JPS62199084A - 半導体発光素子 - Google Patents
半導体発光素子Info
- Publication number
- JPS62199084A JPS62199084A JP61040164A JP4016486A JPS62199084A JP S62199084 A JPS62199084 A JP S62199084A JP 61040164 A JP61040164 A JP 61040164A JP 4016486 A JP4016486 A JP 4016486A JP S62199084 A JPS62199084 A JP S62199084A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- substrate
- receiving element
- semiconductor laser
- laser
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 33
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 30
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 14
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 14
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 6
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 11
- 238000005476 soldering Methods 0.000 abstract description 6
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 abstract description 4
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 abstract description 4
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 abstract description 2
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 abstract 2
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 abstract 1
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000010365 information processing Effects 0.000 description 2
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000002109 crystal growth method Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 1
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 238000000927 vapour-phase epitaxy Methods 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
発明の要約
端面出射型のＡ ｊ２Ｇ ａ Ａ ｓ ／ Ｇ ａ Ａ
ｓ半導体レーザにおいて、フォトダイオードを内蔵し
たシリコン基板上に、活性層よりエネルギ・ギャップの
大きいＡ、ＱＧａＡｓ層を介して上記半導体レーザを構
成し、共振器下部への漏れ出しくＥ Ｌ）光を基板内の
フォトダイオードで受光し１発生した光電流をレーザ出
力のモニタに用いたことを特徴とする半導体発光素子。
ｓ半導体レーザにおいて、フォトダイオードを内蔵し
たシリコン基板上に、活性層よりエネルギ・ギャップの
大きいＡ、ＱＧａＡｓ層を介して上記半導体レーザを構
成し、共振器下部への漏れ出しくＥ Ｌ）光を基板内の
フォトダイオードで受光し１発生した光電流をレーザ出
力のモニタに用いたことを特徴とする半導体発光素子。
発明の背景
技術分野
この発明は、たとえば光情報処理や光通信の光源に用い
られる端面出射型半導体発光素子に関する。
られる端面出射型半導体発光素子に関する。
従来技術とその問題点
光情報処理や光通信用の光源として用いられるＧａＡｓ
基板上のＡｉ Ｇａ Ａｓを活性層とｘ １−
ｘ する端面出射型半導体レーザは、従来、たとえば第４図
に示すような構成をもちかつ駆動されている。
基板上のＡｉ Ｇａ Ａｓを活性層とｘ １−
ｘ する端面出射型半導体レーザは、従来、たとえば第４図
に示すような構成をもちかつ駆動されている。
第４図において、２１は半導体レーザ・チップ。
２２はヒート・シンク、２３は受光素子、２４はステム
、Ｂｌは出力光°、Ｂ２はモニタ光である。通常、符号
２１〜２４で示される要素が一つのパッケージ内に封入
されている。
、Ｂｌは出力光°、Ｂ２はモニタ光である。通常、符号
２１〜２４で示される要素が一つのパッケージ内に封入
されている。
ここでヒート・シンク２２は、半導体レーザ・チップ２
１の基板であるＧａＡｓと熱膨張係数が近く、熱伝導率
が大きく、さらに平坦性に優れていることが要求され、
シリコン単結晶基板が一般的に使われている。受光素子
２３は、゛ト導体レーザのモニタ光Ｂ２を受光する。受
光索子２３から発生した光電流によりその出力光Ｂｌの
強度がモニタされる。この光電流は制御回路を通じて半
導体レーザを駆動するための電源に帰還され、出力光Ｂ
Ｌの強度を一定にする（いわゆるＡＰＣ：Ａｕｔｏｍａ
ｔｉｃ Ｐｏｗｅｒ Ｃｏｎｔｒｏｌ）ために用いられ
る。受光素子２３としては通常、シリコン・フ第１・ダ
イオードが用いられる。
１の基板であるＧａＡｓと熱膨張係数が近く、熱伝導率
が大きく、さらに平坦性に優れていることが要求され、
シリコン単結晶基板が一般的に使われている。受光素子
２３は、゛ト導体レーザのモニタ光Ｂ２を受光する。受
光索子２３から発生した光電流によりその出力光Ｂｌの
強度がモニタされる。この光電流は制御回路を通じて半
導体レーザを駆動するための電源に帰還され、出力光Ｂ
Ｌの強度を一定にする（いわゆるＡＰＣ：Ａｕｔｏｍａ
ｔｉｃ Ｐｏｗｅｒ Ｃｏｎｔｒｏｌ）ために用いられ
る。受光素子２３としては通常、シリコン・フ第１・ダ
イオードが用いられる。
しかしながら、このような従来の構成にあっては以下の
ような問題点がある。
ような問題点がある。
（イ）半導体レーザ・チップ２１とヒート・シンク２２
、ヒート・シンク２２とステム２４および受光素子２３
とステム２４の３回の半田づけを必要とすること （ロ）半導体レーザ・チップ２１とヒート・シンク２２
の半田づけ不良に起因する素子特性の劣化を誘発しやす
いこと （ハ）モニタ光Ｂ２の受光素子２３の入射面での反射光
が半導体レーザ２１に帰還し易いため。
、ヒート・シンク２２とステム２４および受光素子２３
とステム２４の３回の半田づけを必要とすること （ロ）半導体レーザ・チップ２１とヒート・シンク２２
の半田づけ不良に起因する素子特性の劣化を誘発しやす
いこと （ハ）モニタ光Ｂ２の受光素子２３の入射面での反射光
が半導体レーザ２１に帰還し易いため。
戻り光雑音を誘発しやすいこと
（ニ）レーザ出力光Ｂ［を高出力化するために通常、レ
ーザ２１の後方端面（モニタ光Ｂ２の出射面）にコーテ
ィングしてここを高反射率化することが行なわれるが、
モニタ光Ｂ２をある程度受光素子２３に入力させること
が必要であるから、プロセスが簡便で高反射率の得られ
る金蒸着等が使えず２反射率を制御した誘電体多層膜蒸
着等の複雑なプロセスを用いなければならないこと 発明の概要 発明の目的 この発明は、上記のような従来の問題点に着目してなさ
れたもので、受光素子を内蔵したシリコン基板上に半導
体レーザをつくり上げ、半導体レーザの下方への発光成
分を上記受光素子で受光しモニタ光とすることにより、
上記問題点を解決することを目的とする。゛ 発明の構成と効果 この発明による半導体発光素子は、受光素子部が形成さ
れたシリコン単結晶基板において、出力レーザ光に対し
て透明なバッファ層を介して上記受光素子部上に端面出
射型の二重異種接合・型半導体レーザを構成し、この半
導体レーザの共振器から下部に漏れ出た光を基板内の上
記受光素子部で受光することを特徴とする。
ーザ２１の後方端面（モニタ光Ｂ２の出射面）にコーテ
ィングしてここを高反射率化することが行なわれるが、
モニタ光Ｂ２をある程度受光素子２３に入力させること
が必要であるから、プロセスが簡便で高反射率の得られ
る金蒸着等が使えず２反射率を制御した誘電体多層膜蒸
着等の複雑なプロセスを用いなければならないこと 発明の概要 発明の目的 この発明は、上記のような従来の問題点に着目してなさ
れたもので、受光素子を内蔵したシリコン基板上に半導
体レーザをつくり上げ、半導体レーザの下方への発光成
分を上記受光素子で受光しモニタ光とすることにより、
上記問題点を解決することを目的とする。゛ 発明の構成と効果 この発明による半導体発光素子は、受光素子部が形成さ
れたシリコン単結晶基板において、出力レーザ光に対し
て透明なバッファ層を介して上記受光素子部上に端面出
射型の二重異種接合・型半導体レーザを構成し、この半
導体レーザの共振器から下部に漏れ出た光を基板内の上
記受光素子部で受光することを特徴とする。
この発明によれば、受光素子部を内蔵したシリコン基板
上に半導体レーザを結晶成長させ、半導体レーザの発光
レーザ光のうち基板側への発光成分を上記受光素子で受
光しモニタ光としている。
上に半導体レーザを結晶成長させ、半導体レーザの発光
レーザ光のうち基板側への発光成分を上記受光素子で受
光しモニタ光としている。
シリコン基板に受光素子が設けられており、シリコン基
板はヒート・シンクとして使用できるので、新たに受光
素子やヒート・シンク等の附加部品が不要であり半田づ
けも１回で済むこと、レーザ・チップとヒート・シンク
の半田づけ不良に起因する素子劣化が起こり得ないこと
、受光素子からの反射が無いため戻り光雑音の心配がな
いこと、出射端面からモニタ光を取り出す必要がないた
め金蒸芒等のプロセスの容易な高反射率膜か使用できる
こと等の効果がある。
板はヒート・シンクとして使用できるので、新たに受光
素子やヒート・シンク等の附加部品が不要であり半田づ
けも１回で済むこと、レーザ・チップとヒート・シンク
の半田づけ不良に起因する素子劣化が起こり得ないこと
、受光素子からの反射が無いため戻り光雑音の心配がな
いこと、出射端面からモニタ光を取り出す必要がないた
め金蒸芒等のプロセスの容易な高反射率膜か使用できる
こと等の効果がある。
実施例の説明
第１図はこの発明の実施例の概念模式図である。ここで
、１はステム、２はｐ型シリコン単結晶基板、３は基板
２内のｎ型シリコン領域、４は半導体レーザ・チップ、
５は半導体レーザ４内の共振器部分、Ａｔは半導体レー
ザ４からの端面出射レーザ光である。
、１はステム、２はｐ型シリコン単結晶基板、３は基板
２内のｎ型シリコン領域、４は半導体レーザ・チップ、
５は半導体レーザ４内の共振器部分、Ａｔは半導体レー
ザ４からの端面出射レーザ光である。
共振器５に平行でその中央を通る垂直断面図が第２図に
示されている。ここで６はｐ型Ａｊｊ Ｇａ Ａ
ｓ緩衝（バッファ）層、７はｘ １−ｘ ｐ型ＡＪ Ｇａ Ａｓ下部クラッド層、８はｙ
ｔ−ｙ Ａ、ｇ Ｇａ Ａｓ活性層、９はｎ型Ａで。
示されている。ここで６はｐ型Ａｊｊ Ｇａ Ａ
ｓ緩衝（バッファ）層、７はｘ １−ｘ ｐ型ＡＪ Ｇａ Ａｓ下部クラッド層、８はｙ
ｔ−ｙ Ａ、ｇ Ｇａ Ａｓ活性層、９はｎ型Ａで。
ｚ １−ｚ
Ｇａ Ａｓ上部クラッド層、 １０．１１は電極。
−ｖ
Ａ２は活性層８から基板２側に漏れ出たモニタ光である
。緩１ＪＷ６はシリコン基板２とＡ、ＱＧａＡｓ半導体
チップ部分との格子不整合に起因する歪みを緩和するた
めのバッファであり１発光波長に対して透明であるよう
にその混晶比はＸ＞Ｚに選ばれている。下部および上部
クラッド層７．９の混晶比は、注入キャリヤおよび光の
閉じ込めを有効に行なえるよう、ｙ＞ｚ、ｗ＞ｚにとら
れている。基板２とｎ型領域３とによってフォトダイオ
ード（受光素子）が構成されている。
。緩１ＪＷ６はシリコン基板２とＡ、ＱＧａＡｓ半導体
チップ部分との格子不整合に起因する歪みを緩和するた
めのバッファであり１発光波長に対して透明であるよう
にその混晶比はＸ＞Ｚに選ばれている。下部および上部
クラッド層７．９の混晶比は、注入キャリヤおよび光の
閉じ込めを有効に行なえるよう、ｙ＞ｚ、ｗ＞ｚにとら
れている。基板２とｎ型領域３とによってフォトダイオ
ード（受光素子）が構成されている。
このような半導体発光素子は、たとえば次のようにして
作製される。シリコン基板２の一部にイオン注入や拡散
法を用いて数μｍ程度の深さにｎ型領域３を設ける。こ
の後１分子線エピタキシャル成長法や、有機金属気相成
長法等の非熱・１乏衡結晶成長法を用いてシリコン基板
２のｎ領域３上に各層６〜９を成長させる。各々の厚み
は、たとえば層６は１μｍ、層７は２μｍ、層８はＯ，
，１μｍ。
作製される。シリコン基板２の一部にイオン注入や拡散
法を用いて数μｍ程度の深さにｎ型領域３を設ける。こ
の後１分子線エピタキシャル成長法や、有機金属気相成
長法等の非熱・１乏衡結晶成長法を用いてシリコン基板
２のｎ領域３上に各層６〜９を成長させる。各々の厚み
は、たとえば層６は１μｍ、層７は２μｍ、層８はＯ，
，１μｍ。
層９は２μｍ程度とする。
層６〜９はマスクを用いてｎ型領域３の内部に選択成長
させてもよいし、基板２の全面に成長させた後、ｎ型領
域３の外部に成長した部分をエツチング等により除去し
てもよい。
させてもよいし、基板２の全面に成長させた後、ｎ型領
域３の外部に成長した部分をエツチング等により除去し
てもよい。
以上ののち、ｎ型領域３上の一部および層９上に電極１
０．１１を蒸着等により形成し、このようなチップをも
つ基板２をステム１に半田づけし、すべての工程を終る
。
０．１１を蒸着等により形成し、このようなチップをも
つ基板２をステム１に半田づけし、すべての工程を終る
。
半導体レーザの出射光Ａ１とは反対側に出射する後方出
射光はこの素子においては不要であるから、後方出射端
面に絶縁膜を介して金等の高反射率膜を蒸着し、出射光
Ａ１の高出力化を図るようにすることが好ましい。また
、レーザ発振構造は、埋込み構造を代表とする屈折率導
波型、ストライブ電極構造を代表とする利得導波型、ま
た活性層が量子井戸構造をもつもの等、いかなる構造の
端面出射型半導体レーザにもこの発明は適用可能である
。
射光はこの素子においては不要であるから、後方出射端
面に絶縁膜を介して金等の高反射率膜を蒸着し、出射光
Ａ１の高出力化を図るようにすることが好ましい。また
、レーザ発振構造は、埋込み構造を代表とする屈折率導
波型、ストライブ電極構造を代表とする利得導波型、ま
た活性層が量子井戸構造をもつもの等、いかなる構造の
端面出射型半導体レーザにもこの発明は適用可能である
。
この半導体発光素子の実際の駆動は第３図にその駆動回
路例を示すように、電極１０を共通電極として、ステム
１からフォトダイオードに逆バイアスｖ２を印加し、電
極１１から電圧ｖ１印加により半導体レーザ駆動用の電
流注入を行う。活性層８内で再結合発光した光は誘導放
出によりレーザ発振し出射光Ａｔとなるが、その一部は
いわゆるＥＬ光として上下のクラッド層７，９側に漏れ
だす。層７，６のエネルギ・ギャップを層８のエネルギ
・ギャップより大きくとったことから下部クラッド層７
側に漏れた光Ａ２は１層７．６を透過し、基板２とｎ型
領域３から構成されるフォトダイオードに光電流を生成
する。その光電流を第３図の抵抗ＲＬを通じて電圧に変
換し、出射レーザ光Ａ１のモニタに用いる。この電圧を
、たとえば外部回路の差動増巾器、制御回路等に入力し
、半導体レーザの駆動電源ｖ１に帰還し、出射レーザ光
Ａｔの先出力を安定化させる。
路例を示すように、電極１０を共通電極として、ステム
１からフォトダイオードに逆バイアスｖ２を印加し、電
極１１から電圧ｖ１印加により半導体レーザ駆動用の電
流注入を行う。活性層８内で再結合発光した光は誘導放
出によりレーザ発振し出射光Ａｔとなるが、その一部は
いわゆるＥＬ光として上下のクラッド層７，９側に漏れ
だす。層７，６のエネルギ・ギャップを層８のエネルギ
・ギャップより大きくとったことから下部クラッド層７
側に漏れた光Ａ２は１層７．６を透過し、基板２とｎ型
領域３から構成されるフォトダイオードに光電流を生成
する。その光電流を第３図の抵抗ＲＬを通じて電圧に変
換し、出射レーザ光Ａ１のモニタに用いる。この電圧を
、たとえば外部回路の差動増巾器、制御回路等に入力し
、半導体レーザの駆動電源ｖ１に帰還し、出射レーザ光
Ａｔの先出力を安定化させる。
上記実施例の導電性ｐ、ｎをすべて反転してもよいのは
いうまでもない。
いうまでもない。
以−に述べたように上記実施例においては。
（イ）素子化において、半田づけが１回で済み工程の簡
略化が図れること （ロ）従来特性劣化の一因であったレーザ・チップとヒ
ート・シンクの半田付けが不要であること （ハ）受光素子がレーザ共振器と平行に構成されている
ので受光素子面からの反射光による戻り光雑音の心配が
無いこと （ニ）ヒート・シンクが不要であること（ホ）モニタ光
用の後方出射光が不要であり後方端面を高反射率化し出
射レーザ光の高出力化が図れること （へ）基板を集積化プロセスの発達したシリコン基板と
したことにより電子回路等を同一基板上に集積化可能で
あること 等の効果が得られる。
略化が図れること （ロ）従来特性劣化の一因であったレーザ・チップとヒ
ート・シンクの半田付けが不要であること （ハ）受光素子がレーザ共振器と平行に構成されている
ので受光素子面からの反射光による戻り光雑音の心配が
無いこと （ニ）ヒート・シンクが不要であること（ホ）モニタ光
用の後方出射光が不要であり後方端面を高反射率化し出
射レーザ光の高出力化が図れること （へ）基板を集積化プロセスの発達したシリコン基板と
したことにより電子回路等を同一基板上に集積化可能で
あること 等の効果が得られる。
第１図および第２図はこの発明の実施例を示し、第１図
は斜視的にみた構成図、第２図は断面図である。 第３図は、半導体発光素子の駆動回路を示す回路図であ
る。 第４図は、従来例を示す断面構成図である。 ２・・・ｐ型Ｓｉ基板、 ３・・・ｎ型領域。 ４・・・半導体レーザ・チップ。 ５・・・レーザ共振器部分。 ６・・・バッファ層、 ７，９・・・クラッド層。 ８・・・活性層。 以 」二
は斜視的にみた構成図、第２図は断面図である。 第３図は、半導体発光素子の駆動回路を示す回路図であ
る。 第４図は、従来例を示す断面構成図である。 ２・・・ｐ型Ｓｉ基板、 ３・・・ｎ型領域。 ４・・・半導体レーザ・チップ。 ５・・・レーザ共振器部分。 ６・・・バッファ層、 ７，９・・・クラッド層。 ８・・・活性層。 以 」二
Claims (1)
- 受光素子部が形成されたシリコン単結晶基板において、
出力レーザ光に対して透明なバッファ層を介して上記受
光素子部上に端面出射型の二重異種接合型半導体レーザ
を構成し、この半導体レーザの共振器から下部に漏れ出
た光を基板内の上記受光素子部で受光することを特徴と
する半導体発光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61040164A JPS62199084A (ja) | 1986-02-27 | 1986-02-27 | 半導体発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61040164A JPS62199084A (ja) | 1986-02-27 | 1986-02-27 | 半導体発光素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62199084A true JPS62199084A (ja) | 1987-09-02 |
Family
ID=12573123
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61040164A Pending JPS62199084A (ja) | 1986-02-27 | 1986-02-27 | 半導体発光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62199084A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009117522A (ja) * | 2007-11-05 | 2009-05-28 | Fujifilm Corp | レーザモジュール |
| JP2009522805A (ja) * | 2006-01-05 | 2009-06-11 | ビノプティクス・コーポレイション | 集積フォトニックデバイス用のモニタ光検出器 |
-
1986
- 1986-02-27 JP JP61040164A patent/JPS62199084A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009522805A (ja) * | 2006-01-05 | 2009-06-11 | ビノプティクス・コーポレイション | 集積フォトニックデバイス用のモニタ光検出器 |
| JP2009117522A (ja) * | 2007-11-05 | 2009-05-28 | Fujifilm Corp | レーザモジュール |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US20020158259A1 (en) | Semiconductor light-emitting device and method for producing same | |
| US20020024052A1 (en) | Edge emission type semiconductor device for emitting super luminescent light, its manufacture and spatial optical communication device | |
| JPS63318195A (ja) | 横方向埋め込み型面発光レ−ザ | |
| US5253263A (en) | High-power surface-emitting semiconductor injection laser with etched internal 45 degree and 90 degree micromirrors | |
| JPH04132274A (ja) | 発光ダイオード | |
| JP2001015849A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JP3206097B2 (ja) | 面発光型半導体レーザ | |
| US6452669B1 (en) | Transmission detection for vertical cavity surface emitting laser power monitor and system | |
| JPH0194689A (ja) | 光半導体素子 | |
| JP3206080B2 (ja) | 半導体レーザ | |
| GB2274740A (en) | Integrated light emitter-detector device | |
| JPS62188385A (ja) | 半導体発光素子 | |
| JP2004186678A (ja) | 窒化物半導体発光素子 | |
| JPS62199084A (ja) | 半導体発光素子 | |
| US4325034A (en) | Semiconductor lasers with integrally formed light emitting diodes | |
| US5309464A (en) | Semiconductor laser and method for manufacturing the same | |
| JPS6083389A (ja) | 面発光レ−ザ発振装置 | |
| JPH04234188A (ja) | オプトエレクトロニック素子並びにレーザ及び光検出器製造へのその利用 | |
| JPH0156547B2 (ja) | ||
| JP3358197B2 (ja) | 半導体レーザ | |
| US3431438A (en) | Optical computer comprising semiconductor p-n junction components | |
| JPS62106673A (ja) | 半導体発光装置 | |
| JPS6358388B2 (ja) | ||
| JPS6342874B2 (ja) | ||
| Schnitzer et al. | The single-mode light-emitting-diode |