JPS62196886A - 半導体レ−ザアレイおよびその製造方法 - Google Patents
半導体レ−ザアレイおよびその製造方法Info
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- JPS62196886A JPS62196886A JP3965086A JP3965086A JPS62196886A JP S62196886 A JPS62196886 A JP S62196886A JP 3965086 A JP3965086 A JP 3965086A JP 3965086 A JP3965086 A JP 3965086A JP S62196886 A JPS62196886 A JP S62196886A
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Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は波長多重通信などに用いられている、発振波長
の異なるレーザをモノリシックに集積した半導体レーザ
アレイおよびその製造方法に関するものである。
の異なるレーザをモノリシックに集積した半導体レーザ
アレイおよびその製造方法に関するものである。
従来の技術
半導体レーザの実用化により光通信が実現され、普及段
階に入っている。通信方式の中でも、光波長多重通信方
式は同時に多量の情報を伝達Ｊることができる有望な方
式の一つと考えられている。
階に入っている。通信方式の中でも、光波長多重通信方
式は同時に多量の情報を伝達Ｊることができる有望な方
式の一つと考えられている。
波長多重通信には波長の異なった複数個のレー１Ｆが必
要となる。このため従来は複数個のレーザ素子が用いら
れていた。ところが近年、レー１１のモノリシックアレ
イ技術が進み、１チツプにｅ！１１１Ｕのレーザが形成
されるようになった。
要となる。このため従来は複数個のレーザ素子が用いら
れていた。ところが近年、レー１１のモノリシックアレ
イ技術が進み、１チツプにｅ！１１１Ｕのレーザが形成
されるようになった。
発明が解決しＪ：うとする問題点
しかし、波長を順次変化させたレーザを形成づることは
非常に困難な技南である。例えば、これまでに報告され
ている各ＤＦＢレーザのグレーディング周期を変化さけ
て集積覆ることにより異なった発振波長を得る方法、ま
た発振波長の異なったレーザを七ノリシックに集積する
方法として、各レーＩＦの活性層のバンドギ↑！ツブを
変化させてレーザを形成ザる方法や、上記のように周期
の異なったグレーティングを有するＤＦ［３レーザの形
成方法などがあるがいずれも製造が困がである。
非常に困難な技南である。例えば、これまでに報告され
ている各ＤＦＢレーザのグレーディング周期を変化さけ
て集積覆ることにより異なった発振波長を得る方法、ま
た発振波長の異なったレーザを七ノリシックに集積する
方法として、各レーＩＦの活性層のバンドギ↑！ツブを
変化させてレーザを形成ザる方法や、上記のように周期
の異なったグレーティングを有するＤＦ［３レーザの形
成方法などがあるがいずれも製造が困がである。
本発明は上記の方法以外で容易に製造される発振波長の
異なるレー１１が七ノリシックに集積された半導体シー
１アアレイＪ３よびその製造方法を提供覆るものである
。
異なるレー１１が七ノリシックに集積された半導体シー
１アアレイＪ３よびその製造方法を提供覆るものである
。
問題点を解決するための手段
上記問題点を解決１Ｊるために、本発明の半導体レーザ
アレイは、−４電型の半導体基板上に活性層の厚さの異
なる半導体レーデを集積して構成したしのである。
アレイは、−４電型の半導体基板上に活性層の厚さの異
なる半導体レーデを集積して構成したしのである。
また、本発明の半導体レーザアレイの製造方法は一導電
型の半導体基板上に幅の異なるメサをスｉ・ライブ状に
順次並べて形成し、前記メサを形成した半導体基板上に
活性層を含むダブルへテロ構造を形成し、前記メサ上で
活性層の幅を異ならしめるようにしたものである。
型の半導体基板上に幅の異なるメサをスｉ・ライブ状に
順次並べて形成し、前記メサを形成した半導体基板上に
活性層を含むダブルへテロ構造を形成し、前記メサ上で
活性層の幅を異ならしめるようにしたものである。
さらに、本発明の半導体レーザアレイの製造方法は一導
電型の半導体基板上に幅が等しい凸部をストライプ状に
順に並べて形成し、前記凸部を形成した半導体基板上に
、−４電型とは反対の導電型を有する半導体層を形成し
、次に凸部項部に凸部に泊って窓を穿設し、前記窓を含
む反対の導電型の半導体層の幅が異なるメサをストライ
プ状に形成し、前記メサを形成した半導体基板上に活性
層を含むダブルへテロ構造を形成し、Ｉ）を記メ畳す上
で活性層の幅をＡならしめるようにしたものである。
電型の半導体基板上に幅が等しい凸部をストライプ状に
順に並べて形成し、前記凸部を形成した半導体基板上に
、−４電型とは反対の導電型を有する半導体層を形成し
、次に凸部項部に凸部に泊って窓を穿設し、前記窓を含
む反対の導電型の半導体層の幅が異なるメサをストライ
プ状に形成し、前記メサを形成した半導体基板上に活性
層を含むダブルへテロ構造を形成し、Ｉ）を記メ畳す上
で活性層の幅をＡならしめるようにしたものである。
作用
個々の中休ダブルへテロ４Ｍ３ａのストライプレーデを
同一クラッド層および同一の活性層４Ａ斜により、同一
のストライプ構造で構成し、活性層−クラッド層の接合
界面に平行方向の光の閉じ込め状態も同様に形成１Ｊる
。ここで活性層の厚さのみを異にすれば、個々のレーザ
において活性層−クラッド層接合界面に垂直方向の光の
閉じ込め係数「が変化し、発振しさ゛い値の電流密１身
が変化づる。
同一クラッド層および同一の活性層４Ａ斜により、同一
のストライプ構造で構成し、活性層−クラッド層の接合
界面に平行方向の光の閉じ込め状態も同様に形成１Ｊる
。ここで活性層の厚さのみを異にすれば、個々のレーザ
において活性層−クラッド層接合界面に垂直方向の光の
閉じ込め係数「が変化し、発振しさ゛い値の電流密１身
が変化づる。
この結果、注入キャリア量に依存したフェルミ単位の変
化により、発振波長が個々のレーザ間で異なった１ｎを
持つことになる。第３図に活性層厚とレーザ発振波長の
関係を示づ。個々のレーザ間で他のパラメータを固定づ
れば、活性層が肺くなるに従って発振波長が短波長化す
ることがわかる。
化により、発振波長が個々のレーザ間で異なった１ｎを
持つことになる。第３図に活性層厚とレーザ発振波長の
関係を示づ。個々のレーザ間で他のパラメータを固定づ
れば、活性層が肺くなるに従って発振波長が短波長化す
ることがわかる。
本発明は上記の原理に塁づくものであり、アレイの各レ
ー１Ｆから異なった波長のレーザ光を得ることができる
。
ー１Ｆから異なった波長のレーザ光を得ることができる
。
実施例
以下、本発明の一実施例について図面にもとづいて説明
する。
する。
第１図は木ｙｈ明の第１の実施例である半導体シー１ア
アレイの断面図を示す。第１図にｄ３いて、１は導電性
Ｐ型ＧａＡｓ１板、２はＰ型式Ｉｙ Ｇａｌ −Ｖ Ａ
ＳＳクララ層、３は＾ＩｘＧａ１ − ｘＡｓ活性層、
４はｎ型式１ソＧａ１−ソへＳクラッド層、５はｎ型Ｇ
ａＡｓキャップ層、６はＳｉ０２ ｉ！ｌ？化膜、７は
負電極、８は正電極である。
アレイの断面図を示す。第１図にｄ３いて、１は導電性
Ｐ型ＧａＡｓ１板、２はＰ型式Ｉｙ Ｇａｌ −Ｖ Ａ
ＳＳクララ層、３は＾ＩｘＧａ１ − ｘＡｓ活性層、
４はｎ型式１ソＧａ１−ソへＳクラッド層、５はｎ型Ｇ
ａＡｓキャップ層、６はＳｉ０２ ｉ！ｌ？化膜、７は
負電極、８は正電極である。
次に本発明の第１の実施例における半導体レーザアレイ
の具体的な製造方法について第２図（ａ）〜（Ｃ）によ
り説明する。まず第２図（ａ＞に示すように導電性Ｐ型
層ａＡｓＪｉ！板１上に高さ２μｌにて、幅２０μｎの
メナ９ａ、３０μｍのメサ９ｂ、５０μｍのメｔす９Ｃ
を化学エツチング（＋−１２ｓＯ４：Ｈ２Ｏ２ニド１２
０：８：１：１）により作成覆る。
の具体的な製造方法について第２図（ａ）〜（Ｃ）によ
り説明する。まず第２図（ａ＞に示すように導電性Ｐ型
層ａＡｓＪｉ！板１上に高さ２μｌにて、幅２０μｎの
メナ９ａ、３０μｍのメサ９ｂ、５０μｍのメｔす９Ｃ
を化学エツチング（＋−１２ｓＯ４：Ｈ２Ｏ２ニド１２
０：８：１：１）により作成覆る。
その際、各メグ９８〜９０間の距離は１５０μｍ以上あ
けてＪｊ ＜。その上に第２図（ｂ）（ｃ）のＪ：うに
Ｐ型＾１ソ Ｇａ１ − ソ Ａｓクラッ ド層２、八
ｌｘ Ｇａ１ − ｘ Ａｓ活性層３、ｎ型へ１ｙ
Ｇａ１−ソへＳクラッド層４、ｎ型層ａＡＳキャップ層
５を順に液相成長によって成長さけ、さらにｎ型ＧａＡ
ｓキャップ層５上にはストライプ窓を作るために５ｉ０
２の酸化膜６をつける。
けてＪｊ ＜。その上に第２図（ｂ）（ｃ）のＪ：うに
Ｐ型＾１ソ Ｇａ１ − ソ Ａｓクラッ ド層２、八
ｌｘ Ｇａ１ − ｘ Ａｓ活性層３、ｎ型へ１ｙ
Ｇａ１−ソへＳクラッド層４、ｎ型層ａＡＳキャップ層
５を順に液相成長によって成長さけ、さらにｎ型ＧａＡ
ｓキャップ層５上にはストライプ窓を作るために５ｉ０
２の酸化膜６をつける。
第３図（Ｃ）に示すようになったところで負電極７を蒸
者によって形成し、次に完全に各レーザ部分の分離を行
なう。最後に第１図に示すように正電極８を形成Ｊる。
者によって形成し、次に完全に各レーザ部分の分離を行
なう。最後に第１図に示すように正電極８を形成Ｊる。
以上のように構成された半導体レーザアレイについて以
下その特徴を説明する。まず、Ｐ型層ａＡｓ阜板１上に
形成したメナ９ａ〜９ｃの幅を変えることによってメサ
上９ａ〜９ｃ上に液相成長を行なった時のＡｌｘ Ｇａ
１− ｘ ”活性層３の厚さが変わる。これはメナ９ａ
〜９Ｃの幅が小さくなるに従ってメサの両側の段差部の
成長の影響を受け、メサ上部の活性層３岸は薄くなる。
下その特徴を説明する。まず、Ｐ型層ａＡｓ阜板１上に
形成したメナ９ａ〜９ｃの幅を変えることによってメサ
上９ａ〜９ｃ上に液相成長を行なった時のＡｌｘ Ｇａ
１− ｘ ”活性層３の厚さが変わる。これはメナ９ａ
〜９Ｃの幅が小さくなるに従ってメサの両側の段差部の
成長の影響を受け、メサ上部の活性層３岸は薄くなる。
すなわち、Ｐ型Ｇ ａ Ａ ３１４板１上に形成したメ
サ９ａ〜９Ｇの幅を変化させて、それぞれのメサ上に第
１図のように半導体レーザアレイを液相成長で作ると、
活性層３の成長は１回であるにもかかわらず、メサ９ａ
〜９Ｃの幅に応じて厚さの異なる活性Ｍ３が形成でさ°
る。活性層厚さとレーザ発振波長との関係を示ＴＩ第３
図かられかるように、活性層厚を薄くすると、レーーア
の発振波長が短波長化する。さらに、メサの−Ｌへの成
長ではメジの両側に＾Ｓが逃げるため、Ａ１がよく取り
込まれる。つまりメサ°の幅が短いほど＾Ｓがよく逃げ
る結果Δ１の混晶化が高くなる。
サ９ａ〜９Ｇの幅を変化させて、それぞれのメサ上に第
１図のように半導体レーザアレイを液相成長で作ると、
活性層３の成長は１回であるにもかかわらず、メサ９ａ
〜９Ｃの幅に応じて厚さの異なる活性Ｍ３が形成でさ°
る。活性層厚さとレーザ発振波長との関係を示ＴＩ第３
図かられかるように、活性層厚を薄くすると、レーーア
の発振波長が短波長化する。さらに、メサの−Ｌへの成
長ではメジの両側に＾Ｓが逃げるため、Ａ１がよく取り
込まれる。つまりメサ°の幅が短いほど＾Ｓがよく逃げ
る結果Δ１の混晶化が高くなる。
これによっても活性層のバンドギャップ１ネルギーが大
きくなる結果、発振波長は短波長側にシフトする。
きくなる結果、発振波長は短波長側にシフトする。
次に本発明の第２の実施例について図面を基づいて説明
する。
する。
第４図に、本発明の第２の実施例である半導体レーザア
レイの断面図を示す。第１の実施例（第１図）と異なる
ところはＰ型ＧａＡｓ基板１上にｎ型層ａＡｓブロッギ
ング１１１０を設けてＢｒＲ３構７３ （Ｂｕｒｉｅｃ
ｌＴｗｉｎ−Ｒｉｄｇｅ ５ｕｂｓｔｒａｔａ ）とし
た点である。
レイの断面図を示す。第１の実施例（第１図）と異なる
ところはＰ型ＧａＡｓ基板１上にｎ型層ａＡｓブロッギ
ング１１１０を設けてＢｒＲ３構７３ （Ｂｕｒｉｅｃ
ｌＴｗｉｎ−Ｒｉｄｇｅ ５ｕｂｓｔｒａｔａ ）とし
た点である。
この第２の実施例にＪ３ける半導体レーザアレイ具体的
な＃Ｍ造方法についてｔＡ５図（ａ）〜（ｄ）により説
明する。まず、第５図（ａ）に示すように、Ｐ型ＧａＡ
ｓ基板１上に幅の等しい凸部１１を化学エツチングによ
って形成する。づきに第５図（ｂ）に示すようにｎ型層
ａＡｓブロッキングｆｒ４１０を液相成長を行って形成
する。次に第５図（Ｃ）に示り°ように、凸部１１頂点
に対応する該凸部１１に沿う窓１２と、該窓を含み幅が
異なるメサ１３ａ〜ｊ３ｃとを、ストライプ状にｎ型Ｇ
ａＡｓブロッキング層１０に化学エツチングにより形成
し、ぞの上に第５図（ｄ）に示すように、Ｐ型＾１ｙ
Ｇａ１ − ｙ へｓクラッド層２、＾１ｘＧａ１ −
ｘＡｓ活性層３、ｎ型Ａｊ２ｙＧａｔ −ｙ＾Ｓク
ラッド層４、ｎ型ＧａＡｓキャップ層５と順次液相成長
によって成長させる。最後に正電極８、負電極７を形成
し、各レーザ間を分離１ｙる。
な＃Ｍ造方法についてｔＡ５図（ａ）〜（ｄ）により説
明する。まず、第５図（ａ）に示すように、Ｐ型ＧａＡ
ｓ基板１上に幅の等しい凸部１１を化学エツチングによ
って形成する。づきに第５図（ｂ）に示すようにｎ型層
ａＡｓブロッキングｆｒ４１０を液相成長を行って形成
する。次に第５図（Ｃ）に示り°ように、凸部１１頂点
に対応する該凸部１１に沿う窓１２と、該窓を含み幅が
異なるメサ１３ａ〜ｊ３ｃとを、ストライプ状にｎ型Ｇ
ａＡｓブロッキング層１０に化学エツチングにより形成
し、ぞの上に第５図（ｄ）に示すように、Ｐ型＾１ｙ
Ｇａ１ − ｙ へｓクラッド層２、＾１ｘＧａ１ −
ｘＡｓ活性層３、ｎ型Ａｊ２ｙＧａｔ −ｙ＾Ｓク
ラッド層４、ｎ型ＧａＡｓキャップ層５と順次液相成長
によって成長させる。最後に正電極８、負電極７を形成
し、各レーザ間を分離１ｙる。
この第２の実施例では各レー（アのターリ−１３ａ〜１
３ｃ部分の幅によってその上部の活性層３厚が変化づる
ことになる。またＢＴＩＩＳ＠造にすることで各レーデ
の発振しきいピロよ４０ｎ＋Ａ、最大出力は１４０１ｍ
Ｗ程１抹になる。
３ｃ部分の幅によってその上部の活性層３厚が変化づる
ことになる。またＢＴＩＩＳ＠造にすることで各レーデ
の発振しきいピロよ４０ｎ＋Ａ、最大出力は１４０１ｍ
Ｗ程１抹になる。
以上のように本実施例によれば、同一基板上に幅の異な
るメサ９ａ〜９Ｃや、凸部上に幅の責なるメサ１３ａ〜
１３ｃを設けることにより、１回の液相成長で厚さの異
なる活性層３が形成でき、レーザ発振波長の異なる半導
体レーザアレイを製造することができる。
るメサ９ａ〜９Ｃや、凸部上に幅の責なるメサ１３ａ〜
１３ｃを設けることにより、１回の液相成長で厚さの異
なる活性層３が形成でき、レーザ発振波長の異なる半導
体レーザアレイを製造することができる。
なＪ３、本実施例ではＧａＡｓ−へ１ＧａＡｓ系レーザ
アレイを示したが、ＩｎＰ −１ｎＧａＡｓＰ系など、
上記材料に限定する必要はない。レーザを４Ｍ成できる
すべての材料に対して本発明は適用でさる。また、本発
明はレーザの電流制限用ストライプ構造に対して特別に
限定されたものではない。
アレイを示したが、ＩｎＰ −１ｎＧａＡｓＰ系など、
上記材料に限定する必要はない。レーザを４Ｍ成できる
すべての材料に対して本発明は適用でさる。また、本発
明はレーザの電流制限用ストライプ構造に対して特別に
限定されたものではない。
発明の効果
以上のように、本発明の特徴は同一基板上に幅の異なる
メ１すや、凸部上に幅の異なるメサ゛を設けたところに
あり、製造に際しては、化学エツチングや液相成長とい
った従来の半導体シー１ア同揉の手払を用いている。同
一基板上に形成したメサの幅を変えてエツチングを行う
だけで、液相成長を行なった時の活性層厚が変わり、そ
の結果、シー１１発振波長が７８０〜８１０ｎｍの範囲
で変化ηる。また、本発明によって、各半導体レー１Ｆ
として必要な発振波長に合わせて各メサの幅を決定し、
液相成長を行うことにより筒中に必要な半導体レーデア
レイを製造１ｙることができる。従って、従来のように
＾ｌ、 Ｇａ１− ｘＡｓ活性層の＾１混晶比を変えて
発振波長を変化ざ「るといった１間をかｃ）ることがな
くなり、通常の１回の液相成長によって特性の均一なレ
ーザアレイが作成でき、その工業上の価値は大きい。
メ１すや、凸部上に幅の異なるメサ゛を設けたところに
あり、製造に際しては、化学エツチングや液相成長とい
った従来の半導体シー１ア同揉の手払を用いている。同
一基板上に形成したメサの幅を変えてエツチングを行う
だけで、液相成長を行なった時の活性層厚が変わり、そ
の結果、シー１１発振波長が７８０〜８１０ｎｍの範囲
で変化ηる。また、本発明によって、各半導体レー１Ｆ
として必要な発振波長に合わせて各メサの幅を決定し、
液相成長を行うことにより筒中に必要な半導体レーデア
レイを製造１ｙることができる。従って、従来のように
＾ｌ、 Ｇａ１− ｘＡｓ活性層の＾１混晶比を変えて
発振波長を変化ざ「るといった１間をかｃ）ることがな
くなり、通常の１回の液相成長によって特性の均一なレ
ーザアレイが作成でき、その工業上の価値は大きい。
第１図は本光明の第１の実施例における半導体レーザア
レイの断面図、第２図（ξ１）〜（Ｃ）は具体的な製造
順序を示す図、第３図は活性層厚と梵振波長の関係を承
り図、第４図は本発明の第２の実ある。 １・・・Ｐ型ＧａＡｓ基板、２・・・Ｐ型＾ｌｙ Ｇａ
１ −ソ＾Ｓクラッド層、３・・・１％１ｘＧａ１−
Ｘ＾Ｓ活性層、４・・・ｎ型＾１ソＧａ１ −ソへＳク
ラッド層、５・・・ｎ型ＧａＡｓキャップ層、６・・・
ＳｉＯ＋酸化膜、７・・・負電極、８・・・正電極、９
ａ 〜９ ｃ 、 １３ａ 〜１３ｃｍ・・メサ、１
０・ｎ型層ａＡｓブ［１ツキング層、１１・・・凸部、
１２・・・窓代理人 森 本 ｉ 弘 第３図 活中生贋の厚４ （−戚）
レイの断面図、第２図（ξ１）〜（Ｃ）は具体的な製造
順序を示す図、第３図は活性層厚と梵振波長の関係を承
り図、第４図は本発明の第２の実ある。 １・・・Ｐ型ＧａＡｓ基板、２・・・Ｐ型＾ｌｙ Ｇａ
１ −ソ＾Ｓクラッド層、３・・・１％１ｘＧａ１−
Ｘ＾Ｓ活性層、４・・・ｎ型＾１ソＧａ１ −ソへＳク
ラッド層、５・・・ｎ型ＧａＡｓキャップ層、６・・・
ＳｉＯ＋酸化膜、７・・・負電極、８・・・正電極、９
ａ 〜９ ｃ 、 １３ａ 〜１３ｃｍ・・メサ、１
０・ｎ型層ａＡｓブ［１ツキング層、１１・・・凸部、
１２・・・窓代理人 森 本 ｉ 弘 第３図 活中生贋の厚４ （−戚）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、一導電型の半導体基板上に活性層の厚さが異なる半
導体レーザが集積されている半導体レーザアレイ。 ２、一導電型の半導体基板上に幅の異なるメサをストラ
イプ状に順次並べて形成し、前記メサを形成した半導体
基板上に活性層を含むダブルヘテロ構造を形成し、前記
メサ上で活性層の幅を異ならしめる半導体レーザアレイ
の製造方法。 ３、一導電型の半導体基板上に幅が等しい凸部をストラ
イプ状に順に並べて形成し、前記凸部を形成した半導体
基板上に、前記一導電型とは反対の導電型を有する半導
体層を形成し、次に凸部頂部に凸部に沿つて窓を穿設し
、前記窓を含む反対の導電型の半導体層の幅が異なるメ
サをストライプ状に形成し、前記メサを形成した半導体
基板上に活性層を含むダブルヘテロ構造を形成し、前記
メサ上で活性層の幅を異ならしめる半導体レーザアレイ
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3965086A JPS62196886A (ja) | 1986-02-24 | 1986-02-24 | 半導体レ−ザアレイおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3965086A JPS62196886A (ja) | 1986-02-24 | 1986-02-24 | 半導体レ−ザアレイおよびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62196886A true JPS62196886A (ja) | 1987-08-31 |
Family
ID=12558956
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3965086A Pending JPS62196886A (ja) | 1986-02-24 | 1986-02-24 | 半導体レ−ザアレイおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62196886A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08321659A (ja) * | 1996-06-14 | 1996-12-03 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レーザアレイの製造方法 |
| US5982799A (en) * | 1994-09-14 | 1999-11-09 | Xerox Corporation | Multiple-wavelength laser diode array using quantum well band filling |
-
1986
- 1986-02-24 JP JP3965086A patent/JPS62196886A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5982799A (en) * | 1994-09-14 | 1999-11-09 | Xerox Corporation | Multiple-wavelength laser diode array using quantum well band filling |
| JPH08321659A (ja) * | 1996-06-14 | 1996-12-03 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レーザアレイの製造方法 |
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