場合、弾性表面波発生用電極18の形成領域は平面
光導波路11を伝搬するコリメーI・光17、偏向光2
0.非偏向光21などの光ビームには何ら関係ないため
、弾性表面波発生用電極18の形成領域のみに平面光導
波路11を形成しなくとも導波型AOスペクトラムアナ
ライザにとっては構わない。従って、弾性表面波発生用
電極18の形成領域のみに平面先導波路11を形成しな
い領域25を形成することにより、導波型AOスペクト
ラムアナライザの性能を劣化させることなく、弾性表面
波電極18の誘電体基板32への付着力を高め、耐久性
を増すことができるとともに、生産の歩留りをあげるこ
とができる。
光導波路11を伝搬するコリメーI・光17、偏向光2
0.非偏向光21などの光ビームには何ら関係ないため
、弾性表面波発生用電極18の形成領域のみに平面光導
波路11を形成しなくとも導波型AOスペクトラムアナ
ライザにとっては構わない。従って、弾性表面波発生用
電極18の形成領域のみに平面先導波路11を形成しな
い領域25を形成することにより、導波型AOスペクト
ラムアナライザの性能を劣化させることなく、弾性表面
波電極18の誘電体基板32への付着力を高め、耐久性
を増すことができるとともに、生産の歩留りをあげるこ
とができる。
ここで平面光導波路11は、誘電体基板32をLiNb
0.及び1iTa03とすると、例えばTiを熱拡散し
て形成される。従って、Ti熱拡散前に電極形成領域の
みTiを除去しておけばよい。他の平面光導波路の形成
の場合についても同様である。
0.及び1iTa03とすると、例えばTiを熱拡散し
て形成される。従って、Ti熱拡散前に電極形成領域の
みTiを除去しておけばよい。他の平面光導波路の形成
の場合についても同様である。
また、他の平面光回路を用いた導波型光信号処理デバイ
スについても同様なことが適用できるのは明らかである
。
スについても同様なことが適用できるのは明らかである
。
第2図で、弾性表面波発生用電極18は、光学研磨を施
された誘電体基板32の表面に直接に形成されており、
電極形成領域以外の部分には、平面光導波路33が形成
されている。
された誘電体基板32の表面に直接に形成されており、
電極形成領域以外の部分には、平面光導波路33が形成
されている。
この構造を用いることにより、平面光導波路11を熱拡
散または堆積法などにより製作した結果凹凸が生じても
、弾性表面波発生用電極18には全く関係なく、凹凸が
存在する平面光導波路11に弾性表面波発生用電極18
を形成する構造と比較して付着力がよく、印加電力など
に対する耐久性及び信頼性は高まることは明らかである
。
散または堆積法などにより製作した結果凹凸が生じても
、弾性表面波発生用電極18には全く関係なく、凹凸が
存在する平面光導波路11に弾性表面波発生用電極18
を形成する構造と比較して付着力がよく、印加電力など
に対する耐久性及び信頼性は高まることは明らかである
。
また、弾性表面波発生用電極18のパターン形成が平面
光導波路11が有する凹凸に影響されることなく容易に
行なえ、かつ、生産の歩留りが向上する。
光導波路11が有する凹凸に影響されることなく容易に
行なえ、かつ、生産の歩留りが向上する。
本発明は以上説明したように、平面光回路を利用した導
波型光信号処理デバイスにおいて、平面光回路上に形成
する外部信号印加電極の形成領域のみに平面光導波路を
形成しないことにより耐久性、信頼性を向上させる効果
を有する。
波型光信号処理デバイスにおいて、平面光回路上に形成
する外部信号印加電極の形成領域のみに平面光導波路を
形成しないことにより耐久性、信頼性を向上させる効果
を有する。
また、電極パターン形成が容易になり生産の歩留りを向
上させる効果を有する。
上させる効果を有する。
第1図は本発明の一実施例の導波型AOスペクトラムア
ナライザの平面図、第2図は第1図の弾性表面波発生用
電極18の構成を中心に示す断面図、第3図は従来の平
面光回路上の弾性表面波発生用電極を用いた導波型AO
スペクトラムアナライザの平面図、第4図は第3図の弾
性表面波発生用電極18の構成を中心に示す断面図であ
る。 11・・・平面光導波路、12・・・光源、13.14
・・・平面レンズ、17・・・コリメート光、18・・
・弾性表面波発生用電極、19・・・弾性表面波、20
・・・偏向光、21・・・非偏向光、22・・・アレイ
状検出器、24・・・拡がり角を有する光、25・・・
平面光導波路を形成しない領域、32・・・誘電体基板
。 書ちイ図 452 β]
ナライザの平面図、第2図は第1図の弾性表面波発生用
電極18の構成を中心に示す断面図、第3図は従来の平
面光回路上の弾性表面波発生用電極を用いた導波型AO
スペクトラムアナライザの平面図、第4図は第3図の弾
性表面波発生用電極18の構成を中心に示す断面図であ
る。 11・・・平面光導波路、12・・・光源、13.14
・・・平面レンズ、17・・・コリメート光、18・・
・弾性表面波発生用電極、19・・・弾性表面波、20
・・・偏向光、21・・・非偏向光、22・・・アレイ
状検出器、24・・・拡がり角を有する光、25・・・
平面光導波路を形成しない領域、32・・・誘電体基板
。 書ちイ図 452 β]
Claims (1)
- 誘電体基板表面に形成された平面光導波路を伝搬する光
ビームを外部信号で制御し信号処理を行なう平面光回路
を有する導波型光信号処理デバイスにおいて、前記平面
光回路上に形成された外部信号印加電極領域に前記平面
光導波路を形成しないようにしたことを特徴とする導波
型光信号処理デバイス。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4962286A JPS62206521A (ja) | 1986-03-07 | 1986-03-07 | 導波型光信号処理デバイス |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4962286A JPS62206521A (ja) | 1986-03-07 | 1986-03-07 | 導波型光信号処理デバイス |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62206521A true JPS62206521A (ja) | 1987-09-11 |
Family
ID=12836329
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4962286A Pending JPS62206521A (ja) | 1986-03-07 | 1986-03-07 | 導波型光信号処理デバイス |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62206521A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004109425A (ja) * | 2002-09-18 | 2004-04-08 | Hitachi Chem Co Ltd | 光導波路デバイスの製造方法 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS55143531A (en) * | 1979-04-26 | 1980-11-08 | Nec Corp | Acousto-optic element |
JPS60156038A (ja) * | 1984-01-23 | 1985-08-16 | Canon Inc | 光機能素子およびその作製方法 |
-
1986
- 1986-03-07 JP JP4962286A patent/JPS62206521A/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS55143531A (en) * | 1979-04-26 | 1980-11-08 | Nec Corp | Acousto-optic element |
JPS60156038A (ja) * | 1984-01-23 | 1985-08-16 | Canon Inc | 光機能素子およびその作製方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004109425A (ja) * | 2002-09-18 | 2004-04-08 | Hitachi Chem Co Ltd | 光導波路デバイスの製造方法 |
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