JPS62198277A - 撮像管装置 - Google Patents
撮像管装置Info
- Publication number
- JPS62198277A JPS62198277A JP61040790A JP4079086A JPS62198277A JP S62198277 A JPS62198277 A JP S62198277A JP 61040790 A JP61040790 A JP 61040790A JP 4079086 A JP4079086 A JP 4079086A JP S62198277 A JPS62198277 A JP S62198277A
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- JP
- Japan
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- temperature
- voltage
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- target voltage
- photoconductive film
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- Pending
Links
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- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract description 12
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 11
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- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
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Landscapes
- Image-Pickup Tubes, Image-Amplification Tubes, And Storage Tubes (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は撮像管装置に関する。
本発明は撮像管装置において、光導電膜の温度に応じて
ターゲット電圧を自動的に補正するようにしたことによ
り、温度変化による特性劣化を防止するようにしたもの
である。
ターゲット電圧を自動的に補正するようにしたことによ
り、温度変化による特性劣化を防止するようにしたもの
である。
従来、非晶質セレン（Ｓｅ）、ヒ素（Ａｓ）、テルル（
’ｌ’ｅ ）などを含有するＰ型光導電膜とＮ型導電膜
との間に整流性接触を形成した整流接触型の光導電性撮
像管ターゲットが提案されている。このような撮像管タ
ーゲットは、残像、フレアが少なく、解像度が高く、白
点状の画面欠陥が少なく、しかも製造方法が簡単である
等の特徴を有している。
’ｌ’ｅ ）などを含有するＰ型光導電膜とＮ型導電膜
との間に整流性接触を形成した整流接触型の光導電性撮
像管ターゲットが提案されている。このような撮像管タ
ーゲットは、残像、フレアが少なく、解像度が高く、白
点状の画面欠陥が少なく、しかも製造方法が簡単である
等の特徴を有している。
ところで、上述したような撮像管ターゲットを有する撮
像管においては、低温動作時に特性が劣化する問題があ
る。即ち、光導電膜を低温動作させると、以下の特性が
劣化する。まず、感度が減少する。この場合、赤色、緑
色及び青色の順にその割合は多く、２５Ｃを基準にする
と、−２０Ｃで赤色は２０チ、緑色は１０チ、青色は５
％減少する。
像管においては、低温動作時に特性が劣化する問題があ
る。即ち、光導電膜を低温動作させると、以下の特性が
劣化する。まず、感度が減少する。この場合、赤色、緑
色及び青色の順にその割合は多く、２５Ｃを基準にする
と、−２０Ｃで赤色は２０チ、緑色は１０チ、青色は５
％減少する。
また、信号電流のダイナミックレンジが減少する。
また、白を写したときに黒くうつるネガアフターイメー
ジ（ネガＡＩ）が生じる。つまシ、光入射部分の感度が
著しく劣化（≦−１０％）し、未入射部分との感度差が
大きくなり、強いネガアフターイメージが生じる。また
、残像特性が劣化する。
ジ（ネガＡＩ）が生じる。つまシ、光入射部分の感度が
著しく劣化（≦−１０％）し、未入射部分との感度差が
大きくなり、強いネガアフターイメージが生じる。また
、残像特性が劣化する。
本発明はＪｖ［る点に鑑み、温度変化による特性劣化を
防止するようにしたものである。
防止するようにしたものである。
本発明は上述問題点を解決するため、光導′ＲＬ膜の温
度を検出する温度センサー（５）と、この温度センサー
（５）の出力に応じてターゲット電圧ｖＴを補正する補
正回路（６）とを有してなるものである。例えば、室温
動作時には通常の電圧がターゲットに印加され、低温動
作時には温度が低くなるにつれて順次高くなる電圧がタ
ーゲットに印加される。
度を検出する温度センサー（５）と、この温度センサー
（５）の出力に応じてターゲット電圧ｖＴを補正する補
正回路（６）とを有してなるものである。例えば、室温
動作時には通常の電圧がターゲットに印加され、低温動
作時には温度が低くなるにつれて順次高くなる電圧がタ
ーゲットに印加される。
以上の構成において、光導電膜の一１＃′に応じてター
ゲット電圧ＶＴが自動的に補正され、例えば低温動作時
の特性劣化は、ターグツ）［圧ＶＴの上昇による特性向
上によって補われ、低献動作時の特性劣化は防止される
。
ゲット電圧ＶＴが自動的に補正され、例えば低温動作時
の特性劣化は、ターグツ）［圧ＶＴの上昇による特性向
上によって補われ、低献動作時の特性劣化は防止される
。
上述で説明した非晶質セレンを主体とする光導電膜の感
度の温度依存性は、第３図に示すようになシ、低温動作
時には感度が減少する傾向がある。
度の温度依存性は、第３図に示すようになシ、低温動作
時には感度が減少する傾向がある。
同図は２５Ｃを基準（１００チ）としたもので、同図に
おいて実線ｒは赤色、一点鎖線ｇは緑色、破線すは青色
の感度を示している。また、焼付特性は第４図のように
低温（例えば−１ｏｃ＞動作では、大きく負側に変化し
、特性が劣化する。
おいて実線ｒは赤色、一点鎖線ｇは緑色、破線すは青色
の感度を示している。また、焼付特性は第４図のように
低温（例えば−１ｏｃ＞動作では、大きく負側に変化し
、特性が劣化する。
これらの特性劣化を改善する為には、ターゲット電圧Ｖ
Ｔを上げて使用することが有効である。感度及びダイナ
ミックレンツに関しては、第５図のようＫｖＴ＋ΔＶＴ
とすることによって、信号１１！流はΔｌ５１ｇだけ増
加する。もともと低温で一Δｌ５１ｇだけ減少している
から、トータルではΔＩｓｉｇ−Δｌ５１ｇとなり、両
者が同値であれば感層劣化、ダイナミックレンジの減少
はなくなる。また、低温動作時の焼付も、第６図に示す
ようにターゲット電圧ＶＴを高くすることによって、改
善される。
Ｔを上げて使用することが有効である。感度及びダイナ
ミックレンツに関しては、第５図のようＫｖＴ＋ΔＶＴ
とすることによって、信号１１！流はΔｌ５１ｇだけ増
加する。もともと低温で一Δｌ５１ｇだけ減少している
から、トータルではΔＩｓｉｇ−Δｌ５１ｇとなり、両
者が同値であれば感層劣化、ダイナミックレンジの減少
はなくなる。また、低温動作時の焼付も、第６図に示す
ようにターゲット電圧ＶＴを高くすることによって、改
善される。
以下、第１図を参照しながら本発明の一実施例について
説明しよう。
説明しよう。
同図において、（１）は撮像管であり、例えば上述した
非晶質セレンを主体とする光導電膜を有するものである
。また、（２）は信号取出用の電極ピンであり、この電
極ピン（２）に得られる信号はプリアンプ（３）を介し
て端子（４）に導出される。
非晶質セレンを主体とする光導電膜を有するものである
。また、（２）は信号取出用の電極ピンであり、この電
極ピン（２）に得られる信号はプリアンプ（３）を介し
て端子（４）に導出される。
また、（５）はサーミスタ等の温度センサーであり、管
体外壁面に取付けられる。この場合、光導電膜の温度が
検出されたと等価となるように、温度センサー（５）は
セットされる。
体外壁面に取付けられる。この場合、光導電膜の温度が
検出されたと等価となるように、温度センサー（５）は
セットされる。
また、温度センサー（５）からの検出信号Ｓｄはターゲ
ット電圧ＶＴの補正回路（６）に供給される。また、撮
像管（１１のターゲットには電圧供給回路（力よシプリ
アンプ（３）及び電極ピン（２）を介して電圧ＶＴが印
加される。そして、電圧供給回路（力は補正回路（６）
Ｋよって制御され、電圧ｖＴは温度センサー（５）から
の検出信号Ｓｄ、即ち撮像管（１）の光導電膜の温度に
応じて変えられる。
ット電圧ＶＴの補正回路（６）に供給される。また、撮
像管（１１のターゲットには電圧供給回路（力よシプリ
アンプ（３）及び電極ピン（２）を介して電圧ＶＴが印
加される。そして、電圧供給回路（力は補正回路（６）
Ｋよって制御され、電圧ｖＴは温度センサー（５）から
の検出信号Ｓｄ、即ち撮像管（１）の光導電膜の温度に
応じて変えられる。
この場合、電圧ＶＴは例えば第２図に示すように変えら
れる。即ち、１０Ｃより高い場合にはターデッド電圧Ｖ
Ｔは標準値のままとされ、１０ｔｌｌ’より低い場合に
は、温度が低くなるにつれてターゲット電圧ｖＴは高く
される。上述したように、温度低下による感度低下は赤
色、緑色、青色の順にその割合は多く、夫々異なるので
、例えば３管式カラーカメラにおいては、第２図ｒ、ｇ
、ｂに示すように、赤色、緑色、ｆ色の順に補正瞳は多
くされる。例えば、−２０Ｃの場合、ターゲット電圧Ｖ
Ｔは標準値より夫々＋２０％、＋１０１ ＋５％だけ高
くされる。
れる。即ち、１０Ｃより高い場合にはターデッド電圧Ｖ
Ｔは標準値のままとされ、１０ｔｌｌ’より低い場合に
は、温度が低くなるにつれてターゲット電圧ｖＴは高く
される。上述したように、温度低下による感度低下は赤
色、緑色、青色の順にその割合は多く、夫々異なるので
、例えば３管式カラーカメラにおいては、第２図ｒ、ｇ
、ｂに示すように、赤色、緑色、ｆ色の順に補正瞳は多
くされる。例えば、−２０Ｃの場合、ターゲット電圧Ｖ
Ｔは標準値より夫々＋２０％、＋１０１ ＋５％だけ高
くされる。
本例は以上のように構成され、ターゲット電圧ＶＴは１
０Ｃ以上の室温動作時には標準値とされ、１０ｔＺ’以
下の低温動作時には温度が低くなるにつれて高くされる
ので、低温動作時の感度、ダイナミックレンジ、焼付等
の特性劣化は、ターゲット電圧ＶＴの上昇による特性向
上によって補われる。したがって本例によれば、低温動
作時における特性劣化を防止することができる。
０Ｃ以上の室温動作時には標準値とされ、１０ｔＺ’以
下の低温動作時には温度が低くなるにつれて高くされる
ので、低温動作時の感度、ダイナミックレンジ、焼付等
の特性劣化は、ターゲット電圧ＶＴの上昇による特性向
上によって補われる。したがって本例によれば、低温動
作時における特性劣化を防止することができる。
尚、上述実施例においては、温度センサー（５）は管体
外壁面に取付けられたものであるが、取付位置はここに
限定されるものではない。喪は、光導電膜の温度が検出
されるところであればどこでもよい。
外壁面に取付けられたものであるが、取付位置はここに
限定されるものではない。喪は、光導電膜の温度が検出
されるところであればどこでもよい。
以上述べた本発明によれば、光導電膜の温度に応じてタ
ーグツト電圧が自動的に補正されろようにしたぎので、
例えば低温動作時の特性劣化は、ターグツト電圧の上昇
による特性向上によって補われ、低温動作時の特性劣化
を防止することができる。
ーグツト電圧が自動的に補正されろようにしたぎので、
例えば低温動作時の特性劣化は、ターグツト電圧の上昇
による特性向上によって補われ、低温動作時の特性劣化
を防止することができる。
第１図は本発明の一実施例を示す構成図、第２図はその
説明のための図、第３図〜第６図は本発明の説明のため
の図である。 （１）は撮像管、（２）は１！極ピン、（５）は温度七
／゛サー、（６ンはターグツト電圧の補正回路、（７）
は電圧供給回路である。
説明のための図、第３図〜第６図は本発明の説明のため
の図である。 （１）は撮像管、（２）は１！極ピン、（５）は温度七
／゛サー、（６ンはターグツト電圧の補正回路、（７）
は電圧供給回路である。
Claims (1)
- 撮像管の光導電膜の温度を検出する温度センサーと、上
記温度センサーの出力に応じて上記撮像管のターゲット
電圧を補正する補正回路とを有してなる撮像管装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61040790A JPS62198277A (ja) | 1986-02-26 | 1986-02-26 | 撮像管装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61040790A JPS62198277A (ja) | 1986-02-26 | 1986-02-26 | 撮像管装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62198277A true JPS62198277A (ja) | 1987-09-01 |
Family
ID=12590413
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61040790A Pending JPS62198277A (ja) | 1986-02-26 | 1986-02-26 | 撮像管装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62198277A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4940015A (en) * | 1988-07-30 | 1990-07-10 | Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho | Plasma reactor for diamond synthesis |
-
1986
- 1986-02-26 JP JP61040790A patent/JPS62198277A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4940015A (en) * | 1988-07-30 | 1990-07-10 | Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho | Plasma reactor for diamond synthesis |
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