JPS62201861A - アミノフエノ−ル誘導体 - Google Patents
アミノフエノ−ル誘導体Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
腹1ユ1日+im旦I一
本発明は、新規なアミンフェノール誘導体及びその塩に
関する。
関する。
来 の 技 術
本発明に係わる化合物は、文献未記載の新規化合物であ
る。
る。
発明が解決しようとする問題点
本発明は、後記するように医薬品として有用な化合物を
提供することを目的とする。
提供することを目的とする。
問題点を解決するための手段
本発明によれば、下記一般式(1)で表わされる化合物
及びその塩が提供される。
及びその塩が提供される。
(0) n
〔式中R1は置換基として低級アルキル基、ハロゲン原
子、カルボキシル基、低級アルコキシカルボニル基、ヒ
ドロキシ低級アルキル基、カルボキシ低級アルキル基、
低級アルコキシカルボニル低級アルキル基、基 す)、シクロアルキルカルバモイル基、低級アルコキシ
基及び低級アルキルカルボニルアミノ基から選ばれる基
を有することのあるフェニル基、フェニル低級アルキル
基、ピリジル基又は置換基としτ低級アルキル基を有す
るイミダゾリル基を示す。R2及びR3はそれぞれ水素
原子を示すか又は両者が結合して〉C−0基を示す。n
は0.1又は2を示す。
子、カルボキシル基、低級アルコキシカルボニル基、ヒ
ドロキシ低級アルキル基、カルボキシ低級アルキル基、
低級アルコキシカルボニル低級アルキル基、基 す)、シクロアルキルカルバモイル基、低級アルコキシ
基及び低級アルキルカルボニルアミノ基から選ばれる基
を有することのあるフェニル基、フェニル低級アルキル
基、ピリジル基又は置換基としτ低級アルキル基を有す
るイミダゾリル基を示す。R2及びR3はそれぞれ水素
原子を示すか又は両者が結合して〉C−0基を示す。n
は0.1又は2を示す。
但しR2及びR3が同時に水素原子で且つnがOの場合
、R管は4位メチル基を有するフェニル基であってはな
らない。〕 本明細書において、低級アルキル基としては、例えばメ
チル、エチル、プロピル、イソブOビル、ブチル、イソ
ブチル、tert−ブチル、ペンチル、ヘキシル基等の
直鎖又は分枝鎖状アルキル基を例示できる。
、R管は4位メチル基を有するフェニル基であってはな
らない。〕 本明細書において、低級アルキル基としては、例えばメ
チル、エチル、プロピル、イソブOビル、ブチル、イソ
ブチル、tert−ブチル、ペンチル、ヘキシル基等の
直鎖又は分枝鎖状アルキル基を例示できる。
ヒドロキシ低級アルキル基としては、例えばヒドロキシ
メチル、1−ヒドロキシエチル、2−ヒドロキシエチル
、3−ヒドロキシプロピル、2−ヒドロキシブチル、3
−ヒドロキシブチル、4−ヒドロキシブチル、5−ヒド
ロキシペンチル、2−ヒドロキシペンチル、3−ヒドロ
キシペンチル、4−ヒドロキシペンチル、6ローヒドロ
キシヘキシル、2−ヒドロキシヘキシル、3−ヒドロキ
シヘキシル、4−ヒドロキシヘキシル、1−メチル−2
−ヒドロキシエチル、2−ヒドロキシプロピル、1.1
−ジメチル−2−とドロキシエチル、1゜2−ジヒドロ
キシエチル、2.2−ジヒドロキシエチル、1.3−ジ
ヒドロキシプロピル、2.3−ジヒドロキシプロピル、
1.2.3−トリヒドロキシプロピル、1.4−ジヒド
ロキシブチル、2.4−ジヒドロキシブチル、3.4−
ジヒドロキシブチル、1.2−ジヒドロキシブチル、2
゜3−ジヒドロジブチル、1.3−ジヒドロキシブチル
、2,2−ジヒドロキシブチル、1.2.3−トリヒド
ロキシブチル、2,3−ジヒドロキシヘキシル、2.5
−ジヒドロキシヘキシル、2゜6−ジヒドロキシヘキシ
ル、3.4−ジヒドロキシヘキシル、4.5−ジヒドロ
キシヘキシル、4゜6−ジヒドロキシヘキシル、2.3
.4−トリヒドロキシヘキシル、3.4.5−トリヒド
ロキシへキシル、4.5.6−トリヒドロキシへキシル
基等を例示できる。
メチル、1−ヒドロキシエチル、2−ヒドロキシエチル
、3−ヒドロキシプロピル、2−ヒドロキシブチル、3
−ヒドロキシブチル、4−ヒドロキシブチル、5−ヒド
ロキシペンチル、2−ヒドロキシペンチル、3−ヒドロ
キシペンチル、4−ヒドロキシペンチル、6ローヒドロ
キシヘキシル、2−ヒドロキシヘキシル、3−ヒドロキ
シヘキシル、4−ヒドロキシヘキシル、1−メチル−2
−ヒドロキシエチル、2−ヒドロキシプロピル、1.1
−ジメチル−2−とドロキシエチル、1゜2−ジヒドロ
キシエチル、2.2−ジヒドロキシエチル、1.3−ジ
ヒドロキシプロピル、2.3−ジヒドロキシプロピル、
1.2.3−トリヒドロキシプロピル、1.4−ジヒド
ロキシブチル、2.4−ジヒドロキシブチル、3.4−
ジヒドロキシブチル、1.2−ジヒドロキシブチル、2
゜3−ジヒドロジブチル、1.3−ジヒドロキシブチル
、2,2−ジヒドロキシブチル、1.2.3−トリヒド
ロキシブチル、2,3−ジヒドロキシヘキシル、2.5
−ジヒドロキシヘキシル、2゜6−ジヒドロキシヘキシ
ル、3.4−ジヒドロキシヘキシル、4.5−ジヒドロ
キシヘキシル、4゜6−ジヒドロキシヘキシル、2.3
.4−トリヒドロキシヘキシル、3.4.5−トリヒド
ロキシへキシル、4.5.6−トリヒドロキシへキシル
基等を例示できる。
カルボキシ低級アルキル基としては、例えばカルボキシ
メチル、1−カルボキシエチル、2−力ルボキシエチル
、3−カルボキシプロピル、2−カルボキシブチル、3
−カルボキシブチル、4−カルボキシブチル、5−カル
ボキシペンチル、2−カルボキシペンチル 4−カルボキシペンチル、6−カルボキシヘキシル、2
−カルボキシヘキシル、3−カルボキシヘキシル、4−
カルボキシヘキシル、1−メチル−2−カルボキシエチ
ル、2−カルボキシプロピル、1、1−ジメチル−2−
カルボキシエチル、1。
メチル、1−カルボキシエチル、2−力ルボキシエチル
、3−カルボキシプロピル、2−カルボキシブチル、3
−カルボキシブチル、4−カルボキシブチル、5−カル
ボキシペンチル、2−カルボキシペンチル 4−カルボキシペンチル、6−カルボキシヘキシル、2
−カルボキシヘキシル、3−カルボキシヘキシル、4−
カルボキシヘキシル、1−メチル−2−カルボキシエチ
ル、2−カルボキシプロピル、1、1−ジメチル−2−
カルボキシエチル、1。
2−ジカルボキシエチル
エチル、1.3−ジカルボキシプロビル、2.3−ジカ
ルボキシプロピル、1,2.3−トリカルボキシプロピ
ル 2、4−ジカルボキシブチ6ル キシブチル、1,2−ジカルボキシブチル、2。
ルボキシプロピル、1,2.3−トリカルボキシプロピ
ル 2、4−ジカルボキシブチ6ル キシブチル、1,2−ジカルボキシブチル、2。
3−ジカルボキシブチル
ブチル、2.2−ジカルボキシブチル
3−トリカルボキシブチル
ヘキシル
6−ジカルボキシヘキシル、3,4−ジカルボキシヘキ
シル、4.5−ジカルボキシヘキシル6−ジカルボキシ
ヘキシル、2.3.44リカルボキシヘキシル、3,4
.5−トリカルボキシヘキシル、4.5.6−ドリカル
ボキシヘキシル基等を例示できる。
シル、4.5−ジカルボキシヘキシル6−ジカルボキシ
ヘキシル、2.3.44リカルボキシヘキシル、3,4
.5−トリカルボキシヘキシル、4.5.6−ドリカル
ボキシヘキシル基等を例示できる。
ハロゲン原子としては、例えば弗素、塩素、臭素及び沃
素原子を例示できる。
素原子を例示できる。
低級アルコキシ基としては、例えばメトキシ、エトキシ
、プロポキシ、イソプロポキシ、ブトキシ、tert−
ブ1へキシ、ペンチルオキシ、ヘキシルオキシ基等を例
示できる。
、プロポキシ、イソプロポキシ、ブトキシ、tert−
ブ1へキシ、ペンチルオキシ、ヘキシルオキシ基等を例
示できる。
低級アルコキシカルボニル基としては、例えばメトキシ
カルボニル ポキシカルボニル、イソプロポキシカルボニル、71−
キシカルボニル ペンチルオキシカルボニル、ヘキシルオキシカルボニル
基等を例示できる。
カルボニル ポキシカルボニル、イソプロポキシカルボニル、71−
キシカルボニル ペンチルオキシカルボニル、ヘキシルオキシカルボニル
基等を例示できる。
低級アルコキシカルボニル低級アルキル基としては、例
えばメトキシカルボニルメチル、エトキシカルボニルメ
チル、プロポキシカルボニルメチル、イソプロポキシカ
ルボニルメチル ルボニルメチル チル、ペンチルオキシカルボニルメチルルオキシカルボ
ニルメチル、メトキシカルボニルエチル、1−メトキシ
カルボニルエチルシカルボニルエチル、1−エトキシカ
ルボニルエチル、プロポキシカルボニルエチル、イソブ
ロボキシ力.ルポニルエチル、ブトキシカルボニルエチ
ル、tert−ブトキシカルボニルエチル、1 − t
ertーブトキシ力ルポニルエチル、ペンチルオキシカ
ルボニルエチル、ヘキシルオキシカルボニルエチル、メ
トキシカルボニルプロピル、エトキシカルボニルプロビ
ル、プロポキシカルボニルブチル、イソブロボキシカル
ボニルブロビル、ブトキシカルボニルプロビル、ter
t−ブトキシカルボニルプロビル、ペンチルオキシカル
ボニルプロビルキシルオキシカルボニルプロビル、メト
キシカルボニルイソプロビル、エトキシ力ルポニルイソ
ブロビル、プロボキシカルポ二ルイソブロビル、イソブ
ロボキシカルボニルイソブロビル、ブトキシカルボ二ル
イソブOビル、tert−ブトキシカルボニルイソブロ
ビル、ペンチルオキシカルボニルイソプロビル、ヘキシ
ルオキシカルボニルイソプロビル、メトキシカルボニル
ブチル、1−メトキシカルボニルブチル、2−メトキシ
カルボニルブチル、エトキシカルボニルブチル ルボニルブチル、2−エトキシカルボニルブチル、3−
エトキシカルボニルブチル ボニルブチル、インプロポキシカルボニルブチル、ブト
キシカルボニルブチル、tert−ブトキシカルボニル
ブチル、ペンチルオキシカルボニルブチル、さキシルオ
キシカルボニルブチル ボニルペンチル、エトキシカルボニルペンチル、プロポ
キシカルボニルベンチル カルボニルベンチル、ブトキシカルボニルペンチル、t
ert−ブトキシカルボニルペンチル、ペンチルオキシ
カルボニルペンチル ルボニルペンチル、メトキシカルボニルヘキシル、エト
キシカルボニルヘキシル ボニルヘキシル、2−工1−キシカルボニルヘキシル、
3−エトキシカルボニルヘキシル、4−エトキシカルボ
ニルヘキシル、プロポキシカルボニルヘキシル、イソプ
ロポキシカルボニルヘキシルブトキシカルボニルヘキシ
ル、tert−ブトキシカルボニルヘキシル、ペンチル
オキシカルボニルヘキシル、ヘキシルオキシカルボニル
ヘキシル基等を例示できる。
えばメトキシカルボニルメチル、エトキシカルボニルメ
チル、プロポキシカルボニルメチル、イソプロポキシカ
ルボニルメチル ルボニルメチル チル、ペンチルオキシカルボニルメチルルオキシカルボ
ニルメチル、メトキシカルボニルエチル、1−メトキシ
カルボニルエチルシカルボニルエチル、1−エトキシカ
ルボニルエチル、プロポキシカルボニルエチル、イソブ
ロボキシ力.ルポニルエチル、ブトキシカルボニルエチ
ル、tert−ブトキシカルボニルエチル、1 − t
ertーブトキシ力ルポニルエチル、ペンチルオキシカ
ルボニルエチル、ヘキシルオキシカルボニルエチル、メ
トキシカルボニルプロピル、エトキシカルボニルプロビ
ル、プロポキシカルボニルブチル、イソブロボキシカル
ボニルブロビル、ブトキシカルボニルプロビル、ter
t−ブトキシカルボニルプロビル、ペンチルオキシカル
ボニルプロビルキシルオキシカルボニルプロビル、メト
キシカルボニルイソプロビル、エトキシ力ルポニルイソ
ブロビル、プロボキシカルポ二ルイソブロビル、イソブ
ロボキシカルボニルイソブロビル、ブトキシカルボ二ル
イソブOビル、tert−ブトキシカルボニルイソブロ
ビル、ペンチルオキシカルボニルイソプロビル、ヘキシ
ルオキシカルボニルイソプロビル、メトキシカルボニル
ブチル、1−メトキシカルボニルブチル、2−メトキシ
カルボニルブチル、エトキシカルボニルブチル ルボニルブチル、2−エトキシカルボニルブチル、3−
エトキシカルボニルブチル ボニルブチル、インプロポキシカルボニルブチル、ブト
キシカルボニルブチル、tert−ブトキシカルボニル
ブチル、ペンチルオキシカルボニルブチル、さキシルオ
キシカルボニルブチル ボニルペンチル、エトキシカルボニルペンチル、プロポ
キシカルボニルベンチル カルボニルベンチル、ブトキシカルボニルペンチル、t
ert−ブトキシカルボニルペンチル、ペンチルオキシ
カルボニルペンチル ルボニルペンチル、メトキシカルボニルヘキシル、エト
キシカルボニルヘキシル ボニルヘキシル、2−工1−キシカルボニルヘキシル、
3−エトキシカルボニルヘキシル、4−エトキシカルボ
ニルヘキシル、プロポキシカルボニルヘキシル、イソプ
ロポキシカルボニルヘキシルブトキシカルボニルヘキシ
ル、tert−ブトキシカルボニルヘキシル、ペンチル
オキシカルボニルヘキシル、ヘキシルオキシカルボニル
ヘキシル基等を例示できる。
低級アルキレン基としては、例えばトリメチレン、テト
ラメチレン、ペンタメチレン、ヘキサメチレン基を例示
できる。
ラメチレン、ペンタメチレン、ヘキサメチレン基を例示
できる。
シクロアルキルカルバモイル基としては、例えばシクロ
プロピルカルバモイル、シクOブチルカルバモイル、シ
クロペンチルカルバモイル、N。
プロピルカルバモイル、シクOブチルカルバモイル、シ
クロペンチルカルバモイル、N。
N−ジシクロペンチルカルバモイル、シクロヘキシルカ
ルバモイル、N、N−ジシクロへキシルカルバモイル、
シクロヘプチルカルバモイル、シクロオクチルカルバモ
イル基を例示できる。
ルバモイル、N、N−ジシクロへキシルカルバモイル、
シクロヘプチルカルバモイル、シクロオクチルカルバモ
イル基を例示できる。
低級アルキルカルボニルアミノ基としては、例えばメチ
ルカルボニルアミノ、エチルカルボニルアミノ、プロピ
ルカルボニルアミノ、イソブチルカルボニルアミノ、ブ
チルカルボニルアミノ、イソブチルカルボニルアミノ、
tert−ブチルカルボニルアミノ、ペンチルカルボニ
ルアミノ、ヘキシルカルボニルアミノを例示できる。
ルカルボニルアミノ、エチルカルボニルアミノ、プロピ
ルカルボニルアミノ、イソブチルカルボニルアミノ、ブ
チルカルボニルアミノ、イソブチルカルボニルアミノ、
tert−ブチルカルボニルアミノ、ペンチルカルボニ
ルアミノ、ヘキシルカルボニルアミノを例示できる。
フェニル低級アルキル基としては、例えばベンジル、フ
ェネチル、1−フェニルプロピル、2−フェニルプロピ
ル、3−フェニルプロピル、3−フェニルブチル、4−
フェニルブチル、2−メチル−3−フェニルプロピル、
5−フェニルペンチル、6−フェニルヘキシル基等を例
示できる。
ェネチル、1−フェニルプロピル、2−フェニルプロピ
ル、3−フェニルプロピル、3−フェニルブチル、4−
フェニルブチル、2−メチル−3−フェニルプロピル、
5−フェニルペンチル、6−フェニルヘキシル基等を例
示できる。
置換基として低級アルキル基を有するイミダゾリル基と
しては、例えばメチルイミダゾリル、エチルイミダゾリ
ル、ブチルイミダゾリル、イソプロピルイミダゾリル、
ブチルイミダゾリル、イソブチルイミダゾリル、ter
t−ブチルイミダゾリル、ペンチルイミダゾリル、ヘキ
シルイミダゾリル基等を例示できる。
しては、例えばメチルイミダゾリル、エチルイミダゾリ
ル、ブチルイミダゾリル、イソプロピルイミダゾリル、
ブチルイミダゾリル、イソブチルイミダゾリル、ter
t−ブチルイミダゾリル、ペンチルイミダゾリル、ヘキ
シルイミダゾリル基等を例示できる。
上記一般式(1)で表わされる本発明の化合物及びその
塩は、動物、とりわけ哺乳動物に対して、例えば抗腎炎
、抗慢性関節リウマチ等の抗自己免疫疾患作用の他、抗
アレルギー、抗炎症、解熱、鎮痛、利尿、血小板凝集阻
止、血圧降下等の薬理作用を示し、従って、これは例え
ば腎炎治療剤、抗慢性関節リウマチ剤等の自己免疫疾患
の予防及び治療剤として、また抗アレルギー剤、抗炎症
剤、解熱鎮痛剤、利尿剤、抗血栓剤、脳循環器系改善剤
、降圧剤等の医薬として有用である。
塩は、動物、とりわけ哺乳動物に対して、例えば抗腎炎
、抗慢性関節リウマチ等の抗自己免疫疾患作用の他、抗
アレルギー、抗炎症、解熱、鎮痛、利尿、血小板凝集阻
止、血圧降下等の薬理作用を示し、従って、これは例え
ば腎炎治療剤、抗慢性関節リウマチ剤等の自己免疫疾患
の予防及び治療剤として、また抗アレルギー剤、抗炎症
剤、解熱鎮痛剤、利尿剤、抗血栓剤、脳循環器系改善剤
、降圧剤等の医薬として有用である。
本発明のアミノフェノール誘導体は、例えば下記反応工
程式に示す方法により製造することができる。
程式に示す方法により製造することができる。
〈反応工程式−1〉
R
〔式中R1は前記に同じ。Rは低級アルキル基を示す。
〕
反応工程式−1によれば、公知の化合物(2)、例えば
5−り0o−2−ニトロアニソールと、チオール類(3
)との縮合反応により、化合物(4)を製造できる。該
反応は、通常塩基の存在下、適当な溶媒中で実施される
。塩基としては、例えば水素化ナトリウム等のアルカリ
金属水素化物、ナトリウムメトキシド、ナトリウムエト
キシド、カリウム第三級ブトキシド等のアルカリ金属ア
ルコキシド、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸水素
ナトリウム、炭酸水素カリウム、酢酸ナトリウム、酢酸
カリウム等のアルカリ金属の炭酸塩又は酢酸塩等及びピ
リジン、トリエチルアミン等のアジン類を使用できる。
5−り0o−2−ニトロアニソールと、チオール類(3
)との縮合反応により、化合物(4)を製造できる。該
反応は、通常塩基の存在下、適当な溶媒中で実施される
。塩基としては、例えば水素化ナトリウム等のアルカリ
金属水素化物、ナトリウムメトキシド、ナトリウムエト
キシド、カリウム第三級ブトキシド等のアルカリ金属ア
ルコキシド、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸水素
ナトリウム、炭酸水素カリウム、酢酸ナトリウム、酢酸
カリウム等のアルカリ金属の炭酸塩又は酢酸塩等及びピ
リジン、トリエチルアミン等のアジン類を使用できる。
之等の塩基は化合物(2)に対して通常約1〜10倍モ
ル量、好ましくは約1〜2倍モル量の範囲で用いられる
のが望ましい。
ル量、好ましくは約1〜2倍モル量の範囲で用いられる
のが望ましい。
溶媒としては、例えばN、N−ジメチルホルムアミド(
DMF)、ピリジン、リン酸へキサメチルトリアミド(
HMPA)、テトラヒドロフラン?THF) 、メタノ
ール、エタノール、水等を使用できる。チオール類(3
)は、化合物(2)に対して、通常約1〜5倍モル量の
範囲で用いられるのがよく、反応は、空温〜溶媒の沸点
範囲の温度で進行する。
DMF)、ピリジン、リン酸へキサメチルトリアミド(
HMPA)、テトラヒドロフラン?THF) 、メタノ
ール、エタノール、水等を使用できる。チオール類(3
)は、化合物(2)に対して、通常約1〜5倍モル量の
範囲で用いられるのがよく、反応は、空温〜溶媒の沸点
範囲の温度で進行する。
〈反応工程式−2〉
H
(1a )
〔式中R及びR1は前記に同じ。〕
上記反応工程式−2によれば、化合物(4)を脱アルキ
ル(脱メチル)化して隼合物(5)を得、次いで該化合
物(5)のニトロ基の還元反応により化合物(1a)を
製造できる。
ル(脱メチル)化して隼合物(5)を得、次いで該化合
物(5)のニトロ基の還元反応により化合物(1a)を
製造できる。
上記脱アルキル化反応は、例えば三臭化ホウ素(BBr
3)、三塩化ホウ素(BeO2)等のトリハロゲノボラ
ンを用いる通常の方法により実施できる。具体的には、
例えばジクロルメタン、クロロホルム等の溶媒中で、化
合物(4)と、該化合物(4)に対して約1/3〜6倍
モル量のトリハロゲノボランとを、約−80℃〜30℃
の温度範囲で反応させる方法を例示できる。
3)、三塩化ホウ素(BeO2)等のトリハロゲノボラ
ンを用いる通常の方法により実施できる。具体的には、
例えばジクロルメタン、クロロホルム等の溶媒中で、化
合物(4)と、該化合物(4)に対して約1/3〜6倍
モル量のトリハロゲノボランとを、約−80℃〜30℃
の温度範囲で反応させる方法を例示できる。
上記反応により得られる化合物(5)のニトロ基の還元
反応は、例えばハイドロサルファイドナトリウム(Na
2820& )を、化合物(5)に対して約1〜50
倍モル量溶解した水溶液と、化4合物(5)とを、エー
テル、THF、ジオキサン、エタノール、メタノール等
の適当な溶媒と共に撹拌することにより行なわれる。本
反応は、所望によりアンモニア水を加えても好適に実施
することができる。
反応は、例えばハイドロサルファイドナトリウム(Na
2820& )を、化合物(5)に対して約1〜50
倍モル量溶解した水溶液と、化4合物(5)とを、エー
テル、THF、ジオキサン、エタノール、メタノール等
の適当な溶媒と共に撹拌することにより行なわれる。本
反応は、所望によりアンモニア水を加えても好適に実施
することができる。
ぐ反応工程式−3〉
R
(式中Rは前記に同じ。Lはカルボキシル基、カルボキ
シ低級アルキル基又はアミノ基を示す。Mは低級アルコ
キシカルボニル基、低級アルコキシカルボニル低級アル
キル基、基〆一\ Z N−Go−(Zは低級アルキレン基を示1\−〕
′ す)、低級アルキル力ルポニルアミムLカルバモイル基
又はシクロアルキルカルバモイル基を示す。〕 反応工程式−3は、前記した化合物(4)の内で、R1
基が上記し又はMで示される各置換基を有するフェニル
基である各化合物(4′)及び麺(4″)が、該置換基
相互の変換反応によっても毎々製造できることを示すも
のである。
シ低級アルキル基又はアミノ基を示す。Mは低級アルコ
キシカルボニル基、低級アルコキシカルボニル低級アル
キル基、基〆一\ Z N−Go−(Zは低級アルキレン基を示1\−〕
′ す)、低級アルキル力ルポニルアミムLカルバモイル基
又はシクロアルキルカルバモイル基を示す。〕 反応工程式−3は、前記した化合物(4)の内で、R1
基が上記し又はMで示される各置換基を有するフェニル
基である各化合物(4′)及び麺(4″)が、該置換基
相互の変換反応によっても毎々製造できることを示すも
のである。
化合物(4′)のエステル化反応は、Lがカルボキシル
基又はカルボキシ低級アルキル基である化合物(4′)
につき行なわれるものである。該エステル化反応は、通
常の方法、例えば塩酸、硫酸、p−トルエンスルホン酸
、三弗化硼素エーテAt錯体(BF3 ・(02H5)
20)等の酸触媒の存在下に低級アルコールと共に加熱
反応させる方法、或いは化合物(4′)に対して約1〜
10倍モル量の塩基性化合物、例えばピリジン、トリエ
チルアミン、炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウム、
炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、酢酸ナトリウム、酢酸
カリウム等の存在下に、不活性溶媒、例えばDMF、H
MPA1ジメチルスルボキシド(DMSO)、ピリジン
、クロロホルム、ジクロルメタン、THF、酢酸エチル
、ベンゼン、トルエン等の溶媒中で、低級アルキルハラ
イドの1〜10倍モル量(対化合物(4’))を反応さ
する方法等により実施できる。
基又はカルボキシ低級アルキル基である化合物(4′)
につき行なわれるものである。該エステル化反応は、通
常の方法、例えば塩酸、硫酸、p−トルエンスルホン酸
、三弗化硼素エーテAt錯体(BF3 ・(02H5)
20)等の酸触媒の存在下に低級アルコールと共に加熱
反応させる方法、或いは化合物(4′)に対して約1〜
10倍モル量の塩基性化合物、例えばピリジン、トリエ
チルアミン、炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウム、
炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、酢酸ナトリウム、酢酸
カリウム等の存在下に、不活性溶媒、例えばDMF、H
MPA1ジメチルスルボキシド(DMSO)、ピリジン
、クロロホルム、ジクロルメタン、THF、酢酸エチル
、ベンゼン、トルエン等の溶媒中で、低級アルキルハラ
イドの1〜10倍モル量(対化合物(4’))を反応さ
する方法等により実施できる。
アシル化反応は、Lが7ミノ基である化合物(4′)に
ついて通常の方法に従い実施される。
ついて通常の方法に従い実施される。
例えば、化合物(4′)に対して約1〜10倍モル量の
塩基性化合物、例えばピリジン、トリエチルアミン、炭
酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウム、炭酸ナトリウム
、炭酸カリウム、酢酸ナトリウム、酢酸カリウム等の存
在下に、不活性溶媒、例えばピリジン、クロロホルム、
ジクロルメタン、THF、酢酸エチル、ベンゼン、トル
エン等の溶媒中で、無水酢酸、無水プロピオン酸等の低
級アルキルカルボン酸無水物又は対応する低級アルキル
カルボン酸ハライドの1〜10倍モル量(対化合物(4
’))を反応させる方法等により実施できる。
塩基性化合物、例えばピリジン、トリエチルアミン、炭
酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウム、炭酸ナトリウム
、炭酸カリウム、酢酸ナトリウム、酢酸カリウム等の存
在下に、不活性溶媒、例えばピリジン、クロロホルム、
ジクロルメタン、THF、酢酸エチル、ベンゼン、トル
エン等の溶媒中で、無水酢酸、無水プロピオン酸等の低
級アルキルカルボン酸無水物又は対応する低級アルキル
カルボン酸ハライドの1〜10倍モル量(対化合物(4
’))を反応させる方法等により実施できる。
アミド化反応は、Lがカルボキシル基又はカルボキシ低
級アルキル基である化合物(4′)について、通常のア
ミド結合形成反応に従い実施できる。即ち、該反応は、
例えば酸りOライド法、混合酸無水物法、活性エステル
法、N、N’−ジシクロヘキシルカルボジイミド(DC
C)法、アジド法、シアンリン酸ジエチル法等に従い実
施できる。
級アルキル基である化合物(4′)について、通常のア
ミド結合形成反応に従い実施できる。即ち、該反応は、
例えば酸りOライド法、混合酸無水物法、活性エステル
法、N、N’−ジシクロヘキシルカルボジイミド(DC
C)法、アジド法、シアンリン酸ジエチル法等に従い実
施できる。
上記シアノリン酸ジエチル法につき詳述すれば、該方法
は、例えばDMFlTHF、酢酸エチル等の反応溶媒中
、化合物(4′)に対して約1〜1.5倍モル量の対応
するアミン、約1〜1.2倍モル量のシアノリン酸ジエ
チル及び約1〜5倍モル量の有機アミン、例えばトリエ
チルアミン、ピリジン等を用いて行なわれる。
は、例えばDMFlTHF、酢酸エチル等の反応溶媒中
、化合物(4′)に対して約1〜1.5倍モル量の対応
するアミン、約1〜1.2倍モル量のシアノリン酸ジエ
チル及び約1〜5倍モル量の有機アミン、例えばトリエ
チルアミン、ピリジン等を用いて行なわれる。
また化合物(4”)の加水分解反応は、常法に従い例え
ば塩酸、fR酸等の鉱酸水溶液中で加熱する方法、又は
例えば水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等の水酸化ア
ルカリ水溶液中、メタノール、エタノール等の溶媒の存
在下に、約り℃〜溶媒の沸点範囲の温度で処理する方法
により実施できる。
ば塩酸、fR酸等の鉱酸水溶液中で加熱する方法、又は
例えば水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等の水酸化ア
ルカリ水溶液中、メタノール、エタノール等の溶媒の存
在下に、約り℃〜溶媒の沸点範囲の温度で処理する方法
により実施できる。
〈反応工程式−4〕
(式中L′はカルボキシル基又はカルボキシ低級アルキ
ル基を示す。M′は低級アルコキシカルボニル基又は低
級アルコキシカルボニル低級アルキル基を示す。Pはと
ドロキシ低級アルキル基を示す。) 反応工程式−4に示す方法によれば、化合物遣(5)の
内、R1が上記M′又はL′で示される置換基を有する
フェニル基である化合物(5′)又は(5“)の還元反
応により、化合物(1b)が製造される。
ル基を示す。M′は低級アルコキシカルボニル基又は低
級アルコキシカルボニル低級アルキル基を示す。Pはと
ドロキシ低級アルキル基を示す。) 反応工程式−4に示す方法によれば、化合物遣(5)の
内、R1が上記M′又はL′で示される置換基を有する
フェニル基である化合物(5′)又は(5“)の還元反
応により、化合物(1b)が製造される。
上記化合物〈5′)及び(5″)の還元反応は、通常の
カルボン酸及びエステルの還元反応に利用されるLiA
QHaを用いる方法に従い容易に実施できる。即ち、エ
ーテル、THF等の溶媒中で約1〜10倍モル量の上記
L!AQHtを用いて原料化合物を0℃〜溶媒の沸点範
囲の温度で還元処理し、次いでNa252OA水溶液を
加えることにより行ない得る。
カルボン酸及びエステルの還元反応に利用されるLiA
QHaを用いる方法に従い容易に実施できる。即ち、エ
ーテル、THF等の溶媒中で約1〜10倍モル量の上記
L!AQHtを用いて原料化合物を0℃〜溶媒の沸点範
囲の温度で還元処理し、次いでNa252OA水溶液を
加えることにより行ない得る。
また化合物(5′ )から化合物(5” )を誘導する
加水分解反応は、前記反応工程式−3で述べた化合物(
4“)の加水分解反応と同様にして実施できる。
加水分解反応は、前記反応工程式−3で述べた化合物(
4“)の加水分解反応と同様にして実施できる。
く反応工程式−5〉
(5”’) (IC)(式中R
1は前記に同じ。mは1又は2を示す。〕反応工程式−
5に示す方法によれば、化合物−(5)又は化合物(1
a)を酸化反応させることにより、各々対応するスルフ
ィニル体(m−i)及びスルホニル体(R−2)である
化合物(5”’ )及び化合物(1C)を製造すること
ができる。
1は前記に同じ。mは1又は2を示す。〕反応工程式−
5に示す方法によれば、化合物−(5)又は化合物(1
a)を酸化反応させることにより、各々対応するスルフ
ィニル体(m−i)及びスルホニル体(R−2)である
化合物(5”’ )及び化合物(1C)を製造すること
ができる。
上記酸化反応は、例えばクロロホルム、ジクロルメタン
、四塩化炭素、酢酸、水及び之等の混合溶媒等の溶媒中
、m−クロル過安息香酸、過酢酸等の有機過酸、過酸化
水素水等の無機過酸を用いて実施できる。過酸の使用思
は目的化合物のmが1であるか2であるかにより、原料
化合物に対して等モル量〜約3倍モル量の範囲から、適
宜選択される。
、四塩化炭素、酢酸、水及び之等の混合溶媒等の溶媒中
、m−クロル過安息香酸、過酢酸等の有機過酸、過酸化
水素水等の無機過酸を用いて実施できる。過酸の使用思
は目的化合物のmが1であるか2であるかにより、原料
化合物に対して等モル量〜約3倍モル量の範囲から、適
宜選択される。
上記により得られる化合物(5” ’)は、またこれを
前記したNa 2320を水溶液を用いたニトロ基の還
元反応に供することによって、化合物(1C)に変換す
ることができる。
前記したNa 2320を水溶液を用いたニトロ基の還
元反応に供することによって、化合物(1C)に変換す
ることができる。
〈反応工程式−6〉
(1) Y’ (6)
H(1d)
〔式中R1は前記に同じ。Y及びY′は同−又は異なっ
てハロゲン原子、低級アルコキシ基又はハロゲノ置換低
級アルコキシ基を示す。〕反反応工程−6によれば、化
合物(1)に化合物(6)を反応させることにより、化
合物(1d)を製造できる。ここで用いられる化合物(
6)としては、通常ホスゲン、クロロギ酸トリクロロメ
チル、りOロギ酸メチル、クロロギ酸エチル等を例示で
きる。反応は通常不活性溶媒中、化合物(1d)に対し
て約1〜5倍モル量の塩基及び約1〜5倍モルmの化合
物(6)を用いて行なわれる。溶媒としては、例えばア
セトン、クロロホルム、ジクロルメタン、THF、ベン
ゼン、酢酸エチル、ピリジン、トリエチルアミン等を、
塩基としては、例えば炭酸カリウム、炭酸ナトリウム、
炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウム、酢酸ナトリウ
ム、酢酸カリウム、トリエチルアミン、ピリジン等をそ
れぞれ例示できる。反応温度としては、一般に一り0℃
〜溶媒の沸点範囲の温度が採用できる。
てハロゲン原子、低級アルコキシ基又はハロゲノ置換低
級アルコキシ基を示す。〕反反応工程−6によれば、化
合物(1)に化合物(6)を反応させることにより、化
合物(1d)を製造できる。ここで用いられる化合物(
6)としては、通常ホスゲン、クロロギ酸トリクロロメ
チル、りOロギ酸メチル、クロロギ酸エチル等を例示で
きる。反応は通常不活性溶媒中、化合物(1d)に対し
て約1〜5倍モル量の塩基及び約1〜5倍モルmの化合
物(6)を用いて行なわれる。溶媒としては、例えばア
セトン、クロロホルム、ジクロルメタン、THF、ベン
ゼン、酢酸エチル、ピリジン、トリエチルアミン等を、
塩基としては、例えば炭酸カリウム、炭酸ナトリウム、
炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウム、酢酸ナトリウ
ム、酢酸カリウム、トリエチルアミン、ピリジン等をそ
れぞれ例示できる。反応温度としては、一般に一り0℃
〜溶媒の沸点範囲の温度が採用できる。
上記各反応工程式に示す反応により得られる目的化合物
及び本発明化合物は、慣用の分離手段により容易に単m
精製できる。該分離手段としては、例えば溶媒抽出、再
結晶、カラムクロマトグラフィー等を例示できる。
及び本発明化合物は、慣用の分離手段により容易に単m
精製できる。該分離手段としては、例えば溶媒抽出、再
結晶、カラムクロマトグラフィー等を例示できる。
またかくして得られる本発明化合物は、容易に医薬的に
許容される酸付加塩とすることができ、該酸付加塩は遊
離形態の本発明化合物と同様の薬理活性を有しており、
本発明はかかる酸付加塩をも包含する。上記酸付加塩を
形成する酸性化合物としては、例えば塩酸、硫酸、リン
酸、臭化水素酸等の無機酸及びマレイン酸、フマール酸
、リンゴ酸、酒石酸、クエン酸、安息香酸等の有amを
例示できる。
許容される酸付加塩とすることができ、該酸付加塩は遊
離形態の本発明化合物と同様の薬理活性を有しており、
本発明はかかる酸付加塩をも包含する。上記酸付加塩を
形成する酸性化合物としては、例えば塩酸、硫酸、リン
酸、臭化水素酸等の無機酸及びマレイン酸、フマール酸
、リンゴ酸、酒石酸、クエン酸、安息香酸等の有amを
例示できる。
!−一」L−−」−
以下、本発明化合物の製造のための原料化合物の製造例
を参考例として挙げ、次いで本発明化合物の製造例を実
施例として挙げる。
を参考例として挙げ、次いで本発明化合物の製造例を実
施例として挙げる。
参考例1
2−ニトロ−5−フェニルチオアニソール[化合物(4
8) ]の製造 5−クロロ−2−ニトロアニソール18.7o、チオフ
ェノール12.0(1、炭酸カリウム(無水)14.0
!]及びDMF150鵬を混合し、混合物を100℃で
20時間、撹拌下に加熱し、その後、反応混合物を水に
移し、酢酸エチルで抽出し、有機層を水洗し、乾燥(l
vfo、sOt ) L、濃縮して得られた結晶をエー
テルで洗いながら枦取して、目的化合物20gを淡黄色
結晶として得た。
8) ]の製造 5−クロロ−2−ニトロアニソール18.7o、チオフ
ェノール12.0(1、炭酸カリウム(無水)14.0
!]及びDMF150鵬を混合し、混合物を100℃で
20時間、撹拌下に加熱し、その後、反応混合物を水に
移し、酢酸エチルで抽出し、有機層を水洗し、乾燥(l
vfo、sOt ) L、濃縮して得られた結晶をエー
テルで洗いながら枦取して、目的化合物20gを淡黄色
結晶として得た。
融点 107〜109℃
参考例2〜14
上記参考例1と同様にして、第1表に示す化合物N0.
4b〜4nの各化合物を得た。
4b〜4nの各化合物を得た。
参考例15
5−(2−シクロへキシルアミノカルボニルフェニルチ
オ)−2−ニトロアニソール[化合物401の製造 2−(3−メトキシ−4−ニトロフェニルチオ)安息香
酸2g、シクロヘキシルアミン720mQ及びシアノリ
ン酸ジエチル(DEPC)1.21を、DMF50mQ
に溶解し、水冷、撹拌下にトリエチルアミン7501G
のDMF5m12溶液をゆつくり滴下し、その後、20
時間空温にて撹拌した。
オ)−2−ニトロアニソール[化合物401の製造 2−(3−メトキシ−4−ニトロフェニルチオ)安息香
酸2g、シクロヘキシルアミン720mQ及びシアノリ
ン酸ジエチル(DEPC)1.21を、DMF50mQ
に溶解し、水冷、撹拌下にトリエチルアミン7501G
のDMF5m12溶液をゆつくり滴下し、その後、20
時間空温にて撹拌した。
反応混合物を水に移し、酢酸エチルで抽出し、有職層を
水洗し、乾燥(M!J、SO4) し、濃縮して得られ
る粗生成物を、シリカゲルカラムクロマトグラフィー(
ジクロルメタン−ジクロルメタン:酢酸エチル−1:1
)で精製して、目的化合物1.8gを白色結晶として得
た。
水洗し、乾燥(M!J、SO4) し、濃縮して得られ
る粗生成物を、シリカゲルカラムクロマトグラフィー(
ジクロルメタン−ジクロルメタン:酢酸エチル−1:1
)で精製して、目的化合物1.8gを白色結晶として得
た。
融点 126〜128℃
参考例16
5−(2−ピペリジノカルボニルフェニルチオ)−2−
ニトロアニソール[化合物4plの製造上記参考例15
と同様にして目的化合物を合成した。
ニトロアニソール[化合物4plの製造上記参考例15
と同様にして目的化合物を合成した。
融点 144〜146℃
参考例17
5−(2−エトキシカルボニルフェニルチオ)−2−ニ
トロアニソール[化合物4Q]の製造2−(3−メトキ
シ−4−二トロフェニルチオ)安息香16.2a 、エ
チルブロマイド2.9g、炭酸カリウム4.2Ω及びO
MF100或を20時間室温にて撹拌した。反応混合物
を水に移し、酢酸エチルで抽出し、有職層を水洗し、乾
燥(Mq Sod )L、濃縮して得られる粗生成物を
、ジクロルメタン−〇−ヘキサン混合溶媒から再結晶し
て、目的化合物5.1gを白色結晶として得た。
トロアニソール[化合物4Q]の製造2−(3−メトキ
シ−4−二トロフェニルチオ)安息香16.2a 、エ
チルブロマイド2.9g、炭酸カリウム4.2Ω及びO
MF100或を20時間室温にて撹拌した。反応混合物
を水に移し、酢酸エチルで抽出し、有職層を水洗し、乾
燥(Mq Sod )L、濃縮して得られる粗生成物を
、ジクロルメタン−〇−ヘキサン混合溶媒から再結晶し
て、目的化合物5.1gを白色結晶として得た。
融点 110〜111℃
参考例18
5−(4−アセトアミノフェニルチオ)−2−二トロア
ニソール[化合物4「1の製造 参考例1においてチオフェノールの代りに4−アミノチ
オフェノールを用いて製造した5−(4−アミノフェニ
ルチオ)−2−ニトロアニソール1.8g及びトリエチ
ルアミン900uをクロロホルム100−に溶解し、室
温、撹拌下にアセチルクロライド1.Ogをゆっくり滴
下し、更に、3時間撹拌を続けた後、反応混合物を水に
移し、クロロホルムで抽出し、有1層を3%塩酸、5%
炭酸水素ナトリウム水溶液及び水で順次洗浄し、乾燥(
M!7804 ) し、濃縮して得られる粗生成物を、
シリカゲルカラムクロマトグラフィー(クロロホルム:
酢酸エチル−10:1→7:1)で精製して、目的化合
物1.6gを白色結晶として得た。
ニソール[化合物4「1の製造 参考例1においてチオフェノールの代りに4−アミノチ
オフェノールを用いて製造した5−(4−アミノフェニ
ルチオ)−2−ニトロアニソール1.8g及びトリエチ
ルアミン900uをクロロホルム100−に溶解し、室
温、撹拌下にアセチルクロライド1.Ogをゆっくり滴
下し、更に、3時間撹拌を続けた後、反応混合物を水に
移し、クロロホルムで抽出し、有1層を3%塩酸、5%
炭酸水素ナトリウム水溶液及び水で順次洗浄し、乾燥(
M!7804 ) し、濃縮して得られる粗生成物を、
シリカゲルカラムクロマトグラフィー(クロロホルム:
酢酸エチル−10:1→7:1)で精製して、目的化合
物1.6gを白色結晶として得た。
融点 135.5〜137.5℃
上記各参考例(参考例1〜18)で得た化合物及びそれ
らの物性(@点又はNMR)を下記第1表に示す。
らの物性(@点又はNMR)を下記第1表に示す。
第 1 表
参考例19
2−ニトロ−5−フェニルチオフェノール[化合物58
1の製造 2−ニドo−5−フェニルチオアニソール582gのジ
クロルメタン120mQ溶液に、−78℃にて、BBr
35.5gのジクロルメタン5回溶液を加え、更に2
0分間撹拌を続けた後、反応混合物を水に移し、ジクロ
ルメタンで抽出し、有amを水洗し、乾燥(MgSO4
)し、濃縮して得られる結晶を、エーテル:n−ヘキサ
ン混合溶媒から再結晶して、目的化合物3.9gを得た
。
1の製造 2−ニドo−5−フェニルチオアニソール582gのジ
クロルメタン120mQ溶液に、−78℃にて、BBr
35.5gのジクロルメタン5回溶液を加え、更に2
0分間撹拌を続けた後、反応混合物を水に移し、ジクロ
ルメタンで抽出し、有amを水洗し、乾燥(MgSO4
)し、濃縮して得られる結晶を、エーテル:n−ヘキサ
ン混合溶媒から再結晶して、目的化合物3.9gを得た
。
融点 93〜94.5℃
参考例20〜36
参考例19と同様にして下記第2表に示す各化合物を得
た。
た。
尚、第2表には上記参考例19で得た化合物も併記する
。
。
第 2 表
Oト(
参考例37
2− (4−(3−ヒドロキシ−4−二トロフェニルチ
オ)フェニル〕プロピオンM[化合物5s]の製造 2− (4−(3−ヒドロキシ−4−ニトロフェニルチ
オ)フェニル〕プロピオン酸エチル2.3gをエタノー
ル100−に溶解し、v温、撹拌下に水酸化ナトリウム
1.6gの水30鯨水溶液を加え、更に2.5時間撹拌
を続けた。3%塩酸にて酸性とした後、クロロホルムで
抽出し、有機層を乾燥(IVHI SOA ) シ、、
1g11縮して得られる結晶をn−ヘキサンで洗浄して
、目的化合物1.7gを得た。
オ)フェニル〕プロピオンM[化合物5s]の製造 2− (4−(3−ヒドロキシ−4−ニトロフェニルチ
オ)フェニル〕プロピオン酸エチル2.3gをエタノー
ル100−に溶解し、v温、撹拌下に水酸化ナトリウム
1.6gの水30鯨水溶液を加え、更に2.5時間撹拌
を続けた。3%塩酸にて酸性とした後、クロロホルムで
抽出し、有機層を乾燥(IVHI SOA ) シ、、
1g11縮して得られる結晶をn−ヘキサンで洗浄して
、目的化合物1.7gを得た。
融点 128〜130℃
参考例38
2−ニトロ−5−フェニルスルフィニルフェノール[化
合物5tlの製造 2−ニトロ−5−フェニルチオフェノール1Qのジクロ
ルメタン50纜溶液に、水冷、撹拌下にm−クロロ過安
息香酸く70%)1gをゆっくり加え、反応混合物を更
に30分間撹拌し、その後、反応混合物を減圧下に濃縮
し、シリカゲルカラムクロマトグラフィー(ジクロルメ
タン→ジクロルメタン:酢酸エチル−20:1)で精製
して、目的化合物0.87gを得た。
合物5tlの製造 2−ニトロ−5−フェニルチオフェノール1Qのジクロ
ルメタン50纜溶液に、水冷、撹拌下にm−クロロ過安
息香酸く70%)1gをゆっくり加え、反応混合物を更
に30分間撹拌し、その後、反応混合物を減圧下に濃縮
し、シリカゲルカラムクロマトグラフィー(ジクロルメ
タン→ジクロルメタン:酢酸エチル−20:1)で精製
して、目的化合物0.87gを得た。
融点 132〜133℃
参考例39
2−ニトロ−5−フェニルスルホニルフェノール[化合
物5tl]の製造・。
物5tl]の製造・。
2−ニトロ−5−フェニルチオフェノール1Qのジクロ
ルメタン5〇−溶液に、水冷、撹拌下にm−クロロ過安
息香酸(70%)2(lをゆっくり加え、反応混合物を
更に30分間撹拌し、その後、反応混合物を減圧下に濃
縮し、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して
、目的化合物1.0gを得た。
ルメタン5〇−溶液に、水冷、撹拌下にm−クロロ過安
息香酸(70%)2(lをゆっくり加え、反応混合物を
更に30分間撹拌し、その後、反応混合物を減圧下に濃
縮し、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して
、目的化合物1.0gを得た。
融点 144〜145℃
実施例1
2−アミノ−5−フェニルチオフェノール[化合物1]
の製造 2−ニトロ−5−フェニルチオフェノール1.26(J
をTHF30mQ、水25IIl12及び濃アンモニア
水20−の混合液に溶解し、室温、撹拌下1cN828
20410g(7)水4o−水溶液を加え、撹拌を10
分間続は反応混合物が赤色から無色となるのを確認した
。次いで、反応混合物を水に移し、酢酸エチルで抽出し
1.有機層を飽和食塩水で洗浄し、乾燥(IVHI S
Oa ) L、濃縮して得られる粗生成物をエーテルで
希釈し、これに4N塩酸−酢酸エチル4−を加え、析出
した塩を枦取し、乾燥して、目的化合物の塩酸塩1.2
gを得た。
の製造 2−ニトロ−5−フェニルチオフェノール1.26(J
をTHF30mQ、水25IIl12及び濃アンモニア
水20−の混合液に溶解し、室温、撹拌下1cN828
20410g(7)水4o−水溶液を加え、撹拌を10
分間続は反応混合物が赤色から無色となるのを確認した
。次いで、反応混合物を水に移し、酢酸エチルで抽出し
1.有機層を飽和食塩水で洗浄し、乾燥(IVHI S
Oa ) L、濃縮して得られる粗生成物をエーテルで
希釈し、これに4N塩酸−酢酸エチル4−を加え、析出
した塩を枦取し、乾燥して、目的化合物の塩酸塩1.2
gを得た。
融点 190〜204℃(分解)
実施例2〜20
実施例1と同様にして、第3表に示す各化合物を得た。
実施例21
2−アミノ−5−(2−ヒドロキシメチルフェニルチオ
)フェノール[化合物21]の製造2−ニド0−5−
(2−エトキシ力ルポニルフ工二ルチオ)フェノール1
.6gのTHF 2 ona溶液を、LiAQH五0.
6gのエーテル60−溶液に、室温、撹拌下に滴下し、
次いで2時間反応混合物を同条件下に撹拌した。その後
、過剰のLiA12Htを含水エーテル、次いで水で分
解し、不溶物を?P別し、エーテルで洗い、得られた母
液に、Na2820410Of)水40mQ水溶液ヲ加
え、反応混合物が無色になるまで振盪し、有機層を水洗
し、乾燥(M(1804)L/、濃縮して得られる粗生
成物を、シリカゲルカラムクロマトグラフィー(ジクロ
ルメタン→ジクOルメタン:酢酸エチル−4:1)で精
製し、次に4N塩酸−酢酸エチル2−で処理して得られ
た結晶を、エタノール−エーテル混液で再結晶して、目
、的化合物の塩酸塩0.450を得た。
)フェノール[化合物21]の製造2−ニド0−5−
(2−エトキシ力ルポニルフ工二ルチオ)フェノール1
.6gのTHF 2 ona溶液を、LiAQH五0.
6gのエーテル60−溶液に、室温、撹拌下に滴下し、
次いで2時間反応混合物を同条件下に撹拌した。その後
、過剰のLiA12Htを含水エーテル、次いで水で分
解し、不溶物を?P別し、エーテルで洗い、得られた母
液に、Na2820410Of)水40mQ水溶液ヲ加
え、反応混合物が無色になるまで振盪し、有機層を水洗
し、乾燥(M(1804)L/、濃縮して得られる粗生
成物を、シリカゲルカラムクロマトグラフィー(ジクロ
ルメタン→ジクOルメタン:酢酸エチル−4:1)で精
製し、次に4N塩酸−酢酸エチル2−で処理して得られ
た結晶を、エタノール−エーテル混液で再結晶して、目
、的化合物の塩酸塩0.450を得た。
融点 85〜86℃
上記各実施例で得られた各々の化合物[化合物1〜21
]の構造及びそれらの物性を下記第3表に示す。
]の構造及びそれらの物性を下記第3表に示す。
第 3 表
実施例22
6−フェニルチオ−2−ペンゾオキサゾロン2−アミノ
−5−フェニルチオフェノール1g及び酢酸ナトリウム
0.8(lを酢酸エチル3([に懸濁し、室温、撹拌下
相クロロギ酸トリクロロメチル0.3mcの酢酸エチル
5−溶液を30分間を要して滴下し、その後、撹拌を4
0分間続け、更に反応混合物を10分間遠流した。反応
混合物を水に移し、酢酸エチルで抽出し、有機層を水洗
し、乾燥(MgS04)し、濃縮して得られる粗生成物
を、クロロホルム−メタノール−〇−ヘキサン混合溶媒
で再結晶して、目的化合物0.849を得た。
−5−フェニルチオフェノール1g及び酢酸ナトリウム
0.8(lを酢酸エチル3([に懸濁し、室温、撹拌下
相クロロギ酸トリクロロメチル0.3mcの酢酸エチル
5−溶液を30分間を要して滴下し、その後、撹拌を4
0分間続け、更に反応混合物を10分間遠流した。反応
混合物を水に移し、酢酸エチルで抽出し、有機層を水洗
し、乾燥(MgS04)し、濃縮して得られる粗生成物
を、クロロホルム−メタノール−〇−ヘキサン混合溶媒
で再結晶して、目的化合物0.849を得た。
融点 168.5〜169.5℃
実施例23〜25
実施例22と同様にして、化合物2.7及び22から、
下記第5表に示す各化合物を得た。尚、第5表には上記
実施例22で得た化合物も併記する。
下記第5表に示す各化合物を得た。尚、第5表には上記
実施例22で得た化合物も併記する。
第 5 表
Claims (1)
- (1)一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中R^1は置換基として低級アルキル基、ハロゲン
原子、カルボキシル基、低級アルコキシカルボニル基、
ヒドロキシ低級アルキル基、カルボキシ低級アルキル基
、低級アルコキシカルボニル低級アルキル基、基 ▲数式、化学式、表等があります▼(Zは低級アルキレ
ン基を示 す)、シクロアルキルカルバモイル基、低級アルコキシ
基及び低級アルキルカルボニルアミノ基から選ばれる基
を有することのあるフェニル基、フェニル低級アルキル
基、ピリジル基又は置換基として低級アルキル基を有す
るイミダゾリル基を示す。R^2及びR^3はそれぞれ
水素原子を示すか又は両者が結合して>C=O基を示す
。nは0、1又は2を示す。 但しR^2及びR^3が同時に水素原子で且つnが0の
場合、R^1は4位メチル基を有するフェニル基であっ
てはならない。〕 で表わされるアミノフェノール誘導体及びその塩。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP25739885 | 1985-11-15 | ||
JP60-257398 | 1985-11-15 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62201861A true JPS62201861A (ja) | 1987-09-05 |
JPH0529220B2 JPH0529220B2 (ja) | 1993-04-28 |
Family
ID=17305830
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61139895A Granted JPS62201861A (ja) | 1985-11-15 | 1986-06-16 | アミノフエノ−ル誘導体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62201861A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5467469A (en) * | 1989-08-28 | 1995-11-14 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Computer unit with a resume function |
-
1986
- 1986-06-16 JP JP61139895A patent/JPS62201861A/ja active Granted
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5467469A (en) * | 1989-08-28 | 1995-11-14 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Computer unit with a resume function |
US5539876A (en) * | 1989-08-28 | 1996-07-23 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Computer unit with a resume function |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0529220B2 (ja) | 1993-04-28 |
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