JPS62197357A - 再焼結ホウ素リツチ多結晶立方晶窒化ホウ素およびその製造方法 - Google Patents

再焼結ホウ素リツチ多結晶立方晶窒化ホウ素およびその製造方法

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JPS62197357A
JPS62197357A JP62016340A JP1634087A JPS62197357A JP S62197357 A JPS62197357 A JP S62197357A JP 62016340 A JP62016340 A JP 62016340A JP 1634087 A JP1634087 A JP 1634087A JP S62197357 A JPS62197357 A JP S62197357A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 発明の背景 本発明は多結晶立方晶窒化ホウ素(cublc bor
onnitride −CB N )の製造方法に関す
る。高温高圧技術によってCBNを製造することは当業
界で公知であり、その代表的な方法が基本的な単結晶C
BNの特許であるウェントーフ(Ventorr)の米
国特許第2,947,617号に記載されている。
米国特許第4.188,194号に、触媒をまったく用
いずに熱分解六方晶窒化ホウ素(pyrolyttcb
exagonal boron n1tride−PB
N)を使用して焼結多結晶CBNコンパクトを製造する
方法が記載されている。コンパクトは、砥粒を自己結合
関係で(米国特許第3.852.078号および第3゜
876.751号参照)、または結合剤により(米国特
許第3.136.615号、第3,233.988号、
第3.743,489号、3,767.371号および
第3.918,931号参照)、またはこれらの組合せ
によって相互に結合した塊である。米国特許第3.91
8,219号には、六方晶窒化ホウ素(hexagon
al boron n1tride−HBN)を炭化物
塊と接触関係でCBNに触媒転化して、複合体を製造す
る方法が教示されている。CBHのコンパクトは、多数
のCBN結晶を適切に結合して、大きな一体の強靭でコ
ーヒーレントな高強度の塊を形成したものである。
コンパクトは、たとえば機械加工、ドレッシングおよび
穴あけのような用途に使用することができる(米国特許
第3.136,615号および第3゜233.988号
参照)。
本発明で使用するホウ素リッチ多結晶CBNは、英国特
許第1.513,990号に記載されているようにHB
N粉末とホウ素元素または種々のホウ素含有化合物(例
えばMHI2)との混合物の高温高圧処理によって製造
するか、米国特許第4゜289.503号に記載されて
いるように真空焼成HBN粉末を使用して表面に過剰の
ホウ素元素を生じさせ、次にこれをCBHに転化するこ
とによって製造することができる。これらの方法では、
通常生成する多結晶CBNの大きなチャンクを、種々の
研削その他の用途に用いるのに適した粒度に微粉砕する
。通常、微粉砕の過程で材料の一部が細かく破砕されす
ぎたり、研削用途に用いるには不適当な形状だったりす
るので、このような役に立たない材料の何らかの使途が
望まれている。
また現在市販されている多結晶CBNコンパクトは、エ
ツジ強さを増強し、脆性(衝撃強さの不足)を低減する
ことによって改良することができる。
改良した多結晶CBN生成物が望まれている。
発明の概要 本発明では、優れたエツジ強さと衝撃強さを有する、改
良した焼結ホウ素すッチ多結晶CBNコンパクトが提供
される。本発明では、ホウ素リッチ多結晶CBNを微粉
砕する際に生じる微粉砕副生物をを動詞用する方法も提
供される。本発明の焼結多結晶CBNコンパクトの製造
方法は、焼結ホウ素すッチ多結晶CBN粒子を高温高圧
装置に入れ、このホウ素すッチCBN粒子にCBN粒子
を再焼結するのに適当な圧力と温度を、多結晶CBS粒
子を再焼結するのに十分な時間加える工程を含む。この
温度はCBNからHBNへの再転化温度未満とする。こ
の圧力と温度の組合せは、窒化ホウ素の状態図のCBN
安定領域内である。次に温度を、CBNからHBNへの
再転化を阻止するのに十分な温度(代表的には1000
℃以下)まで下げてから圧力を下げ、再焼結多結晶CB
Nコンパクトを回収する。この方法は予想外なことに、
触媒を用いずに行なう。ホウ素すッチ多結晶CBN粒子
の焼結を妨害または阻害するおそれのある他の材料(焼
結阻害不純物)も混入してはならない。また、結合(セ
メンティド)金属炭化物のようなサポート材料を、高温
高圧装置中でホウ素すッチCBN粒子に隣接して配置す
ることによって、サポート付き多結晶CBNコンパクト
をその場で(インサイチュ−)形成することもできる。
圧力は約45−80Kbarが望ましく、温度は約15
00°−2300℃の範囲が好ましいが、CBN再転化
温度未満とする。再転化(すなわち逆転化)温度は、窒
化ホウ素が立方晶結晶構造から六方晶構造に再転化する
温度と定義する。この温度は、窒化ホウ素の状態図で六
方晶窒化ホウ素安定領域と立方晶窒化ホウ素安定領域と
を隔てる平衡線に沿っている。(米国特許第3,212
.852号、第6図および第3コラム、66行−第9コ
ラム、42行参照)。
本発明の利点には、優れたエツジ強さを有する、著しく
強靭で耐衝撃性の物体を製造できることがある。別の利
点は焼結助剤を添加せずにこのような物体を製造できる
ことである。さらに別の利点として、高価なCBNコン
パクトの製造に通常の微粉砕の副生物を有効利用できる
。これらの利点や他の利点は、本明細書の開示内容から
当業者に容易に理解できるであろう。
具体的説明 本発明の焼結多結晶CBNコンパクトの製造に使用する
ホウ素すッチ多結晶CBN粒子は、当業界で公知の適当
な技術で製造することができる。
ホウ素リッチ多結晶CBNの製造方法の1例では、英国
特許第1,513,990号に記載されたように、六方
晶窒化ホウ素(HB N)粉末とホウ素元素または種々
のホウ素含宵化合物(たとえば#BI2)の混合物の高
温高圧処理を行なう。ホウ素リッチ多結晶CBNの別の
製造方法では、酸化物を含まないHBNの表面に過剰の
ホウ素を生成させてから、HBNをCBNに転化する。
過剰のホウ素の生成は、窒化ホウ素を六方晶窒化ホウ素
の熱分解領域の温度で真空焼成し、不活性雰囲気中で加
熱する予備処理によって行ない、次に窒化ホウ素を高温
高圧処理によってCBNに転化する。
この方法は米国特許第4,289.503号に記載され
ている。どの方法を用いても、ホウ素リッチ多結晶CB
Nは通常大きなチャンクとして製造され、このチャンク
は大抵、種々の研削その他の用途に使用するのに適切な
粒度に微粉砕される。
本発明のきわだった利点は、このような微粉砕作業で生
じた微粉砕の副生物を有効利用できることである。本発
明の焼結多結晶CBNコンパクトにはこのような微粉砕
の副生物、すなわち微粉を有効利用することもできるが
、本発明の方法は250μ(60メツシュ)以下または
それ以上の範囲の粒度の、もっと大きな粒度のホウ素す
ッチCBN粒子でもうまくゆく。この意味では、ホウ素
すッチ多結晶CBN粒子の粒度は、米国特許第3゜76
7.371号に記載されたような通常の多結晶コンパク
ト形成用の高温高圧処理に供される、通常のCBN粒子
の粒度と同じでもよい。
本発明の別の利点は、たとえば米国特許第4゜289.
503号の方法で製造した微品質の性質のCBNを有効
利用できることである。この微晶質CBNの粒度の粒子
をCBSコンパクトの製造に用いると、CBNコンパク
トのミクロ組織がさらに細かくなり、粒子のあらいコン
パクトより靭性が向上する。従来の方法では、このよう
な細かい結晶粒の構造物を製造するのは困難である。し
かし本発明では、単結晶CBHの細かい別個の粒子を別
個に処理しなくともすむので、本発明のような細かいミ
クロ組織のCBNコンパクトは、従来の方法によるより
製造しやすい。
ホウ素すッチ多結晶CBN粒子はすでにその製造時に「
焼結」されているので、本発明の方法は「再焼結」方法
と記述するのが適当である。本発明が従来技術と著しく
異なるのは、焼結ホウ素すッチ多結晶CBN粒子を再焼
結して強くてコーヒーレントなコンパクトを形成できる
という全く予想外の知見である。通常の粒度調整した立
方晶窒化ホウ素粒子から焼結多結晶コンパクトに形成す
るには、米国特許第2,947.617号に記載された
触媒や他の結合形成手段を使用することが多い。しかし
本発明では意外にも、触媒を利用する方法で通常用いる
温度および圧力条件で、触媒の助けを借りずにホウ素す
ッチ多結晶CBN粒子を再焼結することによって、さら
に優れた多結晶CBNコンパクトを形成している。
本発明を実施する際には、ホウ素すッチCBN粒子を米
国特許第4,289.503号に記載されたような高温
高圧装置に入れ、再焼結が生じるのに十分な時間にわた
って圧力、次に温度を加える。次に、CBNからHBN
への再転化または逆転化が防止されることが当業界で公
知の圧力でサンプルを冷却し、最後に圧力を大気圧に下
げ、再焼結多結晶CBN塊を回収する。本発明の教示に
したがって焼結多結晶CBNコンパクトを製造するには
、第1−4図の反応領域組立体、すなわちセルを使用す
る。なお、第1−4図は米国特許第2.947,611
号、第2.941,241号および第2.941,24
8号に記載されたような高温高圧装置内で用いる反応領
域組立体(またはセル)の種々の構造を示す断面図であ
る。図示の反応領域組立体またはセルはパイロフィライ
トの円筒ブツシュ10を備える。ブツシュはほかにガラ
ス、軟質セラミック、タルク、ハロゲン化アルカリ、ス
テアタイトすなわち石けん石の成形品から製造すること
もできる。ブツシュ10に隣接してその内側には、黒鉛
の抵抗加熱管12が同心に配置されている。ブツシュ1
0と黒鉛管12の間には、必要に応じて汚染シールドと
して金属箔ラップ30(第2−4図)を介挿することも
できる。シールド金属は耐火金属で、ジルコニウム、チ
タン、タンタル、タングステンおよびモリブデンよりな
る群から選択することができる。
黒鉛管12内には耐火金属管14(第1図)が同心に保
持されており、この金属管は上記耐火金属から形成する
ことができる。黒鉛管でライニングしたセル組立体(第
2−4図)では無傷のシリンダが得られることが多く、
第1図の耐火金属、たとえばチタンの管構成では欠けた
り破砕したサンプルが生じる。第1および2図の組立体
では、円筒状ハウジング組立体内にホウ素すッチ多結晶
CBN粒子のサンプル16が配置され、ハウジング組立
体の端部にはサンプル16に隣接した黒鉛プラグ18と
、黒鉛プラグ18の外側に配置した圧力伝達プラグ20
が設けである。プラグ20としては、熱間圧縮した六方
晶窒化ホウ素のプラグを通常の方法で用いればよい。
第3図では、サンプル16に隣接して、かつサンプル1
6と黒鉛プラグ18の間に、黒鉛プラグ40が配置され
ている。第4図では、複数のサンプル間に黒鉛ディスク
52を配置した単一のセル組立体中で、複数のサンプル
を製造することができる。上記以外の実施態様の反応セ
ルも利用することができ、これらも本発明の範囲内にも
ちろん含まれる。高温高圧反応セルについての詳細は、
米国特許第3.767.371号、第4,188゜19
4号および第4,289.503号を参照されたい。
好ましくは、反応セル内に配置するホウ素すッチ多結晶
CBN粒子は、触媒材料を含有してはならず、汚染物と
なるかCBNの焼結過程を妨害する他の物質、すなわち
CBN焼結阻害不純物も含有してはならない。ホウ素す
ッチ多結晶CBN粒子以外にも、たとえば1掲の英国特
許第1,513.990号に教示されているように、ホ
ウ素のソースとして他のホウ素含を化合物(たとえばM
 B 12 )などをセル内に入れることができる。い
ずれにしても、サンプルには約45 Kbar以上の圧
力を加え、この圧力は通常的45−80Kbarの範囲
である。温度は約1500℃以上でなくてはならないが
、CBN再転化温度未満でなくてはならない。好ましく
は、温度は約1500−約2300℃の範囲でなくては
ならない。再焼結が生じるのに必要な時間は、当業界で
公知のように、選択した温度と圧力の組合せに必然的に
左右される。実施例によって、本発明の新規な再焼結多
結晶CBNコンパクトを製造する反応条件をさらに詳述
する。
本発明で特定する好適な温度および圧力は高圧技術によ
る推定値にすぎないと理解されたい。高圧技術では、こ
の分野で生じる高圧高温を正確に測定するのが困難なの
で、ある程度のばらつきがあることが認められている。
本発明の方法で重要なのは、CBHの焼結に適当で(C
BNの再転化に不適当な)圧力および温度条件を、CB
Nの再焼結が生じるのに十分な時間保持することである
再焼結多結晶CBNコンパクトは、著しく強靭で有用な
CBN粒子を製造するために微粉砕または磨砕を行なう
ことができ、得られるCBN粒子は樹脂ボンド研削砥石
、メタルボンド研削砥石、メタルボンド鋸部品などの通
常の切削および研磨工具の製造に使用することができる
。また無傷の多結晶コンパクトは洗浄して、付着した炭
素、チタン、その他の物質を除去することができる。洗
浄後、サンプルを研削用途に必要な粒度に微粉砕するか
、円板および円筒形状のものを切削工具向きに整形する
ことができる。この場合、コンパクトはサポートなしで
用いても、炭化タングステンあるいは他のサポートを使
用した通常のサポート付きの形態で用いてもよい。多結
晶CBNコンパクトのサポートへの接着は、高温高圧セ
ル中でコンパクトを形成する前にサポート材料をホウ素
すッチCBN粒子に隣接して・配置することによってそ
の場で行なってもよいが、焼結多結晶CBNコンパクト
の形成後にろう付けあるいは他の技術によって接合する
こともできる。
以下の実施例によって本発明をどのように実施するかを
示すが、本発明は以下の実施例によって何ら限定される
ものではない。本明細書では、特記しない限りすべての
パーセントおよび割合は重量基準で、すべての単位はメ
ートル法である。また本明細書で言及した引例はすべて
先行文献として挙げである。
実施例 実施例1 米国特許第4,289,503号にしたがって製造した
ホウ素リッチ多結晶CBNを微粉砕することにより、1
70メツシュ(88μ)より細かい粉末を製造した。各
再焼結工程では、微粉砕粉末のサンプルを5g使用し、
このサンプルは米国特許第4,289,503号の洗浄
工程にしたがって洗浄してから、第2図に示す構造の反
応セルに入れた。この洗浄工程は、すべての実施例のC
BN材料について採用した。焼結条件は、推定圧力67
 Kbar 、約2.000”Cで8分間とした。
焼結塊を反応セルから回収し、熱10%硝酸/90%硫
酸中で洗浄して付着したすべての黒鉛を除去し、モして
60メツシュ(250μ)以下の粒度に微粉砕した。微
粉砕後、粒度が60/80メツシュ(8g−250μ)
の部分を超音波水浴中で洗浄し、アセトン中で洗い、空
気乾燥し、M−4焼入工具鋼を乾式研削する砥石試験に
使用するために60重量%の燐酸ニッケルコーティング
で被覆した。
フェノール樹脂砥石を、75重量%(38,6体積96
)の上記再焼結CBN砥粒を含有するように製造した。
砥石は9. 525c+nX 3. 81cmX3.1
75cm(3,75インチ×1.5インチ×1525イ
ンチ)で0.3175c+n(0,125インチ)幅の
リムを有する標準11v9試験砥石とした。砥石をグラ
インダに装着し、形なおしブレーキと炭化珪素の砥石を
使用して砥石が0. 2−0.3mm(0,008−0
,012インチ)削れるまで形なおしした。次に220
グリツドのrGJ硬さの酸化アルミニウムスティックで
、砥石を目なおしした。砥石の摩滅量、被削材の研削量
、電力および表面仕上げに関するデータを集めた。各試
験条件について研削比を通常の方法で計算した。乾式研
削試験を以下の条件で行なった。
砥石周速度:20m/秒(4,OOOSPFM)テーブ
ル速度:2.44m/分(8FRM)被削材二M−2、
Rc60−62 6.4m+s(0,250インチ) X2031011(8インチ)、8個 切込みm: 0. 050mm (0,Q 02インf
)被削材の研削速度: 0. 79cm3 /分(0,
048立法インチ/分) 本発明の新規な再焼結CBN砥粒の他に、米国特許第4
,289.503号に従って製造したホウ素すッチ多結
晶CBN粉末と、通常の市販されている立方晶窒化ホウ
素砥粒を用いて比較試験を行なった。以下のデータが記
録された。
町1 28052   新規な再焼結CBN     3  
  127     14.628053   新規な
再焼結口8    4    112     18J
26050  tlsP4.2g9.503   4 
  120   13.226051 1jSP4,2
119.508   5   101   15.92
8054   通常のCBN        6   
  78     14.426055   通常ノC
BN        4     80     14
1(1)研削比−]頻胚封匹明りL 砥石の摩滅量 (2)研削エネルギー−ワット一時/被削材の研削@ 
(cs! )第1表に示すデータに基づいて、通常のC
BN砥石の研削比を1.0として計算したところ以下の
相対的研削比が得られた。
第2表 相対的研削比 CBNの種類       相対研削比通常のCB N
         1.00USP  4.289.5
03       1.39新規な再焼結CBN   
     1.51このように、本発明の新規な再焼結
CBN砥粒が、本発明の再焼結CBNの製造原料である
ホウ素リッチCBN (米国特許第4,289,503
号)、および通常の市販のCBN粉末と比べて、はるか
に優れた研削性能を有することが、意外ではあるが極め
て説得力をもって示された。したがって本発明の新規な
再焼結CBN粉末には、これまで人手可能であったCB
N砥粒より優れた研削比を実現する能力がある。
実施例2 270メツシュ(53μ)より細かいホウ素すッチ多結
晶CBN凝集材料について、種々の圧力および温度条件
で、一連の高温高圧、焼結試験を行なった。CBN材料
は、米国特許第4.289゜503号に記載されたよう
に製造したホウ素すッチ多結晶CBN凝集チャンクを繰
り返し破砕することによって製造した。サンプルは粒度
が270メツシュ(53μ)から粉塵までの粒子を含有
していた。
゛   各試験は、第1図に示す構造の高圧セルに7g
の粉末CBNを装填して行なった。セルを装填するには
、まずチタン管の一端に円板状の黒鉛のプラグと熱間圧
縮窒化ホウ素のプラグを挿入した。
次にサンプル粉末を管に装入し、黒鉛プラグと熱間圧縮
窒化ホウ素プラグでふたをした。組立て後、セルを高圧
ベルト装置に入れ、圧力を第3表に示すレベルまで上げ
た。所望の圧力に達した後、セルに通常の方法で電流を
通すことにより各サンプルを加熱した。加熱後、そのま
まの圧力でサンプルを1分間放冷してから圧力を下げた
各試験での全加熱時間は7分間とした。この一連の試験
では直接的な圧力または温度の検定を行なわなかったの
で、以下に掲げる圧力および温度は推定値である。
第3表 試験番号   圧力(Kbar)    温度(’C)
5       68        2(IOQ9 
       B2        1200試験1−
8では、回収したサンプルは主に、厚さ0.6cm(0
,25インチ)、直径1.3cm(約0.5インチ)ま
での範囲の大きさの円盤状の大きな黒色焼結塊の形態で
あった。試験1−8で得られた各再焼結サンプルは、通
常のCBN多結晶コンパクトを容易に傷つけた。しかし
試験9で得られたディスクは明らかに色が薄く、多結晶
CBNコンパクトを傷つけるこができなかった。
多くの商業用途に望まれるレベルの再焼結を行なうには
、試験9で使用した温度が低すぎたのだと考えられる。
実施例3 これらの試験では、実施例2で使用したのと同じホウ素
すッチCBN粉末のサンプル1gを、第3図に示す構造
のセル内でプレスした。以下に示す推定圧力および温度
条件とともに、7分間の全加熱時間を用いた。
第4表 試験番号   圧力(Kbar)    温度(”C)
上記のすべての試験でコンパクトと呼べる大きな一体物
が得られた。試験10−12で得られたコンパクトは、
通常の多結晶CBNコンパクトを傷つけたが、試験13
および14で得られたコンパクトは傷つけなかった。再
焼結コンパクトの通常の多結晶CBNコンパクトに対す
る引掻能力を望ましい焼結の判別基準として使用すると
、上表の結果から、低くても58 Kbar以上の圧力
と1600℃以上(CBNの再転化温度未満)の推定温
度を組み合わせると、十分焼結した塊が得られることが
わかる。
実施例4 上記実施例で使用したのと同じホウ素すッチCBN粉末
7gを、第2図の構造のセルに充填し、約67Kbar
、1800℃で10分間プレスした。
長さ0.6インチ(1,524c+n) 、直径0.5
2−0.54インチ(1,32−1,37国)の一体で
円筒形状の焼結塊が得られた。このサンプルは、鋼製ハ
ンマーで繰り返したたいてもこわれなかった。
実施例5 第1の多結晶CBNコンパクトを、複数のサンプルセル
内で約59Kbar−約45 Kbar 、約1500
’C−1900℃のプレス条件で5分間プレスして製造
した。これらの別の試験でのセルの構成は、黒鉛プラグ
(1g) /熱間圧縮BN端部プラグ(20)の2部品
のかわりに、単一の黒鉛プラグを用いた以外は第2図の
セルの構造と同様とした。さらに、黒鉛のディスク(0
,381a+s、すなわち0.15インチ)をサンプル
と黒鉛端部プラグとの間に配置した。それぞれが2gの
サンプル2個または3個を、配向黒鉛ディスクで互いに
隔ててセルに装填した。コンパクト形状に再焼結するの
に使用するホウ素すッチ多結晶CBN材料のサンプルは
、米国特許第4,289,503号によって製造したホ
ウ素すッチ多結晶CBNコンパクトを微粉砕することに
よって生じた。270メツシュ(53μ)以下の屑であ
った。サンプル材料はセルに入れる前に、酸(HNO3
/HF)で洗浄して金属および石の不純物を除去してお
いた。
セルに入れたサンプル材料の一部は、10重ffi%の
M B 12粉末との、また25重量%の真空焼成HB
N粉末との混合物とした。得られた多数のコンパクトを
表面研削で平らにし、そして円筒研削で直径1. 27
cm (0,5インチ)の耐摩耗性試験用ディスクにし
た。これらのコンパクトを/V B +2添加剤の評価
用に選んだのは、これらのコンパクトの再焼結条件(圧
力および温度)が添加剤なしの場合に用いた再焼結条件
とほぼ同じだったからである。耐摩耗性試験では、シリ
カ充填硬質ゴム工作物を所定の時間にわたって旋削した
コンパクトの摩滅に対する相対的な性能を、各コンパク
トの摩減量から決定した。コンパクトの摩減量から、耐
摩耗性係数(abrasive rcslstance
f’aCtor−A RF )を次式によって計算した
ARP−t/100xW 式中で、を−試験時間(分) W−コンパクト、すなわち工具の摩滅(インチ)以下の
結果が得られた。
第5表 コンパクト     13      L2J    
 −−−41411,410%A#[l+2  58 
   17002       11     14.
5   10%Ajk   80    170038
      10     111.0     なし
    [io     17003A       
 9     17.7     なし    +10
    1700第5表の結果かられかるように、再焼
結コンパクト(サンプル番号3Aおよび3B)には、市
販の炭化タングステンサポート付きCBNコンパクトに
比べて、優れた耐摩耗性性能が認めらだ。添加剤M B
 1vを含有するサンプルNo、2にも優れた耐摩耗性
性能が観察された。
別のコンパクトのサンプルを用いて焼入鋼(D2型の鋼
)の工作物を旋削した。この一連の試験では、0,95
印(0,375インチ)の正方形コンパクトのインサー
トを使用した。焼入鋼の工作物を、コンパクトの摩滅が
0.381mm((1,015インチ)となるまで旋削
または切削した。この摩滅量に達するまでの時間(分)
を記録したところ次表のようであった。
ユJ 工具寿命        圧力     温度コンパク
ト     10.4    −     −    
  −4    11.2  10%A#&z  58
   17002      12.9   10%#
B+280     17003^      18.
9     なし    60     170010
       20.7     なし    54 
    170Gこれらの結果から、焼入鋼工作物の研
削の際にも、再焼結ホウ素すッチ多結晶CBNコンパク
トが優れた性能を有することがわかる。また、本発明の
コンパクトを製造するためにプレスするサンプル粉末に
M B 12添加剤を加えた場合にも、性能の向上が認
められた。
実施例6 第4図の構造のセル中で、多数の再焼結ホウ素すッチ多
結晶CBNコンパクトを製造した(必要に応じて用いる
ことのできるタンタル箔のラップ30はサンプルによっ
て用いたものと用いなかったものがある)。サンプルの
量はそれぞれ3gとし、多重にした2または3個のサン
プル装填材料(それぞれ2.8gおよび2.0gのサン
プル)を以下に説明する種々のプレス条件で使用した(
次表の圧力および温度で5分間)。
製造したコンパクトを、耐摩耗性試験用に外径が0.8
8cm(0,34フインチ)となるまで平坦に研削した
。実施例5で説明した式にしたがって耐摩耗性係数(A
RP)を計算した。以下の結果が記録された。温度は推
定値であるが、かなり正確であると考えられる。
旦1 コンパクト          −    −13,0
12,354515009,516,11 [14515GG    9.5      18.1
11           60  11100   
9.0       17.72(はじのコンパクト)
     60   1800     9.0   
      17.72(中央ノフンバクト)    
80   11100    9.0        
17.73              52   1
5[IO9,017,7449+700     g、
5        1g、y第7表の結果からも、本発
明の新規な再焼結ポウ索すッチ多結晶CBNコンパクト
を用いると、優れた耐摩耗性性能が得られることがわか
る。このような優れた耐摩耗性性能が、上記のように広
範囲のプレス条件について認められた。
実施例7 高圧セル内で、ホウ素すッチCBN粉末に隣接して、結
合(セメンティド)炭化タングステンのディスクを配置
したサンプルを用いて、一連の高圧焼結試験を行なった
。再焼結条件は、圧力約5O−60Kbar、温度約1
500℃推定された。
焼結窒化ホウ素の層が炭化タングステンのディスクにそ
の場で結合した無傷のサンプルが多数得られた。このよ
うなサンプルの一つを、耐摩耗性試験用に、平らに研削
し、直径0.34フインチまで外径を研削した。製造に
用いたホウ素すッチ多結晶CBN粉末は、実施例5で使
用した粉末と同じであった。このサンプルの耐摩耗性を
実施例5で説明した通りに試験したところ、実施例5お
よび6の市販のWCサポート付きCBNコンパクトの耐
摩耗性係数が12.3であったのに対し、本発明のコン
パクトの耐摩耗性係数は15.0であった。
【図面の簡単な説明】
第LLt4図は、高温高圧装置内で用いる反応領域組立
体(またはセル)の種々の構造を示す断面図である。 符号の説明: 10・・・ブツシュ、12・・・黒鉛管、14・・・耐
火金属管、16・・・サンプル、18.40・・・黒鉛
プラグ、20・・・BNプラグ、30・・・金属箔ラッ
プ、52・・・黒鉛ディスク。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、(a)実質的に触媒を含有しない焼結ホウ素リッチ
    多結晶立方晶窒化ホウ素(CBN)粒子を高温高圧装置
    に入れ、上記粒子は焼結阻害不純物を実質的に含有せず
    、 (b)上記ホウ素リッチ立方晶窒化ホウ素粒子に、これ
    ら粒子を再焼結するのに適当な圧力と温度を加え、この
    温度はCBNの再転化温度未満とし、 (c)上記温度および圧力を、上記装置でホウ素リッチ
    立方晶窒化ホウ素粒子を再焼結するのに十分な時間保持
    し、そして (d)上記再焼結多結晶立方晶窒化ホウ素を上記装置か
    ら回収する 工程を含む再焼結多結晶立方晶窒化ホウ素の製造方法。 2、上記圧力が約45Kbar以上で、上記温度が約1
    500℃以上からCBNの再転化温度未満までの範囲で
    ある特許請求の範囲第1項記載の方法。 3、上記圧力が約45−約80Kbarの範囲である特
    許請求の範囲第1項記載の方法。 4、上記温度が約1500℃−約2300℃の範囲であ
    る特許請求の範囲第1項記載の方法。 5、上記圧力が約45Kbar−約80Kbarの範囲
    で、上記温度が約1500℃−約2300℃の範囲であ
    る特許請求の範囲第1項記載の方法。 6、上記圧力が約45−80Kbarの範囲である特許
    請求の範囲第4項記載の方法。 7、上記ホウ素リッチ立方晶窒化ホウ素がさらにホウ素
    含有化合物を含有する特許請求の範囲第3項記載の方法
    。 8、上記装置に入れた上記立方晶窒化ホウ素の粒度が2
    70メッシュ以下の範囲である特許請求の範囲第1項記
    載の方法。 9、再焼結多結晶立方晶窒化ホウ素コンパクトを上記装
    置から回収する特許請求の範囲第1項記載の方法。 10、複数の再焼結コンパクトを上記装置で同時に製造
    する特許請求の範囲第6項記載の方法。 11、上記粒子に隣接してサポート材料を配置して、サ
    ポート付きコンパクトをその場で形成する特許請求の範
    囲第9項記載の方法。 12、工程(a)の焼結立方晶窒化ホウ素粒子を、焼結
    立方晶窒化ホウ素の微粉砕によって得る特許請求の範囲
    第1項記載の方法。 13、特許請求の範囲第1項記載の方法によって製造し
    た再焼結多結晶立方晶窒化ホウ素。 14、特許請求の範囲第10項記載の方法によって製造
    した再焼結多結晶立方晶窒化ホウ素のコンパクト。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2020174923A1 (ja) * 2019-02-28 2020-09-03 住友電工ハードメタル株式会社 立方晶窒化硼素多結晶体及びその製造方法
JP2020537627A (ja) * 2017-10-20 2020-12-24 エレメント シックス (ユーケイ) リミテッド 立方晶窒化ホウ素多結晶体

Families Citing this family (55)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5320988A (en) * 1988-11-10 1994-06-14 General Electric Company Process for preparing polycrystalline CBN ceramic masses and resulting product
US4944772A (en) * 1988-11-30 1990-07-31 General Electric Company Fabrication of supported polycrystalline abrasive compacts
US4985050A (en) * 1989-08-15 1991-01-15 General Electric Company Supported thermally stable cubic boron nitride tool blanks and method for making the same
DE69001241T2 (de) * 1989-12-11 1993-07-22 De Beers Ind Diamond Schleifprodukte.
US5211726A (en) * 1991-03-14 1993-05-18 General Electric Company Products and process for making multigrain abrasive compacts
US5271749A (en) * 1992-11-03 1993-12-21 Smith International, Inc. Synthesis of polycrystalline cubic boron nitride
US5536485A (en) * 1993-08-12 1996-07-16 Agency Of Industrial Science & Technology Diamond sinter, high-pressure phase boron nitride sinter, and processes for producing those sinters
US5512235A (en) * 1994-05-06 1996-04-30 General Electric Company Supported polycrystalline compacts having improved physical properties and method for making same
US5510193A (en) 1994-10-13 1996-04-23 General Electric Company Supported polycrystalline diamond compact having a cubic boron nitride interlayer for improved physical properties
US5691260A (en) * 1994-12-30 1997-11-25 Denki Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha Cubic system boron nitride sintered body for a cutting tool
US5660075A (en) 1995-03-28 1997-08-26 General Electric Company Wire drawing die having improved physical properties
US5560754A (en) * 1995-06-13 1996-10-01 General Electric Company Reduction of stresses in the polycrystalline abrasive layer of a composite compact with in situ bonded carbide/carbide support
US5855996A (en) 1995-12-12 1999-01-05 General Electric Company Abrasive compact with improved properties
US5957005A (en) * 1997-10-14 1999-09-28 General Electric Company Wire drawing die with non-cylindrical interface configuration for reducing stresses
US6692714B2 (en) * 1997-10-17 2004-02-17 Suresh Shankarappa Vagarali High pressure/high temperature production of colorless and fancy-colored diamonds
US5869015A (en) * 1998-05-04 1999-02-09 General Electric Company Method for producing cubic boron nitride using melamine as a catalyst
US6260640B1 (en) 2000-01-27 2001-07-17 General Electric Company Axisymmetric cutting element
AU2003209092A1 (en) * 2002-02-08 2003-09-02 Hormel Foods Corporation Pressure indicator
US20050249655A1 (en) * 2003-01-08 2005-11-10 Vagarali Suresh S High pressure/high temperature production of colorless and fancy-colored diamonds
US8197936B2 (en) * 2005-01-27 2012-06-12 Smith International, Inc. Cutting structures
US7543662B2 (en) 2005-02-15 2009-06-09 Smith International, Inc. Stress-relieved diamond inserts
US7493973B2 (en) 2005-05-26 2009-02-24 Smith International, Inc. Polycrystalline diamond materials having improved abrasion resistance, thermal stability and impact resistance
US7679853B2 (en) * 2005-12-28 2010-03-16 Agere Systems Inc. Detection of signal disturbance in a partial response channel
CA2603458C (en) * 2006-09-21 2015-11-17 Smith International, Inc. Atomic layer deposition nanocoatings on cutting tool powder materials
US9097074B2 (en) * 2006-09-21 2015-08-04 Smith International, Inc. Polycrystalline diamond composites
US7862634B2 (en) * 2006-11-14 2011-01-04 Smith International, Inc. Polycrystalline composites reinforced with elongated nanostructures
CA2619547C (en) 2007-02-06 2016-05-17 Smith International, Inc. Polycrystalline diamond constructions having improved thermal stability
US7942219B2 (en) 2007-03-21 2011-05-17 Smith International, Inc. Polycrystalline diamond constructions having improved thermal stability
US9297211B2 (en) 2007-12-17 2016-03-29 Smith International, Inc. Polycrystalline diamond construction with controlled gradient metal content
US20100012389A1 (en) * 2008-07-17 2010-01-21 Smith International, Inc. Methods of forming polycrystalline diamond cutters
WO2010009430A2 (en) * 2008-07-17 2010-01-21 Smith International, Inc. Methods of forming thermally stable polycrystalline diamond cutters
US8535400B2 (en) * 2008-10-20 2013-09-17 Smith International, Inc. Techniques and materials for the accelerated removal of catalyst material from diamond bodies
US8590130B2 (en) * 2009-05-06 2013-11-26 Smith International, Inc. Cutting elements with re-processed thermally stable polycrystalline diamond cutting layers, bits incorporating the same, and methods of making the same
WO2010129813A2 (en) * 2009-05-06 2010-11-11 Smith International, Inc. Methods of making and attaching tsp material for forming cutting elements, cutting elements having such tsp material and bits incorporating such cutting elements
US8783389B2 (en) * 2009-06-18 2014-07-22 Smith International, Inc. Polycrystalline diamond cutting elements with engineered porosity and method for manufacturing such cutting elements
AU2010279280B2 (en) * 2009-08-07 2016-11-03 Smith International, Inc. Diamond transition layer construction with improved thickness ratio
AU2010279295B2 (en) 2009-08-07 2016-01-07 Smith International, Inc. Highly wear resistant diamond insert with improved transition structure
EP2462308A4 (en) * 2009-08-07 2014-04-09 Smith International THERMALLY STABLE POLYCRYSTALLINE DIAMOND CONSTRUCTIONS
CA2770306A1 (en) * 2009-08-07 2011-02-10 Smith International, Inc. Functionally graded polycrystalline diamond insert
CA2770377C (en) * 2009-08-07 2017-07-25 Smith International, Inc. Polycrystalline diamond material with high toughness and high wear resistance
US8758463B2 (en) * 2009-08-07 2014-06-24 Smith International, Inc. Method of forming a thermally stable diamond cutting element
GB2511227B (en) * 2010-02-09 2014-10-01 Smith International Composite cutter substrate to mitigate residual stress
US9123856B2 (en) 2010-03-11 2015-09-01 Diamond Innovations, Inc. Affecting the thermoelectric figure of merit (ZT) and the power factor by high pressure, high temperature sintering
CA2827116C (en) 2011-02-10 2016-06-14 Smith International, Inc. Cutting structures for fixed cutter drill bit and other downhole cutting tools
US8961920B1 (en) 2011-04-26 2015-02-24 Us Synthetic Corporation Methods of altering the color of a diamond by irradiation and high-pressure/high-temperature processing
CN104024556B (zh) 2011-06-22 2016-06-29 史密斯国际公司 具有岩芯破碎特性的固定齿钻头
US9482056B2 (en) 2011-12-30 2016-11-01 Smith International, Inc. Solid PCD cutter
US9138865B2 (en) 2012-12-19 2015-09-22 Smith International, Inc. Method to improve efficiency of PCD leaching
CN103770034B (zh) * 2013-12-31 2017-05-24 郑州磨料磨具磨削研究所有限公司 一种陶瓷结合剂超硬材料砂轮磨料层高效制备工艺
US20150291479A1 (en) * 2014-04-11 2015-10-15 Smith International, Inc. Pcbn composites and methods of making the same
CN103978445B (zh) * 2014-05-19 2016-05-11 郑州磨料磨具磨削研究所有限公司 喷油嘴中孔座面磨削用陶瓷cbn砂轮、制作方法及制作过程中的专用模具
CN105347848B (zh) * 2015-10-19 2018-04-06 中国电子科技集团公司第四十六研究所 一种高温用复合材质石墨加热器的制备方法
WO2018063788A1 (en) 2016-09-30 2018-04-05 Diamond Innovations, Inc. Determining temperature inside a high pressure cell by evaluating solid solution composition
US11002081B2 (en) 2018-07-24 2021-05-11 Schlumberger Technology Corporation Polycrystalline diamond cutter with high wear resistance and strength
CN112520713A (zh) * 2020-03-20 2021-03-19 山东晶亿新材料有限公司 一种从合成立方氮化硼尾料中提取六方氮化硼的方法

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US376371A (en) * 1888-01-10 Sectional steam-boiler
US2947617A (en) * 1958-01-06 1960-08-02 Gen Electric Abrasive material and preparation thereof
NL302348A (ja) * 1963-01-17
US3233988A (en) * 1964-05-19 1966-02-08 Gen Electric Cubic boron nitride compact and method for its production
US3918219A (en) * 1971-07-01 1975-11-11 Gen Electric Catalyst systems for synthesis of cubic boron nitride
US3767371A (en) * 1971-07-01 1973-10-23 Gen Electric Cubic boron nitride/sintered carbide abrasive bodies
GB1459758A (en) * 1972-12-18 1976-12-31 Inst Materialovedenia Akademii Method of producing polycrystalline boron nitride
US3918931A (en) * 1973-12-17 1975-11-11 Gen Electric Solution-precipitation process for manufacturing cubic boron nitride abrasive tools
US4188194A (en) * 1976-10-29 1980-02-12 General Electric Company Direct conversion process for making cubic boron nitride from pyrolytic boron nitride
GB1513990A (en) * 1976-12-07 1978-06-14 Inst Fiz Tverdogo Tela I Polup Boron nitride-based superhard material and process for the production of the same
US4289503A (en) * 1979-06-11 1981-09-15 General Electric Company Polycrystalline cubic boron nitride abrasive and process for preparing same in the absence of catalyst

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2020537627A (ja) * 2017-10-20 2020-12-24 エレメント シックス (ユーケイ) リミテッド 立方晶窒化ホウ素多結晶体
WO2020174923A1 (ja) * 2019-02-28 2020-09-03 住友電工ハードメタル株式会社 立方晶窒化硼素多結晶体及びその製造方法
US11186485B2 (en) 2019-02-28 2021-11-30 Sumitomo Electric Hardmetal Corp. Polycrystalline cubic boron nitride and method for manufacturing the same

Also Published As

Publication number Publication date
IE870036L (en) 1987-07-29
CN87100500A (zh) 1987-08-19
CA1260672A (en) 1989-09-26
IE59837B1 (en) 1994-04-06
EP0230926A3 (en) 1989-06-14
JPH07100627B2 (ja) 1995-11-01
US4673414A (en) 1987-06-16
DE3779330D1 (de) 1992-07-02
EP0230926B1 (en) 1992-05-27
EP0230926A2 (en) 1987-08-05
ATE76631T1 (de) 1992-06-15
CN1006630B (zh) 1990-01-31
ZA869238B (en) 1987-07-29

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