JPH01149034A - 光波長変換素子 - Google Patents
光波長変換素子Info
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- JPH01149034A JPH01149034A JP30913587A JP30913587A JPH01149034A JP H01149034 A JPH01149034 A JP H01149034A JP 30913587 A JP30913587 A JP 30913587A JP 30913587 A JP30913587 A JP 30913587A JP H01149034 A JPH01149034 A JP H01149034A
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- optical waveguide
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- metal
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- Pending
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 41
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 29
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 11
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 8
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 8
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 2
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 claims 1
- 239000010408 film Substances 0.000 abstract description 4
- 239000000975 dye Substances 0.000 abstract 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N lithium niobate Chemical compound [Li+].[O-][Nb](=O)=O GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- XPPKVPWEQAFLFU-UHFFFAOYSA-N diphosphoric acid Chemical compound OP(O)(=O)OP(O)(O)=O XPPKVPWEQAFLFU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000005342 ion exchange Methods 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229940005657 pyrophosphoric acid Drugs 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
Landscapes
- Optical Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、レーザ光源用の光波長変換素子に関するもの
でアシ、利用分野としては、光ディスク、レーザプリン
タ、ファクシミリなどのレーザ応用分野が考えられる。
でアシ、利用分野としては、光ディスク、レーザプリン
タ、ファクシミリなどのレーザ応用分野が考えられる。
従来の技術
従来、この種の光波長変換素子は、第２図に示すような
構成でめった。ニオブ酸リチウムの単結晶よシなる基板
１１の上面１２と下面１３とが鏡面研磨され、前記上面
１２にイオン交換法によシ、幅１μｍ厚み０．５μｍの
光導波路１４が形成されている。基本波長の光１５を光
導波路１４に入射させると位相整合が起き、基板１１中
に高調波１６が取り出されるものであった。
構成でめった。ニオブ酸リチウムの単結晶よシなる基板
１１の上面１２と下面１３とが鏡面研磨され、前記上面
１２にイオン交換法によシ、幅１μｍ厚み０．５μｍの
光導波路１４が形成されている。基本波長の光１５を光
導波路１４に入射させると位相整合が起き、基板１１中
に高調波１６が取り出されるものであった。
発明が解決しようとする問題点
このような従来の構成では、光導波路１４を形成した上
面１２と、これに対向する下面１３とを肉眼によシ区別
することが困難であシ、光波長変換素子をホルダーに固
定する場合に、誤って光導波路を形成した面をホルダー
に直接接触させて光導波路１４を形成した面を傷つける
恐れがあった。
面１２と、これに対向する下面１３とを肉眼によシ区別
することが困難であシ、光波長変換素子をホルダーに固
定する場合に、誤って光導波路を形成した面をホルダー
に直接接触させて光導波路１４を形成した面を傷つける
恐れがあった。
本発明はこのような問題点を解決するもので、光導波路
を形成した面を肉眼で容易に判別できる光波長変換素子
の提供を目的とするものである。
を形成した面を肉眼で容易に判別できる光波長変換素子
の提供を目的とするものである。
問題点を解決する丸めの手段
この問題点を解決するために本発明は、基板における光
導波路を形成した面に対向する面に金属または金属化合
物の膜を形成したものである。
導波路を形成した面に対向する面に金属または金属化合
物の膜を形成したものである。
作用
上記構成によル、基板における光導波路を形成した面と
これと対向する面とが金属または金属化合物によって肉
眼で判別でき、取り扱う上で光導波路を形成した面を傷
つけることがなくなる。
これと対向する面とが金属または金属化合物によって肉
眼で判別でき、取り扱う上で光導波路を形成した面を傷
つけることがなくなる。
実施例
以下、本発明の一実施例を図面に基づき説明する。
第１図は、本発明の一実施例による光波長変換素子の断
面図である。第１図において、ｌは基板で、ニオブ酸リ
チウムを用いている。、この基板１の上面２と下面３は
鏡面研磨され、上面２にスパッタリングによ、９Ｔａの
薄膜を３００人形成し、このＴａ膜上にフｔトレジヌト
を均一に５０００Ａ程度塗布して、２μｍのパターンを
露光現像し、その後、ドフイエッチングによｐ、Ｔａの
パターンを形成し、この基板１をピロリン酸で２００℃
１４分処理することＫより基板ｌの上面２に０．３μｍ
のプロトン交換層を形成し、光導波路４に構成した。ま
た、基板１の両側面の入射面５と出射面６は鏡面研磨さ
れておシ、光導波路４を形成し九上面２と対向した下面
３にはＴａの薄膜７が５０ＯＡの厚みでスパッタリング
によシ形成されている。このようにして得られた光波長
変換素子は基本波長０．８４μｍ用に使用できる。
面図である。第１図において、ｌは基板で、ニオブ酸リ
チウムを用いている。、この基板１の上面２と下面３は
鏡面研磨され、上面２にスパッタリングによ、９Ｔａの
薄膜を３００人形成し、このＴａ膜上にフｔトレジヌト
を均一に５０００Ａ程度塗布して、２μｍのパターンを
露光現像し、その後、ドフイエッチングによｐ、Ｔａの
パターンを形成し、この基板１をピロリン酸で２００℃
１４分処理することＫより基板ｌの上面２に０．３μｍ
のプロトン交換層を形成し、光導波路４に構成した。ま
た、基板１の両側面の入射面５と出射面６は鏡面研磨さ
れておシ、光導波路４を形成し九上面２と対向した下面
３にはＴａの薄膜７が５０ＯＡの厚みでスパッタリング
によシ形成されている。このようにして得られた光波長
変換素子は基本波長０．８４μｍ用に使用できる。
上記構成において、基板１の入射面５から光導波路４の
中に基本波８を入射させると、基本波８はそのまま光導
波路４を通過する一方、位相整合によシ所定角度θだけ
傾斜して第２高調波９が基板ｌ中に取り出され、出射面
６から出射される。
中に基本波８を入射させると、基本波８はそのまま光導
波路４を通過する一方、位相整合によシ所定角度θだけ
傾斜して第２高調波９が基板ｌ中に取り出され、出射面
６から出射される。
ここで、基板１は、下面３にＴａの薄膜７が設けられて
いるので、光導波路４を形成した上面２と、これと対向
する下面３とが肉眼によυ容易に区別できる。
いるので、光導波路４を形成した上面２と、これと対向
する下面３とが肉眼によυ容易に区別できる。
なお、上記実施例において、基板ｌとして、ニオブ酸リ
チウム基板を用いているが、タンクル酸リチウム基板を
用いてもよい。また、基板１０下面３にスパッタリング
を用いてＴａの薄膜７を形成したが、電子ビーム蒸着を
用いてもよい。さらに、薄膜７はＴａの他に、Ｃｒなど
の金属または金属化合物を用いてもよい。
チウム基板を用いているが、タンクル酸リチウム基板を
用いてもよい。また、基板１０下面３にスパッタリング
を用いてＴａの薄膜７を形成したが、電子ビーム蒸着を
用いてもよい。さらに、薄膜７はＴａの他に、Ｃｒなど
の金属または金属化合物を用いてもよい。
発明の効果
以上のように本発明によれば、基板において、光導波路
を形成した面と対向する面に金属または金属化合物の薄
膜を形成することによって、光導波路を形成し丸面と、
これに対向する面とを肉眼にて区別することができ、光
波長変換素子をホルダーに固定する場合、誤って光導波
路を形成した面をホルダーに直接接触させ、光導波路面
を傷つける恐れはなくなるという効果が得られる。
を形成した面と対向する面に金属または金属化合物の薄
膜を形成することによって、光導波路を形成し丸面と、
これに対向する面とを肉眼にて区別することができ、光
波長変換素子をホルダーに固定する場合、誤って光導波
路を形成した面をホルダーに直接接触させ、光導波路面
を傷つける恐れはなくなるという効果が得られる。
第１図は本発明の一実施例による光波長変換素子を示す
断面図、第２図は従来の光波長変換素子を示す断面図で
ある。 ｌ・・・基板、２・・・基板の上面、３・・・基板の下
面、４・・・光導波路、５・・・入射面、６・・・出射
面、７・・・Ｔａの薄膜（金属または金属化合物の薄膜
）、８・・・基本波、９・・・第２高調波。 代理人 森 本 義 弘
断面図、第２図は従来の光波長変換素子を示す断面図で
ある。 ｌ・・・基板、２・・・基板の上面、３・・・基板の下
面、４・・・光導波路、５・・・入射面、６・・・出射
面、７・・・Ｔａの薄膜（金属または金属化合物の薄膜
）、８・・・基本波、９・・・第２高調波。 代理人 森 本 義 弘
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、基板の上面に光導波路を形成し、前記基板の前記上
面に対向する面に金属または金属化合物の薄膜を形成し
、前記光導波路を伝搬する基本波から位相整合した第２
高調波を前記基板中に取り出すように構成した光波長変
換素子。 ２、基板として、ＬｉＮｂ＿１＿−＿ＸＴａ＿ＸＯ＿３
（０≦Ｘ≦１）を用いた特許請求の範囲第１項記載の光
波長変換素子。 ３、光導波路が、プロトン交換法によって形成された特
許請求の範囲第１項記載の光波長変換素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30913587A JPH01149034A (ja) | 1987-12-07 | 1987-12-07 | 光波長変換素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30913587A JPH01149034A (ja) | 1987-12-07 | 1987-12-07 | 光波長変換素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01149034A true JPH01149034A (ja) | 1989-06-12 |
Family
ID=17989319
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30913587A Pending JPH01149034A (ja) | 1987-12-07 | 1987-12-07 | 光波長変換素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01149034A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2019505018A (ja) * | 2016-02-12 | 2019-02-21 | エム スクエアード レーザーズ リミテッドＭ Ｓｑｕａｒｅｄ Ｌａｓｅｒｓ Ｌｉｍｉｔｅｄ | 光周波数混合モジュール |
-
1987
- 1987-12-07 JP JP30913587A patent/JPH01149034A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2019505018A (ja) * | 2016-02-12 | 2019-02-21 | エム スクエアード レーザーズ リミテッドＭ Ｓｑｕａｒｅｄ Ｌａｓｅｒｓ Ｌｉｍｉｔｅｄ | 光周波数混合モジュール |
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