JPS62196378A - 薄膜形成方法 - Google Patents
薄膜形成方法Info
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- JPS62196378A JPS62196378A JP3769486A JP3769486A JPS62196378A JP S62196378 A JPS62196378 A JP S62196378A JP 3769486 A JP3769486 A JP 3769486A JP 3769486 A JP3769486 A JP 3769486A JP S62196378 A JPS62196378 A JP S62196378A
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- H05K3/181—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material by electroless plating
- H05K3/182—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material by electroless plating characterised by the patterning method
- H05K3/185—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material by electroless plating characterised by the patterning method by making a catalytic pattern by photo-imaging
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
この発明は薄膜形成方法に係り、詳しくはシー１１−光
にて電気メッキ若しくは無電界メッキを行なわせ金属膜
を形成する薄膜形成方法に関するものである。
にて電気メッキ若しくは無電界メッキを行なわせ金属膜
を形成する薄膜形成方法に関するものである。
（従来技術）
従来、薄膜ヘッドの制作工程は一般にＪＪ根板上スパッ
タにて絶縁膜を形成する。（絶縁膜形成）。
タにて絶縁膜を形成する。（絶縁膜形成）。
次に、絶縁膜上に電気メッキ、スパッタ又は真空蒸着等
にてニッケル−鉄合金からなる下部ボールを形成するた
めのパターニングを行なった後（下部ボール形成）、ス
パッタにて絶縁膜を生成する（ギャヅプ形成）。
にてニッケル−鉄合金からなる下部ボールを形成するた
めのパターニングを行なった後（下部ボール形成）、ス
パッタにて絶縁膜を生成する（ギャヅプ形成）。
続いて、ホトレジストを塗布して絶縁膜を形成しく絶縁
膜形成）、その上に電気メッキ、スパッタ又は真空然着
簀にてＣＬＪ 、 Ａ Ｉ又はＡ ＬＪ ’Ｓからなる
導電膜をコイル形成のための形状にバターニングする（
コイル形成）。次に、小トレジストを塗布して絶縁膜を
形成しく絶縁膜形成）、その上に電気メッキ、スパッタ
又は真空Ｆ２ ｎ Ｍにてニッケル−鉄合金からなる上
部ボール・引出し線を形成するためのパターニングを行
なう（上部ボール・引出し線形成）。そして、△Ｕを電
気メッキ、スパッタ又は真空然着簀にて端子部を形成し
た後く端子部形成）、最後に保護膜を形成して終了する
。
膜形成）、その上に電気メッキ、スパッタ又は真空然着
簀にてＣＬＪ 、 Ａ Ｉ又はＡ ＬＪ ’Ｓからなる
導電膜をコイル形成のための形状にバターニングする（
コイル形成）。次に、小トレジストを塗布して絶縁膜を
形成しく絶縁膜形成）、その上に電気メッキ、スパッタ
又は真空Ｆ２ ｎ Ｍにてニッケル−鉄合金からなる上
部ボール・引出し線を形成するためのパターニングを行
なう（上部ボール・引出し線形成）。そして、△Ｕを電
気メッキ、スパッタ又は真空然着簀にて端子部を形成し
た後く端子部形成）、最後に保護膜を形成して終了する
。
（発明が解決しようとする問題点）
このように、薄膜ヘッドの制作工程は多くの成膜ブ１］
セスと、できた膜から所望の所望のパターンを１りるた
めのエツチングプロセスとの複合プロセスからなってい
る。その結果、１歿ｊ告二［稈が長く故多くのエツチン
グプロセスを経ることから、歩留りが相当１１（下りる
。又、前記下部電極、コイル、上部電極のパターンはそ
の厚みが数μであるため、エツチング加工に難があった
。
セスと、できた膜から所望の所望のパターンを１りるた
めのエツチングプロセスとの複合プロセスからなってい
る。その結果、１歿ｊ告二［稈が長く故多くのエツチン
グプロセスを経ることから、歩留りが相当１１（下りる
。又、前記下部電極、コイル、上部電極のパターンはそ
の厚みが数μであるため、エツチング加工に難があった
。
く目的）
この発明の目的は１下記問題点を解消すべく製造工程の
簡略化を図り歩留りの′向上を図ることができる薄膜形
成方法を提供するにある。
簡略化を図り歩留りの′向上を図ることができる薄膜形
成方法を提供するにある。
（問題点を解消するための手段）
この発明を上記目的をｊヱ成ずべく絶縁膜を金属メッキ
雰囲気中に入れ、その絶縁膜にレーザー光を照射するこ
とによりその照射部分に金属を析出させる薄膜形成方法
をその要旨とするものである。
雰囲気中に入れ、その絶縁膜にレーザー光を照射するこ
とによりその照射部分に金属を析出させる薄膜形成方法
をその要旨とするものである。
（作用）
金属メッキ雰囲気中の絶縁膜にレーザー光が照射される
と、金属メッキ雰囲気中の金属イオンが還元されその照
射された部分に析出し、金属膜が形成される。
と、金属メッキ雰囲気中の金属イオンが還元されその照
射された部分に析出し、金属膜が形成される。
（実施例）
以下、この発明の薄膜形成方法を薄膜ヘッドの製造方法
に具体化した一実施例を図面に従って説明する。
に具体化した一実施例を図面に従って説明する。
第１図は７ｒ７９膜ヘツドの製ｊ青工程を示し、まず、
チタンカーバイト−アルミナ（ＴｉＣ−ＡＩ ２０３
にてなる基板１上にポリイミド樹脂を塗布してポリイ
ミド樹脂よりなる絶縁膜２を形成する。
チタンカーバイト−アルミナ（ＴｉＣ−ＡＩ ２０３
にてなる基板１上にポリイミド樹脂を塗布してポリイ
ミド樹脂よりなる絶縁膜２を形成する。
次に、絶縁膜２上にニッケル−鉄合金からなる下Ｂ５ボ
ール３を形成する作業を行なう。
ール３を形成する作業を行なう。
この作業は第２図に示すように左右及び前後方向に移動
【可能なテーブル４にニックルー鉄メッキ液５の入った
容器６を置き、その中に前記絶縁膜２が形成された基板
１を入れる。このテーブル４の制御はコンピュータ７に
て制御され、その動きは後記するレーザー光が絶縁膜２
上を予め定めた前記下部ボール３のパターンを描くよう
に左右及び前後方向に移動制御される。
【可能なテーブル４にニックルー鉄メッキ液５の入った
容器６を置き、その中に前記絶縁膜２が形成された基板
１を入れる。このテーブル４の制御はコンピュータ７に
て制御され、その動きは後記するレーザー光が絶縁膜２
上を予め定めた前記下部ボール３のパターンを描くよう
に左右及び前後方向に移動制御される。
又、コンビｌ−夕７はネオジャグ（Ｎｄ／ＹＡＧ）レー
ザー８を制御するようになっていて、そのレーザー光は
反射鏡９及び収光レンズ１０を介してニッケル−鉄メッ
キ液５中の絶縁膜２の表面を照射する。
ザー８を制御するようになっていて、そのレーザー光は
反射鏡９及び収光レンズ１０を介してニッケル−鉄メッ
キ液５中の絶縁膜２の表面を照射する。
尚、本実施例ぐはニッケル−鉄メッキ；イシ４の組成は
下記の通りである。
下記の通りである。
ＮｉＣ１２・６１−１２０ １４０ｇ／１ＮｉＳ○
４・６１１２０ ８５ｇ／＋１−（３ＢＯ３５０
ＣＩ／ｌ Ｆｅ５０ ４−７Ｈ２０２０ａ／ｌ サツカリン ４０／１クエン酸
０ 、６９ ／ ｌ’ＰＨ３，０ ここで、サッカリン及びクエン酸は錯化剤である。
４・６１１２０ ８５ｇ／＋１−（３ＢＯ３５０
ＣＩ／ｌ Ｆｅ５０ ４−７Ｈ２０２０ａ／ｌ サツカリン ４０／１クエン酸
０ 、６９ ／ ｌ’ＰＨ３，０ ここで、サッカリン及びクエン酸は錯化剤である。
又、レーザー８の波長λ、パルス幅Ｗ、パルス周期ｆ及
びビーム径φは本実施例では下記の通りである。
びビーム径φは本実施例では下記の通りである。
λ＝１０６０〜５３０ｎｍ
Ｗ＝５〜１５０ｎｓ
ｆ＝１〜５０００１−Ｉ Ｚ
φ＝１．０μｍ〜５ｍｍ
そして、マイクロ−］ンビュータ７がテーブル４及びレ
ーザー８を駆動制御すると、レーザー光は絶縁膜２゛の
表面上に予め定めた下部ボール３のパターンを描画する
ように照射される。この時、レーザー光が照射された絶
縁膜２の部分は電子を放出しく照射された部分のポリイ
ミド樹脂よりなる絶縁膜２の部分は電子が放出されるこ
とによりポリアミド樹脂の絶縁膜２となる）、その電子
によりニッケル−鉄メッキ液５中のニッケル、鉄イオン
が還元されて、その照射部分にニッケル−鉄合金が析出
されることになる。この析出によって予め設定したパタ
ーンのニッケル−鉄合金の薄膜、即ち、下部ボール３が
絶縁膜２上に形成される。
ーザー８を駆動制御すると、レーザー光は絶縁膜２゛の
表面上に予め定めた下部ボール３のパターンを描画する
ように照射される。この時、レーザー光が照射された絶
縁膜２の部分は電子を放出しく照射された部分のポリイ
ミド樹脂よりなる絶縁膜２の部分は電子が放出されるこ
とによりポリアミド樹脂の絶縁膜２となる）、その電子
によりニッケル−鉄メッキ液５中のニッケル、鉄イオン
が還元されて、その照射部分にニッケル−鉄合金が析出
されることになる。この析出によって予め設定したパタ
ーンのニッケル−鉄合金の薄膜、即ち、下部ボール３が
絶縁膜２上に形成される。
下部ボール３の形成が終了すると、ギャップを形成すべ
く、公知のスパッタにてＳｉＯ２膜１１を形成する。続
いて、ポリイミド樹脂を塗布してポリイミド樹脂よりな
る絶縁膜１２を形成する。
く、公知のスパッタにてＳｉＯ２膜１１を形成する。続
いて、ポリイミド樹脂を塗布してポリイミド樹脂よりな
る絶縁膜１２を形成する。
次に、絶縁膜１２上に銅よりなる導電膜１３をコイル形
成のための第３図に示す形状にバターニングする作業を
行なう。
成のための第３図に示す形状にバターニングする作業を
行なう。
口の作業は下部ボール３の形成の場合と同じであって、
メッキ液が銅メッキ液である点、及び、第３図に示すパ
ターンを形成するようにコンピュータ７がテーブル４を
制御する点が相３Ｌ１ するだけなので、その詳しい説
明は省略する。尚、本実施例では銅メッキ液の組成は下
記の通りである。
メッキ液が銅メッキ液である点、及び、第３図に示すパ
ターンを形成するようにコンピュータ７がテーブル４を
制御する点が相３Ｌ１ するだけなので、その詳しい説
明は省略する。尚、本実施例では銅メッキ液の組成は下
記の通りである。
ＣＩＪＳＯ４・５１−１．２０ ２００ｇ／ＩＨ２
８０４１００ｑ／１ 従って、前記と同様なメカニズムでレーＩＪ’−光が照
射された絶縁膜１２の部分は電子を放出し、その電子に
より銅メツキ液中の銅イオンが還元されて、その照射部
分に銅が析出されることになる。
８０４１００ｑ／１ 従って、前記と同様なメカニズムでレーＩＪ’−光が照
射された絶縁膜１２の部分は電子を放出し、その電子に
より銅メツキ液中の銅イオンが還元されて、その照射部
分に銅が析出されることになる。
この析出によって予め設定したパターンの銅の薄膜、即
ち、導電膜１３が絶縁膜１２上に形成される。
ち、導電膜１３が絶縁膜１２上に形成される。
続いて、ポリイミド樹脂を塗布して絶縁膜１４”□を形
成する。次に、絶縁膜１４上にニッケル−鉄合金からな
る上部ポール・引出し線１５を形成する作業を行なう。
成する。次に、絶縁膜１４上にニッケル−鉄合金からな
る上部ポール・引出し線１５を形成する作業を行なう。
この作業は形成パターンが相違するだけで下部ボール３
の形成の場合と同じなので説明は省略する。
の形成の場合と同じなので説明は省略する。
そして、ｋＡ後に金（八Ｕ）を電気メッキ、スパッタ又
は真空蒸着等の公知の方法で端子部１６を形成した後、
最後に保護ｇｔ１７を形成して薄膜ヘッドの製造工程は
終了する。
は真空蒸着等の公知の方法で端子部１６を形成した後、
最後に保護ｇｔ１７を形成して薄膜ヘッドの製造工程は
終了する。
このように、本実施例においてニッケル−鉄合金よりな
る下部ボール３、コイル形成のための鋼よりなる導電膜
１３、同じくニッケル−鉄合金よりなる上部ボール・引
出し線１５を形成するにあたって、ニッケル−鉄メッキ
液５若しくは銅メツキ液中のポリイミド樹脂よりなる絶
縁膜２．１２゜１にレーザー光を照射するだけでそれぞ
れニッケル−鉄合金若しくは銅の薄膜を形成することが
できる。従って、従来のように、望の金属付着防止のた
めのレジス１へパターンを形成したりエツチングレジス
トパターンを形成する必要がなく、製造工程を非常に簡
略化する口とができ、歩留りの向上を図ることができる
。
る下部ボール３、コイル形成のための鋼よりなる導電膜
１３、同じくニッケル−鉄合金よりなる上部ボール・引
出し線１５を形成するにあたって、ニッケル−鉄メッキ
液５若しくは銅メツキ液中のポリイミド樹脂よりなる絶
縁膜２．１２゜１にレーザー光を照射するだけでそれぞ
れニッケル−鉄合金若しくは銅の薄膜を形成することが
できる。従って、従来のように、望の金属付着防止のた
めのレジス１へパターンを形成したりエツチングレジス
トパターンを形成する必要がなく、製造工程を非常に簡
略化する口とができ、歩留りの向上を図ることができる
。
尚、この発明は前記実施例に限定されるものではなく、
前記実施例では薄膜ヘッドの製造に応用したが、例えば
プリント配線の回路板の製造等、その他薄膜形成技術に
応用してもよい。又、前記実施例Ｃは銅の樽゛電ａ膜１
３を形成したが、これに限定されるものではなく、アル
ミニウムや金の導電Ｉｌすであってしよい。この場合、
メッキ液はアルミメッキ液、金メッキ液が使用されるこ
とになる。さらに、前記実施例ではＮｄ／ＹＡＧレーザ
−８を用いたが、その他レーザーを使用して実施しても
よい。
前記実施例では薄膜ヘッドの製造に応用したが、例えば
プリント配線の回路板の製造等、その他薄膜形成技術に
応用してもよい。又、前記実施例Ｃは銅の樽゛電ａ膜１
３を形成したが、これに限定されるものではなく、アル
ミニウムや金の導電Ｉｌすであってしよい。この場合、
メッキ液はアルミメッキ液、金メッキ液が使用されるこ
とになる。さらに、前記実施例ではＮｄ／ＹＡＧレーザ
−８を用いたが、その他レーザーを使用して実施しても
よい。
又、前記実施例Ｃは金属膜が形成される絶縁膜の材料を
ポリイミド樹脂を用いたが、例えばシリコン、スルホー
ル樹脂等その信組縁材料を用いてもよい。尚、例えばス
ルホール樹脂よりなる絶縁膜に所定のパターンの金属膜
を形成する場合には絶縁膜に金属を析出する部分にパラ
ジウム−スズ専のシーダーを塗布するとともに、金属メ
ッキ液を還元剤を入れた無電界金属メッキ液（例えば、
無雷讐銅メッキ液：ｆｌＩ！１［１ブ鋼（１，Ｏｑ／ｌ
）、エチレンジアミン四酢酸＜４０ｇ／ ｌ ） 、Ｐ
ｔ（１２）とし、照射された部分（シーダーを塗布した
部分）が加熱されるだけで電子を放出さ１！ない又は放
出しない程度の出力のレー瞥アー光を照射した場合でも
、無電゛界メッキと同様なメカニズムで金属膜を形成す
ることができる。
ポリイミド樹脂を用いたが、例えばシリコン、スルホー
ル樹脂等その信組縁材料を用いてもよい。尚、例えばス
ルホール樹脂よりなる絶縁膜に所定のパターンの金属膜
を形成する場合には絶縁膜に金属を析出する部分にパラ
ジウム−スズ専のシーダーを塗布するとともに、金属メ
ッキ液を還元剤を入れた無電界金属メッキ液（例えば、
無雷讐銅メッキ液：ｆｌＩ！１［１ブ鋼（１，Ｏｑ／ｌ
）、エチレンジアミン四酢酸＜４０ｇ／ ｌ ） 、Ｐ
ｔ（１２）とし、照射された部分（シーダーを塗布した
部分）が加熱されるだけで電子を放出さ１！ない又は放
出しない程度の出力のレー瞥アー光を照射した場合でも
、無電゛界メッキと同様なメカニズムで金属膜を形成す
ることができる。
ざらに又、本発明は金属メッキ液に限定されるものでは
なく気体であってもよい。
なく気体であってもよい。
（発明の効果）
以上詳）ホしたように、各種金属の化１摸製ｊも工程の
簡略化を図ることができるとともに、歩留りの向上を図
ることができ、しかも、微細化パターンが可能なので、
薄膜ヘッドの製造には特に有効である。
簡略化を図ることができるとともに、歩留りの向上を図
ることができ、しかも、微細化パターンが可能なので、
薄膜ヘッドの製造には特に有効である。
４、図面の簡’ｌ ％ ｒ、Ｑ明
第１図はこの発明を具体化した薄膜へラドシラ造工程を
説明する説明図、第２図は同じく金属Ａ？膜形成のため
の装置の概略説明図、第３図は同じくａ ｉｑヘッドの
コイル形成のための導電膜の正面図である。
説明する説明図、第２図は同じく金属Ａ？膜形成のため
の装置の概略説明図、第３図は同じくａ ｉｑヘッドの
コイル形成のための導電膜の正面図である。
図中、１は基板、２．１１−１２．１４は絶縁膜、３は
下部ボール、４はテーブル、５はニッケル−鉄メッキ液
、７はコンピュータ、８はレーザー、１３は導電膜、１
５は上部ポール・引出し線である。
下部ボール、４はテーブル、５はニッケル−鉄メッキ液
、７はコンピュータ、８はレーザー、１３は導電膜、１
５は上部ポール・引出し線である。
特５１出願人 ブラザー工業株式会社代 理
人 弁理士 恩１）博宣第２図 第３図 自発子わ！ン市正書 昭和６１年４月１４１］ 特許庁長官 宇 賀 道 部 殿 ２、発明の名称 薄膜形成り仏 ３．７市正召″する者 事１′１との関係： 特許出願人 氏 名 ５２６ ブラリ゛−工業 株式会社（名
称） ４、代理人 住所 〒５００ 岐串市端詰町２番装置 ＜０５８
２＞６５−１８１０（代表）ファックス専用 ＜０５８
２＞ ６６−１３３９（１）明細す１第５頁第１行（７
） ｒ ３Ｊ （７）ｎｄｉｌ＆ヲ１３） Ｊ ト？ｌ
ｌ１ｉＴ＝寸ル。
人 弁理士 恩１）博宣第２図 第３図 自発子わ！ン市正書 昭和６１年４月１４１］ 特許庁長官 宇 賀 道 部 殿 ２、発明の名称 薄膜形成り仏 ３．７市正召″する者 事１′１との関係： 特許出願人 氏 名 ５２６ ブラリ゛−工業 株式会社（名
称） ４、代理人 住所 〒５００ 岐串市端詰町２番装置 ＜０５８
２＞６５−１８１０（代表）ファックス専用 ＜０５８
２＞ ６６−１３３９（１）明細す１第５頁第１行（７
） ｒ ３Ｊ （７）ｎｄｉｌ＆ヲ１３） Ｊ ト？ｌ
ｌ１ｉＴ＝寸ル。
〈２）明細ｉｎ第１０頁第１２行、第１３行及び第１８
行の「無電界」の記載を「無電解」と（れぞれ補正する
。
行の「無電界」の記載を「無電解」と（れぞれ補正する
。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、絶縁膜を金属メッキ雰囲気中に入れ、その絶縁膜に
レーザー光を照射することによりその照射部分に金属を
析出させることを特徴とする薄膜形成方法。 ２、絶縁膜はポリイミド系樹脂材料で形成され、金属メ
ッキ雰囲気はニッケル−鉄メッキ液であって、絶縁膜の
所定の位置にレーザー光を照射して絶縁膜上にニッケル
−鉄を析出させて回路パターンを形成するようにした特
許請求の範囲第１項記載の薄膜形成方法。 ３、絶縁膜はポリイミド系樹脂材料で形成され、金属メ
ッキ雰囲気は銅メッキ液であつて、絶縁膜上の所定の位
置にレーザー光を照射して同絶縁膜上に銅を析出させて
回路パターンを形成するようにした特許請求の範囲第１
項記載の薄膜形成方法。 ４、絶縁膜はその表面の適宜の位置にシーダーを施し、
金属メッキ雰囲気は還元剤を入れたものであつて、その
シーダーを施した部分にレーザー光を照射して金属を析
出させるようにしたものである特許請求の範囲第１項記
載の薄膜形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3769486A JPS62196378A (ja) | 1986-02-21 | 1986-02-21 | 薄膜形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3769486A JPS62196378A (ja) | 1986-02-21 | 1986-02-21 | 薄膜形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62196378A true JPS62196378A (ja) | 1987-08-29 |
Family
ID=12504661
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3769486A Pending JPS62196378A (ja) | 1986-02-21 | 1986-02-21 | 薄膜形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62196378A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0681153A (ja) * | 1992-03-10 | 1994-03-22 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | レーザによる金属の析出方法 |
| JP2001064794A (ja) * | 1999-08-25 | 2001-03-13 | Japan Science & Technology Corp | １００ナノメーター未満の直径とアスペクト比が１を越えるように発達させた無機質微細ロッドおよび前記ロッドの製造方法。 |
| JP2005060828A (ja) * | 2003-07-28 | 2005-03-10 | Masaya Ichimura | 光析出による金メッキ法及び金メッキ膜形成装置 |
| JP2014031577A (ja) * | 2012-07-11 | 2014-02-20 | Osaka Univ | 金属パターン形成用組成物及び金属パターン形成方法 |
| JP2015224365A (ja) * | 2014-05-28 | 2015-12-14 | 住友電気工業株式会社 | 金属被膜を有する製品の製造方法及び金属被膜を有する製品 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4841926A (ja) * | 1971-09-30 | 1973-06-19 | ||
| JPS59102953A (ja) * | 1982-12-03 | 1984-06-14 | Rin Kagaku Kogyo Kk | 導電性の合成樹脂組成物 |
| JPS6130672A (ja) * | 1984-07-23 | 1986-02-12 | Hitachi Ltd | 選択的加工方法 |
-
1986
- 1986-02-21 JP JP3769486A patent/JPS62196378A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4841926A (ja) * | 1971-09-30 | 1973-06-19 | ||
| JPS59102953A (ja) * | 1982-12-03 | 1984-06-14 | Rin Kagaku Kogyo Kk | 導電性の合成樹脂組成物 |
| JPS6130672A (ja) * | 1984-07-23 | 1986-02-12 | Hitachi Ltd | 選択的加工方法 |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0681153A (ja) * | 1992-03-10 | 1994-03-22 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | レーザによる金属の析出方法 |
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| JP4682354B2 (ja) * | 1999-08-25 | 2011-05-11 | 独立行政法人科学技術振興機構 | １００ナノメーター未満の直径とアスペクト比が１を越えるように発達させた無機質微細ロッドおよび前記ロッドの製造方法 |
| JP2005060828A (ja) * | 2003-07-28 | 2005-03-10 | Masaya Ichimura | 光析出による金メッキ法及び金メッキ膜形成装置 |
| US7641944B2 (en) | 2003-07-28 | 2010-01-05 | Kabushiki Kaisha Tokai Rika Denki Seisakusho | Method for forming gold plating |
| JP4521228B2 (ja) * | 2003-07-28 | 2010-08-11 | 正也 市村 | 光析出による金メッキ法及び金メッキ膜形成装置 |
| JP2014031577A (ja) * | 2012-07-11 | 2014-02-20 | Osaka Univ | 金属パターン形成用組成物及び金属パターン形成方法 |
| JP2015224365A (ja) * | 2014-05-28 | 2015-12-14 | 住友電気工業株式会社 | 金属被膜を有する製品の製造方法及び金属被膜を有する製品 |
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