JPS62196876A - 光センサおよびその製造方法 - Google Patents
光センサおよびその製造方法Info
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- JPS62196876A JPS62196876A JP61038313A JP3831386A JPS62196876A JP S62196876 A JPS62196876 A JP S62196876A JP 61038313 A JP61038313 A JP 61038313A JP 3831386 A JP3831386 A JP 3831386A JP S62196876 A JPS62196876 A JP S62196876A
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Classifications
-
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/09—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
- H01L31/095—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation comprising amorphous semiconductors
-
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- H01L31/0376—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including amorphous semiconductors
- H01L31/03762—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including amorphous semiconductors including only elements of Group IV of the Periodic Table
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
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- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、非晶質シリコンから成る光電変換層を有する
光センサに係り、特に光電変換特性の安定化、量産する
場合の再現性および生産性の向上を企図した光センナお
よびその製造方法に関する。
光センサに係り、特に光電変換特性の安定化、量産する
場合の再現性および生産性の向上を企図した光センナお
よびその製造方法に関する。
［従来技術およびその問題点］
光センサにおける非晶質シリコンから成る光導電層をプ
ラズマＣｖＤ法によって形成する方法において、光電変
換特性の良好な光センナを得るためには、比較的低い電
力でグロー放電を行うことが必要とされる。
ラズマＣｖＤ法によって形成する方法において、光電変
換特性の良好な光センナを得るためには、比較的低い電
力でグロー放電を行うことが必要とされる。
しかしながら、放電電力が低いと堆積速度が遅くなるた
めに、真空チャンへの内壁等から放出されるガス（０２
、Ｎ２ 、 ｃｏ２ 、Ｎ２０算）を取り込み易く、し
かもその放出１ｉＶは成膜回数やチャンバ内を大気にさ
らした時間等によって一定ではないために、安定した光
電変換特性を再現性良く得ることが困難であった。更に
、堆積速度が遅いために、生産性が低いことも問題であ
る。
めに、真空チャンへの内壁等から放出されるガス（０２
、Ｎ２ 、 ｃｏ２ 、Ｎ２０算）を取り込み易く、し
かもその放出１ｉＶは成膜回数やチャンバ内を大気にさ
らした時間等によって一定ではないために、安定した光
電変換特性を再現性良く得ることが困難であった。更に
、堆積速度が遅いために、生産性が低いことも問題であ
る。
また、高い放電電力によってグロー放電を行うと、堆積
速度が速くなるために、取り込まれる不純物が少なくな
るが、水素含有量が多くなり、良好な光電変換特性を得
ることができなくなる。
速度が速くなるために、取り込まれる不純物が少なくな
るが、水素含有量が多くなり、良好な光電変換特性を得
ることができなくなる。
このように、従来の製造方法では、一定の光電変換特性
を有する光センサを再現性および生産性良く製造するこ
とができず、またその光電変換特性も十分良好なもので
はなかった。
を有する光センサを再現性および生産性良く製造するこ
とができず、またその光電変換特性も十分良好なもので
はなかった。
［問題点を解決するための手段］
本発明による光センサは、
非晶質シリコンから成る光電変換層を有する光センサに
おいて、 前記光電変換層は、水素をシリコン原子に対して１０原
子％〜６０原子％含有し、かつ水素を含まないシリコン
以外の全元素をシリコン原子に対して１００原子ｐｐｍ
〜５原子％含有していることを特徴とする。
おいて、 前記光電変換層は、水素をシリコン原子に対して１０原
子％〜６０原子％含有し、かつ水素を含まないシリコン
以外の全元素をシリコン原子に対して１００原子ｐｐｍ
〜５原子％含有していることを特徴とする。
また、本発明による光センサの製造方法は、非晶質シリ
コンから成る光電変換層を有する光センサを製造する方
法において、 原料ガスとして、シランガスと窒素原子若しくは酸素原
子のうち少なくとも一種類の元素を含む不純物ガスとを
混合したガスを用いて前記光電変換層を堆積させ、かつ
その時の堆積速度がｌＯ０八／へｍ ｉ ｎ以上である
ことを特徴とする。
コンから成る光電変換層を有する光センサを製造する方
法において、 原料ガスとして、シランガスと窒素原子若しくは酸素原
子のうち少なくとも一種類の元素を含む不純物ガスとを
混合したガスを用いて前記光電変換層を堆積させ、かつ
その時の堆積速度がｌＯ０八／へｍ ｉ ｎ以上である
ことを特徴とする。
［作用］
このように、堆積速度が１００Å／ｍｉｎ以上と速いた
めに、チャンバの内壁等に吸着していた不純物等の取り
込みが少なくなり、良質の光電変換層を再現性良く得る
ことができ、かつ原料ガスに上記不純物ガスを混合する
ことで、所望の光電変換特性を有する光センサを安定し
て製造することができる。
めに、チャンバの内壁等に吸着していた不純物等の取り
込みが少なくなり、良質の光電変換層を再現性良く得る
ことができ、かつ原料ガスに上記不純物ガスを混合する
ことで、所望の光電変換特性を有する光センサを安定し
て製造することができる。
また、光電変換層中の水素含有量および不純物含有量を
上記のように設定することで、光電流と暗電流との比が
大きくなり、十分良好な光電変換特性を得ることができ
る。
上記のように設定することで、光電流と暗電流との比が
大きくなり、十分良好な光電変換特性を得ることができ
る。
［実施例］
以下、本発明の実施例を図面に基づいて詳細に説明する
。
。
第１図は、本発明による方法を実施するためのプラズマ
ＣＶＤ装置の概略的構成図である。
ＣＶＤ装置の概略的構成図である。
同図において、チャンバｌ内にチャンバ本体と電気的に
絶縁された７ノード電極２およびカソード電極３が５０
ａｍの間隔で相対向し、７ノード電極２の対向面４ Ｊ
：には基体５を保持するためのホルダ６がネジ等で固定
されている。カソード電極３の内部はＧＶＤ川原用ガス
（例えばシランガスを主成分とするシラン混合ガス）
、水素、又はオーミックコンタクト層原料ガスの導入ラ
イン７と接続されている。カソード電極３の対向面８に
は電極内部に導入される原料ガスを図中矢印の如く基板
５に向けて吹出させるための複数の吐出口が設けられて
いる。また、アノード電極２内には基板５を加熱するた
めのヒータ９が設けられ、チャンバ内は排気口ＩＯを通
して例えば真空ポンプ等の減圧手段と接続されている。
絶縁された７ノード電極２およびカソード電極３が５０
ａｍの間隔で相対向し、７ノード電極２の対向面４ Ｊ
：には基体５を保持するためのホルダ６がネジ等で固定
されている。カソード電極３の内部はＧＶＤ川原用ガス
（例えばシランガスを主成分とするシラン混合ガス）
、水素、又はオーミックコンタクト層原料ガスの導入ラ
イン７と接続されている。カソード電極３の対向面８に
は電極内部に導入される原料ガスを図中矢印の如く基板
５に向けて吹出させるための複数の吐出口が設けられて
いる。また、アノード電極２内には基板５を加熱するた
めのヒータ９が設けられ、チャンバ内は排気口ＩＯを通
して例えば真空ポンプ等の減圧手段と接続されている。
チャンバ１内の防着板１１は、他所に出発原料の堆積を
防ぐためのものであり、その他にリークバルブ１２．カ
ソード電極３に高周波電力（例えば１３．５６ＭＨｚ）
を供給するための電源１３が各々設けられている。
防ぐためのものであり、その他にリークバルブ１２．カ
ソード電極３に高周波電力（例えば１３．５６ＭＨｚ）
を供給するための電源１３が各々設けられている。
第２図（Ａ）は、光電変換層に非晶質シリコンを用いた
本発明による光センサの一実施例の概略的平面図、第２
図（Ｂ）は、そのＩ−Ｉ線断面図である。
本発明による光センサの一実施例の概略的平面図、第２
図（Ｂ）は、そのＩ−Ｉ線断面図である。
同図において、ガラス基板２１上に非晶質シリコンの光
導電層２２が形成され、更にその上にオーミックコンタ
クト層であるｎ中層２３を介して櫛型型８ｉ２４を形成
されている。
導電層２２が形成され、更にその上にオーミックコンタ
クト層であるｎ中層２３を介して櫛型型８ｉ２４を形成
されている。
次に、このような構成を有する本実施例を第１図に示す
プラズマＣＶＤ装置を用いて製造する方法を具体的に説
明する。
プラズマＣＶＤ装置を用いて製造する方法を具体的に説
明する。
（実施例１）
まず、ガラス基板２１を中性洗浄又は有機アルカリ系洗
浄を行い、第１図における基板ホルダ６に装若する。続
いて、チャンバｌ内を１Ｏ−（ｌ Ｔｏｒｒまで減圧し
、基板温度を２００℃にして、ＳｉＨ４１００％を２０
０Ｓ［ＣＭ 、 Ｎ ２を２ｏｓｃｃｘＨし、内圧を０
．０７Ｔｏｒｒに設定した。そして、電力密度０．１１
Ｗ ７ｃｍ２ 、周波数１１．５８ＭＨｚの高周波を６
０分間印加してグロー放電を発生させた。これによって
、ガラス基板２１上に厚さ０．８ｇｍの非晶質シリコン
が堆積し、これが光導電層２２となる。この時の堆積速
度は１３３人／ｗｉｎであった・ この光導電層２２を元素分析した結果、Ｈ／５ｉ＝１９
％ 、 Ｎ ／５ｉ＝２．０！テあツタ、マタ光導電層
２２ニＡＭＩ （７５ｍＷ／ ｃ＋ｓ２ ）の光を照射
して導電率を測定すると、光照射時の導電率σｐ ＝１
．ＯＸｌ０−４Ｓａｃｓ−’、ダーク時の導電率σｄ
＝８．９ Ｘｌ０−９Ｓ・ｃｍ”であった。
浄を行い、第１図における基板ホルダ６に装若する。続
いて、チャンバｌ内を１Ｏ−（ｌ Ｔｏｒｒまで減圧し
、基板温度を２００℃にして、ＳｉＨ４１００％を２０
０Ｓ［ＣＭ 、 Ｎ ２を２ｏｓｃｃｘＨし、内圧を０
．０７Ｔｏｒｒに設定した。そして、電力密度０．１１
Ｗ ７ｃｍ２ 、周波数１１．５８ＭＨｚの高周波を６
０分間印加してグロー放電を発生させた。これによって
、ガラス基板２１上に厚さ０．８ｇｍの非晶質シリコン
が堆積し、これが光導電層２２となる。この時の堆積速
度は１３３人／ｗｉｎであった・ この光導電層２２を元素分析した結果、Ｈ／５ｉ＝１９
％ 、 Ｎ ／５ｉ＝２．０！テあツタ、マタ光導電層
２２ニＡＭＩ （７５ｍＷ／ ｃ＋ｓ２ ）の光を照射
して導電率を測定すると、光照射時の導電率σｐ ＝１
．ＯＸｌ０−４Ｓａｃｓ−’、ダーク時の導電率σｄ
＝８．９ Ｘｌ０−９Ｓ・ｃｍ”であった。
続いて、 ｎ型ドーピングガスが混合して同様にｎ中層
２３を堆積させた後、電極用の金属を形成した。そして
、図示されるようにパターニングして櫛型電極２４を形
成した。
２３を堆積させた後、電極用の金属を形成した。そして
、図示されるようにパターニングして櫛型電極２４を形
成した。
このような方法によって同一のチャンバ内で同一条件に
より１０回成膜工程を繰返したが、光導電層２２のσｐ
およびσｄの値は変化しなかった。
より１０回成膜工程を繰返したが、光導電層２２のσｐ
およびσｄの値は変化しなかった。
（実施例２）
ガラス基板２１を基板ホルダ６に固定した後、チャンバ
１内を１００Ｔｏｒｒまで減圧し、基板温度を２００℃
ニシテ、ＳｉＨ４１００％ヲ２００ｓｅｃＭ 、水素希
釈１０％のＮＨ３を２０Ｓ（［：Ｍ流し、内圧を０．１
丁ｏｒｒに設定した。そして、電力密度０．０９Ｗ
／ ｃ鳳２１周波数１３．５８ＭＨｚの高周波を５０分
間印加してグロー放電を発生させた。これによって、ガ
ラス基板２１上に厚さ１ ｇｍの非晶質シリコンの光導
電層２２が堆積した。この時の堆積速度は２００八／ｓ
ｉｎであった。
１内を１００Ｔｏｒｒまで減圧し、基板温度を２００℃
ニシテ、ＳｉＨ４１００％ヲ２００ｓｅｃＭ 、水素希
釈１０％のＮＨ３を２０Ｓ（［：Ｍ流し、内圧を０．１
丁ｏｒｒに設定した。そして、電力密度０．０９Ｗ
／ ｃ鳳２１周波数１３．５８ＭＨｚの高周波を５０分
間印加してグロー放電を発生させた。これによって、ガ
ラス基板２１上に厚さ１ ｇｍの非晶質シリコンの光導
電層２２が堆積した。この時の堆積速度は２００八／ｓ
ｉｎであった。
この光導電層２２を元素分析した結果、Ｈ／５ｉ＝３３
％ 、 Ｎ ／５ｉ＝０．２ ％ テＪ！＋ツタ、ｔり
光導′電層２２にＡ旧（７５ｄ／ ｃｍ２ ）の光を照
射して導電率を測定すると、光照射時の導電率σＰ ＝
２．８ Ｘｌ０−４Ｓｅｃｔ−’、ダーク時の導電率ｃ
ｒｄ ＝９．９ ＸＩＯ１０ＳφＣｍ’であった。しか
も、成膜工程１０回目の導電率がｃｒｐ ＝２．９ Ｘ
ｌ０−４ ５ｅｃｔ−’、 ｃｒｄ ＝１．ＩＸ １Ｏ
−９Ｓｏ ｃｍ−’と１回目とほとんど変わらなかった
。
％ 、 Ｎ ／５ｉ＝０．２ ％ テＪ！＋ツタ、ｔり
光導′電層２２にＡ旧（７５ｄ／ ｃｍ２ ）の光を照
射して導電率を測定すると、光照射時の導電率σＰ ＝
２．８ Ｘｌ０−４Ｓｅｃｔ−’、ダーク時の導電率ｃ
ｒｄ ＝９．９ ＸＩＯ１０ＳφＣｍ’であった。しか
も、成膜工程１０回目の導電率がｃｒｐ ＝２．９ Ｘ
ｌ０−４ ５ｅｃｔ−’、 ｃｒｄ ＝１．ＩＸ １Ｏ
−９Ｓｏ ｃｍ−’と１回目とほとんど変わらなかった
。
（実施例３）
ガラス基板２１を基板ホルダ６に固定した後。
チャンバｌ内を１０−Ｇ Ｔｏｒｒまで減圧し、基板温
度を２００℃ニシテ、ＳｉＨ４１００％を２００９ＣＣ
Ｍ 、水素希釈１０％ （１）Ｎ ２０を１０９００Ｍ
流し、内圧を０．１ Ｔｏｒｒに設定した。そして、電
力密度０．ＩＷ／ｃ■２、周波数１３．５６ＭＨｚの高
周波を４０分間印加してグロー放電を発生させた。これ
によって、ガラス基板２１上に厚さｌ＃１．ｍの非晶質
シリコンの光導電層２２が堆積した。この時の堆積速度
は２５０人／諷ｉｎであった。
度を２００℃ニシテ、ＳｉＨ４１００％を２００９ＣＣ
Ｍ 、水素希釈１０％ （１）Ｎ ２０を１０９００Ｍ
流し、内圧を０．１ Ｔｏｒｒに設定した。そして、電
力密度０．ＩＷ／ｃ■２、周波数１３．５６ＭＨｚの高
周波を４０分間印加してグロー放電を発生させた。これ
によって、ガラス基板２１上に厚さｌ＃１．ｍの非晶質
シリコンの光導電層２２が堆積した。この時の堆積速度
は２５０人／諷ｉｎであった。
この光導電層２２を元素分析した結果、Ｈ／５ｉ＝２２
％ 、 Ｎ ／Ｓｉ＝ １．２ ％、０ ／ Ｓｉ＝
１．Ｏ％ テアッた。また光導電層２２にＡ旧（７５
ｍＷ／ｃｓ２ ）の光を照射して導゛−ヒ率を測定する
と、光照射時の導電率σｐ ＝１．４ Ｘｌ０−４ ５
ｅｃｔ−’、ダーク時の導電率ｃｒｄ ＝９．Ｉ Ｘｌ
０−’ Ｓ−ｃ＋ｓ−■であった。しかも。
％ 、 Ｎ ／Ｓｉ＝ １．２ ％、０ ／ Ｓｉ＝
１．Ｏ％ テアッた。また光導電層２２にＡ旧（７５
ｍＷ／ｃｓ２ ）の光を照射して導゛−ヒ率を測定する
と、光照射時の導電率σｐ ＝１．４ Ｘｌ０−４ ５
ｅｃｔ−’、ダーク時の導電率ｃｒｄ ＝９．Ｉ Ｘｌ
０−’ Ｓ−ｃ＋ｓ−■であった。しかも。
成膜工程１０回目の導電率がσｐ ＝ｔ、ｓ Ｘｌ０−
４Ｓ＠ｃｒ’、ｃｒｄ ＝９．３ Ｘｌ０−’ Ｓ＠
Ｃ１１−’と１回目とほとんど変わらなかった。
４Ｓ＠ｃｒ’、ｃｒｄ ＝９．３ Ｘｌ０−’ Ｓ＠
Ｃ１１−’と１回目とほとんど変わらなかった。
（比較例１）
（不純物ガスを用いず、低い放電電力の場合、）ガラス
基板２１を基板ホルダ６に固定した後、チャンバ１内を
１０−６ 丁ｏｒｒまで減圧し、基板温度を２００℃ニ
シテ、ＳｉＨ４１００％を２０Ｏ８００％流し、内圧を
０．２ Ｔｏｒｒに設定した。そして、電力密度６．Ｉ
Ｘ １０’ Ｗ ／ ｃ＋ｓ２．周波数１３．５８＞Ｎ
Ｈ２（７）高岡波を４時間印加してグロー放電を発生さ
せた。これによって、ガラス基板２１上に厚さ０．７１
４ｍの非晶質シリコンの光導電層２２が堆積した。この
時の堆積速度は３０人／ｓｉｎであった。
基板２１を基板ホルダ６に固定した後、チャンバ１内を
１０−６ 丁ｏｒｒまで減圧し、基板温度を２００℃ニ
シテ、ＳｉＨ４１００％を２０Ｏ８００％流し、内圧を
０．２ Ｔｏｒｒに設定した。そして、電力密度６．Ｉ
Ｘ １０’ Ｗ ／ ｃ＋ｓ２．周波数１３．５８＞Ｎ
Ｈ２（７）高岡波を４時間印加してグロー放電を発生さ
せた。これによって、ガラス基板２１上に厚さ０．７１
４ｍの非晶質シリコンの光導電層２２が堆積した。この
時の堆積速度は３０人／ｓｉｎであった。
この光導電層２２を元素分析した結果、Ｈ／５ｉ＝９ｚ
、 ０ ／５ｉ＝８００ｐｐｓ＋、 Ｃ／Ｓｉ＝４
３ｐｐｍ、 Ｎ ／Ｓｉ＝４ｐｐｍであった。また
、光導電層２２にＡ旧（７５＋＋＋Ｗ／Ｃ腸２）の光を
照射して導電率を測定すると、光照射時の導電率σｐ
＝８．ＯＸＩＯ−５５−ｃｓ−’ 、ダーク時の導電率
σｄ ＝ １．２ Ｘ １０−１（’ Ｓｓ ｃｍ−’
であった。しかし、成膜工程１０回口の導電率はσｐ＝
９．７ Ｘ １０−ＯＳｓ ｃｍ−’、ｃｒｄ ＝４．
ＯＸ１Ｏ−１１Ｓａｃｓ−’と著しく低下した。
、 ０ ／５ｉ＝８００ｐｐｓ＋、 Ｃ／Ｓｉ＝４
３ｐｐｍ、 Ｎ ／Ｓｉ＝４ｐｐｍであった。また
、光導電層２２にＡ旧（７５＋＋＋Ｗ／Ｃ腸２）の光を
照射して導電率を測定すると、光照射時の導電率σｐ
＝８．ＯＸＩＯ−５５−ｃｓ−’ 、ダーク時の導電率
σｄ ＝ １．２ Ｘ １０−１（’ Ｓｓ ｃｍ−’
であった。しかし、成膜工程１０回口の導電率はσｐ＝
９．７ Ｘ １０−ＯＳｓ ｃｍ−’、ｃｒｄ ＝４．
ＯＸ１Ｏ−１１Ｓａｃｓ−’と著しく低下した。
（比較例２）
（不純物ガスを用いず、高い放電電力の場合、）ガラス
基板２１を基板ホルダ６に固定した後、チャンバ１内を
１０−’ Ｔｏｒｒまで減圧し、基板温度を２００℃ニ
シテ、ＳｉＨ４１００＄ヲ５ＣＣＨ流し、内圧を０．０
５ Ｔｏｒｒに設定した。そして、電力密度０．１２Ｗ
／ｃｔａ２ 、周波数１３．５８ＭＨｚの高周波を３
０分間印加してグロー放′−貌を発生させた。これによ
って、ガラス基板２１上に厚さ０．８７ｐｍの非晶質シ
リコンの光導電層２２が堆積した。この時の堆積速度は
２２３八／ｓｉｎであった。
基板２１を基板ホルダ６に固定した後、チャンバ１内を
１０−’ Ｔｏｒｒまで減圧し、基板温度を２００℃ニ
シテ、ＳｉＨ４１００＄ヲ５ＣＣＨ流し、内圧を０．０
５ Ｔｏｒｒに設定した。そして、電力密度０．１２Ｗ
／ｃｔａ２ 、周波数１３．５８ＭＨｚの高周波を３
０分間印加してグロー放′−貌を発生させた。これによ
って、ガラス基板２１上に厚さ０．８７ｐｍの非晶質シ
リコンの光導電層２２が堆積した。この時の堆積速度は
２２３八／ｓｉｎであった。
この光導電層２２を元素分析した結果、Ｈ／５ｉ＝３８
％ 、 ０ ／Ｓｉ＝ １１００ｐｐ、Ｃ／Ｓｉ＝４０
ｐｐｍ、 Ｎ ／Ｓｉ” ５ＰＰＩＩテＴｏ ツタ、
ｔ タ光導電層２２４ＣＡＭＩ（７５ｍＷ／ｃｓ２ ）
の光を照射して導電率を測定すると、光照射時の導電率
σｐ ＝２．４ ｘｔｏ−ｏ Ｓｅａｍ−’、ダーク
時の導電率ｃｒｄ ＝ ０．９ Ｘ １０−１２ Ｓｏ
ｃｍ−’であった。しかし、成膜工程１０回目の導電
率はσｐ＝０．８ Ｘ １Ｏ−６Ｓｓ ｃｍ−’、σｄ
＝０．３ ＸＩＧ−１２Ｓ＊ｃ＋ｓ−’と変化した。
％ 、 ０ ／Ｓｉ＝ １１００ｐｐ、Ｃ／Ｓｉ＝４０
ｐｐｍ、 Ｎ ／Ｓｉ” ５ＰＰＩＩテＴｏ ツタ、
ｔ タ光導電層２２４ＣＡＭＩ（７５ｍＷ／ｃｓ２ ）
の光を照射して導電率を測定すると、光照射時の導電率
σｐ ＝２．４ ｘｔｏ−ｏ Ｓｅａｍ−’、ダーク
時の導電率ｃｒｄ ＝ ０．９ Ｘ １０−１２ Ｓｏ
ｃｍ−’であった。しかし、成膜工程１０回目の導電
率はσｐ＝０．８ Ｘ １Ｏ−６Ｓｓ ｃｍ−’、σｄ
＝０．３ ＸＩＧ−１２Ｓ＊ｃ＋ｓ−’と変化した。
［発ＩＪの効果］
本実施例と比較例とから明らかなように、本発明による
光センサの製造方法は、堆積速度が１００人／ ｍ ｉ
ｎ以北と速いために、チャンバの内壁等に吸着してい
た不純物等の取り込みが少なくなり、良質の光電変換層
をｉｒｇ現性現性骨ることができ、かつ原料ガスに上記
不純物ガスを混合することで、所望の光電変換特性を有
する光センサを安定して製造することができる。
光センサの製造方法は、堆積速度が１００人／ ｍ ｉ
ｎ以北と速いために、チャンバの内壁等に吸着してい
た不純物等の取り込みが少なくなり、良質の光電変換層
をｉｒｇ現性現性骨ることができ、かつ原料ガスに上記
不純物ガスを混合することで、所望の光電変換特性を有
する光センサを安定して製造することができる。
また、本発明による光センサは、光電変換層中の水素含
有量および不純物含有量を上記のように設定することで
、光電流と暗電流との比が大きくなり、良好な光電変換
特性を有する。
有量および不純物含有量を上記のように設定することで
、光電流と暗電流との比が大きくなり、良好な光電変換
特性を有する。
第１図は、本発明による方法を実施するためのプラズマ
ＣＶＤ装置の概略的構成図、 第２図（Ａ）は、光電変換層に非晶質シリコンを用いた
本発明による光センサの一実施例の概略的平面図、第２
図（Ｂ）は、そのＩ−Ｉ線断面図である。 ｌ・・・チャンバ ２・拳・アノード電極 ３番・・カソード電極 ５・・φ基板 ６・・・基板ホルダ １３・会・高周波電源 ２１・・・ガラス基板 ２２・・・光導電層 ２３・命・オーミックコンタクト層 ２４−φ・櫛型電極
ＣＶＤ装置の概略的構成図、 第２図（Ａ）は、光電変換層に非晶質シリコンを用いた
本発明による光センサの一実施例の概略的平面図、第２
図（Ｂ）は、そのＩ−Ｉ線断面図である。 ｌ・・・チャンバ ２・拳・アノード電極 ３番・・カソード電極 ５・・φ基板 ６・・・基板ホルダ １３・会・高周波電源 ２１・・・ガラス基板 ２２・・・光導電層 ２３・命・オーミックコンタクト層 ２４−φ・櫛型電極
Claims (2)
- （１）非晶質シリコンから成る光電変換層を有する光セ
ンサにおいて、 前記光電変換層は、水素をシリコン原子に対して１０原
子％〜６０原子％含有し、かつ水素を含まないシリコン
以外の全元素をシリコン原子に対して１００原子ｐｐｍ
〜５原子％含有していることを特徴とする光センサ。 - （２）非晶質シリコンから成る光電変換層を有する光セ
ンサを製造する方法において、 原料ガスとして、シランガスと窒素原子若しくは酸素原
子のうち少なくとも一種類の元素を含む不純物ガスとを
混合したガスを用いて前記光電変換層を堆積させ、かつ
その時の堆積速度が１００Å／ｍｉｎ以上であることを
特徴とする光センサの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61038313A JPS62196876A (ja) | 1986-02-25 | 1986-02-25 | 光センサおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61038313A JPS62196876A (ja) | 1986-02-25 | 1986-02-25 | 光センサおよびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62196876A true JPS62196876A (ja) | 1987-08-31 |
Family
ID=12521802
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61038313A Pending JPS62196876A (ja) | 1986-02-25 | 1986-02-25 | 光センサおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62196876A (ja) |
-
1986
- 1986-02-25 JP JP61038313A patent/JPS62196876A/ja active Pending
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