JPS62204167A - 半導体ウエハのシ−ト抵抗の均一性検査方法 - Google Patents
半導体ウエハのシ−ト抵抗の均一性検査方法Info
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- JPS62204167A JPS62204167A JP4669086A JP4669086A JPS62204167A JP S62204167 A JPS62204167 A JP S62204167A JP 4669086 A JP4669086 A JP 4669086A JP 4669086 A JP4669086 A JP 4669086A JP S62204167 A JPS62204167 A JP S62204167A
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- Measurement Of Resistance Or Impedance (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は半導体製造工程におけるイオン注入等におい
て半導体ウェハの表面に打ち込まれたイオンの均一性の
評価の基準となる半導体ウェハのシート抵抗の均一性を
検査する半導体ウェハのシート抵抗の均一性検査方法に
関するものである。
て半導体ウェハの表面に打ち込まれたイオンの均一性の
評価の基準となる半導体ウェハのシート抵抗の均一性を
検査する半導体ウェハのシート抵抗の均一性検査方法に
関するものである。
従来における半導体ウェハのシート抵抗の均一性の検査
は、第２図に示すように近接配置した４本の探触針１ａ
〜１ｄからなるプローブ１を半導体ウェハ２の表閑の多
数点に順次接触させ、プローブｌの２本の探触針１ａ、
ｌｂ間に電流を流し、この２本の探触針１ａ、ｌｂ間に
流れる電流ｌと残りの２本の探触針１ｃ、ｌｄ間に生じ
る電位差Ｖとを各点において測定し、各点における電流
ｉおよび電位差Ｖの測定値からシート抵抗を求め、各点
の位置とシート抵抗とから第３図に示すようなシート抵
抗の等高線地図を描き、これによって半導体ウェハ２の
表面のシート抵抗の均一性を検査するようになっていた
。
は、第２図に示すように近接配置した４本の探触針１ａ
〜１ｄからなるプローブ１を半導体ウェハ２の表閑の多
数点に順次接触させ、プローブｌの２本の探触針１ａ、
ｌｂ間に電流を流し、この２本の探触針１ａ、ｌｂ間に
流れる電流ｌと残りの２本の探触針１ｃ、ｌｄ間に生じ
る電位差Ｖとを各点において測定し、各点における電流
ｉおよび電位差Ｖの測定値からシート抵抗を求め、各点
の位置とシート抵抗とから第３図に示すようなシート抵
抗の等高線地図を描き、これによって半導体ウェハ２の
表面のシート抵抗の均一性を検査するようになっていた
。
上記電流ｉおよび電位差Ｖの測定は、具体的には第２図
に示したように、プローブｌの２本の探触針１ａ、ｌｂ
間に直流電源３．可変抵抗４および電流計５の直列回路
を接続し、残りの２個の探触針１ｃ、ｌｄ間に電圧計６
を接続することにより行っていた。
に示したように、プローブｌの２本の探触針１ａ、ｌｂ
間に直流電源３．可変抵抗４および電流計５の直列回路
を接続し、残りの２個の探触針１ｃ、ｌｄ間に電圧計６
を接続することにより行っていた。
上記のような方法では、真空中において半導体ウェハ２
に必要量のイオンを注入後イオン注入装置から半導体ウ
ェハ２を取り出し、半導体ウェハ２にプローブ１を直接
接触させることにより、半導体ウェハ２の表面の多数点
のシート抵抗を測定するので、プローブ１の接触によっ
て半導体ウェハ２に傷等がつくことになり、破壊的にし
か検査を行うことができなかった。
に必要量のイオンを注入後イオン注入装置から半導体ウ
ェハ２を取り出し、半導体ウェハ２にプローブ１を直接
接触させることにより、半導体ウェハ２の表面の多数点
のシート抵抗を測定するので、プローブ１の接触によっ
て半導体ウェハ２に傷等がつくことになり、破壊的にし
か検査を行うことができなかった。
また、イオン注入を終了して半導体ウェハ２をイオン注
入装置から取り出してからでないと検査を行えず、すな
わちイオン注入中または注入完了直後においてイオン注
入装置から半導体ウェハ２を取り出さずに実時間でシー
ト抵抗の均一性の検査を行うことはできなかった。した
がって、イオン注入装置へのフィードバックが遅れると
いう問題があった。
入装置から取り出してからでないと検査を行えず、すな
わちイオン注入中または注入完了直後においてイオン注
入装置から半導体ウェハ２を取り出さずに実時間でシー
ト抵抗の均一性の検査を行うことはできなかった。した
がって、イオン注入装置へのフィードバックが遅れると
いう問題があった。
この発明の目的は、半導体ウェハのシート抵抗の均一性
を実時間でかつ非破壊で検査することができる半導体ウ
ェハのシート抵抗の均一性検査方法を提供することであ
る。
を実時間でかつ非破壊で検査することができる半導体ウ
ェハのシート抵抗の均一性検査方法を提供することであ
る。
この発明の半導体ウェハのシー＋−ｉ抗の均一性検査方
法は、半導体ウェハの表面の多数点に荷電粒子ビームを
順次スポット状に照射し、各照射点から前記半導体ウェ
ハの表面の周縁部に設けた２個の電極へ流れる電流とこ
の電流によって前記２個の電極間に生じる電位差とを測
定し、前記各照射点の位置とこの位置に対応した電流お
よび電位差の測定値とから前記半導体ウェハの表面のシ
ート抵抗の均一性を検査することを特徴とする。
法は、半導体ウェハの表面の多数点に荷電粒子ビームを
順次スポット状に照射し、各照射点から前記半導体ウェ
ハの表面の周縁部に設けた２個の電極へ流れる電流とこ
の電流によって前記２個の電極間に生じる電位差とを測
定し、前記各照射点の位置とこの位置に対応した電流お
よび電位差の測定値とから前記半導体ウェハの表面のシ
ート抵抗の均一性を検査することを特徴とする。
この発明方法によれば、半導体ウェハの表面の多数点に
荷電粒子ビームを照射し、この荷電粒子ビームによる電
流および電位差を半導体ウェハの表面の周縁部に設けた
２１１１の電極を介して測定するので、半導体ウェハの
表面の中央の半導体素子として使用する部分には非接触
でシート抵抗の均一性の検査を行うことができ、シート
抵抗の均一性の検査を非破壊で行える。
荷電粒子ビームを照射し、この荷電粒子ビームによる電
流および電位差を半導体ウェハの表面の周縁部に設けた
２１１１の電極を介して測定するので、半導体ウェハの
表面の中央の半導体素子として使用する部分には非接触
でシート抵抗の均一性の検査を行うことができ、シート
抵抗の均一性の検査を非破壊で行える。
また、半導体製造用のイオンまたは電子等の荷電粒子ビ
ームを利用して検査するので、半導体製造装置から半導
体ウェハを取り出さずにほぼ実時間で検査することがで
きる。
ームを利用して検査するので、半導体製造装置から半導
体ウェハを取り出さずにほぼ実時間で検査することがで
きる。
この発明の一実施例を第１図に基づいて説明する。この
半導体ウェハのシート抵抗の均一性検査方法は、第１図
に示すように、半導体ウェハ７の表面の多数点に荷電粒
子ビーム８を順次スポット状に照射し、各照射点から前
記半導体ウェハ７の表面の周縁部に設けた２個の電極９
．１０へ流れる電流とこの電流ｉによって前記２個の電
極９゜１０間に生じる電位差Ｖとを測定し、前記各照射
点の位置とこの位置に対応した電流ｉおよび電位差Ｖの
測定値とから前記半導体ウェハ７の表面のシート抵抗の
均一性を検査することを特徴とする。
半導体ウェハのシート抵抗の均一性検査方法は、第１図
に示すように、半導体ウェハ７の表面の多数点に荷電粒
子ビーム８を順次スポット状に照射し、各照射点から前
記半導体ウェハ７の表面の周縁部に設けた２個の電極９
．１０へ流れる電流とこの電流ｉによって前記２個の電
極９゜１０間に生じる電位差Ｖとを測定し、前記各照射
点の位置とこの位置に対応した電流ｉおよび電位差Ｖの
測定値とから前記半導体ウェハ７の表面のシート抵抗の
均一性を検査することを特徴とする。
この場合において、イオンまたは電子などの荷電粒子ビ
ーム８は、スポット状に絞られて、半導体ウェハ７の表
面をスキャニングされることになる。そして、この荷電
粒子ビーム８によって半導体ウェハ７の表面に順次電荷
が与えられ、この電荷が半導体ウェハ７の表面の拡散層
を通して半導体ウェハ７の表面の周縁部に設けた２個の
電極９゜ＩＯへ流れ込み、この電流【によって２個の電
極９．１０間に電位差Ｖが生じることになる。上記２１
１１の電極９．１０へ流れ込む電流ｉは、電極９とアー
スとの間に接続された電流計１１で測定され、また２個
の電極９．１０間の電位差Ｖはこの２個の電極９．１０
間に接続された電圧計１２によって測定される。
ーム８は、スポット状に絞られて、半導体ウェハ７の表
面をスキャニングされることになる。そして、この荷電
粒子ビーム８によって半導体ウェハ７の表面に順次電荷
が与えられ、この電荷が半導体ウェハ７の表面の拡散層
を通して半導体ウェハ７の表面の周縁部に設けた２個の
電極９゜ＩＯへ流れ込み、この電流【によって２個の電
極９．１０間に電位差Ｖが生じることになる。上記２１
１１の電極９．１０へ流れ込む電流ｉは、電極９とアー
スとの間に接続された電流計１１で測定され、また２個
の電極９．１０間の電位差Ｖはこの２個の電極９．１０
間に接続された電圧計１２によって測定される。
そして、電流計１１および電圧計１２からの測定データ
を、荷電粒子ビーム８のスキャニングの周期に応じたタ
イミングで多数個サンプリングし、コンビエータ等で電
位差のデータを電流のデータで割る等の演算処理して半
導体ウェハ７の表面のシート抵抗に関係するデータを求
める。この際、各サンプルタイミングは、半導体ウェハ
７の表面の荷電粒子ビームＢの照射点の位置に相当し、
このときの電流ｉおよび電位差Ｖのサンプルデータは、
この照射点から２個の電極９．ｌＯへ流れる電流ｌおよ
び２個の電極９，１０間に生じる電位差Ｖに相当する。
を、荷電粒子ビーム８のスキャニングの周期に応じたタ
イミングで多数個サンプリングし、コンビエータ等で電
位差のデータを電流のデータで割る等の演算処理して半
導体ウェハ７の表面のシート抵抗に関係するデータを求
める。この際、各サンプルタイミングは、半導体ウェハ
７の表面の荷電粒子ビームＢの照射点の位置に相当し、
このときの電流ｉおよび電位差Ｖのサンプルデータは、
この照射点から２個の電極９．ｌＯへ流れる電流ｌおよ
び２個の電極９，１０間に生じる電位差Ｖに相当する。
なお、サンプルタイミングは、電／ｉ！ｉおよび電位差
Ｖのデータの必要な照射点の位置から決定される。逆に
言えば、サンプルタイミングがわかれば、照射点の位置
がわかることになる。
Ｖのデータの必要な照射点の位置から決定される。逆に
言えば、サンプルタイミングがわかれば、照射点の位置
がわかることになる。
前記したコンピュータは、各サンプルタイミングにおけ
る照射点の位置と電流ｉおよび電位差Ｖのデータとを演
算処理することにより、第３図に示したのと同様の等直
線地図等を描くようになっており、この等直線地図から
半導体ウェハ７の表面のシート抵抗の均一性を検査する
ことができる。
る照射点の位置と電流ｉおよび電位差Ｖのデータとを演
算処理することにより、第３図に示したのと同様の等直
線地図等を描くようになっており、この等直線地図から
半導体ウェハ７の表面のシート抵抗の均一性を検査する
ことができる。
この実施例によれば、半導体ウェハ７の表面にスポット
状の荷電粒子ビーム８をスキャニングして半導体ウェハ
７に電荷を与え、半導体ウェハ７の表面の周縁部に設け
た２個の電極９．１０に流れ込む電流亀と２個の電極９
．１０間の電位差Ｖとを電流計１１および電圧計１２で
測定し、スキャニング周期に応じたタイミングで電流計
１１および電圧計１２から電流ｉおよび電位差１２のデ
ータをサンプリングし、サンプリングタイミングに対応
する照射点の位置とこのときの電流ｌおよび電位差Ｖの
データとからシート抵抗の均一性を検査するので、半導
体ウェハ７の表面の中央の半導体素子として使用する部
分には非接触でシート抵抗の均一性の検査を行うことが
でき、シート抵抗の均一性の検査を非破壊で行える。
状の荷電粒子ビーム８をスキャニングして半導体ウェハ
７に電荷を与え、半導体ウェハ７の表面の周縁部に設け
た２個の電極９．１０に流れ込む電流亀と２個の電極９
．１０間の電位差Ｖとを電流計１１および電圧計１２で
測定し、スキャニング周期に応じたタイミングで電流計
１１および電圧計１２から電流ｉおよび電位差１２のデ
ータをサンプリングし、サンプリングタイミングに対応
する照射点の位置とこのときの電流ｌおよび電位差Ｖの
データとからシート抵抗の均一性を検査するので、半導
体ウェハ７の表面の中央の半導体素子として使用する部
分には非接触でシート抵抗の均一性の検査を行うことが
でき、シート抵抗の均一性の検査を非破壊で行える。
また、半導体製造用のイオンまたは電子等の荷電粒子ビ
ームを利用して検査するので、半導体製造装置から半導
体ウェハ７を取り出さずにイオンの注入中または注入直
後にほぼ実時間で検査することができる。
ームを利用して検査するので、半導体製造装置から半導
体ウェハ７を取り出さずにイオンの注入中または注入直
後にほぼ実時間で検査することができる。
この発明の半導体ウェハのシート抵抗の均一性検査方法
によれば、半導体ウェハの表面の多数点に荷電粒子ビー
ムを照射し、この荷電粒子ビームによる電流および電位
差を半導体ウェハの表面の周縁部に設けた２１１１の電
極を介して測定するので、半導体ウェハの表面の中央の
半導体素子として使用する部分には非接触でシート抵抗
の均一性の検・番を行うことができ、シート抵抗の均一
性の検査を非破壊で行える。
によれば、半導体ウェハの表面の多数点に荷電粒子ビー
ムを照射し、この荷電粒子ビームによる電流および電位
差を半導体ウェハの表面の周縁部に設けた２１１１の電
極を介して測定するので、半導体ウェハの表面の中央の
半導体素子として使用する部分には非接触でシート抵抗
の均一性の検・番を行うことができ、シート抵抗の均一
性の検査を非破壊で行える。
また、半導体製造用のイオンまたは電子等の荷電粒子ビ
ームを利用して検査するので、半導体製造装置から半導
体ウェハを取り出さずにほぼ実時間で検査することがで
きる。
ームを利用して検査するので、半導体製造装置から半導
体ウェハを取り出さずにほぼ実時間で検査することがで
きる。
第１図はこの発明の一実施例を示す概略図、第２図は従
来例を示す概略図、第３図は従来方法によって得られる
シート抵抗の等直線地図である。 ７・・・半導体ウェハ、８・・・荷電粒子ビーム、９゜
１０・・・電極、１１・・・電流計、１２・・・電圧計
第１図 第２図
来例を示す概略図、第３図は従来方法によって得られる
シート抵抗の等直線地図である。 ７・・・半導体ウェハ、８・・・荷電粒子ビーム、９゜
１０・・・電極、１１・・・電流計、１２・・・電圧計
第１図 第２図
Claims (1)
- 半導体ウェハの表面の多数点に荷電粒子ビームを順次ス
ポット状に照射し、各照射点から前記半導体ウェハの表
面の周縁部に設けた２個の電極へ流れる電流とこの電流
によって前記２個の電極間に生じる電位差とを測定し、
前記各照射点の位置とこの位置に対応した電流および電
位差の測定値とから前記半導体ウェハの表面のシート抵
抗の均一性を検査する半導体ウェハのシート抵抗の均一
性検査方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4669086A JPS62204167A (ja) | 1986-03-04 | 1986-03-04 | 半導体ウエハのシ−ト抵抗の均一性検査方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4669086A JPS62204167A (ja) | 1986-03-04 | 1986-03-04 | 半導体ウエハのシ−ト抵抗の均一性検査方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62204167A true JPS62204167A (ja) | 1987-09-08 |
Family
ID=12754373
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4669086A Pending JPS62204167A (ja) | 1986-03-04 | 1986-03-04 | 半導体ウエハのシ−ト抵抗の均一性検査方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62204167A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6417515B1 (en) | 2000-03-17 | 2002-07-09 | International Business Machines Corporation | In-situ ion implant activation and measurement apparatus |
| KR101054887B1 (ko) | 2009-03-09 | 2011-08-05 | 한양대학교 산학협력단 | 균일도 측정 방법 및 장치 |
| JPWO2019087589A1 (ja) * | 2017-10-30 | 2020-12-03 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | 電気伝導率測定用材料、電気伝導率測定膜、電気伝導率測定装置および電気伝導率測定方法、並びに電気抵抗率測定用材料、電気抵抗率測定膜、電気抵抗率測定装置および電気抵抗率測定方法 |
-
1986
- 1986-03-04 JP JP4669086A patent/JPS62204167A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6417515B1 (en) | 2000-03-17 | 2002-07-09 | International Business Machines Corporation | In-situ ion implant activation and measurement apparatus |
| KR101054887B1 (ko) | 2009-03-09 | 2011-08-05 | 한양대학교 산학협력단 | 균일도 측정 방법 및 장치 |
| JPWO2019087589A1 (ja) * | 2017-10-30 | 2020-12-03 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | 電気伝導率測定用材料、電気伝導率測定膜、電気伝導率測定装置および電気伝導率測定方法、並びに電気抵抗率測定用材料、電気抵抗率測定膜、電気抵抗率測定装置および電気抵抗率測定方法 |
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