JPH02196861A - 半導体インナーコート用樹脂組成物 - Google Patents
半導体インナーコート用樹脂組成物Info
- Publication number
- JPH02196861A JPH02196861A JP1269034A JP26903489A JPH02196861A JP H02196861 A JPH02196861 A JP H02196861A JP 1269034 A JP1269034 A JP 1269034A JP 26903489 A JP26903489 A JP 26903489A JP H02196861 A JPH02196861 A JP H02196861A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- group
- formula
- polysiloxane
- weight
- viscosity
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 48
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 title claims description 7
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 claims abstract description 60
- -1 polysiloxane Polymers 0.000 claims abstract description 48
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 31
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 31
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 claims abstract description 25
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 claims abstract description 19
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- 238000007259 addition reaction Methods 0.000 claims abstract description 12
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 claims abstract description 12
- 239000007809 chemical reaction catalyst Substances 0.000 claims abstract description 10
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims description 12
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 claims description 6
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 5
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 5
- 238000002156 mixing Methods 0.000 abstract description 8
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 abstract description 7
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 abstract description 6
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 abstract description 4
- 238000009835 boiling Methods 0.000 abstract description 3
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 14
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 11
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 8
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 7
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical group [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 5
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 5
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 5
- 239000008393 encapsulating agent Substances 0.000 description 5
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 5
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 5
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 4
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- WMFOQBRAJBCJND-UHFFFAOYSA-M Lithium hydroxide Chemical compound [Li+].[OH-] WMFOQBRAJBCJND-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- 239000006260 foam Substances 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000013007 heat curing Methods 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 3
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 3
- 239000000047 product Substances 0.000 description 3
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 2
- 239000002585 base Substances 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 239000011256 inorganic filler Substances 0.000 description 2
- 229910003475 inorganic filler Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 150000003961 organosilicon compounds Chemical class 0.000 description 2
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 2
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 2
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 description 2
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- VCYDUTCMKSROID-UHFFFAOYSA-N 2,2,4,4,6,6-hexakis-phenyl-1,3,5,2,4,6-trioxatrisilinane Chemical compound O1[Si](C=2C=CC=CC=2)(C=2C=CC=CC=2)O[Si](C=2C=CC=CC=2)(C=2C=CC=CC=2)O[Si]1(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 VCYDUTCMKSROID-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MFGOFGRYDNHJTA-UHFFFAOYSA-N 2-amino-1-(2-fluorophenyl)ethanol Chemical compound NCC(O)C1=CC=CC=C1F MFGOFGRYDNHJTA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 description 1
- 101001049857 Xenopus laevis Calcium-activated potassium channel subunit alpha-1 Proteins 0.000 description 1
- 239000003377 acid catalyst Substances 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 239000002318 adhesion promoter Substances 0.000 description 1
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 150000001336 alkenes Chemical class 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- FSIJKGMIQTVTNP-UHFFFAOYSA-N bis(ethenyl)-methyl-trimethylsilyloxysilane Chemical compound C[Si](C)(C)O[Si](C)(C=C)C=C FSIJKGMIQTVTNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- HUCVOHYBFXVBRW-UHFFFAOYSA-M caesium hydroxide Inorganic materials [OH-].[Cs+] HUCVOHYBFXVBRW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000004927 clay Substances 0.000 description 1
- 229910052570 clay Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 239000012776 electronic material Substances 0.000 description 1
- 238000011067 equilibration Methods 0.000 description 1
- HTDJPCNNEPUOOQ-UHFFFAOYSA-N hexamethylcyclotrisiloxane Chemical compound C[Si]1(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O1 HTDJPCNNEPUOOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006459 hydrosilylation reaction Methods 0.000 description 1
- 125000000959 isobutyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAVQZBGEXVFCJI-UHFFFAOYSA-M lithium;phenoxide Chemical compound [Li+].[O-]C1=CC=CC=C1 XAVQZBGEXVFCJI-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N olefin Natural products CCCCCCCC=C JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 1
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 description 1
- 125000005369 trialkoxysilyl group Chemical group 0.000 description 1
- KAKFZMMRKBQABS-UHFFFAOYSA-N trimethyl(silyloxysilyloxy)silane Chemical compound C[Si](C)(C)O[SiH2]O[SiH3] KAKFZMMRKBQABS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004580 weight loss Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
- H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/85909—Post-treatment of the connector or wire bonding area
- H01L2224/8592—Applying permanent coating, e.g. protective coating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
Landscapes
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は半導体素子の表面を保護するためのいわゆるシ
リコーン系インナーコートとして有用な硬化可能なオル
ガノポリシロキサン組成物に関するものである。
リコーン系インナーコートとして有用な硬化可能なオル
ガノポリシロキサン組成物に関するものである。
〈従来の技術〉
半導体のインナーコートとは半導体素子を樹脂で封止加
工する際及び該樹脂の硬化の収縮応力による半導体表面
の損傷防止、あるいはボンディングワイヤーの接続を保
護するために、半導体素子表面に予め保！ｉ！層として
コーティングするものである。
工する際及び該樹脂の硬化の収縮応力による半導体表面
の損傷防止、あるいはボンディングワイヤーの接続を保
護するために、半導体素子表面に予め保！ｉ！層として
コーティングするものである。
第１図は半導体素子にインナーコートを施した半導体装
置の一例を示すものであり、すなわちインナーコート層
１を有する半導体素子２が半導体基板としてのリードフ
レーム３ａ上にグイボンディング用接着層４により接着
固定された状態を示す。５は上記素子２と他のリードフ
レーム３ｂ。
置の一例を示すものであり、すなわちインナーコート層
１を有する半導体素子２が半導体基板としてのリードフ
レーム３ａ上にグイボンディング用接着層４により接着
固定された状態を示す。５は上記素子２と他のリードフ
レーム３ｂ。
３ｃとを接続したボンディングワイヤーで、６は上記各
構成要件の封止材である。
構成要件の封止材である。
半導体素子の表面及びその周辺は、微細な加工が施され
ている為に、トランスファモールドなどの組立時に生じ
る物理的応力や、また温度変化に伴う半導体内部の熱膨
張率の差による物理的応力を受けやすい、また、封止材
とリードフレーム界面より進入する水、封止材を透過し
てくる水などが封止材中の不純物、特にＣ１イオンの運
び役となり、半導体素子のアルミ配線あるいはアルミ電
極を腐食する。このような物理的応力および腐食から半
導体素子表面を保護する目的でポリイミド樹脂またはシ
リコーン樹脂をコーティングする方法が一般的にとられ
ている。この中でもシリコーン樹脂は、特に弾性率が低
いので半導体素子周辺から発生する物理的応力を吸収し
、半導体表面を保護する目的には存益である。このシリ
コーン樹脂は、半導体素子上にデスペンサー等を用いて
定量的に滴下された後硬化され、半導体素子表面に保護
層が形成される。半導体素子上にシリコーン樹脂を硬化
させた場合、シリコーン樹脂と半導体素子表面、金線お
よび封止材との接着性は低いため、半導体素子周辺から
半導体素子表面への水分の進入を防止できず、しいては
これによって運ばれてきた不純物、特にＣＩイオンによ
って、半導体素子表面のアルミ配線あるいはアルミ電極
の腐食を起こしやすく、半導体の信鯨性が低下する。
ている為に、トランスファモールドなどの組立時に生じ
る物理的応力や、また温度変化に伴う半導体内部の熱膨
張率の差による物理的応力を受けやすい、また、封止材
とリードフレーム界面より進入する水、封止材を透過し
てくる水などが封止材中の不純物、特にＣ１イオンの運
び役となり、半導体素子のアルミ配線あるいはアルミ電
極を腐食する。このような物理的応力および腐食から半
導体素子表面を保護する目的でポリイミド樹脂またはシ
リコーン樹脂をコーティングする方法が一般的にとられ
ている。この中でもシリコーン樹脂は、特に弾性率が低
いので半導体素子周辺から発生する物理的応力を吸収し
、半導体表面を保護する目的には存益である。このシリ
コーン樹脂は、半導体素子上にデスペンサー等を用いて
定量的に滴下された後硬化され、半導体素子表面に保護
層が形成される。半導体素子上にシリコーン樹脂を硬化
させた場合、シリコーン樹脂と半導体素子表面、金線お
よび封止材との接着性は低いため、半導体素子周辺から
半導体素子表面への水分の進入を防止できず、しいては
これによって運ばれてきた不純物、特にＣＩイオンによ
って、半導体素子表面のアルミ配線あるいはアルミ電極
の腐食を起こしやすく、半導体の信鯨性が低下する。
−船釣には、半導体素子、金線および封止材との接着性
を向上させる目的で、シリコーン樹脂中に接着力をあげ
るための添加剤いわゆる接着性付与剤により信顛性を向
上させている。
を向上させる目的で、シリコーン樹脂中に接着力をあげ
るための添加剤いわゆる接着性付与剤により信顛性を向
上させている。
〈発明が解決すべき課題〉
しかし、一般に使用されているこれらの接着性付与剤は
、シランカップリング剤やシロキサンオリゴマーなどで
、分子量が低く沸点も比較的低いので、加熱硬化時に揮
散し、リードフレーム等を汚染する。
、シランカップリング剤やシロキサンオリゴマーなどで
、分子量が低く沸点も比較的低いので、加熱硬化時に揮
散し、リードフレーム等を汚染する。
リードフレームが汚染されるとエポキシ樹脂等の樹脂系
の封止材でモールドした場合、リードフレームと封止材
との接着力が低下するために、これらの界面からの水の
進入が容易となり、特にＰＣＴ （１２１℃７２気圧）
などの温湿度試験を行った場合、これらの界面からの水
の進入が著しく半導体素子の信顛性を低下させる。
の封止材でモールドした場合、リードフレームと封止材
との接着力が低下するために、これらの界面からの水の
進入が容易となり、特にＰＣＴ （１２１℃７２気圧）
などの温湿度試験を行った場合、これらの界面からの水
の進入が著しく半導体素子の信顛性を低下させる。
〈課題を解決する為の手段〉
本発明は、上記の事情に鑑みてなされたものであり、特
に加熱硬化時においても低沸点化合物の揮散がなく密着
性に優れたインナーコートとして有用な硬化可能なオル
ガノポリシロキサン組成物を提供するものである。
に加熱硬化時においても低沸点化合物の揮散がなく密着
性に優れたインナーコートとして有用な硬化可能なオル
ガノポリシロキサン組成物を提供するものである。
即ち、本発明の組成物（１）は、
（Ａ）−最大
％式％
〔式中、■はビニル基、Ｍｅはメチル基、ｐｈはフェニ
ル基、Ｒはメチル基またはフェニル基を示し、ｋ及びｌ
は自然数で、０．０１≦ｊｉ！／（ｋ＋ｌ）≦０．２で
ある。〕で表される、２５℃における粘度が１００〜８
００ｃＰであるビニル基台をポリシロキサン１００重量
部、 （Ｂ）−最大 ％式％ （式中、Ｍｅはメチル基を示し、ｍ及びｎは自然数で、
０．０５≦ｎ ／（ｍ ＋ ｎ）≦０．３である。〕で
表される、２５℃における粘度が２〜５００ｃＰである
ポリシロキサン１〜３５重量部、（Ｃ）−分子中にシリ
コンに結合した水素原子を少なくとも１個と、−最大
（ＲＩＯ） 、５ｉｃｋ、Ｃｌｔ〔式中Ｒ１は低級アル
キル基、又は−最大、Ｒｚ （ＯＣＩ（ｔｃＨｔ） ｐ
（Ｒ２はメチル基又はエチル基で示される基で、ｐは
３以下の正数を示す）で表される基〕で表される基を少
なくとも１個有する変性オルガノポリシロキサン、上記
（Ａ）及び（Ｂ）の合計量に対して０．１〜２０重景％
重量Ｄ）白金系付加反応触媒 よりなる組成物である。
ル基、Ｒはメチル基またはフェニル基を示し、ｋ及びｌ
は自然数で、０．０１≦ｊｉ！／（ｋ＋ｌ）≦０．２で
ある。〕で表される、２５℃における粘度が１００〜８
００ｃＰであるビニル基台をポリシロキサン１００重量
部、 （Ｂ）−最大 ％式％ （式中、Ｍｅはメチル基を示し、ｍ及びｎは自然数で、
０．０５≦ｎ ／（ｍ ＋ ｎ）≦０．３である。〕で
表される、２５℃における粘度が２〜５００ｃＰである
ポリシロキサン１〜３５重量部、（Ｃ）−分子中にシリ
コンに結合した水素原子を少なくとも１個と、−最大
（ＲＩＯ） 、５ｉｃｋ、Ｃｌｔ〔式中Ｒ１は低級アル
キル基、又は−最大、Ｒｚ （ＯＣＩ（ｔｃＨｔ） ｐ
（Ｒ２はメチル基又はエチル基で示される基で、ｐは
３以下の正数を示す）で表される基〕で表される基を少
なくとも１個有する変性オルガノポリシロキサン、上記
（Ａ）及び（Ｂ）の合計量に対して０．１〜２０重景％
重量Ｄ）白金系付加反応触媒 よりなる組成物である。
又、本発明の他の組成物は（ＩＩ）は
（＾）−最大
〔式中、■はビニル基、Ｍｅはメチル基、ｐｈはフェニ
ル基を示し、ｋ及びｌは自然数で、０．０３≦ｌ ／（
ｋ ＋ １）≦０．１５である。〕で表される、２５℃
における粘度が２００〜５００ｃＰであるビニル基含有
ポリシロキサン１００ ＭＭ部、（Ｂ）−最大 ％式％ （式中、Ｍｅはメチル基を示し、ｍ及びｎは自然数で、
０．１ ≦ｎ ／（ｍ ＋ ｎ）≦０．２である。〕で
表される、２５℃における粘度が５〜１５０ｃＰである
ポリシロキサン５〜２５重量部、（Ｃ）−分子中にシリ
コンに結合した水素原子を少なくとも１個と、−最大（
Ｒ＋０）ｓｓｉｃＨ２ＧＨ２〔式中Ｒ，は低級アルキル
基、又は−最大Ｒ２（ＯＣ）ｔｚＣＨｚ）−（Ｒｚはメ
チル基又はエチル基で示される基で、ｐは３以下の正数
を示す）で表される基〕で表される基を少なくとも１個
有する変性オルガノポリシロキサンを上記（Ａ）及び（
Ｂ）の合計量に対して０．１〜２０重量％、及び（Ｄ）
白金系付加反応触媒 よりなる半導体インナーコート用樹脂組成物である。
ル基を示し、ｋ及びｌは自然数で、０．０３≦ｌ ／（
ｋ ＋ １）≦０．１５である。〕で表される、２５℃
における粘度が２００〜５００ｃＰであるビニル基含有
ポリシロキサン１００ ＭＭ部、（Ｂ）−最大 ％式％ （式中、Ｍｅはメチル基を示し、ｍ及びｎは自然数で、
０．１ ≦ｎ ／（ｍ ＋ ｎ）≦０．２である。〕で
表される、２５℃における粘度が５〜１５０ｃＰである
ポリシロキサン５〜２５重量部、（Ｃ）−分子中にシリ
コンに結合した水素原子を少なくとも１個と、−最大（
Ｒ＋０）ｓｓｉｃＨ２ＧＨ２〔式中Ｒ，は低級アルキル
基、又は−最大Ｒ２（ＯＣ）ｔｚＣＨｚ）−（Ｒｚはメ
チル基又はエチル基で示される基で、ｐは３以下の正数
を示す）で表される基〕で表される基を少なくとも１個
有する変性オルガノポリシロキサンを上記（Ａ）及び（
Ｂ）の合計量に対して０．１〜２０重量％、及び（Ｄ）
白金系付加反応触媒 よりなる半導体インナーコート用樹脂組成物である。
以下、本発明の構成を更に詳しく説明する。
本発明の（Ｉ）の組成物において、成分（Ａ）のビニル
基含有ポリシロキサンは両末端のみにＳｉ原子に結合し
たビニル基を有する直鎖状のポリシロキサンであって、
該ポリシロキサンにおける（ＰｈＲ３ｉｏ）単位（Ｒは
メチル基又はフェニル基を示す）のモル数ｌの、（Ｍｅ
ｚＳｉＯ）単位のモル数にと前記ｌとの合計値に対する
比率が０．０１〜０．２であり又温度２５℃における粘
度１００〜８００ｃＰを有するものでなければならない
。この成分（Ａ）の主鎖の部分を（ＭｅｔＳｔ、）単位
と（ＰｈＲＳｉＯ）単位との共重合体とする理由は、フ
ェニル基の導入によって、本発明の組成物を使用したイ
ンナーコート層の耐熱性を向上させることにある。従っ
て、（ＰｈＲＳｉＯ）ｊｔＬ位中のＲはフェニル基であ
ることがより好ましい。また、このｊ！／（ｋ＋１）値
は０．０１より小さい範囲では目的とする耐熱性が得ら
れず、０．２を越える範囲では耐熱性では問題ないもの
の成分（Ｂ）のＳｉ原子に結合した水素原子を含有する
ポリシロキサンとの相溶性に問題が生じ、前記インナー
コート層が白濁するに至る。
基含有ポリシロキサンは両末端のみにＳｉ原子に結合し
たビニル基を有する直鎖状のポリシロキサンであって、
該ポリシロキサンにおける（ＰｈＲ３ｉｏ）単位（Ｒは
メチル基又はフェニル基を示す）のモル数ｌの、（Ｍｅ
ｚＳｉＯ）単位のモル数にと前記ｌとの合計値に対する
比率が０．０１〜０．２であり又温度２５℃における粘
度１００〜８００ｃＰを有するものでなければならない
。この成分（Ａ）の主鎖の部分を（ＭｅｔＳｔ、）単位
と（ＰｈＲＳｉＯ）単位との共重合体とする理由は、フ
ェニル基の導入によって、本発明の組成物を使用したイ
ンナーコート層の耐熱性を向上させることにある。従っ
て、（ＰｈＲＳｉＯ）ｊｔＬ位中のＲはフェニル基であ
ることがより好ましい。また、このｊ！／（ｋ＋１）値
は０．０１より小さい範囲では目的とする耐熱性が得ら
れず、０．２を越える範囲では耐熱性では問題ないもの
の成分（Ｂ）のＳｉ原子に結合した水素原子を含有する
ポリシロキサンとの相溶性に問題が生じ、前記インナー
コート層が白濁するに至る。
そして、この！ｌ／（ｋ＋ｅ）値のより好ましい範囲は
０．０３〜０．１５である。また、温度２５℃にける粘
度が１００ｃＰより小さい範囲では組成物を半導体素子
に塗布する際に、半導体素子表面への拡散が速過ぎるた
めに、インナーコート層があまりにも薄くなり過ぎボン
ティングワイヤー周辺部を十分に被覆できなかったり、
素子表面から流れ落してしまうなどの欠点があり、逆に
該粘度が８００ｃＰを越える範囲では半導体素子表面へ
の拡散性が不良となるため、目的とする薄膜のインナー
コート層が得られず又ボンディングワイヤー周辺部への
均一な塗工も難しくなる。
０．０３〜０．１５である。また、温度２５℃にける粘
度が１００ｃＰより小さい範囲では組成物を半導体素子
に塗布する際に、半導体素子表面への拡散が速過ぎるた
めに、インナーコート層があまりにも薄くなり過ぎボン
ティングワイヤー周辺部を十分に被覆できなかったり、
素子表面から流れ落してしまうなどの欠点があり、逆に
該粘度が８００ｃＰを越える範囲では半導体素子表面へ
の拡散性が不良となるため、目的とする薄膜のインナー
コート層が得られず又ボンディングワイヤー周辺部への
均一な塗工も難しくなる。
次に、成分（Ｂ）の珪素原子に結合した水素原子を含有
するポリシロキサンは、両末端及び側鎖にＳｉ原子に結
合した水素原子を含有する直鎖状のポリシロキサンであ
って、主剤である成分（八）のビニル基台をポリシロキ
サンに対し、そのビニル基に対する５ｉ−Ｈの付加反応
即ちいわゆるヒドロシリル化反応による硬化剤として作
用するものである。
するポリシロキサンは、両末端及び側鎖にＳｉ原子に結
合した水素原子を含有する直鎖状のポリシロキサンであ
って、主剤である成分（八）のビニル基台をポリシロキ
サンに対し、そのビニル基に対する５ｉ−Ｈの付加反応
即ちいわゆるヒドロシリル化反応による硬化剤として作
用するものである。
そしてこのポリシロキサンは一般式（Ｂ）における（Ｍ
ｅＨ５ｉＯ） １位のモル数ｎの、（ＭｅｚＳｉＯ）単
位のモル数ｍと前記ｎとの合計値に対する比率が０．０
５〜０．３であり又温度２５℃における粘度２〜５００
ｃＰを有するものでなければならず、その使用量は成分
（Ａ） １００重量部に対して１〜３５重量部である。
ｅＨ５ｉＯ） １位のモル数ｎの、（ＭｅｚＳｉＯ）単
位のモル数ｍと前記ｎとの合計値に対する比率が０．０
５〜０．３であり又温度２５℃における粘度２〜５００
ｃＰを有するものでなければならず、その使用量は成分
（Ａ） １００重量部に対して１〜３５重量部である。
前記ｎ／（ｍ＋ｎ）値が０．０５より小さい範囲では硬
化不十分となる可能性が太きく０．３を越える範囲では
過度の硬化反応によりや＼柔軟性に欠ける膜になり易い
。このｎ／（ｍ＋ｎ）値が前記範囲の限界を少々外れた
値であっても、成分（Ａ）及び（Ｂ）それぞれの粘度或
は（＾）に対するＣＢ）の使用割合を変動させることに
よって好ましい硬化状態に調製出来るものではあるが、
その好ましい範囲は０．１〜０，２である。また温度２
５℃における粘度が２ｃ、Ｐより低い範囲では組成物の
初期粘度を好ましい値に調整しにくいだけでなく該ポリ
シロキサンの分子量が小さいことに基づく硬化状態の不
具合を招くことになる。逆に該粘度が５００ｃＰを越え
る範囲でもまた組成物の初期粘度を好ましい値に調整し
に（いという問題点が存在する。該粘度のより好ましい
範囲は５〜１５０ｃＰである。そして該ポリシロキサン
の使用量が成分（Ａ）１００重量部に対して１重量部よ
り少ない範囲では硬化不十分のインナーコート層になり
易く、該使用量が３５重量部を越える範囲では反応性に
冨む５ｉ−Ｈが未反応のまま残り易くその結果硬化後の
安定性及び電気的緒特性に悪影響が現れる。
化不十分となる可能性が太きく０．３を越える範囲では
過度の硬化反応によりや＼柔軟性に欠ける膜になり易い
。このｎ／（ｍ＋ｎ）値が前記範囲の限界を少々外れた
値であっても、成分（Ａ）及び（Ｂ）それぞれの粘度或
は（＾）に対するＣＢ）の使用割合を変動させることに
よって好ましい硬化状態に調製出来るものではあるが、
その好ましい範囲は０．１〜０，２である。また温度２
５℃における粘度が２ｃ、Ｐより低い範囲では組成物の
初期粘度を好ましい値に調整しにくいだけでなく該ポリ
シロキサンの分子量が小さいことに基づく硬化状態の不
具合を招くことになる。逆に該粘度が５００ｃＰを越え
る範囲でもまた組成物の初期粘度を好ましい値に調整し
に（いという問題点が存在する。該粘度のより好ましい
範囲は５〜１５０ｃＰである。そして該ポリシロキサン
の使用量が成分（Ａ）１００重量部に対して１重量部よ
り少ない範囲では硬化不十分のインナーコート層になり
易く、該使用量が３５重量部を越える範囲では反応性に
冨む５ｉ−Ｈが未反応のまま残り易くその結果硬化後の
安定性及び電気的緒特性に悪影響が現れる。
尚、これら成分（Ａ）及び（Ｂ）のポリシロキサンは一
般的に良く知られた方法で製造することができる。例え
ば、（Ａ）のビニル基含有ポリシロキサンの場合は、末
端停止剤としてのジビニルテトラメチルジシロキサンの
存在下、ヘキサメチルシクロトリシロキサンもしくはオ
クタメチルシクロテトラシロキサンと、ヘキサフェニル
シクロトリシロキサンもしくはトリメチルトリフェニル
シクロシロキサンとを、硫酸、塩酸、活性白土等の酸触
媒、或は水酸化リチウム、水酸化カリウム、水酸化セシ
ウム、水酸化テトラメチルアンモニウム、リチウムシラ
ル−ト、カリウムシラル−ト、リチウムフェノキサイド
等のアルカリ触媒を用いて平衝化させた後、常法により
触媒を除去し、減圧下に加熱することにより低分子量の
ポリシロキサンを除去して精製する。又（Ｂ）の珪素結
合水素基を有するポリシロキサンの場合は、末端停止剤
としてテトラメチルジシロキサンを用い、フェニル基含
有環状ポリシロキサンに替えてテトラメチルシクロテト
ラシロキサンを用いることにより、上記（Ａ）の場合と
同様な操作で製造することができる。尚−上記それぞれ
の場合において、原料の使用割合を調整することにより
、粘度及びフェニル基或いは珪素結合水素基の含を呈を
所望の値に調整できることも公知のことである。
般的に良く知られた方法で製造することができる。例え
ば、（Ａ）のビニル基含有ポリシロキサンの場合は、末
端停止剤としてのジビニルテトラメチルジシロキサンの
存在下、ヘキサメチルシクロトリシロキサンもしくはオ
クタメチルシクロテトラシロキサンと、ヘキサフェニル
シクロトリシロキサンもしくはトリメチルトリフェニル
シクロシロキサンとを、硫酸、塩酸、活性白土等の酸触
媒、或は水酸化リチウム、水酸化カリウム、水酸化セシ
ウム、水酸化テトラメチルアンモニウム、リチウムシラ
ル−ト、カリウムシラル−ト、リチウムフェノキサイド
等のアルカリ触媒を用いて平衝化させた後、常法により
触媒を除去し、減圧下に加熱することにより低分子量の
ポリシロキサンを除去して精製する。又（Ｂ）の珪素結
合水素基を有するポリシロキサンの場合は、末端停止剤
としてテトラメチルジシロキサンを用い、フェニル基含
有環状ポリシロキサンに替えてテトラメチルシクロテト
ラシロキサンを用いることにより、上記（Ａ）の場合と
同様な操作で製造することができる。尚−上記それぞれ
の場合において、原料の使用割合を調整することにより
、粘度及びフェニル基或いは珪素結合水素基の含を呈を
所望の値に調整できることも公知のことである。
成分（Ｃ）は−分子中にシリコンに結合した水素原子を
少なくとも１個と、 −最大 ％式％ 〔式中Ｒ１は低級アルキル基、又は−喰式Ｒ２（ＯＣＨ
２ＣＨｚ）ｐ （Ｒ２はメチル基、又はエチル基を示し
、ｐは３以下の正数を示す）で表される基〕で表される
基を少なくとも１個有する変性オルガノポリシロキサン
であり、半導体チップへの密着性向上の目的をもって成
分（八）と成分（Ｒ）との合計量に対しＯ３１〜２０重
里％使用する。この（Ｃ）成分はポリオルガノハイドロ
ジエンシロキサンに、トリアルコキシシリル基を持った
有機ケイ素化合物を白金触媒の存在下に付加させ、容易
に合成することができる。Ｒ＋、Ｒｚとしてはメチル基
、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、
イソブチル基が例示される。
少なくとも１個と、 −最大 ％式％ 〔式中Ｒ１は低級アルキル基、又は−喰式Ｒ２（ＯＣＨ
２ＣＨｚ）ｐ （Ｒ２はメチル基、又はエチル基を示し
、ｐは３以下の正数を示す）で表される基〕で表される
基を少なくとも１個有する変性オルガノポリシロキサン
であり、半導体チップへの密着性向上の目的をもって成
分（八）と成分（Ｒ）との合計量に対しＯ３１〜２０重
里％使用する。この（Ｃ）成分はポリオルガノハイドロ
ジエンシロキサンに、トリアルコキシシリル基を持った
有機ケイ素化合物を白金触媒の存在下に付加させ、容易
に合成することができる。Ｒ＋、Ｒｚとしてはメチル基
、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、
イソブチル基が例示される。
該オルガノポリシロキサンの使用量が成分（Ａ）と成分
（Ｂ）との合計量に対し０．１重里％より少ない範囲で
は前記密着性の向上が十分でなり、２０重量％を越えて
使用しても密着性が格段に向上するわけではないうえ、
反応性に冨む５ｉＯＲ＋ １５が増加して硬化後の膜の
安定性或は電気的緒特性に悪影響を与える等不利な結果
を招くことになる。
（Ｂ）との合計量に対し０．１重里％より少ない範囲で
は前記密着性の向上が十分でなり、２０重量％を越えて
使用しても密着性が格段に向上するわけではないうえ、
反応性に冨む５ｉＯＲ＋ １５が増加して硬化後の膜の
安定性或は電気的緒特性に悪影響を与える等不利な結果
を招くことになる。
該オルガノポリシロキサンの使用量の好ましい範囲は（
Ａ）及び（Ｂ）の合計量に対して１〜１０重量％である
。
Ａ）及び（Ｂ）の合計量に対して１〜１０重量％である
。
成分（０）の白金系付加反応触媒は、ビニル基と珪素結
合水素との付加反応触媒として有効な公知の白金触媒を
全て包含するものであり、塩化白金酸、塩化白金酸とオ
レフィン或はビニル基含有ポリシロキサン等との錯化合
物、白金配位化合物等を代表例として挙げることができ
る。そして、該付加反応触媒の使用量は、温度条件との
関係下に硬化速度に影響を与えるだけであり特に限定す
る必要はないが、実用的には（＾）及び（Ｂ）の合計量
に対して２〜６ ｐｐｍの白金原子を与える量が好まし
い。又この際、付加反応触媒である白金を配位させて一
時的に触媒能を失活させる能力を有する化合物即ち付加
反応遅延剤として知られる公知の化合物を併用しても何
等差し支えない。
合水素との付加反応触媒として有効な公知の白金触媒を
全て包含するものであり、塩化白金酸、塩化白金酸とオ
レフィン或はビニル基含有ポリシロキサン等との錯化合
物、白金配位化合物等を代表例として挙げることができ
る。そして、該付加反応触媒の使用量は、温度条件との
関係下に硬化速度に影響を与えるだけであり特に限定す
る必要はないが、実用的には（＾）及び（Ｂ）の合計量
に対して２〜６ ｐｐｍの白金原子を与える量が好まし
い。又この際、付加反応触媒である白金を配位させて一
時的に触媒能を失活させる能力を有する化合物即ち付加
反応遅延剤として知られる公知の化合物を併用しても何
等差し支えない。
尚、本発明の組成物に無機充填剤或は耐熱安定剤等を添
加することも、半導体インナーコートとして要求される
緒特性に影響を与えない限りにおいて許される。
加することも、半導体インナーコートとして要求される
緒特性に影響を与えない限りにおいて許される。
また、上記各成分を混合して組成物となす際には全ての
配合成分を一度に混合しても構わないが、各成分を２種
類のグループに分けて予め混合したものを用いる２液タ
イプの混合法が実用的でありまた一般的でもある。この
際、成分（Ｉｌ）の珪素結合水素含有ポリシロキサンに
は、珪素結合水素の高い反応性のため成分（Ａ）のビニ
ル基含有ポリシロキサン以外の成分は予め混合しておく
ことができず、成分（Ｃ）の変性オルガノポリシロキサ
ン化合物、成分（Ｄ）の白金系付加反応触媒、更には必
要に応じて付加反応遅延剤、無機充填剤或は耐熱安定剤
等は成分（Ａ）のビニル基含有ポリシロキサンに予め混
合し７て使用される。
配合成分を一度に混合しても構わないが、各成分を２種
類のグループに分けて予め混合したものを用いる２液タ
イプの混合法が実用的でありまた一般的でもある。この
際、成分（Ｉｌ）の珪素結合水素含有ポリシロキサンに
は、珪素結合水素の高い反応性のため成分（Ａ）のビニ
ル基含有ポリシロキサン以外の成分は予め混合しておく
ことができず、成分（Ｃ）の変性オルガノポリシロキサ
ン化合物、成分（Ｄ）の白金系付加反応触媒、更には必
要に応じて付加反応遅延剤、無機充填剤或は耐熱安定剤
等は成分（Ａ）のビニル基含有ポリシロキサンに予め混
合し７て使用される。
尚、本発明の組成物（ｎ）については上述の組成物（１
）と比べた場合、化学構造の僅かな相違に基づ＜ １
／（ｋ ＋ １’）の範囲、ｎ ／（ｍ ＋ ｎ）の範
囲は当然に既述のように変わるが、そのベースとなる理
由や、（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）及び（Ｄ）の配合比につ
いては前既の組成物（１）における考え方と同様な理由
で定められているので、詳細な個別的説明を省略するが
、容易に類推できるであろつ。
）と比べた場合、化学構造の僅かな相違に基づ＜ １
／（ｋ ＋ １’）の範囲、ｎ ／（ｍ ＋ ｎ）の範
囲は当然に既述のように変わるが、そのベースとなる理
由や、（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）及び（Ｄ）の配合比につ
いては前既の組成物（１）における考え方と同様な理由
で定められているので、詳細な個別的説明を省略するが
、容易に類推できるであろつ。
以下、本発明を実施例により説明するが、これらは説明
のためのものに過ぎず本発明を制限するものではない。
のためのものに過ぎず本発明を制限するものではない。
以下特に断わらない限り実施例中で部及び％とあるのは
重量部及び重量％を示し、また粘度は２５℃における値
を示す。
重量部及び重量％を示し、また粘度は２５℃における値
を示す。
成分（Ｃ）変性ポリシロキサンの合成
ケイ素原子に結合した水素原子の含有量が０．０９重重
量、粘度９０ｃＰのポリメチルハイドロジエンシロキサ
ンに、水素原子の含有量で０．０６重量％に相当する量
の下記有機ケイ素化合物を白金触媒の存在下に付加させ
て合成した。
量、粘度９０ｃＰのポリメチルハイドロジエンシロキサ
ンに、水素原子の含有量で０．０６重量％に相当する量
の下記有機ケイ素化合物を白金触媒の存在下に付加させ
て合成した。
Ｃ＋ ： ＣＨｚ ＝ ＣＨＳ ＋ （ＯＣＨｓ） ：
１ｃ、：ｃ）１．繻ＣＨ５１（ＯＣｚＨａＯＣ）Ｉｓ）
ｓＣｓ： ＣＨｔ＝ＣＨ３ｉ （ＯＣｚＨ＊）ｓＯｃ
Ｈ＊）ｓ実施例１ （Ｐｈ、５ｉｎ）単位のモル数ｌの（Ｍｅｔ Ｓ ｉ
Ｏ）単位のモル数にと前記ｌとの合計値に対する比率が
０．０６であり粘度３６０ｃＰである、両末端にビニル
基を有する直鎖状ポリシロキサンに、２％の変性ポリシ
ロキサンＣ１及び白金原子に換算して４ ｐｐｍに相当
する量のメチルビニル環状ポリシロキサンの塩化白金酸
錯体を添加して調整した混合液１００部と、（ＭｅＨ３
ｉＯ）単位のモル数ｎの（Ｍ ｅ ｘＳｌｏ）単位のモ
ル数ｍと前記ｎとの合計値に対する比率が轟にであり粘
度８７・Ｐである、両末端に珪素結合水素を有する直鎖
状ポリシロキサンと前記ビニル基含有ポリシロキサンと
を１０＝１の割合で配合した混合液１８部を混合してイ
ンナーコート用樹脂組成物を得た。この組成物を混合後
説泡処理を施した後、デイスペンサーを用いて、１Ｍビ
ットのＣＭＯ３型ＲＡＭ素子からなる半導体素子表面に
滴下し、１５０℃で３時間加熱し硬化させた（硬化物の
圧縮弾性率は０．３ ｋｇ／Ｊ） 、これをエポキシ樹
脂で封止した後、半導体装置の耐水性を見るため１２１
℃／２気圧の条件で５００時間プレッシャークツカー試
験を行ったところ、半導体素子のバット及び回路部の腐
食はみられず実用上きわめて高い信頬性を有することが
確認された。また封止後パッケージを第１図に示す開封
面７にて開封し、シリコーン樹脂と封止材の接着性を調
べるために封止材６と半導体素子２を剥がしてみるとシ
リコーン樹脂からなるインナーコート層ｌは凝集破壊を
しておりシリコーン樹脂と封止材との密着性が高いこと
がわかった。
１ｃ、：ｃ）１．繻ＣＨ５１（ＯＣｚＨａＯＣ）Ｉｓ）
ｓＣｓ： ＣＨｔ＝ＣＨ３ｉ （ＯＣｚＨ＊）ｓＯｃ
Ｈ＊）ｓ実施例１ （Ｐｈ、５ｉｎ）単位のモル数ｌの（Ｍｅｔ Ｓ ｉ
Ｏ）単位のモル数にと前記ｌとの合計値に対する比率が
０．０６であり粘度３６０ｃＰである、両末端にビニル
基を有する直鎖状ポリシロキサンに、２％の変性ポリシ
ロキサンＣ１及び白金原子に換算して４ ｐｐｍに相当
する量のメチルビニル環状ポリシロキサンの塩化白金酸
錯体を添加して調整した混合液１００部と、（ＭｅＨ３
ｉＯ）単位のモル数ｎの（Ｍ ｅ ｘＳｌｏ）単位のモ
ル数ｍと前記ｎとの合計値に対する比率が轟にであり粘
度８７・Ｐである、両末端に珪素結合水素を有する直鎖
状ポリシロキサンと前記ビニル基含有ポリシロキサンと
を１０＝１の割合で配合した混合液１８部を混合してイ
ンナーコート用樹脂組成物を得た。この組成物を混合後
説泡処理を施した後、デイスペンサーを用いて、１Ｍビ
ットのＣＭＯ３型ＲＡＭ素子からなる半導体素子表面に
滴下し、１５０℃で３時間加熱し硬化させた（硬化物の
圧縮弾性率は０．３ ｋｇ／Ｊ） 、これをエポキシ樹
脂で封止した後、半導体装置の耐水性を見るため１２１
℃／２気圧の条件で５００時間プレッシャークツカー試
験を行ったところ、半導体素子のバット及び回路部の腐
食はみられず実用上きわめて高い信頬性を有することが
確認された。また封止後パッケージを第１図に示す開封
面７にて開封し、シリコーン樹脂と封止材の接着性を調
べるために封止材６と半導体素子２を剥がしてみるとシ
リコーン樹脂からなるインナーコート層ｌは凝集破壊を
しておりシリコーン樹脂と封止材との密着性が高いこと
がわかった。
実施例２
（Ｐｈｙｓｉｃ）単位のモル数Ｅの（ＭｅｇＳｉＯ）単
位のモル数にと前記ｌとの合計値に対する比率が０．０
６であり粘度３７０ｃＰである、両末端にビニル基を有
す、直鎖状ボヮ、ワキケア Ｋ？ ２９１ｆ （７）変
性ポリシロキサンＣオ、及び白金原子に換算して４ｐｐ
＋＊に相当する量のメチルビニル環状ポリシロキサンの
塩化白金酸錯体を添加して調整した混合液１００部と、
（ＭｅＨ３ｉＯ）単位のモル数ｎの（Ｍｅ、５ｉｎ）単
位のモル数ｍと前記ｎとの合計σ、Ｉ 値に対する比率がワ徊であり粘度９０ｃＰである、両末
端に珪素結合水素を有する直鎖状ポリシロキサンと前記
ビニル基含有ポリシロキサンとを１０：１の割合で配合
した混合液１８部を混合してインナーコート用樹脂組成
物を得た。この組成物を混合後説泡処理を施した後、デ
イスペンサーを用いて、１ＭビットのＣＭＯ３型ＲＡＭ
素子からなる半導体素子表面に滴下し、１５０℃で３時
間加熱し硬化させたく硬化物の圧縮弾性率は０．４ｋｇ
／ｃ＋Ｊ） 、これをエポキシ樹脂で封止した後、半導
体装置の耐水性を見るため１２１’ｅ／２気圧の条件で
５００時間プレッシャークツカー試験を行ったところ、
半導体素子のバット及び回路部の腐食は見られず実用上
極めて高い信幀性を有することが確認された。
位のモル数にと前記ｌとの合計値に対する比率が０．０
６であり粘度３７０ｃＰである、両末端にビニル基を有
す、直鎖状ボヮ、ワキケア Ｋ？ ２９１ｆ （７）変
性ポリシロキサンＣオ、及び白金原子に換算して４ｐｐ
＋＊に相当する量のメチルビニル環状ポリシロキサンの
塩化白金酸錯体を添加して調整した混合液１００部と、
（ＭｅＨ３ｉＯ）単位のモル数ｎの（Ｍｅ、５ｉｎ）単
位のモル数ｍと前記ｎとの合計σ、Ｉ 値に対する比率がワ徊であり粘度９０ｃＰである、両末
端に珪素結合水素を有する直鎖状ポリシロキサンと前記
ビニル基含有ポリシロキサンとを１０：１の割合で配合
した混合液１８部を混合してインナーコート用樹脂組成
物を得た。この組成物を混合後説泡処理を施した後、デ
イスペンサーを用いて、１ＭビットのＣＭＯ３型ＲＡＭ
素子からなる半導体素子表面に滴下し、１５０℃で３時
間加熱し硬化させたく硬化物の圧縮弾性率は０．４ｋｇ
／ｃ＋Ｊ） 、これをエポキシ樹脂で封止した後、半導
体装置の耐水性を見るため１２１’ｅ／２気圧の条件で
５００時間プレッシャークツカー試験を行ったところ、
半導体素子のバット及び回路部の腐食は見られず実用上
極めて高い信幀性を有することが確認された。
また封止後パフケージを第１図に示す開封面７にて開封
し、シリコーン樹脂と封止材の接着性を調べるために封
止材６と半導体素子２を剥がしてみると、シリコーン樹
脂は凝集破壊をしておりシリコーン樹脂と封止材との密
着性が高いことがわかった。
し、シリコーン樹脂と封止材の接着性を調べるために封
止材６と半導体素子２を剥がしてみると、シリコーン樹
脂は凝集破壊をしておりシリコーン樹脂と封止材との密
着性が高いことがわかった。
比較例
（Ｐ ｈ ｚ Ｓ ｉ Ｏ）単位のモル数ｌの（Ｍｅｔ
ＳｉＯ）単位のモル数にと前記ｌとの合計値に対する比
率が０．０６であり粘度３６０ｃＰである、両末端にビ
ニル基を有する直鎖状ポリシロキサンに、０．４％のビ
ニルトリス（２−メトキシエトキシ）シラン、及び白金
原子に換算して４ｐｐ＋ｍに相当する量のメチルビニル
環状ポリシロキサンの塩化白金酸錯体を添加して調整し
た混合液１００部と、（ＭｅＨ３ｉＯ）単位のモル数ｎ
の（ＭｅｇＳｉＯ）単位のモルσ、ｌ 数ｍと前記ｎとの合計値に対する比率が上材であり粘度
９０ｃＰである、両末端に珪素結合水素を存する直鎖状
ポリシロキサンと前記ビニル基含有ポリシロキサンとを
１０：１の割合で配合した混合液１８部を混合してイン
ナーコート用樹脂組成物を得た。
ＳｉＯ）単位のモル数にと前記ｌとの合計値に対する比
率が０．０６であり粘度３６０ｃＰである、両末端にビ
ニル基を有する直鎖状ポリシロキサンに、０．４％のビ
ニルトリス（２−メトキシエトキシ）シラン、及び白金
原子に換算して４ｐｐ＋ｍに相当する量のメチルビニル
環状ポリシロキサンの塩化白金酸錯体を添加して調整し
た混合液１００部と、（ＭｅＨ３ｉＯ）単位のモル数ｎ
の（ＭｅｇＳｉＯ）単位のモルσ、ｌ 数ｍと前記ｎとの合計値に対する比率が上材であり粘度
９０ｃＰである、両末端に珪素結合水素を存する直鎖状
ポリシロキサンと前記ビニル基含有ポリシロキサンとを
１０：１の割合で配合した混合液１８部を混合してイン
ナーコート用樹脂組成物を得た。
この組成物を混合後説泡処理を施した後、デイスペンサ
ーを用いて、１ＭビットのＣＭＯ３型ＲＡＭ素子からな
る半導体素子表面に滴下し、１５０℃で３時間加熱し硬
化させた（硬化物の圧縮弾性率は０．３ ｋｓｒ／ｃｊ
）。
ーを用いて、１ＭビットのＣＭＯ３型ＲＡＭ素子からな
る半導体素子表面に滴下し、１５０℃で３時間加熱し硬
化させた（硬化物の圧縮弾性率は０．３ ｋｓｒ／ｃｊ
）。
これをエポキシ樹脂で封止した半導体装置について実施
例１と同様に試験を行ったところ、半導体素子のバット
及び回路部の腐食がみられ信顛性に著しく欠くものであ
った。また試験後リードフレームと封止材の接着力を調
べたところ、本発明のポリシロキサンを使用した物に比
べ４２％の強度しか無かった。また封止後パッケージを
第１図に示す開封面７にて開封し、シリコーン樹脂と封
止材の接着性を調べるために封止材６と半導体素子２を
剥がしてみると、封止材とシリコーン樹脂との界面で簡
単に剥離しシリコーン樹脂と封止材との密着性が著しく
低いことがわかった。
例１と同様に試験を行ったところ、半導体素子のバット
及び回路部の腐食がみられ信顛性に著しく欠くものであ
った。また試験後リードフレームと封止材の接着力を調
べたところ、本発明のポリシロキサンを使用した物に比
べ４２％の強度しか無かった。また封止後パッケージを
第１図に示す開封面７にて開封し、シリコーン樹脂と封
止材の接着性を調べるために封止材６と半導体素子２を
剥がしてみると、封止材とシリコーン樹脂との界面で簡
単に剥離しシリコーン樹脂と封止材との密着性が著しく
低いことがわかった。
〈発明の効果〉
本発明によれば、加熱硬化時の重量減少が低く、また上
記組成の電子材料用のシリコーン樹脂は半導体素子、金
線及び封止材との接着性が高いので、半導体装置の信軌
性が著しく向上するものである。
記組成の電子材料用のシリコーン樹脂は半導体素子、金
線及び封止材との接着性が高いので、半導体装置の信軌
性が著しく向上するものである。
第１図は半導体インナーコートを施した半導体装置の一
例を示す断面である
例を示す断面である
Claims (8)
- （１）（Ａ）一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中、Ｖはビニル基、Ｍｅはメチル基、Ｐｈはフェニ
ル基、Ｒはメチル基またはフェニル基を示し、ｋ及びｌ
は自然数で、０．０１≦ｌ／（ｋ＋ｌ）≦０．２である
。〕で表される、２５℃における粘度が１００〜８００
ｃＰであるビニル基含有ポリシロキサン１００重量部、 （Ｂ）一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中、Ｍｅはメチル基を示し、ｍ及びｎは自然数で、
０．０５≦ｎ／（ｍ＋ｎ）≦０．３である。〕で表され
る、２５℃における粘度が２〜５００ｃＰであるポリシ
ロキサン１〜３５重量部、 （Ｃ）一分子中にシリコンに結合した水素原子を少なく
くとも１個と、一般式（Ｒ＿１Ｏ）＿３ＳｉＣＨ＿２Ｃ
Ｈ＿２〔式中、Ｒ＿１は低級アルキル基、又は一般式Ｒ
＿２（ＯＣＨ＿２ＣＨ＿２）＿ｐ（Ｒ＿２はメチル基又
はエチル基で示される基で、ｐは３以下の正数を示す）
で表される基〕で表される基を少なくとも１個有する変
性オルガノポリシロキサンを上記（Ａ）及び（Ｂ）の合
計量に対して０．１〜２０重量％、及び（Ｄ）白金系付
加反応触媒 よりなる半導体インナーコート用樹脂組成物。 - （２）（Ａ）のポリシロキサンの温度２５℃における粘
度が２００〜５００ｃＰであり、 （Ｂ）のポリシロキサンの温度２５℃における粘度が５
〜１５０ｃＰである請求項１記載の組成物。 - （３）（Ａ）におけるｌ／（ｋ＋ｌ）値が０．０３〜０
．１５である請求項１又は２記載の組成物。 - （４）（Ｂ）におけるｎ／（ｍ＋ｎ）値が０．１〜０．
２である請求項１、２又は３記載の組成物。 - （５）（Ａ）のポリシロキサン１００重量部に対する（
Ｂ）のポリシロキサンの使用量が５〜２５重量部である
請求項１、２、３又は４記載の組成物。 - （６）（Ａ）におけるＲがフェニル基である請求項１、
２、３、４又は５記載の組成物。 - （７）（Ｃ）の変性オルガノポリシロキサンの使用量が
（Ａ）及び（Ｂ）の合計量に対して１〜１０重量％であ
る請求項１、２、３、４、５、又は６記載の組成物。 - （８）（Ａ）一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中、Ｖはビニル基、Ｍｅはメチル基、Ｐｈはフェニ
ル基を示し、ｋ及びｌは自然数で、０．０３≦（ｌ／（
ｋ＋ｌ）≦０．１５である。〕で表される、２５℃にお
ける粘度が２００〜５００ｃＰであるビニル基含有ポリ
シロキサン１００重量部、（Ｂ）一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中、Ｍｅはメチル基を示し、ｍ及びｎは自然数で、
０．１≦ｎ／（ｍ＋ｎ）≦０．２である。〕で表される
、２５℃における粘度が５〜１５０ｃＰであるポリシロ
キサン５〜２５重量部、 （Ｃ）一分子中にシリコンに結合した水素原子を少なく
とも１個と、一般式（Ｒ＿２Ｏ）＿３ＳｉＣＨ＿２ＣＨ
＿２〔式中Ｒ＿１は低級アルキル基、又は一般式Ｒ＿２
（ＯＣＨ＿２ＣＨ＿２）＿Ｐ（Ｒ＿２はメチル基又はエ
チル基で示される基で、ｐは３以下の正数を示す）で表
される基〕で表される基を少なくとも１個有する変性オ
ルガノポリシロキサンを上記（Ａ）及び（Ｂ）の合計量
に対して０．１〜２０重量％、及び（Ｄ）白金系付加反
応触媒 よりなる半導体インナーコート用樹脂組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1269034A JPH0653851B2 (ja) | 1988-10-19 | 1989-10-18 | 半導体インナーコート用樹脂組成物 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26138088 | 1988-10-19 | ||
| JP63-261380 | 1988-10-19 | ||
| JP1269034A JPH0653851B2 (ja) | 1988-10-19 | 1989-10-18 | 半導体インナーコート用樹脂組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02196861A true JPH02196861A (ja) | 1990-08-03 |
| JPH0653851B2 JPH0653851B2 (ja) | 1994-07-20 |
Family
ID=26545045
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1269034A Expired - Fee Related JPH0653851B2 (ja) | 1988-10-19 | 1989-10-18 | 半導体インナーコート用樹脂組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0653851B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111574837A (zh) * | 2019-02-18 | 2020-08-25 | 信越化学工业株式会社 | 管芯键合用硅酮树脂组合物、固化物及发光二极管元件 |
-
1989
- 1989-10-18 JP JP1269034A patent/JPH0653851B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111574837A (zh) * | 2019-02-18 | 2020-08-25 | 信越化学工业株式会社 | 管芯键合用硅酮树脂组合物、固化物及发光二极管元件 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0653851B2 (ja) | 1994-07-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP3508533B1 (en) | Curable organopolysiloxane composition, and protection agent or adhesive composition for electrical/electronic components | |
| CN1944499B (zh) | 降低硅氧烷橡胶硫化产品的表面粘度的方法、用于密封半导体的液体硅氧烷橡胶组合物、硅氧烷橡胶密封的半导体装置和生产半导体装置的方法 | |
| US7704607B2 (en) | Silicone rubber compositions for the sealing and encapsulation of electric and electronic parts | |
| JP4636242B2 (ja) | 光半導体素子封止材及び光半導体素子 | |
| KR101187594B1 (ko) | 경화성 오가노폴리실록산 조성물 | |
| JPH04351630A (ja) | フリップチップ用封止材及び半導体装置 | |
| KR20160143782A (ko) | 경화성 오르가노폴리실록산 조성물 및 전기·전자 부품의 보호제 또는 접착제 조성물 | |
| JP4875251B2 (ja) | シリコーンゲル組成物 | |
| EP0890617B1 (en) | Silicone gel composition for sealing and filling electrical and electronic components | |
| US20080039565A1 (en) | Thixotropic/non-slump room temperature curable organopolysiloxane compositions | |
| EP0686669A2 (en) | Compositions for protecting semiconductor elements and semiconductor devices | |
| WO2015155949A1 (ja) | 接着促進剤、それを含有してなる硬化性オルガノポリシロキサン組成物 | |
| EP0471475B1 (en) | Organopolysiloxane composition and its gel cured product | |
| KR930012218B1 (ko) | 반도체 칩의 내부 피막용 수지 조성물 | |
| KR0177823B1 (ko) | 실리콘고무 조성물 및 그의 경화물 | |
| EP0727462B1 (en) | Silicone gel composition | |
| JP7041094B2 (ja) | ダイボンディング用シリコーン組成物、その硬化物、及び光半導体装置 | |
| JPH09132718A (ja) | 二液型硬化性液状シリコーン組成物 | |
| JPH0356565A (ja) | オルガノポリシロキサンゲル組成物 | |
| EP1702938B1 (en) | Curable silicone composition and its use as adhesive | |
| JP3540356B2 (ja) | コンフォーマルコーティング剤 | |
| JPH02196861A (ja) | 半導体インナーコート用樹脂組成物 | |
| AU677666B2 (en) | Method for curing organosiloxane compositions in the presence of cure inhibiting materials | |
| JPH09169908A (ja) | 電子部品含浸用オルガノポリシロキサン組成物および電子部品 | |
| JPH0327589B2 (ja) |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |