JPS62197049A - 核磁化のスペクトル分布を決定する方法と装置 - Google Patents
核磁化のスペクトル分布を決定する方法と装置Info
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- JPS62197049A JPS62197049A JP62038993A JP3899387A JPS62197049A JP S62197049 A JPS62197049 A JP S62197049A JP 62038993 A JP62038993 A JP 62038993A JP 3899387 A JP3899387 A JP 3899387A JP S62197049 A JPS62197049 A JP S62197049A
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
- G01R33/20—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables involving magnetic resonance
- G01R33/44—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables involving magnetic resonance using nuclear magnetic resonance [NMR]
- G01R33/48—NMR imaging systems
- G01R33/483—NMR imaging systems with selection of signals or spectra from particular regions of the volume, e.g. in vivo spectroscopy
- G01R33/4833—NMR imaging systems with selection of signals or spectra from particular regions of the volume, e.g. in vivo spectroscopy using spatially selective excitation of the volume of interest, e.g. selecting non-orthogonal or inclined slices
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は限られた容積内の核磁化のスペクトル分布を決
定する方法に関連し、ここで定常、一様磁場の存在の下
で、3つの高周波パルスは磁気勾配磁場(magnet
ic gradient field )と共に毎回検
査ゾーン(examination zone)に作用
し、磁気勾配磁場の勾配の方向は1つのパルスから他の
パルスまで90°変化しており、検査ゾーンに発生され
た5秀導エコーパルス(stimulated ech
。
定する方法に関連し、ここで定常、一様磁場の存在の下
で、3つの高周波パルスは磁気勾配磁場(magnet
ic gradient field )と共に毎回検
査ゾーン(examination zone)に作用
し、磁気勾配磁場の勾配の方向は1つのパルスから他の
パルスまで90°変化しており、検査ゾーンに発生され
た5秀導エコーパルス(stimulated ech
。
signal )はサンプルされかつ処理され、そして
また本発明はこの方法を実行する装置にも関連している
。
また本発明はこの方法を実行する装置にも関連している
。
この種の方法は雑誌J9Magn、 Re5on、64
(1985)、pp、479〜486、特にp。
(1985)、pp、479〜486、特にp。
486から本来既知であるが、但しそれは核磁化のスペ
クトル分布の決定についてではなく、むしろ容積内の拡
散係数の決定について結び付けられている。磁気勾配磁
場と共に毎回検査ゾーンで作用する3つの高周波パルス
は3つの相互に垂直な層で核磁化を励起する。なかんず
く誘導エコー信号は3つの層が交叉する限られた容積要
素内でこのように発生されている。よく知られているよ
うに、誘導エコー信号は3つの連続高周波パルスのケー
スで起こり、この信号の時間中心と第3高周波パルスの
中心との間の距離は最初の2つの高周波パルスの中心間
の距離に対応している。
クトル分布の決定についてではなく、むしろ容積内の拡
散係数の決定について結び付けられている。磁気勾配磁
場と共に毎回検査ゾーンで作用する3つの高周波パルス
は3つの相互に垂直な層で核磁化を励起する。なかんず
く誘導エコー信号は3つの層が交叉する限られた容積要
素内でこのように発生されている。よく知られているよ
うに、誘導エコー信号は3つの連続高周波パルスのケー
スで起こり、この信号の時間中心と第3高周波パルスの
中心との間の距離は最初の2つの高周波パルスの中心間
の距離に対応している。
さらに、雑誌J、 Magn、Re5on、 56 (
1984)、pp、350〜354から、選択容積励起
(selective volume excitat
ion )法はよく知られており、ここで相互に垂直な
勾配を持つ3つの磁気勾配磁場は3つの連続する時間間
隔の間で活性化されている。これらの3つの各時間間隔
の間に、2つの狭帯域45°高周波パルスと1つの広帯
域90°高周波パルスが発生される。その結果、その厚
さが45°パルスの帯域幅によって決定される3つのお
互いに垂直な層での核磁化はZ方向に維持され、一方、
その層の外側ではx−y平面に対し傾斜し、ここで引続
いて3つの時間間隔て印加された磁気勾配磁場の影響の
下で磁化は急速に位相が外れる(dephase )。
1984)、pp、350〜354から、選択容積励起
(selective volume excitat
ion )法はよく知られており、ここで相互に垂直な
勾配を持つ3つの磁気勾配磁場は3つの連続する時間間
隔の間で活性化されている。これらの3つの各時間間隔
の間に、2つの狭帯域45°高周波パルスと1つの広帯
域90°高周波パルスが発生される。その結果、その厚
さが45°パルスの帯域幅によって決定される3つのお
互いに垂直な層での核磁化はZ方向に維持され、一方、
その層の外側ではx−y平面に対し傾斜し、ここで引続
いて3つの時間間隔て印加された磁気勾配磁場の影響の
下で磁化は急速に位相が外れる(dephase )。
従って、1つあるいはそれ以上の高周波パルスが引続い
て検査ゾーンに作用すると、3つの層の交叉点に位置す
る容積要素のみがこのように発生されたスピン共鳴信号
に寄与しよう。
て検査ゾーンに作用すると、3つの層の交叉点に位置す
る容積要素のみがこのように発生されたスピン共鳴信号
に寄与しよう。
本発明の目的は検査ゾーンにおける核磁化のスペクトル
分布に決定する簡単な方法を与えることである。
分布に決定する簡単な方法を与えることである。
示された種類の方法を基づいて、3つの高周波パルスの
間ならびに第3高周波パルスと誘導エコー信号の間で各
時間間隔の間に磁気勾配磁場が活性化され、第1高周波
パルスのあと、および第3高周波パルスのあとの時間間
隔で発生された磁気勾配磁場の勾配は同方向に延び、か
つ条件11=I3が満足され、ここで11と13は第1
高周波パルスのあと、および第3高周波パルスのあとそ
れぞれの間隔で勾配にわたる時間積分(time in
tegral )を示し、第2高周波パルスのあとの間
隔の間で活性化された勾配磁場の勾配は第1および第3
の間隔のあとの間隔の間で活性化された勾配磁場の勾配
に垂直に延びており、ならびに/あるいは条件11=I
2/nが満足されており、ここで12は第2高周波パル
スのあとで活性化された勾配磁場の勾配にわたる時間積
分を示し、nはその絶対値が1および2から偏っている
正あるいは負の数であり、誘導エコー信号のサンプル値
はフーリエ変換ユニットに印加されていると言うことで
この目的は達成される。
間ならびに第3高周波パルスと誘導エコー信号の間で各
時間間隔の間に磁気勾配磁場が活性化され、第1高周波
パルスのあと、および第3高周波パルスのあとの時間間
隔で発生された磁気勾配磁場の勾配は同方向に延び、か
つ条件11=I3が満足され、ここで11と13は第1
高周波パルスのあと、および第3高周波パルスのあとそ
れぞれの間隔で勾配にわたる時間積分(time in
tegral )を示し、第2高周波パルスのあとの間
隔の間で活性化された勾配磁場の勾配は第1および第3
の間隔のあとの間隔の間で活性化された勾配磁場の勾配
に垂直に延びており、ならびに/あるいは条件11=I
2/nが満足されており、ここで12は第2高周波パル
スのあとで活性化された勾配磁場の勾配にわたる時間積
分を示し、nはその絶対値が1および2から偏っている
正あるいは負の数であり、誘導エコー信号のサンプル値
はフーリエ変換ユニットに印加されていると言うことで
この目的は達成される。
本発明に従って、活性化された各勾配磁場と共に3つの
高周波パルスによって核磁化は3つの相互に垂直な層で
励起される。誘導エコー信号はこれら3つの層が交叉し
ている領域によってのみ供給される。フーリエ変換によ
って得られたこのエコー信号のスペクトルは3つの層の
交叉点の領域で核磁化のスペクトル分布を示している。
高周波パルスによって核磁化は3つの相互に垂直な層で
励起される。誘導エコー信号はこれら3つの層が交叉し
ている領域によってのみ供給される。フーリエ変換によ
って得られたこのエコー信号のスペクトルは3つの層の
交叉点の領域で核磁化のスペクトル分布を示している。
3つの層の交叉点の領域であるが、一部分はまたこの領
域の外側の層で、誘導エコー信号が発生されるだけでな
く、さらにスピン共鳴信号が発生される。例えば、3つ
の高周波パルスの各々は自由誘導減衰(free 1n
duction decay)を生じ、これはいわゆる
FID信号にリンクされ、FID信号は高周波パルスの
あとですぐ起こり、かつ励起された各時間で全ての層に
おける核磁化に依存している。さらに、種々のスピンエ
コー信号がまた起こり、少なくともその若干は3つの層
の2つの交叉領域(すなわちまた励起されるべき容積要
素の外側)における核磁化に依存している。これらの信
号は、誘導エコー信号が起こり、そして測定結果を誤ら
せる多少なりとも活性になる。何故ならばそれらは3つ
の層によって決定された容積の外側の核磁化に主として
依存するからである。従って、誘導エコー信号を除いた
すべての信号を抑制することは重要である。
域の外側の層で、誘導エコー信号が発生されるだけでな
く、さらにスピン共鳴信号が発生される。例えば、3つ
の高周波パルスの各々は自由誘導減衰(free 1n
duction decay)を生じ、これはいわゆる
FID信号にリンクされ、FID信号は高周波パルスの
あとですぐ起こり、かつ励起された各時間で全ての層に
おける核磁化に依存している。さらに、種々のスピンエ
コー信号がまた起こり、少なくともその若干は3つの層
の2つの交叉領域(すなわちまた励起されるべき容積要
素の外側)における核磁化に依存している。これらの信
号は、誘導エコー信号が起こり、そして測定結果を誤ら
せる多少なりとも活性になる。何故ならばそれらは3つ
の層によって決定された容積の外側の核磁化に主として
依存するからである。従って、誘導エコー信号を除いた
すべての信号を抑制することは重要である。
この目的で、3つの高周波パルスの間および第3高周波
パルスと誘導エコー信号の出現の間の3つの間隔の各々
の間で、磁気勾配磁場が活性化されたり非活性化される
。従って、磁気勾配磁場の勾配の方向の核磁化の位相は
位置に依存する。これらの磁気勾配磁場の勾配の継続期
間、大きさ、および方向は、このように導かれた位相外
れという理由で、核磁化が誘導エコー信号を除いて種々
のスピン共鳴信号に寄与しないように選ばれている。
パルスと誘導エコー信号の出現の間の3つの間隔の各々
の間で、磁気勾配磁場が活性化されたり非活性化される
。従って、磁気勾配磁場の勾配の方向の核磁化の位相は
位置に依存する。これらの磁気勾配磁場の勾配の継続期
間、大きさ、および方向は、このように導かれた位相外
れという理由で、核磁化が誘導エコー信号を除いて種々
のスピン共鳴信号に寄与しないように選ばれている。
磁気勾配磁場は第2および第3高周波パルスの間の間隔
の間で誘導エコー信号に何の効果も及ぼさず、かつ第1
高周波パルスのあとで磁気勾配磁場は第3高周波パルス
のあとで(同じ方向、継続期間および振幅を有する)磁
気勾配磁場と比べてそのような信号に反対の効果を有し
ているという事実が利用されている。従って、第1高周
波パルスのあとの磁気勾配磁場にわたる時間積分は第3
高周波パルスのあとの対応積分に等しい場合、誘導エコ
ー信号には効果は無いであろうが、しかし3つのFID
(i号とスピンエコー信号の一部分はすでに抑制されて
いよう。残留スピンエコー信号は第2高周波パルスのあ
との間隔の間で活性である磁気勾配磁場の方向、継続期
間および強度の適当な選択によってまた抑制することが
できる。この勾配磁場の勾配が第1および第3高周波パ
ルスのあとの間隔の間で活性である勾配磁場の勾配の方
向以外の方向に延びる場合、ならびに/あるいは条件I
]、 = I 2が満足される場合がこのケースであ
る。
の間で誘導エコー信号に何の効果も及ぼさず、かつ第1
高周波パルスのあとで磁気勾配磁場は第3高周波パルス
のあとで(同じ方向、継続期間および振幅を有する)磁
気勾配磁場と比べてそのような信号に反対の効果を有し
ているという事実が利用されている。従って、第1高周
波パルスのあとの磁気勾配磁場にわたる時間積分は第3
高周波パルスのあとの対応積分に等しい場合、誘導エコ
ー信号には効果は無いであろうが、しかし3つのFID
(i号とスピンエコー信号の一部分はすでに抑制されて
いよう。残留スピンエコー信号は第2高周波パルスのあ
との間隔の間で活性である磁気勾配磁場の方向、継続期
間および強度の適当な選択によってまた抑制することが
できる。この勾配磁場の勾配が第1および第3高周波パ
ルスのあとの間隔の間で活性である勾配磁場の勾配の方
向以外の方向に延びる場合、ならびに/あるいは条件I
]、 = I 2が満足される場合がこのケースであ
る。
3つの高周波パルスは同じフリップ角(flipang
le )を持たねばならず、好ましくはすべての3つの
高周波パルスはいわゆる90°パルスである。
le )を持たねばならず、好ましくはすべての3つの
高周波パルスはいわゆる90°パルスである。
励起された層内およびそれに垂直な核磁化は高周波パル
スの間に磁気勾配磁場の影響の下で位相外れになること
が知られている。そのような位相外れは高周波パルスの
あとで磁気勾配磁場の極性を判定することにより既知の
やり方(例えばPhys 。
スの間に磁気勾配磁場の影響の下で位相外れになること
が知られている。そのような位相外れは高周波パルスの
あとで磁気勾配磁場の極性を判定することにより既知の
やり方(例えばPhys 。
Med、Biol、、第25巻、1980年、pp。
751〜756、特に第1図を見よ)で除くことができ
、高周波パルスの中心とこの勾配磁場の非活性化の瞬間
との間の磁気勾配磁場にわたる時間積分は0でなくては
ならない。
、高周波パルスの中心とこの勾配磁場の非活性化の瞬間
との間の磁気勾配磁場にわたる時間積分は0でなくては
ならない。
しかし、3つの相互に垂直な層が本発明による方法を用
いて励起される場合、位相外れは完全に除去できないか
ら、形成された誘導エコー信号は比較的弱いかあるいは
比較的劣った信号対雑音比を持つことになることが見出
されている。説明された位相外れあるいは信号対雑音比
の悪化は本発明による方法の別形で少なくとも実質的に
除くことができ、第1および第3高周波パルスの間に活
性化された磁気勾配磁場の極性は第1および第3高周波
パルスのあとでそれぞれ反転され、第2高周波パルスの
前で勾配磁場は第2高周波パルスの間にこの磁場に反対
の極性で活性化され、かつ高周波パルスの間に活性化さ
れた各勾配磁場の時間変動は第1あるいは第3高周波パ
ルスの中心と関連勾配磁場の活性化の瞬間と第2高周波
パルスの中心との間の時間積分が0であるように選ばれ
ている。
いて励起される場合、位相外れは完全に除去できないか
ら、形成された誘導エコー信号は比較的弱いかあるいは
比較的劣った信号対雑音比を持つことになることが見出
されている。説明された位相外れあるいは信号対雑音比
の悪化は本発明による方法の別形で少なくとも実質的に
除くことができ、第1および第3高周波パルスの間に活
性化された磁気勾配磁場の極性は第1および第3高周波
パルスのあとでそれぞれ反転され、第2高周波パルスの
前で勾配磁場は第2高周波パルスの間にこの磁場に反対
の極性で活性化され、かつ高周波パルスの間に活性化さ
れた各勾配磁場の時間変動は第1あるいは第3高周波パ
ルスの中心と関連勾配磁場の活性化の瞬間と第2高周波
パルスの中心との間の時間積分が0であるように選ばれ
ている。
本発明による方法のこの形は、第1および第3(90°
)高周波パルスが核磁化のベクトルを縦方向くすなわち
2方向)から横断方向(すなわちx−y平面)に傾け、
一方、第2高周波パルスが核磁化を横断方向から縦方向
に鏡像関係で傾けるという事実の認識に基づいている。
)高周波パルスが核磁化のベクトルを縦方向くすなわち
2方向)から横断方向(すなわちx−y平面)に傾け、
一方、第2高周波パルスが核磁化を横断方向から縦方向
に鏡像関係で傾けるという事実の認識に基づいている。
従って、第2パルスと関連磁気勾配磁場は各関連磁気勾
配磁場を持つ第1および第3高周波パルスの時間で鏡像
でなくてはならない。このことは本発明による方法の別
形によって保証されている。
配磁場を持つ第1および第3高周波パルスの時間で鏡像
でなくてはならない。このことは本発明による方法の別
形によって保証されている。
本発明に従う方法を実行する装置は、一様、定常磁場を
発生する磁石、定常磁場に対し垂直に延びる高周波磁場
を発生する高周波コイルシステム、高周波コイルシステ
ムに電力を与える高周波発生器、定常磁場の方向に延び
、かつ異なった方向に延びている勾配を有する磁場を発
生する勾配コイルシステム、勾配コイルに電力を与える
発生器、高周波発生器や他の発電器を制御する制御ユニ
ット、および誘導エコー信号を処理する演算装置を具え
、かつ 磁気勾配磁場が3つの高周波パルスの間ならびに第3高
周波パルスと誘導エコー信号の生起の瞬間との間の間隔
の間で活性化されるように制御ユニットがプログラムさ
れ、第1高周波パルスのあと、および第3高周波パルス
のあとの間隔の間で活性化された勾配磁場の勾配は同じ
方向に延びかつ条件I1=I3が満足され、ここで11
とI3は第1高周波パルスのあとおよび第3高周波パル
スのあとの間隔の間の勾配にわたる時間積分を示し、第
2高周波パルスのあとの間隔の間で活性化された勾配磁
場の勾配は第1間隔のあとおよび第3間隔のあとで活性
化された勾配磁場の勾配に対し垂直に延び、ならびに/
あるいは11=I2が満足され、ここで■2は第2高周
波パルスのあとの磁気勾配磁場にわたる時間積分であり
、nはその絶対値が1および2から偏っている正あるい
は負の数であり、演算ユニットはフーリエ変換を実行す
るように構成されていることを特徴としている。
発生する磁石、定常磁場に対し垂直に延びる高周波磁場
を発生する高周波コイルシステム、高周波コイルシステ
ムに電力を与える高周波発生器、定常磁場の方向に延び
、かつ異なった方向に延びている勾配を有する磁場を発
生する勾配コイルシステム、勾配コイルに電力を与える
発生器、高周波発生器や他の発電器を制御する制御ユニ
ット、および誘導エコー信号を処理する演算装置を具え
、かつ 磁気勾配磁場が3つの高周波パルスの間ならびに第3高
周波パルスと誘導エコー信号の生起の瞬間との間の間隔
の間で活性化されるように制御ユニットがプログラムさ
れ、第1高周波パルスのあと、および第3高周波パルス
のあとの間隔の間で活性化された勾配磁場の勾配は同じ
方向に延びかつ条件I1=I3が満足され、ここで11
とI3は第1高周波パルスのあとおよび第3高周波パル
スのあとの間隔の間の勾配にわたる時間積分を示し、第
2高周波パルスのあとの間隔の間で活性化された勾配磁
場の勾配は第1間隔のあとおよび第3間隔のあとで活性
化された勾配磁場の勾配に対し垂直に延び、ならびに/
あるいは11=I2が満足され、ここで■2は第2高周
波パルスのあとの磁気勾配磁場にわたる時間積分であり
、nはその絶対値が1および2から偏っている正あるい
は負の数であり、演算ユニットはフーリエ変換を実行す
るように構成されていることを特徴としている。
本発明を図面を参照して以下詳細に説明する。
第1図に線図的に示されている磁気共鳴映像装置は、4
つのコイル1からなる定常、一様磁場を発生する装置を
具え、磁場の強度はTの10分のいくつからいくつかの
Tになっている。この磁場はカルテシアン座標系のZ方
向に延びている。コイル1はZ軸に対して同心的に配列
され、球面2上に位置されている。検査されるべき患者
20はこれらのコイルの内側に配置されている。
つのコイル1からなる定常、一様磁場を発生する装置を
具え、磁場の強度はTの10分のいくつからいくつかの
Tになっている。この磁場はカルテシアン座標系のZ方
向に延びている。コイル1はZ軸に対して同心的に配列
され、球面2上に位置されている。検査されるべき患者
20はこれらのコイルの内側に配置されている。
Z方向に延びかつこの方向に線形的に変化している磁場
Gzを発生するために、4つのコイル3が備えられ、こ
れらは同じ球面上に配列されるのが好ましい。磁気勾配
磁場Gx(すなわちその強度が一方向に線形的に変化し
ている磁場)を発生する4つのコイル7がまた備えられ
、これはまた2方向に延びているが、しかしその勾配は
X方向に延びている。2方向に延び、かつX方向に勾配
を有する磁気勾配磁場ayは4つのコイル5によって発
生され、これはコイル7と同等であるが、それに対して
空間で90°オフセツトするように配列されている。こ
れらの4つのコイルの2つのみが第1図に示されている
。
Gzを発生するために、4つのコイル3が備えられ、こ
れらは同じ球面上に配列されるのが好ましい。磁気勾配
磁場Gx(すなわちその強度が一方向に線形的に変化し
ている磁場)を発生する4つのコイル7がまた備えられ
、これはまた2方向に延びているが、しかしその勾配は
X方向に延びている。2方向に延び、かつX方向に勾配
を有する磁気勾配磁場ayは4つのコイル5によって発
生され、これはコイル7と同等であるが、それに対して
空間で90°オフセツトするように配列されている。こ
れらの4つのコイルの2つのみが第1図に示されている
。
磁気勾配磁場GZ、GVおよびGxを発生する3つのコ
イルシステム3.5.’?各々は球面2に対して対称的
に配列されているから、球の中心(座標xyzの上述の
カルテシアン系の原点を形成している)における磁場強
度はコイルシステム1の定常、一様磁場によってのみ決
定されている。
イルシステム3.5.’?各々は球面2に対して対称的
に配列されているから、球の中心(座標xyzの上述の
カルテシアン系の原点を形成している)における磁場強
度はコイルシステム1の定常、一様磁場によってのみ決
定されている。
さらに、高周波コイル11は座標系のz=Q平面に対し
て対称的に配列され、このコイルはX方向に、換言すれ
ば定常、一様磁場の方向に対して垂直に延びている本質
的に一様な高周波磁場を発生するように構成されている
。各高周波パルスの間で、高周波変調電流が高周波発生
器によって高周波コイルに印加されている。3つの高周
波パルスのあと、高周波コイル11は検査ゾーンに形成
された透導エコー信号の受信に役立っている。しかし、
別の高周波受信コイルが代案として利用できる。
て対称的に配列され、このコイルはX方向に、換言すれ
ば定常、一様磁場の方向に対して垂直に延びている本質
的に一様な高周波磁場を発生するように構成されている
。各高周波パルスの間で、高周波変調電流が高周波発生
器によって高周波コイルに印加されている。3つの高周
波パルスのあと、高周波コイル11は検査ゾーンに形成
された透導エコー信号の受信に役立っている。しかし、
別の高周波受信コイルが代案として利用できる。
第2図は上述の磁気共鳴映像装置の簡単化されたブロッ
ク線図を示している。スイッチング装置12を介して、
高周波コイル11は一方の側では高周波発生器4に、そ
して他方の側では高周波受信器6に接続されている。
ク線図を示している。スイッチング装置12を介して、
高周波コイル11は一方の側では高周波発生器4に、そ
して他方の側では高周波受信器6に接続されている。
高周波発生器4は可変周波数高周波発振器110を含み
、これはコイル1によって生成された磁場強度に対して
励起されるべき核のラーマ−周波数に等しい周波数を有
する振動を生成する。よく知られているように、ラーマ
−周波数[は関係式「=cBから計算でき、ここでBは
定常、一様磁場の磁気誘導であり、Cは磁気回転比であ
り、これは例えばプロトンに対して42.56 MHz
/Tとなっている。発振器40の出力は混合ステージ4
3の入力に接続されている。混合ステージ43はその出
力がデジタルメモリ45に接続されているデジタル/ア
ナログ変換器44から第2人力信号を受信する。制御装
置15の制御の下で、エンベロープ信号を形成する一連
のデジタルデータ悟はメモリから読取られる。
、これはコイル1によって生成された磁場強度に対して
励起されるべき核のラーマ−周波数に等しい周波数を有
する振動を生成する。よく知られているように、ラーマ
−周波数[は関係式「=cBから計算でき、ここでBは
定常、一様磁場の磁気誘導であり、Cは磁気回転比であ
り、これは例えばプロトンに対して42.56 MHz
/Tとなっている。発振器40の出力は混合ステージ4
3の入力に接続されている。混合ステージ43はその出
力がデジタルメモリ45に接続されているデジタル/ア
ナログ変換器44から第2人力信号を受信する。制御装
置15の制御の下で、エンベロープ信号を形成する一連
のデジタルデータ悟はメモリから読取られる。
混合ステージ43はそこに印加された入力信号を処理す
るから、エンベロープ信号によって変調されたキャリア
振動はその出力に現れる。制御装置15によって制御さ
れるスイッチ46を介して、混合ステージ43の出力信
号はその出力がスイッチング装置12に接続されている
高周波電力増幅器47に印加されている。この装置(1
2)はまた制御装置15によってまた制御されている。
るから、エンベロープ信号によって変調されたキャリア
振動はその出力に現れる。制御装置15によって制御さ
れるスイッチ46を介して、混合ステージ43の出力信
号はその出力がスイッチング装置12に接続されている
高周波電力増幅器47に印加されている。この装置(1
2)はまた制御装置15によってまた制御されている。
受信器6はスイッチング装置12に接続され、かつ高周
波コイル11に誘導された誘導エコー信号を受信する高
周波増幅器60を含んでいる。この目的で、スイッチン
グ装置12は適当なスイッチング位置を占めねばならぬ
。増幅器60は制御装置15によって制御されるスケル
チ入力を含み、それはその利得が実質的に0になるよう
に増幅器をブロックするのに使用できる。この増幅器の
出力は2つの乗算混合ステージ(multiplyin
g mixing stage)51と62の第1人力
に接続され、その各々はそれらの人力信号の積に対応す
る出力信号を提供する。混合ステージ61と62の第2
人力は発振器40の周波数を有する信号を受信し、90
°の位相推移が2つの人力の信号の間に起る。この位相
推移は90°移相器48によって生成され、その(48
の)出力は混合ステージ62の入力に接続され、その(
48の)入力は発振器40の出力と共に混合ステージ6
10入力にも接続されている。
波コイル11に誘導された誘導エコー信号を受信する高
周波増幅器60を含んでいる。この目的で、スイッチン
グ装置12は適当なスイッチング位置を占めねばならぬ
。増幅器60は制御装置15によって制御されるスケル
チ入力を含み、それはその利得が実質的に0になるよう
に増幅器をブロックするのに使用できる。この増幅器の
出力は2つの乗算混合ステージ(multiplyin
g mixing stage)51と62の第1人力
に接続され、その各々はそれらの人力信号の積に対応す
る出力信号を提供する。混合ステージ61と62の第2
人力は発振器40の周波数を有する信号を受信し、90
°の位相推移が2つの人力の信号の間に起る。この位相
推移は90°移相器48によって生成され、その(48
の)出力は混合ステージ62の入力に接続され、その(
48の)入力は発振器40の出力と共に混合ステージ6
10入力にも接続されている。
混合ステージ61と62の出力信号は、発振器40によ
って供給された周波数ならびに発振器周波数より高いす
べての周波数を遮断し、かつ低い周波数成分を導通する
低域通過フィルタ63と64を介して、各アナログ対デ
ィジタル変換器65.66にそれぞれ印加される。後者
は直交復調器を形成する回路6164のアナログ信号を
メモリ14に印加されるディジタルデータ語に変換する
。アナログ対ディジタル変換器65と66はメモリ14
と共にクロックパルス発生器16(これは制御線を介し
てブロックしたりエネーブルできる)から制御回路15
によってクロックパルスを受信できるから、高周波コイ
ル11によって供給され、かつ低周波領域に置換される
信号は、制御装置15によって規定されている測定間隔
の間でのみメモリ14に蓄積するディジタルデータ語に
変換できる。
って供給された周波数ならびに発振器周波数より高いす
べての周波数を遮断し、かつ低い周波数成分を導通する
低域通過フィルタ63と64を介して、各アナログ対デ
ィジタル変換器65.66にそれぞれ印加される。後者
は直交復調器を形成する回路6164のアナログ信号を
メモリ14に印加されるディジタルデータ語に変換する
。アナログ対ディジタル変換器65と66はメモリ14
と共にクロックパルス発生器16(これは制御線を介し
てブロックしたりエネーブルできる)から制御回路15
によってクロックパルスを受信できるから、高周波コイ
ル11によって供給され、かつ低周波領域に置換される
信号は、制御装置15によって規定されている測定間隔
の間でのみメモリ14に蓄積するディジタルデータ語に
変換できる。
3つのコイルシステム3.5.7はその時間変動が制御
ユニット15によって制御できる電流を持つ電流発生器
23.25および27によって電力が与えられている。
ユニット15によって制御できる電流を持つ電流発生器
23.25および27によって電力が与えられている。
メモリ14に蓄積されたデータ語とサンプリング値は演
算装置17に印加され、この演算装置17は離散フーリ
エ変換を用いて、そこから核磁化のスペクトル分布を決
定し、かつ例えばモニタ18のような適当な表示9mを
介してこのように決定された分布を出力する。
算装置17に印加され、この演算装置17は離散フーリ
エ変換を用いて、そこから核磁化のスペクトル分布を決
定し、かつ例えばモニタ18のような適当な表示9mを
介してこのように決定された分布を出力する。
第3図は本発明による方法を実行するために第2図に示
された回路によって受信されたかあるいは発生された種
々の信号の時間変動を示している。
された回路によって受信されたかあるいは発生された種
々の信号の時間変動を示している。
第1のラインは高周波発生器4の出力信号の時間変動を
示している。第2、第3、第4のラインは磁気勾配磁場
Gx、Gy、Gzの時間変動をそれぞれ示し、これらは
それぞれコイルシステム7゜5.3および発生器27.
25.23によって発生されている。第5のラインは低
域通過フィルタ63.64の1つの信号の時間変動を示
している。
示している。第2、第3、第4のラインは磁気勾配磁場
Gx、Gy、Gzの時間変動をそれぞれ示し、これらは
それぞれコイルシステム7゜5.3および発生器27.
25.23によって発生されている。第5のラインは低
域通過フィルタ63.64の1つの信号の時間変動を示
している。
本発明による方法は8つの連続時間間隔tlt8を含ん
でいる。間隔tl、t3.t5の間で、毎回高周波パル
ス、好ましくは90°高周波パルスが発生され、スイッ
チ46が閉成され、かつスイッチ12は第2図に示され
ていない位置を占める。各高周波パルスの中心周波数は
発振器40の周波数によって決定される。この周波数は
コイル1によって発生された定常、一様磁場の所定の磁
場強度で励起されるべき核のラーマ−周波数に対応しな
ければならない。高周波パルスの帯域幅およびそれらの
時間変動はメモリ45に蓄積されたエンベロープ信号の
時間変動に依存している。
でいる。間隔tl、t3.t5の間で、毎回高周波パル
ス、好ましくは90°高周波パルスが発生され、スイッ
チ46が閉成され、かつスイッチ12は第2図に示され
ていない位置を占める。各高周波パルスの中心周波数は
発振器40の周波数によって決定される。この周波数は
コイル1によって発生された定常、一様磁場の所定の磁
場強度で励起されるべき核のラーマ−周波数に対応しな
ければならない。高周波パルスの帯域幅およびそれらの
時間変動はメモリ45に蓄積されたエンベロープ信号の
時間変動に依存している。
第1の時間間隔t1の間、磁気勾配磁場Gxは全高周波
パルス間で一定であるように活性化される。X軸に対し
て垂直に延び、かつその厚さが高周波パルスの帯域幅お
よび磁気勾配磁場の勾配の大きさによって決定されてい
る層内で第1高周波パルスは核磁化を励起することでそ
れは達成されている。高周波パルスのあと、磁気勾配磁
場の極性は反転され、磁気勾配磁場Gxは時間間隔tl
内でなお非活性化されている。磁気勾配磁場の時間変動
は、この勾配磁場にわたる時間積分が高周波パルスの中
心と非活性化の瞬時との間で0であるように選ばれてい
る。励起された層内の核磁化の位相位置がX座標に無関
係であることがこのように達成されている。
パルス間で一定であるように活性化される。X軸に対し
て垂直に延び、かつその厚さが高周波パルスの帯域幅お
よび磁気勾配磁場の勾配の大きさによって決定されてい
る層内で第1高周波パルスは核磁化を励起することでそ
れは達成されている。高周波パルスのあと、磁気勾配磁
場の極性は反転され、磁気勾配磁場Gxは時間間隔tl
内でなお非活性化されている。磁気勾配磁場の時間変動
は、この勾配磁場にわたる時間積分が高周波パルスの中
心と非活性化の瞬時との間で0であるように選ばれてい
る。励起された層内の核磁化の位相位置がX座標に無関
係であることがこのように達成されている。
同様に、核磁化は磁気勾配磁場Gzの活性化により第5
間隔t5の間に2方向に垂直な層で励起される。磁気勾
配磁場cyが第1間隔t1あるいは第5間隔t5の間の
勾配磁場GxあるいはGzと同様に第3間隔t3の間で
同じ時間変動を有するものとすると、3つの高周波パル
スによって励起された層の交叉点の領域、における核磁
化は一部分位相外れとなろう。第3図の第3ラインから
分るように、時間間隔t3における第2高周波パルスに
先立って、X方向に延びている勾配を有する磁気勾配磁
場Gyは第1高周波パルスによって励起され、かつX軸
に垂直に延びている層内の核磁化がX方向で位相外れに
なるよう活性化されることでそのような位相外れは回避
される。
間隔t5の間に2方向に垂直な層で励起される。磁気勾
配磁場cyが第1間隔t1あるいは第5間隔t5の間の
勾配磁場GxあるいはGzと同様に第3間隔t3の間で
同じ時間変動を有するものとすると、3つの高周波パル
スによって励起された層の交叉点の領域、における核磁
化は一部分位相外れとなろう。第3図の第3ラインから
分るように、時間間隔t3における第2高周波パルスに
先立って、X方向に延びている勾配を有する磁気勾配磁
場Gyは第1高周波パルスによって励起され、かつX軸
に垂直に延びている層内の核磁化がX方向で位相外れに
なるよう活性化されることでそのような位相外れは回避
される。
第2高周波パルスの間にこの磁場はその直前に対して逆
の極性を有するようにこの勾配磁場の極性が反転される
から、かつ活性化の瞬間と第2高周波パルスの間でこの
磁場にわたる時間積分が0であるように磁気勾配磁場の
時間変動が選ばれているから、そのような位相外れは再
び除去される。
の極性を有するようにこの勾配磁場の極性が反転される
から、かつ活性化の瞬間と第2高周波パルスの間でこの
磁場にわたる時間積分が0であるように磁気勾配磁場の
時間変動が選ばれているから、そのような位相外れは再
び除去される。
第7時間間隔t7の間に起り、かつ3つの層の交叉点の
領域における核磁化によってのみ決定される誘導エコー
信号の信号対雑音比をこれは改善する。
領域における核磁化によってのみ決定される誘導エコー
信号の信号対雑音比をこれは改善する。
第7時間間隔t7の間に誘導エコー信号が現れ、これは
3つの層の交叉点の領域における核磁化によってのみ決
定される。スイッチ12を介して受信器6に適用するた
めに(ここでメモリ14に蓄積するために一連のディジ
タルサンプリング値に変換されている)この信号はコイ
ル11によって電気信号に変換されており、そのあと演
算装置17のフーリエ変換が続いている。クロック発生
器16は時間間隔t7の間でのみクロックパルスを発生
し、従ってこの時間間隔の間で起るサンプリング値のみ
が蓄積できる。誘導エコー信号の中心と第3高周波パル
スの中心との間の距離は、最初の2つの高周波パルスの
中心間の時間の距離に対応している。
3つの層の交叉点の領域における核磁化によってのみ決
定される。スイッチ12を介して受信器6に適用するた
めに(ここでメモリ14に蓄積するために一連のディジ
タルサンプリング値に変換されている)この信号はコイ
ル11によって電気信号に変換されており、そのあと演
算装置17のフーリエ変換が続いている。クロック発生
器16は時間間隔t7の間でのみクロックパルスを発生
し、従ってこの時間間隔の間で起るサンプリング値のみ
が蓄積できる。誘導エコー信号の中心と第3高周波パル
スの中心との間の距離は、最初の2つの高周波パルスの
中心間の時間の距離に対応している。
第1、第2、第3高周波パルスのあと、すなわち関連高
周波パルスと組合された磁気勾配磁場の非活性化のあと
の時間間隔t2.t4.t6の間に、すべての別のタイ
プのスピン共鳴信号を抑制するために磁気勾配磁場が発
生される。時間間隔t2の間にその時間積分が0より偏
っている磁気勾配磁場が発生される。この磁場の勾配は
任意の方向に延びるであろう。本発明では、勾配はX方
向に延びるものと仮定されている。第3高周波パルスの
あとの時間間隔t6の間で、磁気勾配磁場が発生され、
その勾配は時間間隔t2の間に活性化された磁気勾配磁
場の勾配と同じ方向に延び、かつその時間積分は時間間
隔t2の間に活性化された磁気勾配磁場にわたる時間積
分に対応している。第2高周波パルスと第3高周波パル
スの間の時間間隔t4の間で磁気勾配磁場が活性化され
、その勾配は時間間隔t2とt6の間に活性化された磁
気勾配磁場の勾配と同じ方向および同じ極性を有してい
る。しかし、この磁気勾配磁場にわたる時間積分は時間
間隔t2とt6に対する対応積分より3倍大きい。
周波パルスと組合された磁気勾配磁場の非活性化のあと
の時間間隔t2.t4.t6の間に、すべての別のタイ
プのスピン共鳴信号を抑制するために磁気勾配磁場が発
生される。時間間隔t2の間にその時間積分が0より偏
っている磁気勾配磁場が発生される。この磁場の勾配は
任意の方向に延びるであろう。本発明では、勾配はX方
向に延びるものと仮定されている。第3高周波パルスの
あとの時間間隔t6の間で、磁気勾配磁場が発生され、
その勾配は時間間隔t2の間に活性化された磁気勾配磁
場の勾配と同じ方向に延び、かつその時間積分は時間間
隔t2の間に活性化された磁気勾配磁場にわたる時間積
分に対応している。第2高周波パルスと第3高周波パル
スの間の時間間隔t4の間で磁気勾配磁場が活性化され
、その勾配は時間間隔t2とt6の間に活性化された磁
気勾配磁場の勾配と同じ方向および同じ極性を有してい
る。しかし、この磁気勾配磁場にわたる時間積分は時間
間隔t2とt6に対する対応積分より3倍大きい。
時間間隔t2.t4.t6の間で活性化された3つの磁
気勾配磁場の各々は原理上かなりの位相外れ、すなわち
位相推移を起し、これは関連する時間間隔の間の磁気勾
配磁場にわたる時間積分に比例している。さらに、位相
推移はまたカルテシアン座標系の原点からの距;胤xに
比例している。
気勾配磁場の各々は原理上かなりの位相外れ、すなわち
位相推移を起し、これは関連する時間間隔の間の磁気勾
配磁場にわたる時間積分に比例している。さらに、位相
推移はまたカルテシアン座標系の原点からの距;胤xに
比例している。
時間間隔t2.t4.t6の間に活性化された磁気勾配
磁場によって生じた位相外れは今後それぞれIf 、
I2 、 I3と規定されよう。I1と13は等し
く、I2はI1あるいはI3より3倍大きいと仮定され
ている。
磁場によって生じた位相外れは今後それぞれIf 、
I2 、 I3と規定されよう。I1と13は等し
く、I2はI1あるいはI3より3倍大きいと仮定され
ている。
以下の表は種々のタイプのスピン共鳴信号についての種
々の位相外れの発生の効果を例示している。記号STE
は誘導エコー信号を示し、SEはスピンエコー信号を示
し、FIDはFED信号を示している。括弧間に示され
た数字は各信号に対する関連高周波パルスを示している
。
々の位相外れの発生の効果を例示している。記号STE
は誘導エコー信号を示し、SEはスピンエコー信号を示
し、FIDはFED信号を示している。括弧間に示され
た数字は各信号に対する関連高周波パルスを示している
。
SR6(1,2,3): ■1i3
SB (1,2) : It −I2−I3SB
(1,3) : If +I2−I3Sε (
2,3) : I2−13SIE (1,2,3
): It −12+l3Fr[) (1) :
It +I2 +l3FID (2) :
I2 + l3FID (3) + 13 誘導工コー信号に対する位相推移が0であることは明ら
かであろう。何故ならば、第1および第2高周波パルス
のあとの磁気勾配磁場による位相外れはこの信号と逆で
ありかつ等しいからである。
(1,3) : If +I2−I3Sε (
2,3) : I2−13SIE (1,2,3
): It −12+l3Fr[) (1) :
It +I2 +l3FID (2) :
I2 + l3FID (3) + 13 誘導工コー信号に対する位相推移が0であることは明ら
かであろう。何故ならば、第1および第2高周波パルス
のあとの磁気勾配磁場による位相外れはこの信号と逆で
ありかつ等しいからである。
すべての他のスピン共鳴信号に対してI3の所与の値で
は位相外れは0から偏っていることが分る。
は位相外れは0から偏っていることが分る。
従って、これらの信号は適当な位相外れの場合、すなわ
ち条件dx11>2π/Cが満足される場合に抑制され
る。ここで、dxはX軸に垂直に延びる層の厚さ、すな
わち勾配が第2時間間隔あるいは第6時間間隔の間に垂
直に延びている層の厚さであり、Cは磁気回転比である
。
ち条件dx11>2π/Cが満足される場合に抑制され
る。ここで、dxはX軸に垂直に延びる層の厚さ、すな
わち勾配が第2時間間隔あるいは第6時間間隔の間に垂
直に延びている層の厚さであり、Cは磁気回転比である
。
この表は条件■1あるいはI3 =−312が満足され
る場合に同様に良い結果が得られることをまた示してい
る。破線で示されているように、X方向の勾配は時間間
隔t4の間に負の極性をまた有している。他方、もし条
件12=I3あるいは12=−13が満足されるなら信
号5E(2,3)あるいはFID(2)がまた位相外れ
にならぬことが分る。もしI2が2 I3に等しいか
、あるいはもしI2が一2I3に等しいなら信号5E(
1,2)あるいは5E(1,2,3) は抑制されぬこ
とも分る。
る場合に同様に良い結果が得られることをまた示してい
る。破線で示されているように、X方向の勾配は時間間
隔t4の間に負の極性をまた有している。他方、もし条
件12=I3あるいは12=−13が満足されるなら信
号5E(2,3)あるいはFID(2)がまた位相外れ
にならぬことが分る。もしI2が2 I3に等しいか
、あるいはもしI2が一2I3に等しいなら信号5E(
1,2)あるいは5E(1,2,3) は抑制されぬこ
とも分る。
I2がOでないから、信号5E(1,3)が抑制される
ことを保証するために、時間間隔t4の間で勾配が時間
間隔t2あるいはI6の間の勾配に対して同方向かある
いは反対方向に延びる場合に12の絶対値は11あるい
はI3の絶対値の少なくとも3倍大きくなくてはならぬ
と言う条件を満足する必要がある。
ことを保証するために、時間間隔t4の間で勾配が時間
間隔t2あるいはI6の間の勾配に対して同方向かある
いは反対方向に延びる場合に12の絶対値は11あるい
はI3の絶対値の少なくとも3倍大きくなくてはならぬ
と言う条件を満足する必要がある。
しかし、時間間隔t4の間、その勾配が時間間隔t2あ
るいはI6の間に勾配に対して同方向か反対方向に延び
ない磁気勾配磁場を活性化することにより他のスピン共
鳴信号を抑制することは代案として可能である。時間間
隔t4の間に活性化された磁気勾配磁場の勾配が、例え
ばX方向あるいはZ方向に延びるなら、I2に依存する
すべての信号は抑制できる。第3高周波パルスによって
発生され、かつ第2高周波パルスと第3高周波パルスの
間に磁気勾配磁場から無関係なく誘導エコー信号STE
と同様に)信号FID(3)は時間間隔t6の間に活性
化された磁気勾配磁場によって抑制される。
るいはI6の間に勾配に対して同方向か反対方向に延び
ない磁気勾配磁場を活性化することにより他のスピン共
鳴信号を抑制することは代案として可能である。時間間
隔t4の間に活性化された磁気勾配磁場の勾配が、例え
ばX方向あるいはZ方向に延びるなら、I2に依存する
すべての信号は抑制できる。第3高周波パルスによって
発生され、かつ第2高周波パルスと第3高周波パルスの
間に磁気勾配磁場から無関係なく誘導エコー信号STE
と同様に)信号FID(3)は時間間隔t6の間に活性
化された磁気勾配磁場によって抑制される。
このようにして、これらの場合に勾配コイル7のための
発生器27は時間間隔t4の間に非活性のままであり、
そしてその代わりに発生器23・あるいは25は磁気勾
配磁場GyあるいはGzを発生でき、かつ、この時間間
隔の間でこの磁場にわたる時間積分の絶対値が時間間隔
t2あるいはI6に対するこの値に対応するようにその
時間変動は比例している。
発生器27は時間間隔t4の間に非活性のままであり、
そしてその代わりに発生器23・あるいは25は磁気勾
配磁場GyあるいはGzを発生でき、かつ、この時間間
隔の間でこの磁場にわたる時間積分の絶対値が時間間隔
t2あるいはI6に対するこの値に対応するようにその
時間変動は比例している。
(要 約)
本発明は限られた容積内の核磁化のスペクトル分布を決
定する方法に関連している。この目的で、3つの連続高
周波パルスによる3つの相互に垂直な層で核磁化は励起
されている。3つの層の交叉点の領域で発生された誘導
エコー信号はフリーエ変換を受けている。3つの高周波
パルスによって付加的に発生されたスピン共鳴信号は、
磁気勾配磁場が高周波パルスの間、および最後の高周波
パルスと誘導エコー信号の間の3つの間隔の間で活性化
されるよう抑制されている。
定する方法に関連している。この目的で、3つの連続高
周波パルスによる3つの相互に垂直な層で核磁化は励起
されている。3つの層の交叉点の領域で発生された誘導
エコー信号はフリーエ変換を受けている。3つの高周波
パルスによって付加的に発生されたスピン共鳴信号は、
磁気勾配磁場が高周波パルスの間、および最後の高周波
パルスと誘導エコー信号の間の3つの間隔の間で活性化
されるよう抑制されている。
第1図は本発明による方法を実行する磁気共鳴映像装置
を示し、 第2図はそのような装置のブロック図を示し、第3図は
本発明による方法の実行の間の種々の信号の時間変動を
示している。 1・・・コイル(システム) 2・・・球面 3、5.7・・・コイル(システム) 4・・・高周波発生器 6・・・(高周波)受信器
11・・・高周波コイル 12・・・スイッチング
装置14・・・メモIJ 15・・・制御
装置16・・・クロツクハルス発生器 17・・・演算装置 18・・・モニタ20・
・・患者 23、25.27・・・電流発生器 40・・・可変周波高周波発振器 43・・・混合ステージ 44・・・D/A変換器
45・・・ディジタルメモリ 46・・・スイッチ47
・・・高周波電力増幅器 48・・・90°移相器60
・・・高周波増幅器 61、62・・・乗算混合ステージ 63、64・・・低域通過フィルタ 65、66・・・A/D変換器 特許出願人 エヌ・ベー・フィリップス・フルーイ
ランペンファブリケン FIG、2
を示し、 第2図はそのような装置のブロック図を示し、第3図は
本発明による方法の実行の間の種々の信号の時間変動を
示している。 1・・・コイル(システム) 2・・・球面 3、5.7・・・コイル(システム) 4・・・高周波発生器 6・・・(高周波)受信器
11・・・高周波コイル 12・・・スイッチング
装置14・・・メモIJ 15・・・制御
装置16・・・クロツクハルス発生器 17・・・演算装置 18・・・モニタ20・
・・患者 23、25.27・・・電流発生器 40・・・可変周波高周波発振器 43・・・混合ステージ 44・・・D/A変換器
45・・・ディジタルメモリ 46・・・スイッチ47
・・・高周波電力増幅器 48・・・90°移相器60
・・・高周波増幅器 61、62・・・乗算混合ステージ 63、64・・・低域通過フィルタ 65、66・・・A/D変換器 特許出願人 エヌ・ベー・フィリップス・フルーイ
ランペンファブリケン FIG、2
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、限られた容積内の核磁化のスペクトル分布を決定す
る方法であって、ここで定常、一様磁場の存在の下で、
毎回磁気勾配磁場と共に、3つの高周波パルスが検査ゾ
ーンに作用し、磁気勾配磁場の勾配の方向が1つのパル
スから他のパルスまで90°変化しており、検査ゾーン
に発生された誘導エコー信号がサンプルされかつ処理さ
れるものにおいて、 3つの高周波パルスの間ならびに第3高周 波パルスと誘導エコー信号の間で各時間間隔の間に磁気
勾配磁場が活性化され、第1高周波パルスのあとおよび
第3高周波パルスのあとの時間間隔(t2)で発生され
た磁気勾配磁場の勾配が同方向に延び、かつ条件I1=
I3が満足され、ここでI1とI3はそれぞれ第1高周
波パルスのあと(t2)および第3高周波パルスのあと
(t6)のそれぞれ間隔で勾配にわたる時間積分を示し
、第2高周波パルスのあとの間隔(t4)の間に活性化
された磁気勾配磁場の勾配は第1および第3の間隔のあ
との間隔の間でそれぞれ活性化された磁気勾配磁場の勾
配に垂直に延びており、ならびに/あるいは条件I1=
I2/nが満足され、ここでI2は第2高周波パルスの
あとで活性化された勾配磁場の勾配にわたる時間積分を
示し、nはその絶対値が1および2から偏っている正あ
るいは負の数であり、誘導エコー信号がフーリエ変換ユ
ニット(14、17)に印加されていることを特徴とす
る方法。 2、3つの高周波パルスが90°高周波パルスであるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第1項に記載の方法。 3、nの絶対値が3より大きいか3に等しいことを特徴
とする特許請求の範囲第1項に記載の方法。 4、第1および第3高周波パルスの間でそれぞれ活性化
された磁気勾配磁場(Gxおよび Gz)の極性が第1および第3高周波パルスのあとでそ
れぞれ反転され、 第2高周波パルスの前に磁気勾配磁場 (Gy)が第2高周波パルスの間のこの磁場の極性に反
対の極性で活性化され、かつ 高周波パルスの間に活性化された各勾配磁 場の時間変動が、第1あるいは第3高周波パルスの中心
と関連勾配磁場の非活性化の瞬時との間、あるいは勾配
磁場の活性化の瞬間と第2高周波パルスの中心との間で
時間積分が0であるように選ばれていること、 を特徴とする特許請求の範囲第1項ないし第3項のいず
れか1つに記載の方法。 5、限られた容積内の各磁化のスペクトル分布を決定す
る方法であって、ここで定常、一様磁場の存在の下で、
毎回磁気勾配磁場と共に、3つの高周波パルスが検査ゾ
ーンに作用し、磁気勾配磁場の勾配の方向が1つのパル
スから他のパルスまで90°変化しており、検査ゾーン
に発生された誘導エコー信号がサンプルされかつ処理さ
れるものにおいて、 3つの高周波パルスの間ならびに第3高周 波パルスと誘導エコー信号の間で各時間間隔の間に磁気
勾配磁場が活性化され、第1高周波パルスのあとおよび
第3高周波パルスのあとの時間間隔(t2)で発生され
た磁気勾配磁場の勾配が同方向に延び、かつ条件I1=
I3が満足され、ここでI1とI3はそれぞれ第1高周
波パルスのあと(t2)および第3高周波パルスのあと
(t6)それぞれの間隔で勾配にわたる時間積分を示し
、第2高周波パルスのあとの間隔(t4)の間に活性化
された磁気勾配磁場の勾配は第1および第3の間隔のあ
との間隔の間でそれぞれ活性化された磁気勾配磁場の勾
配に垂直に延びており、ならびに/あるいは条件I1=
I2/nが満足され、ここでI2は第2高周波パルスの
あとで活性化された勾配磁場の勾配にわたる時間積分を
示し、nはその絶対値が1および2から偏っている正あ
るいは負の数であり、誘導エコー信号がフーリエ変換ユ
ニット(14、17)に印加されていることを特徴とす
る方法を実行する装置であって、 一様、定常磁場を発生する磁石、 定常磁場に対し垂直に延びる高周波磁場を 発生する高周波コイルシステム、 高周波コイルシステムに電力を与える高周 波発生器、 定常磁場の方向に延び、かつ異なる方向に 延びている勾配を有する磁場を発生する勾配コイルシス
テム、 勾配コイルに電力を与える発生器、 高周波発生器および他の発生器を制御する 制御ユニット、および 誘導エコー信号を処理する演算装置、 を具えるものにおいて、 制御ユニットは3つの高周波パルスの間な らびに第3高周波パルスと誘導エコー信号の生起の瞬間
との間の間隔の間で磁気勾配磁場が活性化されるように
プログラムされ、第1高周波パルスのあとおよび第3高
周波パルスのあとの間隔の間で活性化された勾配磁場の
勾配は同方向に延びかつ条件I1=I3が満足され、こ
こでI1とI3は第1高周波パルスのあとおよび第3高
周波パルスそれぞれのあとの間隔の間の勾配にわたる時
間積分を示し、第2高周波パルスのあとの時間間隔の間
で活性化された勾配磁場の勾配は第1間隔のあとおよび
第3間隔のあとでそれぞれ活性化された勾配磁場の勾配
に対し垂直に延び、ならびに/あるいは条件I1=I2
/nが満足され、ここでI2は第2高周波パルスのあと
の磁気勾配磁場にわたる時間積分であり、nはその絶対
値が1および2から偏っている正あるいは負の数であり
、演算ユニットはフーリエ変換を実行するように構成さ
れていることを特徴とする装置。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE3605547.6 | 1986-02-21 | ||
DE19863605547 DE3605547A1 (de) | 1986-02-21 | 1986-02-21 | Verfahren zur ermittlung der spektralen verteilung der kernmagnetisierung in einem begrenzten volumenbereich und anordnung zur durchfuehrung des verfahrens |
DE3616749.5 | 1986-05-17 | ||
DE19863616749 DE3616749A1 (de) | 1986-05-17 | 1986-05-17 | Verfahren zur ermittlung der spektralen verteilung der kernmagnetisierung in einem begrenzten volumenbereich |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62197049A true JPS62197049A (ja) | 1987-08-31 |
JPH0687849B2 JPH0687849B2 (ja) | 1994-11-09 |
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Family Applications (1)
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---|---|---|---|
JP62038993A Expired - Lifetime JPH0687849B2 (ja) | 1986-02-21 | 1987-02-21 | 核磁化のスペクトル分布を決定する方法と装置 |
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---|---|
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EP (1) | EP0233675B1 (ja) |
JP (1) | JPH0687849B2 (ja) |
CA (1) | CA1263703A (ja) |
DE (1) | DE3789772D1 (ja) |
IL (1) | IL81614A (ja) |
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-
1987
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- 1987-02-21 JP JP62038993A patent/JPH0687849B2/ja not_active Expired - Lifetime
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EP0233675B1 (de) | 1994-05-11 |
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CA1263703A (en) | 1989-12-05 |
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IL81614A0 (en) | 1987-09-16 |
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