JPS62198180A - Ｃｏ↓２レ−ザ装置 - Google Patents
Ｃｏ↓２レ−ザ装置Info
- Publication number
- JPS62198180A JPS62198180A JP3838386A JP3838386A JPS62198180A JP S62198180 A JPS62198180 A JP S62198180A JP 3838386 A JP3838386 A JP 3838386A JP 3838386 A JP3838386 A JP 3838386A JP S62198180 A JPS62198180 A JP S62198180A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- laser
- mirror
- light
- wavelength
- reflectivity
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 claims abstract 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 7
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 6
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 5
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004366 ThF4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/02—Constructional details
- H01S3/03—Constructional details of gas laser discharge tubes
- H01S3/034—Optical devices within, or forming part of, the tube, e.g. windows, mirrors
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明はＣＯ２レーザ装置、特にＣＯ，レーザなどの
赤外域で発振する大出力ガスレーザの安定型共振器に使
用される部分反射ミラーの長寿命化・高信頼化に関する
ものである。
赤外域で発振する大出力ガスレーザの安定型共振器に使
用される部分反射ミラーの長寿命化・高信頼化に関する
ものである。
第６図は例えば電子通信学会誌第６８巻４号Ｐ４１２−
Ｐ４２２に示された従来の安定型共振器を採用したＣＯ
，レーザ装置の概略を示す構成図である。図において、
（１ａ）、（１ｂ）はレーザ励起のための放電電極
、（２）はレーザ励起放電により生成されたレーザ媒質
、（３）は共振器を構成する全反射ミラー％（４］は共
振器を構成する部分反射ミラー、（５）はレーザガスを
封入するためのレーザ筐体、（６）はレーザ光線である
。
Ｐ４２２に示された従来の安定型共振器を採用したＣＯ
，レーザ装置の概略を示す構成図である。図において、
（１ａ）、（１ｂ）はレーザ励起のための放電電極
、（２）はレーザ励起放電により生成されたレーザ媒質
、（３）は共振器を構成する全反射ミラー％（４］は共
振器を構成する部分反射ミラー、（５）はレーザガスを
封入するためのレーザ筐体、（６）はレーザ光線である
。
従来のＣＯ，レーザ装置は上記のように構成され、たと
えばＣＯ２、Ｎｌ 、 Ｈｅの混合ガスであるレーザガ
スを所定のガス圧力でレーザ筐体（５）内に満し、放電
電極（１ａ）、 （１ｂ）間に電圧を印加して放電させ
ると、光増幅作用のあるレーザ媒質（２）が生成される
。このレーザ媒質（２）をはさんで対向して全反射ミラ
ー（３）と部分反射ミラー（４）を配設すると。
えばＣＯ２、Ｎｌ 、 Ｈｅの混合ガスであるレーザガ
スを所定のガス圧力でレーザ筐体（５）内に満し、放電
電極（１ａ）、 （１ｂ）間に電圧を印加して放電させ
ると、光増幅作用のあるレーザ媒質（２）が生成される
。このレーザ媒質（２）をはさんで対向して全反射ミラ
ー（３）と部分反射ミラー（４）を配設すると。
レーザ発振が生じ、部分反射ミラー（４）からレーザ光
線（６ンが放射される。
線（６ンが放射される。
レーザ光の波長は１０．６μｍの赤外域にあり、部分反
射ミラー（４）の基板材料として、Ｚｎ５ｅ、 ＧａＡ
３゜ＫＣｌＴｃどの赤外線透過材料が使われる。また、
部分反射ミラー（４）のミラー六面および裏面には、そ
れぞれ所定の反射率を得るためのコーティング、無反射
コーティングがほどこされている。コーティング材料と
してもＺｎ５ｅ、 ＺｎＳ、 ＰｂＦｌ 、 ＴｈＦ４
、 Ａｓｔ Ｓｓなどの赤外透過材料が使用されてい
る。
射ミラー（４）の基板材料として、Ｚｎ５ｅ、 ＧａＡ
３゜ＫＣｌＴｃどの赤外線透過材料が使われる。また、
部分反射ミラー（４）のミラー六面および裏面には、そ
れぞれ所定の反射率を得るためのコーティング、無反射
コーティングがほどこされている。コーティング材料と
してもＺｎ５ｅ、 ＺｎＳ、 ＰｂＦｌ 、 ＴｈＦ４
、 Ａｓｔ Ｓｓなどの赤外透過材料が使用されてい
る。
Ｃ０２レーザ装置を作動させると、上述したように１０
．６μｍの赤外レーザ光線（６）が赤外域で透明な部分
反射ミラー（４）から放射される。
．６μｍの赤外レーザ光線（６）が赤外域で透明な部分
反射ミラー（４）から放射される。
同時に、レーザ媒質（２）からは１０．６μ罵の赤外レ
ーザ光のみならず、可視・紫外域の光が放射される。Ｃ
Ｏ鵞レーザの場合、この可視・紫外光はレーザガス中に
含まれているＮ２分子の発光によるものがほとんどで、
その発光の波長域は０．５μｍ以下である。その発光の
スペクトルの一例を第７図に示す。このように、従来の
ＣＯ，レーザ装置においては、上記の０．５μ７７！
以下可視・紫外光が直接に部分反射鏡（４）に入射す
る構造となっていた。
ーザ光のみならず、可視・紫外域の光が放射される。Ｃ
Ｏ鵞レーザの場合、この可視・紫外光はレーザガス中に
含まれているＮ２分子の発光によるものがほとんどで、
その発光の波長域は０．５μｍ以下である。その発光の
スペクトルの一例を第７図に示す。このように、従来の
ＣＯ，レーザ装置においては、上記の０．５μ７７！
以下可視・紫外光が直接に部分反射鏡（４）に入射す
る構造となっていた。
従来のＣＯｔレーザ装［１は取上のように構成されてい
るので、レーザ励起放電部のＮ７分子が発する０、５゛
μｍμ下の光線が直接部分反射ミラー（４）を照射する
。部分反射ミラー（４）の基板材料やコーティング材料
は０．５４ 以下の波長の光に対し、吸収最長波長端は
それぞれ物質固有の値を持つが、必ず吸収体となる。上
記Ｎ１分子からの発光光線の吸収により、程度の差はあ
れ基板材料もしくはコーティング材料が変質をうける。
るので、レーザ励起放電部のＮ７分子が発する０、５゛
μｍμ下の光線が直接部分反射ミラー（４）を照射する
。部分反射ミラー（４）の基板材料やコーティング材料
は０．５４ 以下の波長の光に対し、吸収最長波長端は
それぞれ物質固有の値を持つが、必ず吸収体となる。上
記Ｎ１分子からの発光光線の吸収により、程度の差はあ
れ基板材料もしくはコーティング材料が変質をうける。
０．５ 、ｃｍ ＩＪ、下の光に長時間さらされると変
質が進行し、ＣＯ，レーザの波長１α６声の赤外線に対
する吸収率が増大する。その結果１部分反射ミラー（４
）のレーザ光による光学歪みが大きくなる。この光学歪
みのことを通称熱レンズ作用と呼んでいる。この光学歪
みが大きくなると、レーザ光の集光性能が極度に低下す
る。
質が進行し、ＣＯ，レーザの波長１α６声の赤外線に対
する吸収率が増大する。その結果１部分反射ミラー（４
）のレーザ光による光学歪みが大きくなる。この光学歪
みのことを通称熱レンズ作用と呼んでいる。この光学歪
みが大きくなると、レーザ光の集光性能が極度に低下す
る。
ＣＯ鵞レーザ加工機として使用した場合には、加工性能
が顕著に低下する。μ上説明したように、従来のＣＯ，
レーザ装置は部分反射ミラー（４）が０．５μｍ以下の
光に直接さらされる構造となっていたので、部分反射ミ
ラー（４）の寿命が短かく％従って安定性・信頼性の低
いことが問題であった。
が顕著に低下する。μ上説明したように、従来のＣＯ，
レーザ装置は部分反射ミラー（４）が０．５μｍ以下の
光に直接さらされる構造となっていたので、部分反射ミ
ラー（４）の寿命が短かく％従って安定性・信頼性の低
いことが問題であった。
この発明は上記のような問題点を解消するためにｒｚ
ｇれたもので、部分反射ミラーの劣化を防止して寿命を
延ばし、高い安定性・信頼性を有するＣＯ，ｌ／−ザ装
置を得ることを目的とする。
ｇれたもので、部分反射ミラーの劣化を防止して寿命を
延ばし、高い安定性・信頼性を有するＣＯ，ｌ／−ザ装
置を得ることを目的とする。
この発明に係るＣＯ，レーザ装置は、レーザ媒質と部分
反射ミラーとの間に赤外域のレーザ光に対しては高い反
射率を、可視・紫外域の光に対しては低い反射率を持つ
波長選択性ミラーを配設するように構成したものである
。
反射ミラーとの間に赤外域のレーザ光に対しては高い反
射率を、可視・紫外域の光に対しては低い反射率を持つ
波長選択性ミラーを配設するように構成したものである
。
この発明においては、レーザ媒質と部分反射ミラーとの
間に、赤外域におけるレーザ光に対しては高い反射率を
、可視・紫外域の光に対しては低い反射率をもつ波長選
択性ミラーを少なくとも一つ配設したから、レーザ媒質
からの可視・４紫外域の光を顕著に減衰させることがで
きる。
間に、赤外域におけるレーザ光に対しては高い反射率を
、可視・紫外域の光に対しては低い反射率をもつ波長選
択性ミラーを少なくとも一つ配設したから、レーザ媒質
からの可視・４紫外域の光を顕著に減衰させることがで
きる。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第１
図において（７）は赤外域にある１０．６μｍのレーザ
光に対しほぼ１００％の反射率を有し、かつα５μ、ｍ
以下の波長の光に対する反射率が低い波長選択性ミラー
である。波長選択性ミラー（７）の代表曲な構成を第２
図に示す。図において（ハ）は銅。
図において（７）は赤外域にある１０．６μｍのレーザ
光に対しほぼ１００％の反射率を有し、かつα５μ、ｍ
以下の波長の光に対する反射率が低い波長選択性ミラー
である。波長選択性ミラー（７）の代表曲な構成を第２
図に示す。図において（ハ）は銅。
金、銀、アルミニクムなどの金属基板、＠は赤外域での
反射率が金属基板な■と同程度とする透明体であり、か
つ０．５μｍＩＪ、下の可視・紫外域のレーザ光を吸収
する吸収体となるＧｅなどの材料で形成されたコーティ
ング層、翰は赤外域での反射率が金属基板Ｑ力と同程度
とする透明体であり、かつ０．５ＨＩＪ、下の可視・紫
外域の光をほぼすべてコーティング層（２）に浸透させ
るための無反射コーティング層である。無反射コーティ
ング層□□□の材料として、ＺｎＳ 、 ８１０などが
適している。
反射率が金属基板な■と同程度とする透明体であり、か
つ０．５μｍＩＪ、下の可視・紫外域のレーザ光を吸収
する吸収体となるＧｅなどの材料で形成されたコーティ
ング層、翰は赤外域での反射率が金属基板Ｑ力と同程度
とする透明体であり、かつ０．５ＨＩＪ、下の可視・紫
外域の光をほぼすべてコーティング層（２）に浸透させ
るための無反射コーティング層である。無反射コーティ
ング層□□□の材料として、ＺｎＳ 、 ８１０などが
適している。
上記のように構成されたＣＯｔレーザ装置においては、
波長１０．６μｍのレーザ光に対し波長選択性ミラー（
７）は高反射率を有するので、該ミラー（７）の付加に
よるレーザ特性の変化がほとんどなく。
波長１０．６μｍのレーザ光に対し波長選択性ミラー（
７）は高反射率を有するので、該ミラー（７）の付加に
よるレーザ特性の変化がほとんどなく。
正常なレーザ動作が実現される。一方、レーザ媒質（２
）から放射される０、５μｍ以下の波長の光はこれに対
して低い反射率を有する波長選択性ミラー（７）に吸収
され部分反射ミラー（４）に達する光量は大幅に減少す
る。−例として、Ｓｉｎ／Ｇｅ／銅で構成された波長選
択性ミラー（７）の場合の分光反射特性を第６図に示す
。０．５μ虚μ下の波長域における反射率は大略１０％
程度となっている。部分反射ミラー（４）部において測
定した０、 ５−０．２５μｍの波長域の光パワーを第
４図ａに示す。なお、第６図に示した従来のレーザ装置
の場合の光パワーを第４図すに示す。第４図から明らか
なように、波長選択性ミラー（７）の付加により１部分
反射ミラー（４）に到達する０、５μｍμ下の光パワー
が約１／１０に減少することが判る。
）から放射される０、５μｍ以下の波長の光はこれに対
して低い反射率を有する波長選択性ミラー（７）に吸収
され部分反射ミラー（４）に達する光量は大幅に減少す
る。−例として、Ｓｉｎ／Ｇｅ／銅で構成された波長選
択性ミラー（７）の場合の分光反射特性を第６図に示す
。０．５μ虚μ下の波長域における反射率は大略１０％
程度となっている。部分反射ミラー（４）部において測
定した０、 ５−０．２５μｍの波長域の光パワーを第
４図ａに示す。なお、第６図に示した従来のレーザ装置
の場合の光パワーを第４図すに示す。第４図から明らか
なように、波長選択性ミラー（７）の付加により１部分
反射ミラー（４）に到達する０、５μｍμ下の光パワー
が約１／１０に減少することが判る。
μ上説明したように、波長選択性ミラー（７）を付加す
ることにより、部分反射ミラー（４）に入射する０、５
μｍ１ｆｉ下の光パワーが大幅に減少するので１部分反
射ミラー（４）の劣化が顕著に抑制される。
ることにより、部分反射ミラー（４）に入射する０、５
μｍ１ｆｉ下の光パワーが大幅に減少するので１部分反
射ミラー（４）の劣化が顕著に抑制される。
なお、上記実施例では波長選択性ミラー（７）を１枚付
加したものを示したが、第５図に示したように２枚の波
長選択性ミラー・（７ａ）、 （７ｂ）を直列に配置す
れば、０．５μｍａｌ下の波長の光に対する減光効果が
ざらに強められる。この場合、波長選択性ミラー（７ａ
）、 （７ｂ）の無反射コーディング＠−の膜厚をそれ
ぞれ変化させ、最低反射率を与える波長をシフトさせれ
ば、さらに高効率の減光効果が得られる。
加したものを示したが、第５図に示したように２枚の波
長選択性ミラー・（７ａ）、 （７ｂ）を直列に配置す
れば、０．５μｍａｌ下の波長の光に対する減光効果が
ざらに強められる。この場合、波長選択性ミラー（７ａ
）、 （７ｂ）の無反射コーディング＠−の膜厚をそれ
ぞれ変化させ、最低反射率を与える波長をシフトさせれ
ば、さらに高効率の減光効果が得られる。
上記実施例では、 ＣＯｔレーザの場合についてのみ説
明したが、波長５μｍ帯で発振するＣＯレーザにおいて
も、ＣＯ，レーザと同様な材料からなる部分反射ミラー
を使用し、かつレーザガス中にＮ２分子を含むので、上
記実施例と同様の効果を奏する。
明したが、波長５μｍ帯で発振するＣＯレーザにおいて
も、ＣＯ，レーザと同様な材料からなる部分反射ミラー
を使用し、かつレーザガス中にＮ２分子を含むので、上
記実施例と同様の効果を奏する。
以上のように、この発明によればレーザ媒質と部分反射
ミラーとの間に赤外域におけるレーザ光に対しては高い
反射率を、可視・紫外域の光に対しては低い反射率をも
つ波長選択性ミラーを少なくとも一つ配設し、レーザ媒
質からの可視・紫外域の光を顕著に減衰させるので１部
分反射ミラーの劣化が極度に抑止でき、安定性・信頼性
の高いＣＯｔレーザ装置が得られる効果がある。
ミラーとの間に赤外域におけるレーザ光に対しては高い
反射率を、可視・紫外域の光に対しては低い反射率をも
つ波長選択性ミラーを少なくとも一つ配設し、レーザ媒
質からの可視・紫外域の光を顕著に減衰させるので１部
分反射ミラーの劣化が極度に抑止でき、安定性・信頼性
の高いＣＯｔレーザ装置が得られる効果がある。
第１図はこの発明の一実施例によるＣＯ，レーザ装置を
示す構成図、第２図はこの発明で使用されている波長選
択性ミラーの一実施例を示す断面図。 第６図は波長選択性ミラーの分光反射率特性を示すグラ
フ、第４図はこの発明の詳細な説明するための測定され
た光パワー特性を示すグラフ、第５図はこの発明の他の
実施例を示すＣＯ，レーザ装置の構成図、第６図は従来
のＣＯ，レーザ装置を示す構成図、第７図はレーザ励起
放電の分光スペクトル図である。 図において％ （１ａ） （１ｂ）は放電電極、（２
）はレーザ媒質、（３）は全反射ミラー、（４）は部分
反射−ミラー、（５）はレーザ筐体、（６）はレーザ光
線、（７）は波長選択性ミラーである。 なお、図中同一符号は同一、又は相当部分を示す。 代理人 弁理士 佐 藤 正 年 第１図 第２！！Ｉ 第 ４ ＠ 第 ３１ｉ 第５図 ｆ１４６＠
示す構成図、第２図はこの発明で使用されている波長選
択性ミラーの一実施例を示す断面図。 第６図は波長選択性ミラーの分光反射率特性を示すグラ
フ、第４図はこの発明の詳細な説明するための測定され
た光パワー特性を示すグラフ、第５図はこの発明の他の
実施例を示すＣＯ，レーザ装置の構成図、第６図は従来
のＣＯ，レーザ装置を示す構成図、第７図はレーザ励起
放電の分光スペクトル図である。 図において％ （１ａ） （１ｂ）は放電電極、（２
）はレーザ媒質、（３）は全反射ミラー、（４）は部分
反射−ミラー、（５）はレーザ筐体、（６）はレーザ光
線、（７）は波長選択性ミラーである。 なお、図中同一符号は同一、又は相当部分を示す。 代理人 弁理士 佐 藤 正 年 第１図 第２！！Ｉ 第 ４ ＠ 第 ３１ｉ 第５図 ｆ１４６＠
Claims (1)
- レーザ光に対し増幅作用を有するレーザ媒質と、該レー
ザ媒質をはさんで光学的に対向した全反射ミラーと少な
くとも一つの部分反射ミラーとからなる安定型共振器を
備えたＣＯ＿２レーザ装置において、レーザ媒質と部分
反射ミラーとの間に、赤外域のレーザ光に対しては高い
反射率を、可視・紫外域の光に対しては低い反射率をも
つ波長選択性ミラーを少くとも一つ配設したことを特徴
とするＣＯ＿２レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3838386A JPS62198180A (ja) | 1986-02-25 | 1986-02-25 | Ｃｏ↓２レ−ザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3838386A JPS62198180A (ja) | 1986-02-25 | 1986-02-25 | Ｃｏ↓２レ−ザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62198180A true JPS62198180A (ja) | 1987-09-01 |
Family
ID=12523751
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3838386A Pending JPS62198180A (ja) | 1986-02-25 | 1986-02-25 | Ｃｏ↓２レ−ザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62198180A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPWO2018110176A1 (ja) * | 2016-12-14 | 2019-04-18 | 三菱電機株式会社 | レーザ発振器およびレーザ加工装置 |
-
1986
- 1986-02-25 JP JP3838386A patent/JPS62198180A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPWO2018110176A1 (ja) * | 2016-12-14 | 2019-04-18 | 三菱電機株式会社 | レーザ発振器およびレーザ加工装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2682881B2 (ja) | 突き合わせ連結された単横モード励起レーザ | |
| JPH11261136A (ja) | 光パルス発生素子 | |
| JPS62198180A (ja) | Ｃｏ↓２レ−ザ装置 | |
| JP3060493B2 (ja) | 固体レーザー発振器 | |
| JPH05183220A (ja) | 半導体レーザ励起固体レーザ装置 | |
| JPS62198181A (ja) | Ｃｏ↓２レ−ザ装置 | |
| JP2596462B2 (ja) | 半導体レーザ励起固体レーザ装置 | |
| JP2761678B2 (ja) | レーザーダイオードポンピング固体レーザー | |
| JP3340683B2 (ja) | 固体レーザ励起モジュール | |
| JP2754101B2 (ja) | レーザーダイオードポンピング固体レーザー | |
| KR100360474B1 (ko) | 제2고조파발생장치 | |
| JPH08102564A (ja) | 波長変換レーザ装置 | |
| JPH06283786A (ja) | レーザーダイオードポンピング固体レーザー | |
| JP3005405B2 (ja) | 周波数上方変換固体レーザ装置 | |
| JPH05211369A (ja) | レーザーダイオードポンピング固体レーザー | |
| JPH033377A (ja) | 半導体レーザ励起固体レーザ装置 | |
| JPH10270780A (ja) | ビームスプリッタ | |
| EP0443751A2 (en) | Solid lasers | |
| JP2713949B2 (ja) | レーザー装置 | |
| JPH09293920A (ja) | 半導体レーザ励起固体レーザ装置および受光装置 | |
| JP2500595B2 (ja) | レ―ザ発振装置 | |
| JPH06308557A (ja) | 改良した高調波発生装置 | |
| JPH09260759A (ja) | 波長変換レーザー | |
| JPH04268777A (ja) | 半導体レーザ励起固体レーザ装置およびその製造方法 | |
| JPH1154836A (ja) | 半導体レーザ装置 |