JPS62199661A - 半導体インナ−コ−ト用樹脂組成物 - Google Patents
半導体インナ−コ−ト用樹脂組成物Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は半導体チップの表面を保護するためのいわゆる
インナーコート用樹脂組成物に関する。
インナーコート用樹脂組成物に関する。
〈従来の技術〉
半導体のインナーコートとは半導体チップを樹脂で封止
加工する際および該樹脂の硬化の収縮応力による半導体
表面の損傷防止、あるいはボンディングワイヤーの接続
を保護するために、半導体チップ表面に予め保護層とし
てコーティングするものである。
加工する際および該樹脂の硬化の収縮応力による半導体
表面の損傷防止、あるいはボンディングワイヤーの接続
を保護するために、半導体チップ表面に予め保護層とし
てコーティングするものである。
第1図は半導体チップにインナーコートを施した半導体
装置の一例を示すものであシ、すなわちインナーコート
層1を有する半導体チップ2が半導体基板としてのリー
ドフレーム7a上にダイメンディング用接着層6にょシ
接着固定された状態を示す。3は上記チツf2上に形成
された電極5と他のリードフレーム7b、7eとを接続
したデンディングワイヤーで4は該デンディングワイヤ
ーの先端部であり、又、8は上記各構成要素の封止樹脂
である。
装置の一例を示すものであシ、すなわちインナーコート
層1を有する半導体チップ2が半導体基板としてのリー
ドフレーム7a上にダイメンディング用接着層6にょシ
接着固定された状態を示す。3は上記チツf2上に形成
された電極5と他のリードフレーム7b、7eとを接続
したデンディングワイヤーで4は該デンディングワイヤ
ーの先端部であり、又、8は上記各構成要素の封止樹脂
である。
半導体チップ上に樹脂をインナーコートするには通常、
ディスペンサーのごとき装置を使用し、細孔よシ定量さ
れた樹脂組成物を液滴としてチップ表面に自然落下させ
、チップ表面全域およびデンディングワイヤー先端部を
十分被覆するよう液滴を拡散後、硬化して被覆層を形成
するものである。
ディスペンサーのごとき装置を使用し、細孔よシ定量さ
れた樹脂組成物を液滴としてチップ表面に自然落下させ
、チップ表面全域およびデンディングワイヤー先端部を
十分被覆するよう液滴を拡散後、硬化して被覆層を形成
するものである。
従来のインナーコート用樹脂はシリコーン系のグルやゴ
ムが使用されてきた。こうしたシリコーン系のグルとし
ては付加反応架橋型オルガノシロキサングルが知られ、
またシリコーン系のゴムとしては付加反応架橋型オルガ
ノポリシロキサンゴムや縮合反応架橋型もしくは室温加
硫型オルガノポリシロキサンゴムが知られ、かつ使用さ
れているが、下記に述べるとおり大きな問題をいくつか
有するものであった。
ムが使用されてきた。こうしたシリコーン系のグルとし
ては付加反応架橋型オルガノシロキサングルが知られ、
またシリコーン系のゴムとしては付加反応架橋型オルガ
ノポリシロキサンゴムや縮合反応架橋型もしくは室温加
硫型オルガノポリシロキサンゴムが知られ、かつ使用さ
れているが、下記に述べるとおり大きな問題をいくつか
有するものであった。
第2図(イ)に半導体装置を構成するデンディングワイ
ヤーの先端部周辺の拡大断面図を、又、同図(ロ)にイ
ンナーコート層周辺の拡大断面図を示す。
ヤーの先端部周辺の拡大断面図を、又、同図(ロ)にイ
ンナーコート層周辺の拡大断面図を示す。
尚、デンディングワイヤーの先端部は電極への接着手段
によシ各種の形態があるが、本例では通常多用されてい
る第2図(イ)に示すごとき形状のゴールデンディング
ワイヤーを使用した場合について述べる。
によシ各種の形態があるが、本例では通常多用されてい
る第2図(イ)に示すごとき形状のゴールデンディング
ワイヤーを使用した場合について述べる。
半導体チップの表面にインナーコート層を設ける際もっ
とも注意を要するのは、過激な温度変化の繰bxしによ
り発生するデンディングワイヤーの切断(ワイヤーオー
プン)を防止するために、硬化後のインナーコート層1
がデンディングワイヤーの先端部4の側湾部Qの上方に
まで被覆するようにコーティングすることである。例え
ば第2図(ロ)で示すチップの幅2が7111、チップ
の表面からゲンディングワイヤー先端の側湾部Pまでの
寸法が40μmとすると、チップ表面からワイヤー先端
部で必要なインナーコート層の被覆点Qtでの塗布厚は
約100μmを要する。この場合、被覆点Qまでの所望
の塗布厚を得るために従来のインナーコート用樹脂を使
用すると、インナーコート層中央部の最大塗布厚Xは5
00〜600μmにも到達する。一方、最近の半導体チ
ップの大型化、および実装密度の向上、ICカード等の
出現による封止樹脂の薄型化の技術指向によυ、インナ
ーコート層の最大塗布厚Xは極力薄くしなければならな
い状況にある。
とも注意を要するのは、過激な温度変化の繰bxしによ
り発生するデンディングワイヤーの切断(ワイヤーオー
プン)を防止するために、硬化後のインナーコート層1
がデンディングワイヤーの先端部4の側湾部Qの上方に
まで被覆するようにコーティングすることである。例え
ば第2図(ロ)で示すチップの幅2が7111、チップ
の表面からゲンディングワイヤー先端の側湾部Pまでの
寸法が40μmとすると、チップ表面からワイヤー先端
部で必要なインナーコート層の被覆点Qtでの塗布厚は
約100μmを要する。この場合、被覆点Qまでの所望
の塗布厚を得るために従来のインナーコート用樹脂を使
用すると、インナーコート層中央部の最大塗布厚Xは5
00〜600μmにも到達する。一方、最近の半導体チ
ップの大型化、および実装密度の向上、ICカード等の
出現による封止樹脂の薄型化の技術指向によυ、インナ
ーコート層の最大塗布厚Xは極力薄くしなければならな
い状況にある。
然るに従来のインナーコート用樹脂では、塗布厚Xが厚
すぎるためにインナーコート層最上端部に位置する狭部
封止樹脂領埴Yが薄くなシすぎ、従ってYの機械的強度
が低下し、過激な温度サイクルの繰シ返しにより半導体
封止樹脂にクラックを生ずるという半導体装置として致
命的な問題を生ずるものであった。又、従来のインナー
コート用樹脂はその粘性が不適当であるため、コーティ
ングに際し半導体チップ表面に液滴としてドロラグした
後の拡散性が不良でチップ表面のわずかな溝や凹凸やデ
ンディングワイヤー周辺部への均一な塗工がむずかしい
。
すぎるためにインナーコート層最上端部に位置する狭部
封止樹脂領埴Yが薄くなシすぎ、従ってYの機械的強度
が低下し、過激な温度サイクルの繰シ返しにより半導体
封止樹脂にクラックを生ずるという半導体装置として致
命的な問題を生ずるものであった。又、従来のインナー
コート用樹脂はその粘性が不適当であるため、コーティ
ングに際し半導体チップ表面に液滴としてドロラグした
後の拡散性が不良でチップ表面のわずかな溝や凹凸やデ
ンディングワイヤー周辺部への均一な塗工がむずかしい
。
さらに又、従来のインナーコート用樹脂は金ワイヤーか
らなるゼンディングワイヤー表面との親和性が不良のた
めワイヤーオープンを生シやスイ問題をも有するもので
あった。
らなるゼンディングワイヤー表面との親和性が不良のた
めワイヤーオープンを生シやスイ問題をも有するもので
あった。
〈発明が解決しようとする問題点〉
本発明は上記の事情に鑑みてなされたものであり、とく
に均一で薄膜のインナーコート層を形成し、しかも過酷
なヒートサイクルの条件下でもワイヤーオープンのない
インナーコート用樹脂組成物を提供するものである。
に均一で薄膜のインナーコート層を形成し、しかも過酷
なヒートサイクルの条件下でもワイヤーオープンのない
インナーコート用樹脂組成物を提供するものである。
く問題点を解決するための手段〉
即ち、本発明の組成物は
1A) 一般式、
Me Me RMe
〔式中、■はビニル基、 Meはメチル基、phはフェ
ニル基、Rはメチル基またはフェニル基を示す〕で表さ
れるビニル基含有ポリシロキサン100重量部、 (B) 一般式、 Me Me MeMe 〔式中、 Meはメチル基を示す〕で表される、珪素原
子に結合した水素1子を含有する/ IJシロキサン1
〜35重量部、 (Q 一般式、 R5t(OR2)3 〔式中、R1は低級アルクニル基、R2は低級アルキル
基、又は一般式、R(OCI(2CM2)j(Rはメチ
ル基又はエチル基、jは1又は2)で示される基〕で表
されるアルケニル基含有シラン化合物、上記(A)及び
(8)の合計量に対して0.01〜2.0重量部、 CD) 白金系付加反応触媒 よりなる組成物でありて、(A)のポリシロキサンが0
.01〜0.2のz/(k+z)値と温度25℃におけ
る粘度100〜800Cpsを有し、(B)のポリシミ
キサ/が0.05〜0.3のn/(m+n)値と温度2
5℃における粘度2〜500 cpsを有する事を特徴
とするものである。
ニル基、Rはメチル基またはフェニル基を示す〕で表さ
れるビニル基含有ポリシロキサン100重量部、 (B) 一般式、 Me Me MeMe 〔式中、 Meはメチル基を示す〕で表される、珪素原
子に結合した水素1子を含有する/ IJシロキサン1
〜35重量部、 (Q 一般式、 R5t(OR2)3 〔式中、R1は低級アルクニル基、R2は低級アルキル
基、又は一般式、R(OCI(2CM2)j(Rはメチ
ル基又はエチル基、jは1又は2)で示される基〕で表
されるアルケニル基含有シラン化合物、上記(A)及び
(8)の合計量に対して0.01〜2.0重量部、 CD) 白金系付加反応触媒 よりなる組成物でありて、(A)のポリシロキサンが0
.01〜0.2のz/(k+z)値と温度25℃におけ
る粘度100〜800Cpsを有し、(B)のポリシミ
キサ/が0.05〜0.3のn/(m+n)値と温度2
5℃における粘度2〜500 cpsを有する事を特徴
とするものである。
以下、本発明の構成を更に詳しく説明する。成分(A)
のビニル基含有ポリシロキサンは両末端のみに81原子
に結合し九ビニル基を有する直鎖状のポリシロキサンで
あって、該ポリシロキサンにおける(PhR3IO)単
位(Rはメチル基又はフェニル基を示す)のモル数tの
、(Me 2 S i O)単位のモルfiKと前記t
との合計値に対する比率が0.01−0.2であシ又温
度25℃における粘度100〜800 cpsを有する
ものでなければならない。この成分(4)の主鎖の部分
を(Me 2 S i O)単位と(pbassO)単
位との共重合体とする目的は、フェニル基の導入によっ
て、本発明の組成物を使用したインナーコート層の耐熱
性を向上させることにある。従って、(PhR8to)
単位中のRはフェニル基であることがよシ好ましい。ま
た、このt/Ck+1 ”)値は0.01より小さい範
囲では目的とする耐熱性が得られず、0.2を越える範
囲では耐熱性では問題ないものの成分(B)の8%原子
に結合した水素原子を含有する。31’ IJシロキサ
ンとの相溶性に問題が生じ、前記インナーコート層が白
濁するに至る。そして、このt/Ck+t’)値の好ま
しい範囲は0.03〜0.15である。また、温度25
℃における粘度が100 cpsよシ小さい範囲では半
導体チップ表面への拡散が速過ぎる結果、インナーコー
ト層があまシにも薄くなシ過ぎメンディングワイヤー周
辺部を十分に被覆できなかったシ、チップ表面から流れ
落ちてしまうなどの欠点があシ、逆に該粘度が800
cpsを越える範囲では半導体チップ表面への拡散性が
不良となるため、目的とする薄膜のインナーコート層が
得られず又メンディングワイヤー周辺部への均一な塗工
も難しくなる。
のビニル基含有ポリシロキサンは両末端のみに81原子
に結合し九ビニル基を有する直鎖状のポリシロキサンで
あって、該ポリシロキサンにおける(PhR3IO)単
位(Rはメチル基又はフェニル基を示す)のモル数tの
、(Me 2 S i O)単位のモルfiKと前記t
との合計値に対する比率が0.01−0.2であシ又温
度25℃における粘度100〜800 cpsを有する
ものでなければならない。この成分(4)の主鎖の部分
を(Me 2 S i O)単位と(pbassO)単
位との共重合体とする目的は、フェニル基の導入によっ
て、本発明の組成物を使用したインナーコート層の耐熱
性を向上させることにある。従って、(PhR8to)
単位中のRはフェニル基であることがよシ好ましい。ま
た、このt/Ck+1 ”)値は0.01より小さい範
囲では目的とする耐熱性が得られず、0.2を越える範
囲では耐熱性では問題ないものの成分(B)の8%原子
に結合した水素原子を含有する。31’ IJシロキサ
ンとの相溶性に問題が生じ、前記インナーコート層が白
濁するに至る。そして、このt/Ck+t’)値の好ま
しい範囲は0.03〜0.15である。また、温度25
℃における粘度が100 cpsよシ小さい範囲では半
導体チップ表面への拡散が速過ぎる結果、インナーコー
ト層があまシにも薄くなシ過ぎメンディングワイヤー周
辺部を十分に被覆できなかったシ、チップ表面から流れ
落ちてしまうなどの欠点があシ、逆に該粘度が800
cpsを越える範囲では半導体チップ表面への拡散性が
不良となるため、目的とする薄膜のインナーコート層が
得られず又メンディングワイヤー周辺部への均一な塗工
も難しくなる。
次に、成分(B)の珪素原子に結合した水素原子を含有
するポリシロキサンは、両末端及び側鎖に81原子に結
合した水素原子を含有する直鎖状のポリシロキサンであ
って、主剤である成分囚のビニル基含有ポリシロキサン
に対し、そのビニル基に対するSし1の付加反応即ちい
わゆるヒドロシリル化反応による硬化剤として作用する
ものである。
するポリシロキサンは、両末端及び側鎖に81原子に結
合した水素原子を含有する直鎖状のポリシロキサンであ
って、主剤である成分囚のビニル基含有ポリシロキサン
に対し、そのビニル基に対するSし1の付加反応即ちい
わゆるヒドロシリル化反応による硬化剤として作用する
ものである。
そしてこのポリシロキサンは一般式(B) Kおける(
Me)ISiO)単位のモル数nの、(Me2810)
単位のモル数mと前記nとの合計値に対する比率が0.
05〜0.3であシ又温度25℃における粘度2〜50
0epfiを有するものでなければならず、その使用量
は成分(8)100重量部に対して1〜35重量部であ
る。前記n/(m+n)値が0.05より小さい範囲で
は硬化不十分となる可能性が大きく0.3を越える範囲
では過度の硬化反応によシやや柔軟性に欠ける腰になシ
易い。このn/(m十n)値が前記範囲の限界を少々外
れた値でおっても、成分(4)及び0)それぞれの粘度
或は囚に対する(B)の使用割合を変動させる事によっ
て好ましい硬化状態に調整出来るものではあるが、その
好ましい範囲は0.1〜0.2で6る。また温度25℃
における粘度が2apsより低い範囲では組成物の初期
粘度を好ましい値に調整しづらいだけでなく該ポリシロ
キサンの分子量が小さいことに基づく硬化状態の不具合
を招くことになる。逆に該粘度が500 cpsを越え
る範囲でもt次組放物の初期粘度を好ましい値に調整し
づらいという問題点が存在する。該粘度の好ましい範囲
は5〜150 cpsである。そして該ポリシロキサン
の使用量が成分(A) 1o o重量部に対して1重量
部より少ない範囲では硬化不十分のインナーコート層に
なシ易く、該使用量が35重量部を越える範囲では反応
性に富む5L−Hが未反応のまtiり易くその結果硬化
後の膜の安定性及び電気的緒特性に悪影響が現れる。
Me)ISiO)単位のモル数nの、(Me2810)
単位のモル数mと前記nとの合計値に対する比率が0.
05〜0.3であシ又温度25℃における粘度2〜50
0epfiを有するものでなければならず、その使用量
は成分(8)100重量部に対して1〜35重量部であ
る。前記n/(m+n)値が0.05より小さい範囲で
は硬化不十分となる可能性が大きく0.3を越える範囲
では過度の硬化反応によシやや柔軟性に欠ける腰になシ
易い。このn/(m十n)値が前記範囲の限界を少々外
れた値でおっても、成分(4)及び0)それぞれの粘度
或は囚に対する(B)の使用割合を変動させる事によっ
て好ましい硬化状態に調整出来るものではあるが、その
好ましい範囲は0.1〜0.2で6る。また温度25℃
における粘度が2apsより低い範囲では組成物の初期
粘度を好ましい値に調整しづらいだけでなく該ポリシロ
キサンの分子量が小さいことに基づく硬化状態の不具合
を招くことになる。逆に該粘度が500 cpsを越え
る範囲でもt次組放物の初期粘度を好ましい値に調整し
づらいという問題点が存在する。該粘度の好ましい範囲
は5〜150 cpsである。そして該ポリシロキサン
の使用量が成分(A) 1o o重量部に対して1重量
部より少ない範囲では硬化不十分のインナーコート層に
なシ易く、該使用量が35重量部を越える範囲では反応
性に富む5L−Hが未反応のまtiり易くその結果硬化
後の膜の安定性及び電気的緒特性に悪影響が現れる。
尚、これら成分(A)及び(B)のポリシロキサンは一
般的に良く知られた方法で製造することができる。例え
ば、(A)のビニル基含有ポリシロキサンの場合は、末
端停止剤としてのジピニルテトラメチルジシロキサンの
存在下、ヘキサメチルシフo)ジシロキサンもしくはオ
クタメチルシクロテトラシロキサンと、ヘキサフェニル
シクロトリシロキサンもしくハトリノチルトリフェニル
シクロシロキサンとを、硫酸、塩酸、活性白土等の酸触
媒、或は水酸化リチウム、水酸化カリウム、水酸化セシ
ウム、水酸化テトラメチルアンモニウム、リチウムシラ
ル−ト、カリウムシラル−ト、リチウムフェノキサイド
等のアルカリ触媒を用いて平衡化させ友後、常法によシ
触媒を除去し、減圧下に加熱することによシ低分子量の
ポリシロキサンを除去して精製する。又(B)の珪素結
合水素基を有するポリシロキサンの場合は、末端停止剤
としてテトラメチルジシロキサンを用い、フェニル基含
有環状ポリシロキサンに替えてテトラメチルシクロテト
ラシロキサンを用いることによシ、上記(A)の場合と
同様な操作で製造することができる。尚上記それぞれの
場合において、原料の使用割合を調整することによセ、
粘度及びフェニル基或は珪素結合水素基の含有量を所望
の値に調整できることも公知のことである。
般的に良く知られた方法で製造することができる。例え
ば、(A)のビニル基含有ポリシロキサンの場合は、末
端停止剤としてのジピニルテトラメチルジシロキサンの
存在下、ヘキサメチルシフo)ジシロキサンもしくはオ
クタメチルシクロテトラシロキサンと、ヘキサフェニル
シクロトリシロキサンもしくハトリノチルトリフェニル
シクロシロキサンとを、硫酸、塩酸、活性白土等の酸触
媒、或は水酸化リチウム、水酸化カリウム、水酸化セシ
ウム、水酸化テトラメチルアンモニウム、リチウムシラ
ル−ト、カリウムシラル−ト、リチウムフェノキサイド
等のアルカリ触媒を用いて平衡化させ友後、常法によシ
触媒を除去し、減圧下に加熱することによシ低分子量の
ポリシロキサンを除去して精製する。又(B)の珪素結
合水素基を有するポリシロキサンの場合は、末端停止剤
としてテトラメチルジシロキサンを用い、フェニル基含
有環状ポリシロキサンに替えてテトラメチルシクロテト
ラシロキサンを用いることによシ、上記(A)の場合と
同様な操作で製造することができる。尚上記それぞれの
場合において、原料の使用割合を調整することによセ、
粘度及びフェニル基或は珪素結合水素基の含有量を所望
の値に調整できることも公知のことである。
ff分(C)fl一般式R’5i(OR2)、 ?表さ
れルシラン化合物であって、R1は低級アルケニル基、
R2は低級アルキル基、又は一般式、R3(OCH2C
H2) j(R5はメチル基又はエチル基、jFil又
は2)で示される基」を示すもので6D、半導体チップ
への密着性向上の目的をもりて成分(A)と成分(B)
との合計量に対して0.01〜2.0重量%を使用する
。Rの例としてはビニル基、アリル基、l−グロペニル
基或はイソプロペニル基等が挙げられ、この内特にビニ
ル基が好ましい。又Rとしてはメチル基、エチル基、プ
ロピル基、イソブチル基、ブチル基、イソブチル基、あ
るいはメトキシエチレン基、エトキシエチレン基 2
+ C2−メトキシエトキシ)エチレン基、2−(2−
エトキシエトキシ)エチレン基等が例示される。該シラ
ン化合物の使用量が成分(A)と成分(B)との合計量
に対し0.01重量%よシ少ない範囲では前記密着性の
向上が十分でなく、2.0重量%を越えて使用しても密
着性が格段に向上するわけではないうえ、反応性に富む
5lOR2基が増加して硬化後の膜の安定性或は電気的
緒特性に悪影醤を与える等不利な結果を招くことになる
。該シラン化合物の使用量の好ましい範囲は(A)及び
(B)の合計量に対して0.05〜1.0重量%である
。
れルシラン化合物であって、R1は低級アルケニル基、
R2は低級アルキル基、又は一般式、R3(OCH2C
H2) j(R5はメチル基又はエチル基、jFil又
は2)で示される基」を示すもので6D、半導体チップ
への密着性向上の目的をもりて成分(A)と成分(B)
との合計量に対して0.01〜2.0重量%を使用する
。Rの例としてはビニル基、アリル基、l−グロペニル
基或はイソプロペニル基等が挙げられ、この内特にビニ
ル基が好ましい。又Rとしてはメチル基、エチル基、プ
ロピル基、イソブチル基、ブチル基、イソブチル基、あ
るいはメトキシエチレン基、エトキシエチレン基 2
+ C2−メトキシエトキシ)エチレン基、2−(2−
エトキシエトキシ)エチレン基等が例示される。該シラ
ン化合物の使用量が成分(A)と成分(B)との合計量
に対し0.01重量%よシ少ない範囲では前記密着性の
向上が十分でなく、2.0重量%を越えて使用しても密
着性が格段に向上するわけではないうえ、反応性に富む
5lOR2基が増加して硬化後の膜の安定性或は電気的
緒特性に悪影醤を与える等不利な結果を招くことになる
。該シラン化合物の使用量の好ましい範囲は(A)及び
(B)の合計量に対して0.05〜1.0重量%である
。
成分(D)の白金系付加反応触媒は、ビニル基と珪素結
合水素との付加反応触媒として有効な公知の白金触媒を
全て包含する者でアシ、塩化白金酸、塩化白金酸とオレ
フィン或はビニル基含有ポリシロキサン等の錯化合物、
白金配位化合物等を代表例として挙げることができる。
合水素との付加反応触媒として有効な公知の白金触媒を
全て包含する者でアシ、塩化白金酸、塩化白金酸とオレ
フィン或はビニル基含有ポリシロキサン等の錯化合物、
白金配位化合物等を代表例として挙げることができる。
そして、該付加反応触媒の使用量は、温度条件との関係
下に硬化速度に影響を与えるだけであり特に限定する必
要はないが、実用的には(A)及び(B)の合計量に対
して2〜6 ppmの白金原子を与える量が好ましい。
下に硬化速度に影響を与えるだけであり特に限定する必
要はないが、実用的には(A)及び(B)の合計量に対
して2〜6 ppmの白金原子を与える量が好ましい。
又この際、付加反応触媒である白金を配位させて。
一時的に触媒能を失活させる能力を有する化合物即ち付
加反応遅延剤として知られる公知の化合物を併用しても
何等差し支えない。尚、本発明の組成物に無機充填剤或
は耐熱安定剤等を添加することも、半導体インナーコー
トとして要求される諸物件に影響を与えない限JICお
いて許される。
加反応遅延剤として知られる公知の化合物を併用しても
何等差し支えない。尚、本発明の組成物に無機充填剤或
は耐熱安定剤等を添加することも、半導体インナーコー
トとして要求される諸物件に影響を与えない限JICお
いて許される。
なお、上記各成分を混合して組成物となす際には全ての
配合成分を一度に混合しても構わ彦いが、各成分を28
1I類のグループに分けて予め混合したものを用いる2
液タイプの混合法が実用的であシまた一般的でもある。
配合成分を一度に混合しても構わ彦いが、各成分を28
1I類のグループに分けて予め混合したものを用いる2
液タイプの混合法が実用的であシまた一般的でもある。
この際、成分(B)の珪素結合水素含有ポリシロキサン
には、珪素結合水素の高い反応性のため成分(A)のビ
ニル基含有ポリシロキサン以外の成分は予め混合してお
くことができず、成分(C)の低級アルケニル基含有シ
ラン化合物、成分(D)の白金系付加反応触媒、更には
必要に応じて付加反応遅延剤、無機充填剤或は耐熱安定
剤等は成分(A)のビニル基含有ポリシロキサンに予め
混合して使用される。
には、珪素結合水素の高い反応性のため成分(A)のビ
ニル基含有ポリシロキサン以外の成分は予め混合してお
くことができず、成分(C)の低級アルケニル基含有シ
ラン化合物、成分(D)の白金系付加反応触媒、更には
必要に応じて付加反応遅延剤、無機充填剤或は耐熱安定
剤等は成分(A)のビニル基含有ポリシロキサンに予め
混合して使用される。
以下、本発明を実施例により説明するが、これらは説明
のためのものに過ぎず本発明を制限するものではない。
のためのものに過ぎず本発明を制限するものではない。
以下特に断らない限シ実施例および比較例中で部及び係
とあるのは重量部及び重量部を示し、また粘度は25℃
におt↑る値を示す。
とあるのは重量部及び重量部を示し、また粘度は25℃
におt↑る値を示す。
実施例1
(Ph2310 )単位のモル数tの(M・2SIO)
単位のモル数にと前記りとの合計値に対する比率が0.
06であり粘度360 cpsである、両末端にビニル
基を有する直鎖状ポリシロキサンに、0.4%のビニル
トリス(2−メトキシエトキシ)シラン、及び白金原子
に換算して4 ppmに相当する量のメチルビニル環状
ポリシロキサンの塩化白金酸錯体を添加して調製した混
合液100部と、 (M@H8l0)単位のモル数nの
(M・2sio)単位のモル数mと前記nとの合計値に
対する比率が0.04でアり粘度g 7 cpsである
、両末端に珪素結合水素を有する直鎖状ポリシロキサン
と前記ビニル基含有ポリシロキサンとをlO:1の割合
で配合した混合液18部を混合してインナーコート用樹
脂組成物を得た。該組成物の中のビニル基含有ポリシロ
キサンと珪素結合水素含有/ IJシロキサンとの比率
は100:16.1.ビニルトリス(2−メトキシエト
キシ)7ランの使用量はビニル基含有ポリシロキサンと
珪素結合水素含有ポリシロキサンの合計量に対して0.
34チ、tた白金触媒の使用量は前記両ポリシロキサン
の合計量に対し白金原子換算3、4 ppmと計算され
る。以上のようにして調製した組成物を、混合後直ちに
脱泡処理を施した後、ディスペンサーを用いて4.5
X 7.4 m/m四方の256にピッ) CMO8W
RAS素子からなる半導体チップ表面に自然落下拡散
させ、150℃で3時間加熱硬化しインナーコート層を
形成し念。その結果、第2図←)で示したインナーコー
ト層中央部の最大塗布厚Xは230μmであった。なお
、この場合、液滴としてドロップした本発明の樹脂組成
物の拡散性はきわめて良好であり、インナーコート層は
素子表面およびがンデイングワイヤーに均一に密着して
、いた。然るのちエポキシ樹脂組成物を用いてに2図(
ロ)でいうX+Yが700μmになるよう半導体チップ
を封止した。
単位のモル数にと前記りとの合計値に対する比率が0.
06であり粘度360 cpsである、両末端にビニル
基を有する直鎖状ポリシロキサンに、0.4%のビニル
トリス(2−メトキシエトキシ)シラン、及び白金原子
に換算して4 ppmに相当する量のメチルビニル環状
ポリシロキサンの塩化白金酸錯体を添加して調製した混
合液100部と、 (M@H8l0)単位のモル数nの
(M・2sio)単位のモル数mと前記nとの合計値に
対する比率が0.04でアり粘度g 7 cpsである
、両末端に珪素結合水素を有する直鎖状ポリシロキサン
と前記ビニル基含有ポリシロキサンとをlO:1の割合
で配合した混合液18部を混合してインナーコート用樹
脂組成物を得た。該組成物の中のビニル基含有ポリシロ
キサンと珪素結合水素含有/ IJシロキサンとの比率
は100:16.1.ビニルトリス(2−メトキシエト
キシ)7ランの使用量はビニル基含有ポリシロキサンと
珪素結合水素含有ポリシロキサンの合計量に対して0.
34チ、tた白金触媒の使用量は前記両ポリシロキサン
の合計量に対し白金原子換算3、4 ppmと計算され
る。以上のようにして調製した組成物を、混合後直ちに
脱泡処理を施した後、ディスペンサーを用いて4.5
X 7.4 m/m四方の256にピッ) CMO8W
RAS素子からなる半導体チップ表面に自然落下拡散
させ、150℃で3時間加熱硬化しインナーコート層を
形成し念。その結果、第2図←)で示したインナーコー
ト層中央部の最大塗布厚Xは230μmであった。なお
、この場合、液滴としてドロップした本発明の樹脂組成
物の拡散性はきわめて良好であり、インナーコート層は
素子表面およびがンデイングワイヤーに均一に密着して
、いた。然るのちエポキシ樹脂組成物を用いてに2図(
ロ)でいうX+Yが700μmになるよう半導体チップ
を封止した。
本発明のインナーコート用樹脂組成物で被覆後エポキシ
樹脂封止された半導体チップをMII、−8TD−88
3B (日本電子機械工業会線)の試験番号1010.
2に規定された試験条件Cにより200サイクルの温度
サイクル試験に供したところ、ゴンディ/グワイヤーの
断線もなく、又、インナーコート層最上部に位置する狭
部封止樹脂領域Yの厚さが470μmとbう十分な厚さ
を保持して込るのでこの部分での封止樹脂のクラック等
破損を生ずることがなかりた。
樹脂封止された半導体チップをMII、−8TD−88
3B (日本電子機械工業会線)の試験番号1010.
2に規定された試験条件Cにより200サイクルの温度
サイクル試験に供したところ、ゴンディ/グワイヤーの
断線もなく、又、インナーコート層最上部に位置する狭
部封止樹脂領域Yの厚さが470μmとbう十分な厚さ
を保持して込るのでこの部分での封止樹脂のクラック等
破損を生ずることがなかりた。
さらに本発明により得られた半導体装置の耐湿性をみる
ために121℃2 atm、の条件で500時間のプレ
ッシャークツカー試験をおこなったところ半導体のノク
ツド及び回路部の腐食はみられず実用上きわめて高い信
頼性を有することが確認された。
ために121℃2 atm、の条件で500時間のプレ
ッシャークツカー試験をおこなったところ半導体のノク
ツド及び回路部の腐食はみられず実用上きわめて高い信
頼性を有することが確認された。
実施例2
(ph2sto)単位のモル数りの(Me2810)単
位のモル数にと前記tとの合計値に対する比率が0.0
6であり粘度360 cpsである、両末端にビニル基
を有する直鎖状ポリシロキサンに、0.4%のビニルト
リス(2−メトキシエトキシ)シラン、及び白金原子に
換算して4ppmに相当する童のメチルビニル環状ポリ
シロキサンの塩化白金酸錯体を添加して調製し九混合液
100部と、(M@H81O)単位のモル数nの(M6
2StO)単位のモル数mと前記nとの合計値に対する
比率が0.04であり粘度88cpsである、両末端に
珪素結合水素を有する直鎖状ポリシロキサンと前記ビニ
ル基含有ポリシロキサンとを10:1.5の割合で配合
した混合液18部を混合してインナーコート用樹脂組成
物を得た。
位のモル数にと前記tとの合計値に対する比率が0.0
6であり粘度360 cpsである、両末端にビニル基
を有する直鎖状ポリシロキサンに、0.4%のビニルト
リス(2−メトキシエトキシ)シラン、及び白金原子に
換算して4ppmに相当する童のメチルビニル環状ポリ
シロキサンの塩化白金酸錯体を添加して調製し九混合液
100部と、(M@H81O)単位のモル数nの(M6
2StO)単位のモル数mと前記nとの合計値に対する
比率が0.04であり粘度88cpsである、両末端に
珪素結合水素を有する直鎖状ポリシロキサンと前記ビニ
ル基含有ポリシロキサンとを10:1.5の割合で配合
した混合液18部を混合してインナーコート用樹脂組成
物を得た。
該樹脂組成物中のビニル基含有/ +3シロキサンと珪
素結合水素含有/ IJシロキサンとの比率は100:
15.3、ビニルトリス(2−メトキシエトキシ)シラ
ンの使用量はビニル基含有ポリシロキサンと珪素結合水
素含有ポリシロキサンの合計量に対して0.341また
白金触媒の使用量は前記両ポリシロキサンの合計量に対
し白金原子換算3.4 ppmと計算される。以上のよ
うにしてm製した組成物を、混合後直ちに脱泡処理を施
した後、ディスペンサーを用いて4.5 X 7.4
m/m四方の256にピッ) CMO8型RAM素子か
らなる半導体チップ表面に自然落下拡散させ、150℃
で3時間加熱硬化し最大塗布厚Xが230μmのインナ
ーコート層を形成した。この場合液滴としてドロップし
た本発明の樹脂組成物の拡散性はきわめて良好であり、
インナーコート層は素子表面およびボンディングワイヤ
ーに均一に密着していた。然るのち工Iキシ樹脂組成物
を用いて第2図仲)でいうX+Yが700μmになるよ
う半導体チップを封止した。
素結合水素含有/ IJシロキサンとの比率は100:
15.3、ビニルトリス(2−メトキシエトキシ)シラ
ンの使用量はビニル基含有ポリシロキサンと珪素結合水
素含有ポリシロキサンの合計量に対して0.341また
白金触媒の使用量は前記両ポリシロキサンの合計量に対
し白金原子換算3.4 ppmと計算される。以上のよ
うにしてm製した組成物を、混合後直ちに脱泡処理を施
した後、ディスペンサーを用いて4.5 X 7.4
m/m四方の256にピッ) CMO8型RAM素子か
らなる半導体チップ表面に自然落下拡散させ、150℃
で3時間加熱硬化し最大塗布厚Xが230μmのインナ
ーコート層を形成した。この場合液滴としてドロップし
た本発明の樹脂組成物の拡散性はきわめて良好であり、
インナーコート層は素子表面およびボンディングワイヤ
ーに均一に密着していた。然るのち工Iキシ樹脂組成物
を用いて第2図仲)でいうX+Yが700μmになるよ
う半導体チップを封止した。
本発明のインナーコート用樹脂組成物で被覆後エポキシ
樹脂封止された半導体チップについて実施例1と同様和
して評価試験をおこなったところ封止樹脂の破損等生ず
ることなく実用上きわめて高い信頼性を有するものであ
った。
樹脂封止された半導体チップについて実施例1と同様和
して評価試験をおこなったところ封止樹脂の破損等生ず
ることなく実用上きわめて高い信頼性を有するものであ
った。
実施例3
(ph2slo)単位のモル数tの(M・2SIO)単
位のモル数にと前記tとの合計値に対する比率が0.0
6であシ粘度410 cpsである、両末端にビニル基
を有する直鎖状ポリシロキサンに、0.4%のビニルト
リス(2−メト牛シェド中シ)シラン、及ヒ白金原子に
換算して4 ppmに相当する量のメチルビニル環状4
yシロキサンの塩化白金酸錯体を添加して調製した混合
液100部と、(MeH81O)単位のモル数nの(M
e z 8.10)単位のモル数mと前記nとの合計値
に対する比率が0.04であシ粘度90 aptである
、両末端に珪素結合水素を有する直鎖状ポリシロキサン
と前記ピ、ニル基含有ポリシロ中サンとilO:1.2
の割合で配合した混合液18部を混合してインナーコー
ト用樹脂組成物を得た。該樹脂組成物中のビニル基含有
/ IJシロ千サンと珪素結合水素含有ポリシロ中サン
との比率は100:15.8.ビニルトリス(2−メト
午ジェトキシ)シランの使用量はビニル基含有ポリシロ
キサンと珪素結合水素含有ポリシロ:?テンの合計量に
対して0.34%、また白金触媒の使用量は前記両ポリ
シロキサンの合計量に対し白金原子換算3.4 ppm
と計算される。以上のようにして調製した組成物を、混
合後直ちに脱泡処理を施した後、ディスペアf−を用い
て4.5 X 7.4 ntm四方の256にビットC
MO8型RAM素子からなる半導体テップ表面に自然落
下拡散させ、150℃で3時間加熱硬化することによシ
最大塗布厚Xが260μmのインナ゛ −コート層を
得た。この場合液滴としてドロ、プした本発明の樹脂組
成物の拡散性はきわめて良好であシ、インナーコート層
は素子表面およびIンディングワイヤーに均一に密着し
ていた。然るのちエポキシ樹脂組成物を用いて第2図(
ロ)でいうX+Yが700μmになるよう半導体テップ
を封止した。
位のモル数にと前記tとの合計値に対する比率が0.0
6であシ粘度410 cpsである、両末端にビニル基
を有する直鎖状ポリシロキサンに、0.4%のビニルト
リス(2−メト牛シェド中シ)シラン、及ヒ白金原子に
換算して4 ppmに相当する量のメチルビニル環状4
yシロキサンの塩化白金酸錯体を添加して調製した混合
液100部と、(MeH81O)単位のモル数nの(M
e z 8.10)単位のモル数mと前記nとの合計値
に対する比率が0.04であシ粘度90 aptである
、両末端に珪素結合水素を有する直鎖状ポリシロキサン
と前記ピ、ニル基含有ポリシロ中サンとilO:1.2
の割合で配合した混合液18部を混合してインナーコー
ト用樹脂組成物を得た。該樹脂組成物中のビニル基含有
/ IJシロ千サンと珪素結合水素含有ポリシロ中サン
との比率は100:15.8.ビニルトリス(2−メト
午ジェトキシ)シランの使用量はビニル基含有ポリシロ
キサンと珪素結合水素含有ポリシロ:?テンの合計量に
対して0.34%、また白金触媒の使用量は前記両ポリ
シロキサンの合計量に対し白金原子換算3.4 ppm
と計算される。以上のようにして調製した組成物を、混
合後直ちに脱泡処理を施した後、ディスペアf−を用い
て4.5 X 7.4 ntm四方の256にビットC
MO8型RAM素子からなる半導体テップ表面に自然落
下拡散させ、150℃で3時間加熱硬化することによシ
最大塗布厚Xが260μmのインナ゛ −コート層を
得た。この場合液滴としてドロ、プした本発明の樹脂組
成物の拡散性はきわめて良好であシ、インナーコート層
は素子表面およびIンディングワイヤーに均一に密着し
ていた。然るのちエポキシ樹脂組成物を用いて第2図(
ロ)でいうX+Yが700μmになるよう半導体テップ
を封止した。
本発明のインナーコート用樹脂組成物で被覆後エポキシ
樹脂封止された半導体チップについて実施例1と同様に
して評価試験をおこなったところ封止樹脂の破損等生ず
ることなく実用上きわめて高い信頼性を有するものであ
った。
樹脂封止された半導体チップについて実施例1と同様に
して評価試験をおこなったところ封止樹脂の破損等生ず
ることなく実用上きわめて高い信頼性を有するものであ
った。
比較例
両末端にビニル基を含有する粘度2200 cpsの市
販の直鎖状ポリシロキサンと両末端に珪素結合水素を有
する粘度660 cpsの直鎖状ポリシロキサンとが1
0二1となるよう配合され、かつビニルトリス(2−メ
トキシエト中シ)シランの使用量がビニル基含有−リシ
ロキサンと珪素結合水素含有ポリシロキサンの合計量に
対して0.34%、また白金触媒の使用量が前記両Iリ
シロ千サンの合計量に対し白金原子換算3.4 ppm
になるよう調製された2 000 cpsの粘度を有す
る比較用の半導体インナーコート用樹脂組成物を使用し
て実施例1の要領にて半導体チップ上にインナーコート
層を形成した。
販の直鎖状ポリシロキサンと両末端に珪素結合水素を有
する粘度660 cpsの直鎖状ポリシロキサンとが1
0二1となるよう配合され、かつビニルトリス(2−メ
トキシエト中シ)シランの使用量がビニル基含有−リシ
ロキサンと珪素結合水素含有ポリシロキサンの合計量に
対して0.34%、また白金触媒の使用量が前記両Iリ
シロ千サンの合計量に対し白金原子換算3.4 ppm
になるよう調製された2 000 cpsの粘度を有す
る比較用の半導体インナーコート用樹脂組成物を使用し
て実施例1の要領にて半導体チップ上にインナーコート
層を形成した。
得られたインナーコート層の最大塗布厚Xは600μm
であった。然るのち工I″Pシ樹脂組成物を用いて第2
図(に)でいうX+Yが700μmになるよう半導体チ
ップを封止した。
であった。然るのち工I″Pシ樹脂組成物を用いて第2
図(に)でいうX+Yが700μmになるよう半導体チ
ップを封止した。
上記のごとき比較用のインナーコート用樹脂組成物で被
覆後エポキシ樹脂封止された半導体装置プについて実施
例1の要領にて温度サイクル試験をおこなったところイ
ンナーコート層最上部に位置する狭部封止樹脂領域Yの
部分でクラックが発生し、信頼性を著しく欠くものであ
った。
覆後エポキシ樹脂封止された半導体装置プについて実施
例1の要領にて温度サイクル試験をおこなったところイ
ンナーコート層最上部に位置する狭部封止樹脂領域Yの
部分でクラックが発生し、信頼性を著しく欠くものであ
った。
〈発明の効果〉
本発明は上記の構成からなるので半導体チップ表面のイ
ンナーコート層の厚さを大幅に薄くすることが可能とな
シ、半導体チップの大型化、もしくはノヤッケージの薄
型化に十分適合しうるものである。
ンナーコート層の厚さを大幅に薄くすることが可能とな
シ、半導体チップの大型化、もしくはノヤッケージの薄
型化に十分適合しうるものである。
第1図は本発明の半導体インナーコート用樹脂組成物が
適用される半導体装置の一例を示す断面図、第2図(イ
)はボンディングワイヤー先端部周辺の拡大断面図、第
2図(o)はインナーコート層周辺の拡大断面図を示す
。 1・・・インナーコート層、2・・・半導体チップ、3
・・・がンディングワイヤー、4・・・先端部、5・・
・電極、6・・・グイボンディング層、7 k F 7
b p 7 e・・・リードフレーム、8・・・封止
樹脂、P・・・側湾部、Q・・・被覆点、X・・・最大
塗布厚、Y・・・狭部封止樹脂領域、2・・・半導体テ
ップの幅。
適用される半導体装置の一例を示す断面図、第2図(イ
)はボンディングワイヤー先端部周辺の拡大断面図、第
2図(o)はインナーコート層周辺の拡大断面図を示す
。 1・・・インナーコート層、2・・・半導体チップ、3
・・・がンディングワイヤー、4・・・先端部、5・・
・電極、6・・・グイボンディング層、7 k F 7
b p 7 e・・・リードフレーム、8・・・封止
樹脂、P・・・側湾部、Q・・・被覆点、X・・・最大
塗布厚、Y・・・狭部封止樹脂領域、2・・・半導体テ
ップの幅。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1(A)一般式、 ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中、Vはビニル基、Meはメチル基、Phはフェニ
ル基、Rはメチル基またはフェニル基を示す〕で表され
るビニル基含有ポリシロキサン100重量部、 (B)一般式、 ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中、Meはメチル基を示す〕で表される、珪素原子
に結合した水素原子を含有するポリシロキサン1〜35
重量部、 (C)一般式 R^1Si(OR^2)_3 〔式中、R^1は低級アルケニル基、R^2は低級アル
キル基、又は一般式、R^3(OCH_2CH_2)_
j(R^3はメチル基又はエチル基、jは1又は2)で
示される基〕で表されるアルケニル基含有シラン化合物
、上記(A)及び(B)の合計量に対して0.01〜2
.0重量%、 (D)白金系付加反応触媒 よりなる組成物であって、(A)のポリシロキサンが0
.01〜0.2のl/(k+l)値と温度25℃におけ
る粘度100〜800cpsを有し、(B)のポリシロ
キサンが0.05〜0.3のn/(m+n)値と温度2
5℃における粘度2〜500cpsを有する事を特徴と
する半導体インナーコート用樹脂組成物。 2(A)のポリシロキサンの温度25℃における粘度が
200〜500cpsであり、(B)のポリシロキサン
の温度25℃における粘度が5〜150cpsである特
許請求の範囲第1項記載の組成物。 3(A)におけるl/(k+l)値が0.03〜0.1
5である特許請求の範囲第1項乃至第2項に記載の組成
物。 4(B)におけるn/(m+n)値が0.1〜0.2で
ある特許請求の範囲第1項乃至第3項に記載の組成物。 5(A)のポリシロキサン100重量部に対する(B)
のポリシロキサンの使用量が5〜25重量部である特許
請求の範囲第1項乃至第4項に記載の組成物。 6(A)におけるRがフェニル基である特許請求の範囲
第1項乃至第5項に記載の組成物。 7(C)におけるR^1がビニル基である特許請求の範
囲第1項乃至第6項に記載の組成物。 8(C)のシラン化合物の使用量が(A)及び(B)の
合計量に対して0.05〜1.0重量%である特許請求
の範囲第1項乃至第7項に記載の組成物。 9(A)一般式、 ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中、Vはビニル基、Meはメチル基、Phはフェニ
ル基〕で表されるビニル基含有ポリシロキサン100重
量部、 (B)一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中、Meはメチル基を示す〕で表される、珪素原子
に結合した水素原子を含有するポリシロキサン5〜25
重量部、 (C)一般式、 VSi(OR^2)_3 〔式中、Vはビニル基、R^2は低級アルキル基、又は
一般式、R^3(OCH_2CH_2)_j(R^3は
メチル基又はエチル基、jは1又は2)で示される基〕
で表されるビニル基含有シラン化合物、上記(A)及び
(B)の合計量に対して0.05〜1.0重量%、 (D)白金系付加反応触媒 よりなる組成物であって、(A)のポリシロキサンが0
.03〜0.15のl/(k+l)値と温度25℃にお
ける粘度200〜500cpsを有し、(B)のポリシ
ロキサンが0.1〜0.2のn/(m+n)値と温度2
5℃における粘度5〜150cpsを有する事を特徴と
する半導体インナーコート用樹脂組成物。 10 白金系付加反応触媒の使用量が(A)及び(B)
の合計量に対して2〜6ppmの白金原子を与える量で
ある特許請求の範囲第1項乃至第9項に記載の組成物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61040379A JPS62199661A (ja) | 1986-02-27 | 1986-02-27 | 半導体インナ−コ−ト用樹脂組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61040379A JPS62199661A (ja) | 1986-02-27 | 1986-02-27 | 半導体インナ−コ−ト用樹脂組成物 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62199661A true JPS62199661A (ja) | 1987-09-03 |
JPH0588752B2 JPH0588752B2 (ja) | 1993-12-24 |
Family
ID=12579017
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61040379A Granted JPS62199661A (ja) | 1986-02-27 | 1986-02-27 | 半導体インナ−コ−ト用樹脂組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62199661A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04370151A (ja) * | 1991-06-18 | 1992-12-22 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 電子部品含浸用シリコーン組成物及びその硬化物 |
JP2011513579A (ja) * | 2008-03-12 | 2011-04-28 | ダウ・コーニング・コーポレイション | シリコーンポリマー分散物およびその形成方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5239751A (en) * | 1975-09-26 | 1977-03-28 | Shin Etsu Chem Co Ltd | Curable organopolysiloxane compositions |
JPS5434362A (en) * | 1977-08-24 | 1979-03-13 | Shin Etsu Chem Co Ltd | Curable organopolysiloxane composition |
JPS59122558A (ja) * | 1982-12-29 | 1984-07-16 | Toray Silicone Co Ltd | 半導体素子被覆用オルガノポリシロキサン組成物 |
-
1986
- 1986-02-27 JP JP61040379A patent/JPS62199661A/ja active Granted
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5239751A (en) * | 1975-09-26 | 1977-03-28 | Shin Etsu Chem Co Ltd | Curable organopolysiloxane compositions |
JPS5434362A (en) * | 1977-08-24 | 1979-03-13 | Shin Etsu Chem Co Ltd | Curable organopolysiloxane composition |
JPS59122558A (ja) * | 1982-12-29 | 1984-07-16 | Toray Silicone Co Ltd | 半導体素子被覆用オルガノポリシロキサン組成物 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04370151A (ja) * | 1991-06-18 | 1992-12-22 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 電子部品含浸用シリコーン組成物及びその硬化物 |
JP2011513579A (ja) * | 2008-03-12 | 2011-04-28 | ダウ・コーニング・コーポレイション | シリコーンポリマー分散物およびその形成方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0588752B2 (ja) | 1993-12-24 |
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